JP4975546B2 - 誘電率測定装置 - Google Patents
誘電率測定装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4975546B2 JP4975546B2 JP2007193400A JP2007193400A JP4975546B2 JP 4975546 B2 JP4975546 B2 JP 4975546B2 JP 2007193400 A JP2007193400 A JP 2007193400A JP 2007193400 A JP2007193400 A JP 2007193400A JP 4975546 B2 JP4975546 B2 JP 4975546B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- dielectric
- sample
- dielectric constant
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Description
Yasuo Cho et al.,"Quantitative Measurement of Linear and Nonlinear Dielectric Characteristics Using Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy", Jpn.J.Appl.Phys. Vol.39 (2000) pp.3086-3089 長康雄 他、"非線形誘電率分布測定用顕微鏡"、電子情報通信学会論文誌C-I Vol.J78-C-I, No.11, pp.593-598 (1995)
図1は、本発明の誘電率測定装置の第1の実施形態を示す。図1(a) において、探針101は、試料ステージ108に載せた誘電体試料109の表面に接触する構成であり、探針101の周囲には固定電位(ここでは接地電位)を有する電極102が設けられる。探針101が誘電体試料109の表面に接触したときに、探針101の直下の誘電体試料109の微小領域にキャパシタンスCs が生じる。LC発振回路106は、発振器105に接続されるキャパシタ(キャパシタンスC0 )103およびインダクタ(インダクタンスL)104を備え、探針101が誘電体試料109に接触したときに生じるキャパシタンスCs がキャパシタ103と並列になるように、LC発振回路106と探針101および電極102が接続される。LC発振回路106には周波数弁別器107が接続され、LC発振回路106が出力する信号の周波数(発振周波数)が測定される。
fs =1/[2π(L(C0+Cs))1/2] (1)
図3は、本発明の誘電率測定装置の第2の実施形態を示す。図3において、本実施形態の誘電率測定装置は、図1に示す第1の実施形態の構成における試料ステージ108と電極102との間に交流信号発生器301を接続して誘電体試料109に交流電界を印加し、さらに周波数弁別器107と交流信号発生器301にロックインアンプ302を接続する構成である。周波数弁別器107はLC発振回路106の時間変化する発振周波数を計測し、ロックインアンプ302は交流信号発生器301が印加する交流電界の周波数の整数倍の周波数で同期検波することにより、探針101の直下の誘電体試料109の微小領域の非線形誘電率を測定する。
Ep =E0 cos(ωpt) (2)
Δε=(1/4)ε(4)E0 2+ε(3)E0cos(ωpt)+(1/4)ε(4)E0 2cos(2ωpt)+… (3)
ここで、ε(3),ε(4),…は、電束密度Dを次式のように電界Eで展開したときの展開係数である。
D=P+ε(2)E+(1/2)ε(3)E2+(1/6)ε(4)E3+(1/24)ε(5)E4+… (4)
図4は、本発明の誘電率測定装置の第3の実施形態を示す。本実施形態は、試料ステージ108に載せた誘電体試料109の温度制御に用いる温度制御機構の一例を示す。
図5は、本発明の誘電率測定装置の第4の実施形態を示す。本実施形態は、誘電体試料109と探針101との間の高さ調整に用いる高さ調整機構、および誘電体試料109と探針101との間の相対的な位置制御に用いる位置制御機構の一例を示す。
102 電極
103 キャパシタ
104 インダクタ
105 発振器
106 LC発振回路
107 周波数弁別器
108 試料ステージ
109 誘電体試料
201 基板
202 ブロック
203 レール
204 ストッパー
301 交流信号発生器
302 ロックインアンプ
401 試料ステージ本体
402 ペルチェ素子
403 熱浴
501 高さ調整機構
502 位置制御機構
Claims (4)
- 誘電体試料を載せる試料ステージと、
前記試料ステージに載せた誘電体試料の表面に接触させる探針と、
前記探針の周囲に設けられた固定電位を有する電極と、
発振器に接続されるキャパシタおよびインダクタを有し、前記探針が前記誘電体試料の表面に接触したときに生じる前記誘電体試料の前記探針直下の微小領域のキャパシタンスが該キャパシタと並列になるように、前記探針および前記電極に接続されるLC発振回路と、
前記LC発振回路に接続され、前記LC発振回路が出力する信号の周波数(発振周波数)を測定する周波数弁別器と
を備え、前記誘電体試料の表面に前記探針を接触させ、前記周波数弁別器で測定された前記LC発振回路の発振周波数から前記誘電体試料の前記探針直下の微小領域の誘電率を測定する誘電率測定装置において、
前記探針と前記電極と前記LC発振回路を取り付ける基板と、
前記基板に結合されるブロックと、
前記探針が鉛直方向になるように前記ブロックを保持し、前記ブロックを鉛直方向に可動させるとともに前記ブロックの抜け落ちを防ぐストッパーを有し、前記探針の先端を前記誘電体試料に接触させるレールと、
前記レールおよび前記試料ステージの少なくとも一方に取り付け、前記探針と前記試料ステージとの間の高さを調整する高さ調整機構と、
前記レールおよび前記試料ステージの少なくとも一方に取り付け、前記探針と前記誘電体試料の水平方向の相対位置を調整する位置調整機構と
を備え、前記高さ調整機構および前記位置調整機構を制御して前記探針が接触する前記誘電体試料の位置を変えながら、前記誘電体試料の表面に対する前記探針の接触力を一定に保持し、前記誘電体試料の誘電率を測定する構成である
ことを特徴とする誘電率測定装置。 - 誘電体試料を載せる試料ステージと、
前記試料ステージに載せた誘電体試料の表面に接触させる探針と、
前記探針の周囲に設けられた固定電位を有する電極と、
発振器に接続されるキャパシタおよびインダクタを有し、前記探針が前記誘電体試料の表面に接触したときに生じる前記誘電体試料の前記探針直下の微小領域のキャパシタンスが該キャパシタと並列になるように、前記探針および前記電極に接続されるLC発振回路と、
前記LC発振回路に接続され、前記LC発振回路が出力する信号の周波数(発振周波数)を測定する周波数弁別器と、
前記試料ステージと前記電極に接続され、前記試料ステージに所定の周波数の交流電界を印加する交流信号発生器と、
前記周波数弁別器と前記交流信号発生器に接続されたロックインアンプと
を備え、前記誘電体試料の表面に前記探針を接触させ、前記周波数弁別器で測定された前記LC発振回路の発振周波数の信号を前記ロックインアンプに入力し、前記交流信号発生器が印加する交流電界の周波数の整数倍の周波数で同期検波して前記誘電体試料の前記探針直下の微小領域の非線形誘電率を測定する誘電率測定装置において、
前記探針と前記電極と前記LC発振回路を取り付ける基板と、
前記基板に結合されるブロックと、
前記探針が鉛直方向になるように前記ブロックを保持し、前記ブロックを鉛直方向に可動させるとともに前記ブロックの抜け落ちを防ぐストッパーを有し、前記探針の先端を前記誘電体試料に接触させるレールと、
前記レールおよび前記試料ステージの少なくとも一方に取り付け、前記探針と前記試料ステージとの間の高さを調整する高さ調整機構と、
前記レールおよび前記試料ステージの少なくとも一方に取り付け、前記探針と前記誘電体試料の水平方向の相対位置を調整する位置調整機構と
を備え、前記高さ調整機構および前記位置調整機構を制御して前記探針が接触する前記誘電体試料の位置を変えながら、前記誘電体試料の表面に対する前記探針の接触力を一定に保持し、前記誘電体試料の誘電率を測定する構成である
ことを特徴とする誘電率測定装置。 - 請求項1または請求項2に記載の誘電率測定装置において、
前記試料ステージは、前記誘電体試料の温度を制御する温度制御機構を含む構成であることを特徴とする誘電率測定装置。 - 請求項1または請求項2に記載の誘電率測定装置において、
前記基板と前記ブロックが同一部材で構成されたことを特徴とする誘電率測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007193400A JP4975546B2 (ja) | 2007-07-25 | 2007-07-25 | 誘電率測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007193400A JP4975546B2 (ja) | 2007-07-25 | 2007-07-25 | 誘電率測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009031044A JP2009031044A (ja) | 2009-02-12 |
JP4975546B2 true JP4975546B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=40401718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007193400A Expired - Fee Related JP4975546B2 (ja) | 2007-07-25 | 2007-07-25 | 誘電率測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4975546B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CZ2013355A3 (cs) * | 2013-05-16 | 2014-07-16 | Česká zemědělská univerzita v Praze | Kapacitní snímač průchodnosti partikulárních materiálů s teplotní kompenzací |
CN113945764B (zh) * | 2021-10-15 | 2023-11-21 | 中国人民解放军国防科技大学 | 复合场条件下物质的介电常数测量系统和方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04350578A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Fujitsu Ltd | プロービング装置 |
US5309110A (en) * | 1992-03-04 | 1994-05-03 | The Perkin Elmer Corporation | Differential dielectric analyzer |
JP4445149B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2010-04-07 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 三次元分極計測用の走査型非線形誘電率顕微鏡 |
DE60234367D1 (de) * | 2001-09-10 | 2009-12-24 | Pioneer Corp | Dielektrizitätskonstantenmessvorrichtung und dielektrizitätskonstantenmessverfahren |
-
2007
- 2007-07-25 JP JP2007193400A patent/JP4975546B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009031044A (ja) | 2009-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10556793B2 (en) | Thermal measurements using multiple frequency atomic force microscopy | |
JP4884506B2 (ja) | 音叉−走査探針結合振動計 | |
Guliyev et al. | Quasi-monolithic integration of silicon-MEMS with piezoelectric actuators for high-speed non-contact atomic force microscopy | |
Stange et al. | Building a Casimir metrology platform with a commercial MEMS sensor | |
JP2008070373A (ja) | 多次元容量変換器 | |
KR101891940B1 (ko) | 원자력 현미경을 작동시키는 방법 | |
Verbiest et al. | Subsurface-AFM: sensitivity to the heterodyne signal | |
JP2009300116A (ja) | カンチレバー、カンチレバーシステム、走査型プローブ顕微鏡、質量センサ装置、弾性計測装置及びマニピュレーション装置並びにカンチレバーの変位測定方法、カンチレバーの加振方法及びカンチレバーの変形方法 | |
KR102097351B1 (ko) | 다중 통합 팁들 스캐닝 프로브 현미경 | |
Sarkar et al. | CMOS-MEMS dynamic FM atomic force microscope | |
Park et al. | Topography imaging with a heated atomic force microscope cantilever in tapping mode | |
JP4975546B2 (ja) | 誘電率測定装置 | |
Hernando et al. | Simulation and laser vibrometry characterization of piezoelectric AlN thin films | |
JP4805752B2 (ja) | 誘電率測定装置 | |
Zhang et al. | A microelectromechanical systems (MEMS) force-displacement transducer for sub-5 nm nanoindentation and adhesion measurements | |
Sarioglu et al. | Modeling, design, and analysis of interferometric cantilevers for time-resolved force measurements in tapping-mode atomic force microscopy | |
Gao et al. | In-situ nondestructive characterization of the normal spring constant of AFM cantilevers | |
WO2014006734A1 (ja) | 力プローブ顕微鏡及び高さ分布測定方法 | |
Vyshatko et al. | Fiber-optic based method for the measurements of electric-field induced displacements in ferroelectric materials | |
Park et al. | Nanoindentation of the a and c domains in a tetragonal BaTiO3 single crystal | |
Wooldridge et al. | Vertical comb drive actuator for the measurement of piezoelectric coefficients in small-scale systems | |
Babij et al. | MEMS displacement generator for atomic force microscopy metrology | |
Savage et al. | From microns to kissing contact: Dynamic positioning of two nano-systems | |
Karkkainen et al. | Optimized design and process for making a DC voltage reference based on MEMS | |
Ludwig | Casimir force experiments with quartz tuning forks and an atomic force microscope (AFM) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090715 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120410 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120411 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |