JP4966965B2 - 電源喪失によるデータ破損に強いフラッシュメモリ管理方法 - Google Patents
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Description
1.2ページのスーパーページ34のうちのページ32の1つが、成功裡に書き込まれ、もう一方のページが、書き込まれていない。
2.2ページのスーパーページ34のうちのもう一方のページ32への書き込みが、電源喪失によって中断される。
VT1 ビット1の値 ビット2の値
−3.0V 1 1
−0.5V 1 0
+2.0V 0 1
+4.5V 0 0
a.ページ19およびページ20が、ページ21の危険ゾーン内にあること、
b.ページ20が、ページ22の危険ゾーン内にあること、
c.ページ23が、その危険ゾーン内に書き込み済みページを含まないこと、
d.ページ24が、その危険ゾーン内に書き込み済みページを含まないこと、
e.ページ25が、その危険ゾーン内に書き込み済みページを含まないこと、
が分かる。
Claims (29)
- マルチレベルセルに複数のページを格納し、シングルレベルセルにログを格納するメモリの管理方法であって、
(a)各ページのそれぞれの危険ゾーンを識別するステップと、
(b)新しいデータを書き込むために少なくとも1つの未書き込みページを選択するステップと、
(c)少なくとも1つの書き込み済みページを自身の危険ゾーンが含む各前記未書き込みページのために、各前記書き込み済みページを、シングルレベルセルの前記ログにコピーするステップと、
を含む方法。 - (d)前記新しいデータを前記少なくとも1つの未書き込みページに書き込むステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記新しいデータが2ページ以上にわたる場合に、前記書き込むステップが同時に行われる、請求項2に記載の方法。
- 前記コピーするステップおよび前記書き込むステップが、同時に行われる、請求項2または3に記載の方法。
- (e)少なくとも1つの書き込み済みページに格納されたデータが破損しているかどうかをチェックするステップと、
(f)前記データが破損している場合には、前記データを前記ログからの対応するデータと取り替えるステップと、
をさらに含む、請求項2から4のいずれかに記載の方法。 - 前記チェックするステップが誤り検出符号を用いて行われる、請求項5に記載の方法。
- 前記チェックするステップおよび前記取り替えるステップが、メモリを含むシステムが電源投入されるときに行われる、請求項5に記載の方法。
- 未書き込みページに書き込まれる前記新しいデータが、前記未書き込みページの前記危険ゾーンにおける全ての書き込み済みページが前記ログとしてコピーされて初めて、前記未書き込みページに書き込まれる請求項2に記載の方法であって、前記方法が、前記ログとしてコピーされる各書き込み済みページのために、
(e)対応するフラグを設定するステップと、
(f)前記各書き込み済みページを自身の危険ゾーンが含む前記少なくとも1つの未書き込みページに書き込まれることになる前記新しいデータが、前記各書き込み済みページを自身の危険ゾーンが含む全ての前記少なくとも1つの未書き込みページに書き込まれた後で、前記対応するフラグをクリアするステップと、
をさらに含む、請求項2に記載の方法。 - (g)設定される各前記フラグについて、前記各フラグに対応する前記書き込み済みページに格納されたデータを、前記ログからの対応するデータと取り替えるステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 前記取り替えるステップが、前記メモリを含むシステムが電源投入されるときに行われる、請求項9に記載の方法。
- 前記新しいデータが2ページ以上にわたる場合には、前記選択された未書き込みページが順次的に書き込まれる、請求項2に記載の方法。
- 前記新しいデータが2ページ以上にわたる場合には、前記選択された未書き込みページがランダムな順序で書き込まれる、請求項2に記載の方法。
- 前記コピーするステップおよび前記書き込むステップが、それぞれ異なる書き込みモードを用いて行われる、請求項2に記載の方法。
- 前記コピーするステップの前記書き込みモードが、前記書き込むステップの前記書き込みモードより、メモリのセルに少数のビットを書き込む、請求項13に記載の方法。
- 全ての前記危険ゾーンが等しいページ数を含む、請求項1に記載の方法。
- 各前記危険ゾーンが1ページを含む、請求項15に記載の方法。
- 少なくとも2つの前記危険ゾーンが、異なるページ数を含む、請求項1に記載の方法。
- (a)複数のページを格納するマルチレベルセルと、ログを格納するシングルレベルセルと、を含むデータ記憶媒体と、
(b)(i)前記複数のページにおける各ページのそれぞれの危険ゾーンを識別するステップと、
(ii)前記新しいデータを書き込むために、前記複数のページの少なくとも1つの未書き込みページを選択するステップと、
(iii)前記複数のページの少なくとも1つの書き込みページを自身の危険ゾーンが含む各前記未書き込み済みページのために、各前記書き込み済みページを、前記シングルレベルセルにログとしてコピーするステップと、を含むステップによって、前記複数のページに新しいデータを書き込むためのコントローラと、
を含むデータ記憶システム。 - 前記データ記憶媒体が不揮発性である、請求項18に記載のデータ記憶システム。
- 前記データ記憶媒体がフラッシュメモリである、請求項19に記載のデータ記憶システム。
- 前記フラッシュメモリが複数のマルチレベルセルを含む、請求項20に記載のデータ記憶システム。
- 前記フラッシュメモリが、複数のブロックの各ブロックのそれぞれが前記複数のページの一部の複数ページを含むように、前記複数のブロックを含み、前記コントローラが、前記新しいデータを、各前記ブロックの前記ページに順次的にのみ書き込む、請求項20に記載のデータ記憶システム。
- 前記フラッシュメモリが、複数のブロックの各ブロックのそれぞれが前記複数のページの一部の複数ページを含むように、前記複数のブロックを含み、前記コントローラが、前記新しいデータを、各前記ブロックの前記ページにランダムな順序で書き込む、請求項20に記載のデータ記憶システム。
- 前記ログが、前記データ記憶媒体の一部に格納される、請求項18に記載のデータ記憶システム。
- 前記コントローラが、
(iv)前記複数のページの前記少なくとも1つの未書き込みページに前記新しいデータを書き込むステップ、
をさらに含むステップによって、前記複数のページに前記新しいデータを書き込む、請求項18に記載のデータ記憶システム。 - 前記ログとして前記コピーするステップおよび前記少なくとも1つの未書き込みページへの前記書き込むステップが、それぞれ異なる書き込みモードを用いて行われる、請求項25に記載のデータ記憶システム。
- 前記ログとして前記コピーするステップの前記書き込みモードが、前記少なくとも1つの未書き込みページへの前記書き込むステップの前記書き込みモードより、前記データ記憶媒体のセルに少数のビットを書き込む、請求項26に記載のデータ記憶システム。
- コンピュータ可読コードを自身に埋め込んだコンピュータ可読記憶媒体であって、前記コンピュータ可読コードが、データ記憶媒体の複数のページの少なくとも1つに新しいデータを書き込むためのものであり、
前記データ記憶媒体が、複数のページを格納するマルチレベルセルと、ログを格納するシングルレベルセルと、を含み
前記コンピュータ可読コードが、
(a)各ページのそれぞれの危険ゾーンを識別するためのプログラムコードと、
(b)新しいデータを書き込むために少なくとも1つの未書き込みページを選択するためのプログラムコードと、
(c)少なくとも1つの書き込み済みページを自身の危険ゾーンが含む各前記未書き込みページのために、各前記書き込み済みページを、前記シングルレベルセルにログとしてコピーするためのプログラムコードと、を含むコンピュータ可読記憶媒体。 - 複数のページを含むメモリの管理方法であって、
(a)各ページのそれぞれの危険ゾーンを識別するステップと、
(b)新しいデータを書き込むために少なくとも1つの未書き込みページを選択するステップと、
(c)少なくとも1つの書き込み済みページを自身の危険ゾーンが含む各前記未書き込みページのために、各前記書き込み済みページをログとしてコピーするステップと、
(d)前記新しいデータを前記少なくとも1つの未書き込みページに書き込むステップと、
(e)少なくとも1つの書き込み済みページに格納されたデータが破損しているかどうかをチェックするステップと、
(f)前記データが破損している場合には、前記データを前記ログからの対応するデータと取り替えるステップと、を含み、
前記チェックステップが誤り検出符号を用いて行われる、方法。
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