JP4968574B2 - アルミナ膜の形成方法 - Google Patents
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また、容易にアルミナ膜の形成を可能としつつ、形成されるアルミナ膜の厚みを制御できるようにすることは非常に重要である。
先ず、図2に示されるように、シリコン基板に金を蒸着する(ステップA)。蒸着時間は4分である。
2 自己組織化単分子膜
3 ベーマイト粒子
4 アルミナ膜
Claims (4)
- 自己組織化法によって末端にカルボキシ基を有する分子を基材表面に配向させて自己組織化単分子膜を形成する第1ステップと、
前記自己組織化単分子膜上にベーマイト粒子を固定する第2ステップと、
前記ベーマイト粒子を固定した自己組織化単分子膜が形成された基材を加熱焼成する第3ステップと
を有することを特徴とするアルミナ膜の形成方法。 - 前記自己組織化単分子膜上に固定するベーマイト粒子は、粒子径を数nm〜100nmの範囲で選別したものであることを特徴とする請求項1記載のアルミナ膜の形成方法。
- 前記カルボキシ基を末端に有する分子は、アルキル鎖の一端にカルボキシ基を有し、他端に基材の表面と反応する結合性官能基が設けられたものであり、前記アルキル鎖の炭素数を10〜30に設定することを特徴とする請求項1記載のアルミナ膜の形成方法。
- ベーマイト粒子を固定した自己組織化単分子膜を加熱焼成する設定温度は、450℃〜1250℃であることを特徴とする請求項1記載のアルミナ膜の形成方法。
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