JP4971501B2 - 再構築可能な磁気論理回路配列体、および再構築可能な磁気論理回路配列体の製造方法および動作方法 - Google Patents
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Description
Claims (52)
- 少なくとも2つの磁気抵抗素子を有する再構築可能な磁気論理回路配列体であって、
前記磁気抵抗素子はそれぞれ、少なくとも2つの磁性層と、少なくとも2つの信号端子に対応する少なくとも1つの導体から構成され、
前記磁性層は中間層によって相互に分離されており、
前記磁性層のうち1つは基準層として、外部磁界に影響されても磁化を実質的に変化させず、他方の磁性層は自由層として、外部磁界に影響されると磁化を検出可能に変化させ、
前記少なくとも1つの導体が通電状態にあると、該導体によって、前記磁気抵抗素子に作用し前記自由層の磁化を切り換える第1の磁界が生成され、
当該磁気論理回路配列体は、前記磁気抵抗素子に影響する可変の第2の磁界を必要に応じて生成するための第2磁界生成装置を有する、磁気論理回路配列体において、
2つの前記磁気抵抗素子が相互に隣接して配置されており、
両基準層の磁化は、予め設定された一軸異方性によって逆方向に配向されており、
前記第1の磁界および第2の磁界が前記磁気抵抗素子に作用して前記自由層の磁化方向が相応に変化し、該磁気抵抗素子の抵抗が相応に変化することにより、当該磁気論理回路配列体においてすべての基本的な論理関数の切換動作を行えるように、前記磁気抵抗素子は相互に接続されており、とりわけAND関数、OR関数、NAND関数、NOR関数、XOR関数またはXNOR関数に切り換えられるように前記磁気抵抗素子は相互に接続されていることを特徴とする、磁気論理回路配列体。 - 前記第2磁界生成装置が、位置が前記少なくとも2つの信号端子に対応する導体に垂直方向である通電可能な導体を有する、請求項1記載の磁気論理回路配列体。
- 当該磁気論理回路配列体の領域内に、磁気的に作用するエレメントが配置されており、有利には、前記第1の可変の磁界の少なくとも2つの信号端子に対応する導体が、該磁気的に作用するエレメントを含み、
該磁気的に作用するエレメントの磁界は、前記磁気抵抗素子の基準層の磁化に対して平行または逆平行に配向されている、請求項1記載の磁気論理回路配列体。 - 前記磁気抵抗素子の接続体においてすべての基本的な論理関数の切換動作、とりわけAND関数、OR関数、NAND関数、NOR関数、XOR関数またはXNOR関数の切換動作を選択的に設定できるように、該磁気抵抗素子の接続に関して前記第1の磁界と前記第2の磁界とが重なるようにされている、請求項1から3までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 相互に逆方向にピン留めされた前記2つの磁気抵抗素子のスイッチングアステロイド曲線は、前記基準層の交換バイアス結合(EB)によって相互にシフトされている、請求項1から4までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子の磁性層は強磁性材料から成る、請求項1から5までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子の基準層はそれぞれ硬磁性材料を含む、請求項6記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子の自由層はそれぞれ軟磁性材料を含む、請求項6記載の磁気論理回路配列体。
- 前記強磁性材料は、CoFe,NiFe,CoFeBまたはホイスラー化合物を含む、請求項6から8までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子の基準層の一軸異方性は、交換結合によって強磁性材料と反強磁性材料との間に存在する、請求項1から9までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記中間層は絶縁体層である、請求項1から10までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記絶縁体層は酸化マグネシウムMgOまたは酸化アルミニウムAl2O3を絶縁体材料として含む、請求項11記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子はトンネル磁気抵抗素子(TMR素子)である、請求項11または12記載の磁気論理回路配列体。
- 前記中間層は非磁性金属層である、請求項1から10までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子は巨大磁気抵抗素子(GMR素子)である、請求項14記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子の基準層の実質的に一定の磁気的特性が、強い一軸異方性および/または高い保磁力を有する付加的な磁性層によって安定化され、
前記付加的な磁性層は、非磁性層を介して層間交換結合によって前記基準層に結合される、請求項1から15までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。 - 前記2つの磁気抵抗素子の基準層の一軸異方性は、前記基準層の交換バイアス結合(EB)によって相互に逆方向に配向されている、請求項1から16までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子は方形の基本形を有する、請求項1から17までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子は、長い主軸と短い主軸とを有する楕円形の基本形を有する、請求項1から17までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 相互に接続された前記磁気抵抗素子の場所の磁界強度は、実質的に同じである、請求項1から19までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記入力信号は、少なくとも1つの導体によって前記磁気抵抗素子の接続体に印加され、
前記少なくとも1つの導体で、論理0または論理1の異なる信号レベルに対応する異なる電流強度が個別または同時に、前記磁気抵抗素子の接続体に与えられるように構成されている、請求項1から20までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。 - 前記磁気抵抗素子の自由層の磁化が所期のように変化することにより、該磁気抵抗素子の接続体全体の特性が変化するように、前記入力信号によって前記導体上に発生する磁界は相互に重なる、請求項21記載の磁気論理回路配列体。
- 生成される磁界の方向が前記磁気抵抗素子の磁化方向に対して平行になるように、前記入力信号を印加するための導体は前記磁気抵抗素子の基準層の磁化方向に対して配置されている、請求項1から22までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子の接続体の各入力信号ごとに1つの専用の導体が設けられている、請求項1から23までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記少なくとも1つの導体によって発生する前記磁気抵抗素子の磁気作用は、
両信号の電流が負である場合には負の磁界が発生し、
両信号のうち1つの電流が正であり他方の電流が負である場合にはゼロ磁界が発生し、
両信号の電流が同時に正である場合には正の磁界が発生する
ように形成される、請求項1から24までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。 - 前記入力信号を印加するための少なくとも1つの導体を流れる電流によって生じる磁界に対して逆方向かつ等しい振幅の漏れ磁界が発生するように、該入力信号を印加するための少なくとも1つの導体に、ピン留めされた硬磁性のレールが設けられている、請求項1から25までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記漏れ磁界は、前記ピン留めされた硬磁性のレールの厚さと該硬磁性のレールのピン留め方向とによって決定される、請求項26記載の磁気論理回路配列体。
- 前記2つの端子を有する導体を流れる電流によって生じる第1の磁界と、該第1の磁界に対して平行または逆平行の付加的な磁界とが重なり合うことにより、
両信号の電流がゼロである場合には負の磁界が発生し、
両信号のうち一方のみに電流が流れる場合にはゼロ磁界が発生し、
両信号に同時に電流が流れる場合には正の磁界が発生する
ように構成されている、請求項26または27記載の磁気論理回路配列体。 - 前記信号を印加するために2極の電流を必要としない、請求項26から28までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子の接続体の個々のスイッチング応答を表現するために異なる正の磁界強度が使用される、請求項1から29までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記切換動作を設定するための別の磁界の方向は、楕円形の前記磁気抵抗素子の長い半軸と前記基準層の磁化方向とに対して垂直である、請求項1から30までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子の接続体は、各切換過程の前に常に、定義された初期状態に切り換えられる、請求項1から31までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記定義された初期状態は、前記磁気抵抗素子の自由層の正の飽和または負の飽和を含む、請求項32記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子は相互に直列接続されている、請求項1から33までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子は相互に並列接続されている、請求項1から33までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記磁気抵抗素子の導電度が高く、ひいては抵抗が低い場合、該磁気抵抗素子の振舞いは論理1となり、
該磁気抵抗素子の導電度が低く、ひいては抵抗が高い場合、該磁気抵抗素子の振舞いは論理0を指す、請求項1から35までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。 - 前記2つの磁気抵抗素子の導電度または抵抗の差が、該2つの磁気抵抗素子の接続体のスイッチング応答を示す、請求項1から36までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 前記2つの磁気抵抗素子の導電度または抵抗に差がない場合、該差がないことは論理0を意味し、
前記抵抗に大きい差が存在する場合、該差は論理1を意味する、請求項37記載の磁気論理回路配列体。 - 有利には同種類の多数の再構築可能な磁気論理回路配列体が、1つの共通の論理回路に配置されている、請求項1から38までのいずれか1項記載の磁気論理回路配列体。
- 請求項1記載の再構築可能な磁気論理回路配列体の製造方法において、
前記磁気抵抗素子の作製前または作製中または作製後に、前記基準層の所期の磁化方向を少なくとも局所的に、磁気抵抗素子が配置される領域内で形成し、
前記磁気抵抗素子の完全または部分的な作製前または作製中または作製後に、固定化可能な磁気抵抗素子において、または磁気抵抗素子が配置される領域において、各基準層の磁化方向を変化することを特徴とする、製造方法。 - 各基準層の磁化方向を、磁界中でイオン衝突によって選択的に変化させる、請求項40記載の製造方法。
- 各基準層の磁化方向を磁界中で、有利にはレーザによって該基準層の局所的な加熱を行うことにより、選択的に変化させる、請求項40記載の製造方法。
- 前記磁気抵抗素子の一部分を、相互に逆方向の外部磁界内で別個にスパッタリングすることにより、各基準層の磁化方向を選択的に変化させる、請求項40記載の製造方法。
- 変化すべきでない磁気抵抗素子を有する変化すべきでない区分を有利には被覆マスク等によって被覆することにより、各基準層の磁化方向を選択的に変化させる、請求項40記載の製造方法。
- 両基準層の磁化方向を相互に逆方向に配向して、前記磁気抵抗素子を通常のリソグラフィ法またはエッチング法によって作製する、請求項1から44までのいずれか1項記載の製造方法。
- 請求項1記載の再構築可能な磁気論理回路配列体の動作方法において、
前記2つの磁気抵抗素子の接続体の動作時に、各切換過程前に常に、最初に該磁気抵抗素子の自由層を負または正に飽和させ、
前記論理関数を選択するための磁界を発生させ、かつ/または前記論理信号を前記少なくとも1つの導体に与えることにより、前記磁気抵抗素子の自由層の磁化を変化させ、該磁気抵抗素子の接続体の論理応答を検出することを特徴とする、動作方法。 - 前記磁気抵抗素子の自由層の飽和を、該磁気抵抗素子の接続体の設定すべき論理関数に依存して選択する、請求項46記載の動作方法。
- 前記入力信号を供給するための少なくとも1つの導体を、前記磁気抵抗素子の自由層の飽和を供給するためにも使用する、請求項47記載の動作方法。
- 前記論理信号のスイッチオフ前に、前記論理関数を選択するための磁界をスイッチオフする、請求項46から48までのいずれか1項記載の動作方法。
- 前記論理関数を選択するための磁界の生成と、前記論理信号とのために、クロック制御される電流を使用する、請求項46から49までのいずれか1項記載の動作方法。
- 前記共通の論理回路上に配置された同種類の磁気論理回路配列体は、設定に応じて同時に異なる論理関数を実行する、請求項46から50までのいずれか1項記載の動作方法。
- 前記共通の論理回路上に配置された同種類の磁気論理回路配列体は、設定に応じて同時に同じ論理関数を実行する、請求項46から50までのいずれか1項記載の動作方法。
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