JP4966907B2 - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルおよびその製造技術に関し、特に、プラズマディスプレイパネルの放電遅れの改善に適用して有効な技術に関する。

プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ；Plasma Display Panel）は、例えば希ガスなどの放電ガスを封入したセルと呼ばれる放電空間内で、気体放電を発生させ、この際に発生する真空紫外線で蛍光体を励起して、画像を表示する表示パネルである。

現在、一般に商品化されているＡＣ（交流）駆動方式のＰＤＰは面放電型である。面放電型ＰＤＰでは、カラー表示のための蛍光体を表示電極対からパネルの厚さ方向に遠ざけて配置することができ、それによって放電時のイオン衝撃（スパッタ）による蛍光体の特性劣化を低減することができる。したがって、面放電型ＰＤＰは、対を成す表示電極（Ｘ電極およびＹ電極と呼ばれる）を前面基板と背面基板とに振り分けて配置する対向放電型に比べて、長寿命化に適している。

上記一般の面放電型ＡＣ型ＰＤＰの前面基板では、ＸおよびＹの表示電極対を覆う誘電体層が放電時のイオンの衝撃により劣化することを防ぐために保護膜を設ける。この保護膜は、誘電体層が放電時のイオンの衝撃により劣化するのを防ぐだけでなく、該保護膜にイオンが衝突することにより、二次電子を放出し、放電を成長させる機能も有する。

上記保護膜として、耐イオン衝撃性や二次電子の放出のしやすさから、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の薄膜が一般に用いられる（特許文献１参照）。
特開２００６−１４７４１７号公報

＜放電遅れについての検討＞
上記ＭｇＯの保護膜は二次電子放射係数が高く、放電開始電圧を低減するには有効である。しかし近年、ＰＤＰの高精細化の要求に伴って更にアドレス速度を向上させる必要が生じ、この結果、放電遅れの改善が新たに重要な課題となっている。

すなわち、ＰＤＰの高精細化をすすめると、表示ライン数が増加する。例えば、いわゆるフルハイビジョン規格では１０８０本の表示ラインを有することとなる。ＰＤＰでは所定のフレーム時間（フィールド）を、複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドで行う維持放電（表示放電）の回数の組み合わせにより階調表示を行う。また、画像を形成するために、サブフィールド毎に、点灯するセルを選択する動作（アドレス（書き込み）動作）を行う。具体的には、選択するセルの走査電極とアドレス電極へパルスを印加して放電（アドレス放電）を発生させて壁電荷を形成する。その後、セル群に対して駆動波形の印加により選択セルで維持放電（表示放電）を発生させる動作（維持動作）を行う。したがって、例えば１０８０本分の走査（表示ライン毎の放電／非放電の選択）を、所定のフレーム時間の中で階調表示に必要なサブフィールド分行うためには、アドレス動作時間（すなわち電極への電圧（パルス）の印加によりアドレス放電を発生させ壁電荷を形成するのにかかる時間）を短縮することが必要となる。つまり、ＰＤＰを高精細化するほど、アドレス動作等における放電遅れを如何に短縮するかが大きな課題となる。

ここで、放電遅れとは、一般に形成遅れと統計遅れの和として考えられる。形成遅れは、電極間に生成した初電子が発生してから明確な放電が形成されるまでの時間であり、多数回放電を実施したときの略最小放電時間と見なされている。一方、統計遅れは、電圧印加から電離が始まって放電が開始するまでの時間であり、多数回放電を繰り返した際の放電遅れのばらつきは、この時間によりほぼ支配されるため、一般に統計遅れと呼ばれている。これらの放電遅れが長いと、表示ミス防止のためにアドレス時間を長くせざるを得ず、画像形成に寄与する表示期間が短くなるなどの悪影響を与える。したがって、ＰＤＰにとって、放電遅れが短いことが望ましい。

ガス放電では、空間（放電空間）中の荷電粒子が外部電界によって加速され、他のガス分子に衝突し、該ガス分子が電離することで電離粒子の数を増やし成長するが、最初に荷電粒子が供給されないと放電は始まらず、荷電粒子が供給されるまで放電開始が遅れる。したがって放電の種火となるプライミング電子（初期荷電粒子）を放電空間内により多く供給する程、放電遅れを短くすることができる。

上記した特許文献１では、放電遅れを短くするための一つの解決手段としてＭｇＯ膜の上に結晶体粉末を含む結晶酸化マグネシウム層を設ける技術が提案されている。上記特許文献１によれば、２００ないし３００ｎｍ内（特に２３５ｎｍ付近）にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体の粉末を設けることにより、そのピーク波長に対応したエネルギ準位によって電子を長時間トラップできるので、該電子が放電開始に必要な初期電子として取り出され、放電遅れが減少すると推測している。なお、上記特許文献１には、所定波長にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行うＭｇＯ結晶体の粉末を得るために、該粉末の分級を行って所定の粒径以上のＭｇＯ結晶体の頻度分布が多くなるようにする旨が記載されている。

＜ＭｇＯ膜の表面に複数のＭｇＯ結晶体粉末を配置する技術の検討＞
しかしながら、本発明者が上記特許文献１に記載される構成について検討した所、上記構成ではＰＤＰ内での特性の分布あるいはＰＤＰ個々の特性を一様にそろえることが難しいという課題があることを見出した。

すなわち、ＰＤＰの面内において一様に放電遅れを短くするためには、ＭｇＯ結晶体を配置する量を多くする必要があり、ＭｇＯ膜の表面がＭｇＯ結晶体で覆われることとなる。しかしこの場合、ＭｇＯ結晶体を形成しない場合と比較して、ＭｇＯ結晶体が放電空間に露出する表面積が大きくなる。ＭｇＯはＣＯ_２やＨ_２Ｏなどの不純物を吸着し易い性質を有しており、表面積の増大に伴って増加した不純物により蛍光体（特に緑色の発光特性を有する蛍光体）が劣化して緑色の発光が弱くなり、表示色に赤みが増す色ムラ（いわゆる画面内における赤ムラ）が顕著になる。

＜ＭｇＯ結晶体の配置量を少なくする技術の検討＞
そこで、本発明者は、ＭｇＯ結晶体を付着させる量を少なくしてＭｇＯ膜の露出面積を向上させる技術について検討を行った結果、例えば、上記特許文献１に記載されるＭｇＯ結晶体を配置する量を単に少なくした場合に生じる新たな課題を見出した。

すなわち、第１に放電遅れについて、ＭｇＯ結晶体の配置量を単に少なくするのみでは、プライミング電子の供給量が少なくなるため、結果として放電遅れを短くすることができない。なお、上記特許文献１では、分級によりＭｇＯ結晶体における粒径の大きい結晶体の粒度分布（頻度分布）の割合を大きくすることで、ＭｇＯ結晶体の粉末の量が少なくて済む旨が記載されている。しかし、単に分級を行っただけでは、上記特許文献１の図６あるいは図７に記載されるように各ＭｇＯ結晶体に付着している微細なＭｇＯ結晶粒子を取り除くことができない。また、分級時の衝撃等によりＭｇＯ結晶体の一部（特に立方体の頂部）が損傷する場合がある。また、損傷片がＭｇＯ結晶体を配置した後にＭｇＯ膜に付着する場合もある。このため、ＭｇＯ結晶体の放電空間に対向する面の配向が揃わず、少ない配置量では、十分にプライミング電子を供給することができなくなるため、放電遅れを短くすることができない。

また、第２にＭｇＯ膜上に配置するＭｇＯの結晶粒子の大きさおよび個数にばらつきがある場合、表示の最小発光単位である放電セルの面積当たりに付着するＭｇＯ結晶粒子がばらつく。この結果、表示放電におけるプライミング電子の供給量がセル毎に異なることとなり、放電セル毎の発光輝度がばらつくことになる。この現象は、ＰＤＰの点灯時にあたかも細かい粒子状の明暗ムラが視認されるため、粒状ムラと呼ばれ、ＰＤＰの信頼性を低下させる原因となる。

また、第３に所定波長にピークを有するカソード・ルミネセンス発光を行うＭｇＯ結晶体の粉末を集めるために分級工程を必要とするため、製造工程が煩雑になり、製造効率が低下するという課題がある。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＰＤＰの放電遅れを改善することができる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

上記課題を解決するため、本発明者が検討および実験を行った結果、ＭｇＯ膜上にＭｇＯ結晶粒子を配置し、ＭｇＯ膜の被覆率を１０％以下とすることにより、前記した画面内における赤ムラの発生、あるいは放電電圧の上昇を抑制できることが判明した。また、前記ＭｇＯ結晶粒子の放電空間に対向する面の配向を揃え、前記ＭｇＯ結晶粒子の累積粒度分布を所定の値以上とすることによりＭｇＯ結晶粒子を付着させる量を少なくしても、放電遅れが改善できることを実験的に見出した。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

すなわち、本発明の一つの実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルは、放電ガスを封入して形成された放電空間を介して対向する一対の基板構造体を備え、前記一対の基板構造体の一方は、基板上に配置された複数の表示電極対と、前記複数の表示電極対を被覆する誘電体層と、この誘電体層を被覆する保護層とを有している。ここで、前記保護層は前記誘電体層の表面に積層されるＭｇＯ膜と、前記ＭｇＯ膜上に付着する複数のＭｇＯ結晶粒子とを備えている。また、前記ＭｇＯ膜の表面の被覆率は１０％以下である。また、前記複数のＭｇＯ結晶粒子の累積粒度分布の累積５０％値を１．２６μｍ以上とするものである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

すなわち、安定的にＰＤＰの放電遅れを改善することができる。

本願発明を詳細に説明する前に、本願における用語の意味を説明すると次の通りである。

「ＭｇＯ結晶単粒子」とは、ＭｇＯで構成される結晶体の一次粒子（単粒子）をいう。したがって、「ＭｇＯ結晶単粒子」には複数の単粒子が凝集した凝集体や塊体などの二次粒子は含まれない。一方、「ＭｇＯ結晶粒子」は、ＭｇＯ結晶単粒子の他、複数のＭｇＯ結晶単粒子が凝集した凝集体や塊体などの二次粒子を含めた総称として用いる。

「累積粒度分布」とは、特定の粒子径以下の粒子が全体に占める割合を示したものである。つまり、累積５０％値とは、その粒子径以下の粒子が全体の５０％を占めることを意味する。例えば、図７の（Ｂ）を用いて説明すると、累積５０％値は１．２７μｍであり、１．２７μｍ以下の粒子が全体の５０％を占めることを示している。

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。

また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は原則として省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

＜１．ＰＤＰの基本構造＞
まず、図１および図２を用いて本実施の形態のＰＤＰの構造の一例についてカラー表示用のＡＣ駆動型の３電極面放電型ＰＤＰを例に説明する。図１は本実施の形態のＰＤＰの要部を拡大して示す要部拡大組み立て斜視図、図２は図１に示す前面基板構造体の上下を反転させて保護層の表面状態を示す要部拡大斜視図である。

図１において、ＰＤＰ１は放電ガスを封入して形成された放電空間２４を介して対向する一対の基板構造体である前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とを有している。

前面基板構造体１１は、前面基板（第１基板）１３上に配置された複数の表示電極対であるＸ電極１４およびＹ電極１５と、これらの表示電極対を被覆する誘電体層１７と、この誘電体層を被覆する保護層１８とを有している。また、保護層１８は、図２に示すように誘電体層１７の表面に積層されるＭｇＯ（酸化マグネシウム）膜１８ａと、ＭｇＯ膜１８ａ上に付着する複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂとを備えている。

前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とは対向配置された状態で重ね合わされ、その間に放電空間２４を有している。つまり、前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とは放電空間２４を介して対向配置されている。

前面基板構造体１１はＰＤＰ１の表示面となる第１の面１３ａを有し、例えばガラス基板である前面基板１３を有している。前面基板１３の第１の面１３ａの反対側の面（内面）にはＰＤＰ１の表示電極であるＸ電極（表示電極）１４と、Ｙ電極（表示電極、走査電極）１５とがそれぞれ複数形成されている。

Ｘ電極１４およびＹ電極１５は維持放電（表示放電）を行うための一対の表示電極対を構成し、例えば、行方向ＤＸに沿って帯状に延在するようにそれぞれ交互に配置されている。この一対のＸ電極１４とＹ電極１５とがＰＤＰ１における行方向ＤＸの表示ラインを構成する。なお、図１では、二対のＸ電極１４およびＹ電極１５を拡大して示しているが、ＰＤＰ１は、この表示ラインの行数に応じて複数のＸ電極１４およびＹ電極１５を有している。

このＸ電極１４およびＹ電極１５は一般に例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＳｎＯ_２などの透明な電極材料で構成されるＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａと、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、あるいはこれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体）などからなるＸバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂとで構成される。

Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａは主に維持放電に寄与し、蛍光体の発光を前面基板１３側から観察することができるように光透過性がＸバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂよりも高い。一方Ｘバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂは駆動用の電流を低抵抗で流すため、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａよりも抵抗の低い金属材料を用いる。

前面基板（第１基板）１３の一方の面（第１の面１３ａの反対側に位置する面）に表示電極対（Ｘ電極１４およびＹ電極１５）を形成する工程は例えば以下のように行う。すなわち、透明な電極材料やＡｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用いて、またその他の金属については蒸着法やスパッタ法などの薄膜形成技術とエッチング技術とを用いることにより、所定の本数、厚さ、幅および間隔で形成することができる。

図１では、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａが帯状に延びる形状を示しているが、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａの電極構造はこれに限定されない。例えば、維持放電の安定化や放電効率の向上のため、一対の電極対間の最短距離（放電ギャップと呼ばれる）がセルに対応して近づくようにＸバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂと重なる位置からそれぞれ対向する方向に突出部を形成する構造としても良い。また、突出部の形状もストレート形、Ｔ字形又は梯子形等種々の変形例を用いることができる。また、Ｘ電極１４とＹ電極１５の電極構造も図１に示す形状には限定されず、例えば、これらの表示電極対を等間隔に配置して、隣接するＸ電極１４とＹ電極１５との間がすべて表示ラインになる、いわゆるＡＬＩＳ（Alternate Lighting of Surface Method）と呼ばれる構造としても良い。

これらの電極群（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５）は、主にＳｉＯ_２などのガラス材料で構成される誘電体層１７で被覆されている。表示電極対を被覆するように誘電体層１７を形成する工程は例えば以下のように行う。すなわち、誘電体層１７は、例えば低融点ガラス粉末を主成分とするフリットペーストを、前面基板１３上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することにより形成している。他に、いわゆるグリーンシートと呼ばれるシート状の誘電体シートを貼り付けて焼成する方法で形成することもできる。あるいは、プラズマＣＶＤ法でＳｉＯ_２膜を成膜することにより形成してもよい。

誘電体層１７の内面側には、表示の際の放電（主に維持放電）により生じるイオンの衝突による衝撃から誘電体層１７を保護するための保護層１８が形成されている。このため保護層１８は誘電体層１７の表面を被覆するように形成されている。この保護層１８の詳細な構造、機能、および誘電体層１７の表面に保護層１８を形成する工程の詳細については後述する。

一方、背面基板構造体１２は、例えばガラス基板である背面基板１９を有している。背面基板１９の前面基板構造体１１と対向する面（内側面）上には、複数のアドレス電極２０が形成されている。各アドレス電極２０は、Ｘ電極１４およびＹ電極１５が延在する方向と交差する（略直交する）列方向ＤＹに沿って延在するように形成されている。また、各アドレス電極２０は、互いに略平行となるように所定の配置間隔を持って配置されている。

アドレス電極２０を構成する材料としては、Ｘバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂと同様に例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、あるいはこれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体）などを用いることができる。また、アドレス電極２０に用いる材料に応じて厚膜形成技術あるいは蒸着法やスパッタ法などの薄膜形成技術とエッチング技術とを用いることにより、所定の本数、厚さ、幅および間隔で形成することができる。

このアドレス電極２０と、前面基板構造体１１に形成されたＹ電極１５とは、セル２５の点灯／非点灯を選択するための放電であるアドレス放電を行うための電極対を構成する。つまり、Ｙ電極１５は維持放電用の電極としての機能とアドレス放電用の電極（走査電極）としての機能とを併せ持っている。

アドレス電極２０は、誘電体層２１で被覆されている。誘電体層２１は前面基板１３上の誘電体層１７と同じ材料、同じ方法を用いて形成することができる。誘電体層２１上には背面基板構造体１２の厚さ方向に伸びる複数の隔壁２２が形成されている。隔壁２２はアドレス電極２０が延在する列方向ＤＹに沿ってライン状に延在するように形成されている。前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とは、保護層１８が形成された面と隔壁２２が形成された面とが対向した状態で固定されている。隔壁２２の平面上の位置は、隣り合うアドレス電極２０の間に配置されている。隔壁２２を隣り合うアドレス電極２０の間に配置することにより、各アドレス電極の位置に対応して誘電体層２１の表面を列方向ＤＹに区分けする放電空間２４が形成される。なお、隔壁２２の形状は、図１に示すライン状の他、ミアンダ形、格子形又は梯子形など種々の変形例を適用することができる。

隔壁２２を形成する工程は、サンドブラスト法、フォトエッチング法などにより形成することができる。例えば、サンドブラスト法では、低融点ガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒などからなるフリットペーストを誘電体層２１上に塗布して乾燥させた後、そのフリットペースト層上に隔壁パターンの開口を有する切削マスクを設けた状態で切削粒子を吹き付けて、マスクの開口部に露出したフリットペースト層を切削し、さらに焼成することにより形成する。また、フォトエッチング法では、切削粒子で切削することに代えて、バインダー樹脂に感光性の樹脂を使用し、マスクを用いた露光および現像の後、焼成することにより形成する。

アドレス電極２０上の誘電体層２１の上面、および隔壁２２の側面には、真空紫外線により励起されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の可視光を発生する蛍光体２３ｒ、２３ｇ、２３ｂがそれぞれ所定の位置に形成されている。隔壁２２で区画された領域に蛍光体２３ｒ、２３ｇ、２３ｂを形成する工程は例えば以下のように行う。まず、各色の発光特性を有する蛍光体粉末とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストをそれぞれ準備する。この蛍光体ペーストを隔壁で区切られた放電空間内にスクリーン印刷またはディスペンサを用いた方法などで塗布し、これを各色ごとに繰り返した後、焼成することにより形成している。

また、蛍光体２３ｒ、２３ｇ、２３ｂは、蛍光体粉末と感光性材料とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料（いわゆるグリーンシート）を使用し、フォトリソグラフィー技術で形成することもできる。この場合、所定の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い、これを各色ごとに繰り返すことで、対応する隔壁２２間に各色の蛍光体２３を形成することができる。

また、各放電空間２４には、放電ガスと呼ばれる希ガスなどのガスが所定の圧力で封入されている。放電ガスとしては、例えばＸｅの分圧比が数％〜数十％に調整されたＸｅ−Ｎｅなどの混合ガスを用いることができる。

ＰＤＰ１は、上記した前面基板１３の表示電極対を形成した面と、背面基板１９とを放電空間２４を介して対向配置して組み立てることにより得られる。この組み立てる工程には、前面基板１３と背面基板１９との位置合わせ工程、各基板（前面基板１３および背面基板１９）の間の外周部を例えばシールフリットと呼ばれる低融点ガラス材料を用いて封止する封止工程、ＰＤＰ１の内部空間に残るガスを排気して、放電ガスを充填する工程などが含まれる。

ＰＤＰ１では、一対のＸ電極１４、Ｙ電極１５とアドレス電極２０との交差に対応して１個のセル２５が構成される。つまり、セル２５は表示電極対（Ｘ電極１４とＹ電極１５の対）とアドレス電極２０の交差毎に形成される。セル２５の平面積は一対のＸ電極１４とＹ電極１５の配置間隔と、隔壁２２の配置間隔により規定される。また、各セル２５には、赤用の蛍光体２３ｒ、緑用の蛍光体２３ｇ、または青用の蛍光体２３ｂのいずれかがそれぞれ形成されている。

このＲ、Ｇ、Ｂの各セル２５のセットにより画素（ピクセル）が構成される。つまり、各蛍光体２３ｒ、２３ｇ、２３ｂはＰＤＰ１の発光素子であり維持放電によって発生する所定波長の真空紫外線に励起されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の可視光を発光する。

なお、図１ではアドレス電極２０を背面基板構造体１２に形成する例について示したが、アドレス電極２０を前面基板構造体１１に形成することもできる。この場合、図１に示す誘電体層１７を複数層構造として、第１層目の誘電体層で表示電極対を被覆し、この第１層目と第２層目の誘電体層の間にアドレス電極２０を形成することができる。

＜２．保護層の詳細構造および機能＞
次に図１および図２に示す保護層１８の詳細な構造および機能について図１〜図１０を用いて説明する。図３および図４は図２に示すＭｇＯ結晶粒子の一例を示す図であって、図３はＭｇＯ結晶単粒子を示す斜視図、図４は３個のＭｇＯ結晶単粒子の側面が密着して凝集した凝集体を示す説明図である。また、図５は図２に示すＭｇＯ膜とＭｇＯ結晶粒子の微視的な関係を示す拡大断面図である。また、図６は図２〜図５に示すＭｇＯ結晶粒子を調製するための解砕工程における特に好ましい解砕方法の実施態様を説明するための説明図である。また、図７は図２〜図５に示すＭｇＯ結晶粒子を調製するための解砕工程における解砕方法毎のＭｇＯ結晶粒子の累積粒度分布を示す説明図である。また図９および図１０はそれぞれ本実施の形態に対する比較例であるＭｇＯ膜とＭｇＯ結晶粒子の微視的な関係を示す拡大断面図である。

図２において、保護層１８は誘電体層１７の表面に積層されるＭｇＯ膜１８ａと、ＭｇＯ膜１８ａ上に付着する複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂとを備えている。

＜２−１．ＭｇＯ膜＞
ＭｇＯ膜１８ａは放電空間２４（図１参照）との対向面に（１１１）面の配向面を有している。保護層１８には、誘電体層１７が放電時のイオンの衝撃により劣化することを防ぐ機能とともに、二次電子を放出して放電の成長、維持を促進する機能が要求される。このため、保護層１８には二次電子放出係数の高いＭｇＯが用いられるが、特に放電空間２４との対向面を（１１１）面とすることにより（１００）面とした場合よりも高い二次電子放出係数が得られる。ＰＤＰ１はＭｇＯ膜１８ａの放電空間２４との対向面を（１１１）面とすることにより、二次電子放出係数を向上させることができるので、放電電圧を低減することができる。すなわち、ＰＤＰ１は消費電力を低減することができる。なお、ＭｇＯ膜１８ａの表面の配向は主として（１１１）面を有しているが、ＭｇＯ膜１８ａの表面が（１１１）面以外の配向面を含んだ実施態様を排除するものではない。

また、ＭｇＯ膜１８ａをＭｇＯを主成分として構成されているが、これに耐スパッタ特性や二次電子放出係数を向上させるための添加物（例えばＣａＯなど）を添加することもできる。この場合、保護層１８の耐スパッタ特性あるいは二次電子放出係数をさらに向上させることができる。

ＭｇＯ膜１８ａを形成する工程は、例えば電子ビーム蒸着法やスパッタ法のような当該分野で公知な薄膜プロセスで形成することができる。

＜２−２．ＭｇＯ結晶粒子＞
＜２−２−１．放電遅れについて＞
次に、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、ＭｇＯのみからなってもよいが、結晶構造に影響を与えない程度に少量の別の成分（例えば、フラックスの残渣）を含んでいてもよい。

このＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、アドレス放電あるいは表示放電などを行う際に放電の種火となるプライミング電子（初期荷電粒子）を放電空間２４により多く供給する機能を有している。つまり、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂをＭｇＯ膜１８ａ上に付着させることにより、放電空間２４内のプライミング電子を増加させることができる。放電空間２４内のプライミング電子が増加すると、放電のための電圧を印加してから放電が開始されるまでの時間を短縮することができる。例えば、アドレス放電の場合であれば、図１に示すアドレス電極２０とＹ電極１５との間に電圧が印加してからアドレス放電が開始されるまでの時間を短縮することができるので、アドレス放電における放電遅れを短くすることができる。

ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配置量、すなわちＭｇＯ膜１８ａの表面におけるＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を多くすると、放電空間２４内のプライミング電子の供給量が増加する。

＜２−２−２．ＭｇＯ結晶粒子を付着させることによる課題と解決手段＞
しかし、本発明者の検討によれば、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を過剰に多くしすぎるとＰＤＰ１の表示色に異常が生じる。すなわち、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着させると、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着させない場合と比較して、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂが放電空間に露出する表面積が大きくなる。ＭｇＯはＣＯ_２やＨ_２Ｏなどの不純物を吸着し易い性質を有しており、表面積の増大に伴って増加した不純物により蛍光体（特に緑色の発光特性を有する蛍光体）が劣化して緑色の発光が弱くなり、表示色に赤みが増す色ムラ（いわゆる画面内における赤ムラ）が発生する場合がある。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量が少ない場合、この現象は実効上無視できる程小さいが、付着量が増加するにしたがってこの現象が増大する。本発明者がこの臨界点について実験的に検討を行った結果、ＭｇＯ膜１８ａの被覆率が１０％を超えると、この現象が特に顕著になる。

また、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を過剰に多くしすぎると、放電電圧が上昇することも判った。これは、ＭｇＯ膜１８ａの表面がＭｇＯ結晶粒子１８ｂで覆われることにより二次電子放出量が低下するためと推察される。

そこで、本実施の形態ではＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を低減し、ＭｇＯ膜１８ａの被覆率を１０％以下とした。ここで、「被覆率」とは、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂを分散配置したＭｇＯ膜１８ａの面に対して垂直方向に観察した際の、下地となるＭｇＯ膜１８ａの面積に対するＭｇＯ結晶粒子１８ｂの面積の割合である。本実施の形態では、０．６ｍｍ×０．６ｍｍの正方形の視野範囲について複数の測定点毎に被覆率を測定し、例えば直線的に１０ｍｍ間隔で１０点の測定点について測定した。視野範囲を０．６ｍｍ×０．６ｍｍの正方形としたのは、ＭｇＯ結晶粒子の累積粒度分布と被覆率の測定精度の関係から特に好ましい範囲を設定した。また、測定点の数および測定間隔については、特に限定されるものではないが、精度を向上させるため、測定点は少なくとも１０点以上は測定することが好ましい。

本実施の形態のＰＤＰ１は上記した全ての視野範囲において、被覆率が１０％以下となっている。また、ＰＤＰ１が有する全てのセル２５において被覆率が１０％以下となっている。したがって、本実施の形態におけるＰＤＰ１は、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂが略均一に分散配置されている。

このようにＰＤＰ１が有する全てのセル２５において被覆率が１０％以下となるようにＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を低減することにより、ＰＤＰ１の表示色の異常（赤ムラ）を抑制することができることを実験的に確認した（詳細は後述する）。

また、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着させない場合と比較して、放電電圧の上昇を抑制することができることを確認した。これは、被覆率を１０％以下としたことによりＭｇＯ膜１８ａからの二次電子放出量を確保することが出来るためと推察される。

＜２−２−３．付着量を少なくすることによる新たな課題と解決手段−１＞
ところで、本実施の形態ではＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量が少なくなるので、単にＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を低減するのみではプライミング電子を十分に供給することができず、結果として放電遅れを短くすることができない。しかし、本発明者が検討した結果、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの放電空間２４と対向する面の配向を（１００）面で揃えて配置することにより、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を低減しても放電遅れを短くすることができることが判明した。ここで、「配向が揃う」とは、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの結晶面の法線方向が互いに一致していることを意味し、この方向が一致していれば、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂがその法線周りに回転していても構わない。また、「放電空間２４と対向する面の配向が（１００）面で揃う」とは、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂが有する面のうち、放電空間２４と対向する面、すなわち、ＭｇＯ膜１８ａとの対向面と反対側に位置する面の配向が（１００）面で揃うことを意味する。

複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向が揃っているかどうか（すなわち、配向の均一性の程度）は、Ｘ線回折（ＸＲＤ；X-Ray Diffract meter）での（２００）面の信号強度と（１１１）面の信号強度との比に基づいて判断することができる。（２００）面は、（１００）面と等価であり、（２００）面の信号は、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向が揃っている場合に強く、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向が揃っていない場合には非常に弱くなる。一方、（１１１）面の信号は、主にＭｇＯ膜１８ａからの信号であり、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向が揃っているかどうかにはほとんど依存しない。したがって、｛（２００）面の信号強度／（１１１）面の信号強度｝の値は、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの放電空間２４に対向する面の配向が揃っているかどうかを示す指標となる。具体的にはＭｇＯ膜の厚さ１μｍ当りの（２００）面のＸ線回折信号強度測定を行い、（１１１）面と（２００）面との信号強度比に応じて規格化した後の値と、（１１１）面のＸ線回折信号強度の値との比で評価を行い、規格化後の（２００）面の値が（１１１）面の値の等倍以上であれば、放電遅れを短くすることができる。なお、規格化とは、(１１１)面と(２００)面の存在比が１／１の時、実測の信号強度比は１１．６／１００となるのを勘案し、(１１１)面を基準として、(２００)面の実測の信号強度に０．１１６を乗じることである。

次に、本実施の形態において、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向を揃えるための具体的手段について説明する。まず、本実施の形態のＭｇＯ結晶粒子１８ｂを構成する単粒子である各ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１は、図３に示すように立方体の形状を成している。また、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１は、（１００）面の結晶面に囲まれた立方晶であり、全ての結晶面は、物理的及び化学的性質において等価である。したがって、立方体であるＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の各表面はそれぞれ（１００）面となっている。また、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の一つの面はＭｇＯ膜１８ａの表面と対向接触している。立方体であるＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の一つの面をＭｇＯ膜１８ａの表面と対向接触させることにより、その反対側の面の法線方向は一様に揃えることができる。つまり、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂにおける放電空間２４との対向面の配向を（１００）面でそれぞれ揃えることができる。また、各ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１はそれぞれ立方体の形状であるが、例えば図４に示すように複数個（図４では３個）の立方体のＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の側面が密着して凝集した凝集体１８ｃが含まれていても良い。この場合、凝集体１８ｃの一つの面がＭｇＯ膜１８ａの表面と対向接触することとなるが、凝集体１８ｃを構成する各ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１は立方体なので、反対面（すなわち放電空間２４に対向する面）の配向は（１００）面が揃うこととなる。このようにＭｇＯ結晶粒子１８ｂの放電空間２４と対向する面の配向を揃えることにより、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を低減した（ＭｇＯ膜１８ａの被覆率が１０％以下とした）場合であっても放電遅れを短くすることができることが実験的に判明した（詳細は後述する）。なお、図２では凝集体１８ｃを含んだ状態を示しているが、凝集体１８ｃを含まず、ＭｇＯ膜１８ａに付着する全てが単粒子のＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１であっても良い。

また、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１が有する立方体の一つの面をＭｇＯ膜１８ａの表面と対向接触させることにより、ＭｇＯ膜１８ａの表面とＭｇＯ結晶粒子１８ｂとの接触が安定した面接触となるため、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの剥離や飛散による部分的特性変化の問題を抑制することができる。

次に、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの粒径について説明する。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの下地である例えば電子ビーム蒸着法で成膜したＭｇＯ膜１８ａの表面は図５に示すように微視的には頭頂部を有する柱状結晶構造の凹凸を持ち、柱状結晶の頭頂間に微細な隙間２６がある。柱状結晶の頭頂間隔Ｗ１は例えば０．０５μｍ程度である。したがって、図９に示す本実施の形態に対する比較例であるＭｇＯ結晶粒子３０のように粒径が柱状結晶の頭頂間隔Ｗ１の２倍よりも小さい（０．１μｍ未満の）場合、頭頂間の隙間２６に挟まってＭｇＯ膜１８ａと対向接触させられない場合がある。この場合、ＭｇＯ結晶粒子３０が立方体の形状を有している場合でもＭｇＯ膜１８ａと対向接触しないため、放電空間２４と対向する面の配向は（１００）面ではなくなり配向が揃わない。また、図１０に示すように柱状結晶の頭頂間隔Ｗ１の２倍以上の粒径を有するＭｇＯ結晶粒子３１を有していても、頭頂間隔Ｗ１の２倍よりも小さい（０．１μｍ未満の）粒径であるＭｇＯ結晶粒子３０が含まれていると、隙間２６に挟まったＭｇＯ結晶粒子３０がＭｇＯ結晶粒子３１とＭｇＯ膜１８ａとの対向接触を阻害する要因となるため、配向が揃わない。

一方、本実施の形態のＭｇＯ結晶粒子１８ｂは頭頂間隔Ｗ１の２倍よりも小さい（０．１μｍ未満の）粒径の粒子を含まない、あるいは含んでいても僅かである。したがって図５に示すように下地であるＭｇＯ膜１８ａの表面は実質的に平坦と見なすことができ、配向を揃えるのに都合が良い。なお、配向を揃えるためには、頭頂間隔Ｗ１の２倍よりも小さい粒径（０．１μｍ以下）の粒子を全く含まない態様がより好ましいが、上述したようにＸ線回折を行った後規格化した後の（２００）面の値が（１１１）面の値の等倍以上であれば、放電遅れを短くすることができるので、この範囲に収まる程度であれば頭頂間隔Ｗ１の２倍よりも小さい粒径（０．１μｍ以下）の粒子が含まれていても放電遅れを改善することはできる。

かかる観点から本発明者がＭｇＯ結晶粒子１８ｂの好ましい粒径について実験したところ、累積粒度分布により表せることが判った。すなわち、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布における累積５０％値が１．２６μｍ以上とした場合に各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向を（１００）面で揃え、放電遅れを改善できることが判った。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布は、レーザー回折式の粒度分布計を用いて求めることができる。このレーザー回折式の粒度分布形では、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂ（凝集体１８ｃが含まれる場合には凝集体１８ｃを１個の粒子とする）を球体とみなし各球体粒子の粒径を計測することができる。

ＭｇＯ膜１８ａに付着されるＭｇＯ結晶粒子１８ｂが凝集体１８ｃを含まない単粒子（ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１）である場合には、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積５０％値が１．２６μｍ以上であることが配向を揃えるための必要条件となるが、凝集体１８ｃを含む場合には凝集体１８ｃを構成する各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの粒径はこれより小さくても良い。各ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の単粒子としての粒径が大きくなると、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの粒径にばらつきが生じやすくなるが、凝集体１８ｃを含んだ構造とすることにより、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの粒径が所定の粒径よりも小さい場合であっても凝集体１８ｃの凝集の程度を制御することで、累積粒度分布を所定の範囲内に収めることができる。したがって、例えば図４に示すように複数のＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１が凝集した凝集体１８ｃが含まれる構造とすることがより好ましい。上記した累積５０％値が１．２６μｍ以上という条件は、凝集体１８ｃが含まれる場合には、該凝集体１８ｃを一つの粒子とみなした場合の累積粒度分布の値となる。ただし、凝集体１８ｃを含む場合であっても凝集体１８ｃを構成する各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの粒径が過剰に小さい場合、上述したように配向を揃えるための阻害要因となる。したがって、図５に示す頭頂間隔Ｗ１の２倍よりも小さい粒径（０．１μｍ以下）の粒子は極力少なくすることが好ましい。この観点から本発明者が検討した所、凝集体１８ｃに含まれる各ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の単粒子での累積粒度分布が、累積５０％値で０．９１μｍ以上、累積１０％値で０．５９μｍ以上とすれば、０．１μｍ以下の粒径のＭｇＯ結晶粒子１８ｂは殆ど存在しない状態となり、配向を揃えることができることが判った。

また、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布での累積１０％値は、０．７７μｍ以上であることが好ましい。この場合、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂ中の微細なＭｇＯ結晶粒子１８ｂの割合が小さい。微細なＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、比較的粒径が大きいＭｇＯ結晶粒子１８ｂとＭｇＯ膜１８ａとの間に挟まり、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂとＭｇＯ膜１８ａとの接触を妨げ、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向が揃うのを妨げる原因となる。累積１０％値が０．７７μｍ以上である場合、微細なＭｇＯ結晶粒子１８ｂの割合が小さくなり、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向を揃えやすい。

＜２−２−４．付着量を少なくすることによる新たな課題と解決手段−２＞
ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を低減するとＭｇＯ膜１８ａの表面におけるＭｇＯ結晶粒子１８ｂの分散状態の均一性も問題となる。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの大きさおよび個数にばらつきがある場合、表示の最小発光単位であるセル２５（図１参照）の面積当たりに付着するＭｇＯ結晶粒子１８ｂの量がばらつく。このため、ＰＤＰ１の表示信頼性の観点からは以下の課題が発生する。すなわち、表示放電におけるプライミング電子の供給量がセル毎に異なることとなり、セル２５毎の発光がばらつくことになる。すなわち、ＰＤＰ１を点灯した際に細かい粒子状の明暗ムラ（粒状ムラ）が視認される。特に粒径の大きいＭｇＯ結晶粒子１８ｂは粒子１個当りのプライミング粒子の供給量が多いため、セル２５毎の発光のばらつきに与える影響が大きい。

また、セル２５の面積当たりに付着するＭｇＯ結晶粒子１８ｂの量がばらつくと、ＭｇＯ膜１８ａの被覆率（上述した視野範囲内の被覆率）もばらつくこととなる。この結果、放電電圧の分布がセル２５毎に一様とならず、局所的に必要な放電電圧が高いセル２５が発生する原因となる。これについても粒径の大きいＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、ＭｇＯ膜１８ａの被覆率を大きく上昇させる要因となるので放電電圧の上昇に与える影響が大きい。

つまり、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂは放電遅れ改善のために、累積粒度分布の累積５０％値を１．２６μｍ以上とする必要があるが、一方で、粒状ムラを防止するためには粒径の大きいＭｇＯ結晶粒子１８ｂのばらつき（粒径および個数のばらつき）をある一定値以下に抑制する必要があることが判った。

そこで、本発明者がＭｇＯ結晶粒子１８ｂの分散状態の均一性について実験および検討を行った結果、複数のＭｇＯ結晶粒子の累積粒度分布の累積５０％値を１．５２μｍ以下とすることにより、粒状ムラの顕在化を防止できることが判明した。このように累積５０％値の上限を規制することにより、粒状ムラの原因となる極端に大きい粒径のＭｇＯ結晶粒子１８ｂを排除することができるため、粒状ムラを防止ないしは抑制することができる。また、放電電圧についても被覆率を上昇させる要因となる粒径が大きい粒子を排除することにより、放電電圧の上昇を抑制することができる。

なお、上記＜２−２−３＞項で説明したように、凝集体１８ｃが含まれる場合には、該凝集体１８ｃを一つの粒子とみなした場合の累積粒度分布の値となる。この場合、凝集体１８ｃを構成する各ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の粒径（累積粒度分布）は１．５２μｍよりも小さくなる。

また例えば、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂをスプレー法により分散配布する場合、過剰に粒径が大きいＭｇＯ結晶粒子１８ｂあるいは凝集体１８ｃは、他の粒子と比較して自重が重くなるため、飛散しにくくなる。このため、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの分散状態の均一性が低下する。つまり、本実施の形態では累積５０％値を１．５２μｍ以下とすることにより、粒径が過剰に大きいＭｇＯ結晶粒子１８ｂあるいは凝集体１８ｃを排除することができる。このため、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの分散状態の均一性が向上するので、粒状ムラの顕在化を防止することができる。

＜２−３．保護層を形成する工程＞
図１および図２に示す誘電体層１７の表面に保護層１８を形成する工程には、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂを調製する工程と、誘電体層１７の表面にＭｇＯ膜１８ａを形成する工程と、ＭｇＯ膜１８ａの表面にＭｇＯ膜１８ａの被覆率が１０％以下となるように複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着させる工程とが含まれる。以下各工程を詳細に説明するが、誘電体層１７の表面にＭｇＯ膜１８ａを形成する工程については、前述のように電子ビーム蒸着法やスパッタ法のような当該分野で公知な薄膜プロセスで形成することができるので詳細な説明は省略する。

＜２−３−１．ＭｇＯ結晶粒子を調製する工程＞
ＭｇＯ膜１８ａの表面に付着させるＭｇＯ結晶粒子の調製方法として、気相法により作製する方法が知られている。しかし、本実施の形態のＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、以下の方法で調整することが特に好ましい。

すなわち、気相法により得られるＭｇＯ種結晶とフラックス（ＭｇＯ種結晶の溶融を促進させる融剤）とを混合した後焼成し、得られた焼成物を解砕することにより調製する。気相法により得られるＭｇＯ種結晶は、粒径が小さく、また、粒径のばらつきが大きいので、ＭｇＯ種結晶自体をＭｇＯ膜１８ａ上に散布してもその配向を揃えるのは困難である。一方、上記方法で調製したＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、粒径が比較的（ＭｇＯ種結晶と比較して）大きく、また、粒径のばらつきを抑制することができる。したがって、このＭｇＯ結晶粒子１８ｂをＭｇＯ膜１８ａ上に散布するとＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布を上記した所定の範囲内に収めやすくなるので、配向を揃えやすくなる。

気相法によるＭｇＯ種結晶の作製は、例えば、特開２００４−１８２５２１号公報に記載された方法や、『材料』昭和６２年１１月号、第３６巻第４１０号の第１１５７〜１１６１頁の『気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質』に記載された方法で行うことができる。また、気相法で作製したＭｇＯ種結晶は、宇部マテリアルズ株式会社から購入してもよい。

また、フラックスはＭｇＯ種結晶の溶融を促進する反応促進剤であって、例えば、マグネシウムのハロゲン化物（フッ化マグネシウム等）を用いることができる。フラックスの添加量は、例えば、０．００１〜０．１ｗｔ％とすることができる。

また、ＭｇＯ種結晶とフラックス（融剤）との混合物の焼成は、例えば、１０００〜１７００℃で、１〜５時間行う。得られるＭｇＯ結晶粒子１８ｂの粒径は、焼成温度、焼成時間、あるいはフラックスの添加量に比例して大きくなる。また、ＭｇＯ種結晶の粒径が小さなものほど焼成時の結晶成長の速度が速い。このため、焼成温度、焼成時間、フラックスの添加量に比例して得られるＭｇＯ結晶粒子１８ｂの粒径のばらつきが小さくなる。したがって、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布が上記した所定の範囲内に収まるように焼成温度、時間及びフラックスの添加量を適宜設定する。また、ＭｇＯ種結晶の表面には例えば図１０に示すような微細なＭｇＯ結晶粒子３０が付着している場合があるが、上記のようにＭｇＯ種結晶を溶融させる方法であれば、ＭｇＯ種結晶とともに微細なＭｇＯ結晶粒子３０も溶融するので、得られるＭｇＯ結晶粒子１８ｂへの微細なＭｇＯ結晶粒子３０の付着を防止ないしは抑制することができる。したがって、この方法により得られるＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、極端に小さい粒子の付着が少なく、各単粒子の粒径がＭｇＯ種結晶と比較して大きくなる。詳しくは、この方法でＭｇＯ結晶粒子１８ｂを調整すれば、得られる各ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の単粒子での累積粒度分布は、累積５０％値で０．９１μｍ以上、累積１０％値で０．５９μｍ以上となる。

焼成物は多数のＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１が凝集した塊体１８ｄとして得られるので、ＭｇＯ膜１８ａに付着させる前に予め該塊体１８ｄを解砕する。また、上記のようにフラックスと混合して焼成しない場合であってもＭｇＯ結晶粒子１８ｂは水分などの吸着により凝集し易いため、これを解砕する必要がある。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの形状および累積粒度分布が上記した所定の範囲内に収まるものであれば解砕方法は特に限定されないが、以下の方法で解砕することが特に好ましい。

すなわち、例えば図６に示すように、焼成物などの塊体１８ｄを溶媒中（分散媒）に分散させて第１のスラリ１８ｅを形成し、第１のスラリ１８ｅを加圧しながらオリフィス（絞り孔）２７を通過させることにより解砕する。焼成物などの塊体１８ｄが非常に大きい塊で有る場合、溶媒中に分散させる前に予め小塊としておく。この小塊は、例えば、焼成物を乳鉢に入れて、それを乳棒ですり潰すことにより得られる。しかし、上記した所定の累積粒度分布になるまで乳鉢ですり潰すと立方体であるＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の一部が欠損し易くなる。したがって、この段階では以下に述べる解砕工程の前処理として、立方体であるＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１に欠損が生じない程度に小塊化する。

次に、焼成物などの塊体１８ｄを溶媒中に分散させて第１のスラリ１８ｅを形成する。第１のスラリ１８ｅの分散媒（溶媒）は特に限定されないが、水酸基やカルボニル基やニトリル基のような極性の高い分子構造を持ち、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの結晶構造をおかさない化合物が好ましく、２−プロパノール（イソプロピルアルコール、ＩＰＡ）のようなアルコールが特に好ましい。スラリ中におけるＭｇＯ結晶粒子１８ｂの濃度は、例えば０．０１〜２ｗｔ％とする。この濃度の範囲内であれば、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂをＭｇＯ膜１８ａ上に分散配布する際にスプレー法を用いる場合に、解砕後の第２のスラリ１８ｆをそのまま（例えば連続的に）用いることができる。

次に解砕工程として、塊体１８ｄが溶媒中に分散された第１のスラリ１８ｅを解砕装置のポンプ（高圧ポンプ）Ｐの送液圧力により図の矢印２８に示す方向に送り込み、第１のスラリ１８ｅを加圧しながらオリフィス２７を通過させることにより解砕する。第１のスラリ１８ｅ中のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの凝集体である塊体１８ｄは、加圧しながらオリフィス２７を通過する際に発生する剪断力により解砕され、第２のスラリ１８ｆを得る。ポンプＰには、例えばプランジャポンプなどを用いることができる。また、オリフィス２７は第１のスラリ１８ｅが通過する際に発生させる必要のある剪断力に応じて、孔径や孔形状を適宜調整することができる。なお、図６では解砕装置の例として、流体である第１のスラリ１８ｅの流路を複数（図６では２つ）に分流し、各流路がオリフィス２７に接続される手前で合流させる方法を示している。この場合、第１のスラリ１８ｅに含まれる塊体１８ｄ同士がオリフィス２７に流入する際に衝突し、この衝撃により解砕される場合もある。

このような解砕装置としては、例えば、吉田機械興業(株)製の微粒化装置「ナノマイザー（登録商標）」を用いることができる。この方法によれば、凝集体をすり潰すメディアを用いずに解砕するので、解砕工程での異物の混入を防止することができる。また、オリフィス２７を通過させる回数あるいは送液圧力などを調整することにより、凝集の程度（凝集度）を制御することができる。また、凝集体に加わる負荷（剪断力）も制御することができるので、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の立方体形状の欠損を防止ないしは抑制することができる。

解砕後の第２のスラリ１８ｆ中におけるＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布は、凝累積５０％値が１．２６μｍ以上、かつ、１．５２μｍ以下とすることが好ましい。ＭｇＯ膜１８ａの表面にＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着した複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布を上記した所定の範囲内に収めるためである。

なお、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の立方体形状の保形性の観点からは上記の方法が最も好ましいが、焼成物を解砕する別の方法としてボールミルを用いることもできる。ボールミルを用いて解砕する場合には、一例として球石にジルコニアを用いて解砕することができる。この場合、球石の量や処理時間を変える事で凝集度を制御することができる。なお、ボールミルで解砕を行う場合にも上記で説明した第１のスラリ１８ｅを用意して、この第１のスラリ１８ｅ中に含まれるＭｇＯ結晶粒子１８ｂの塊体１８ｄを解砕する点は同様である。

図７に上記した第１のスラリ１８ｅをボールミルあるいは微粒化装置で処理した時の累積粒度分布を示す。図７に示す（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の曲線は（Ａ）はボールミルで処理を行った場合、（Ｂ）は微粒化装置で３回解砕処理を行った場合、（Ｃ）は微粒化装置で１回解砕処理を行った場合について示している。ボールミルで処理したものは微粒化装置で処理したものよりも累積粒度分布が小さくなる傾向がある。（Ａ）では、凝集体１８ｃを含まない状態（すなわち単粒子のＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１となる状態）まで解砕されており、（Ｂ）および（Ｃ）では凝集体１８ｃを含んだ状態となっている。これらを比較すると（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の順で累積粒度分布の値が累積１０％値、累積５０％値、累積９０％値の全てが高い。

また、累積１０％値についてみると、（Ａ）では０．６０μｍであるのに対し、（Ｂ）では０．７７μｍ、（Ｃ）では０．９４μｍとなっていた。また累積５０％値についてみると、（Ａ）では０．９２μｍであるのに対し、（Ｂ）では１．２７μｍ、（Ｃ）では１．７０μｍとなっていた。つまり、（Ａ）の結果は、本実施の形態ではＭｇＯ種結晶をそのままＭｇＯ結晶粒子１８ｂとするのではなく、フラックスを添加して焼成することにより、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の単粒子での累積粒度分布を、累積５０％値で０．９１μｍ以上、累積１０％値で０．５９μｍ以上とすることができることを示している。また、（Ｂ）および（Ｃ）の結果は、微粒化装置のようにメディアを用いずに、第１のスラリ１８ｅを加圧しながらオリフィス２７を通過させることにより塊体１８ｄを解砕する方法により複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの凝集状態を制御して所定の累積粒度分布の範囲内に収めることができることを示している。

＜２−３−２．ＭｇＯ膜の表面に複数のＭｇＯ結晶粒子を付着させる工程＞
ＭｇＯ膜１８ａの表面に複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着させる方法は、（凝集体１８ｃを含む；以下本項において同じ）ＭｇＯ結晶粒子１８ｂを均一に分散させることができれば、特に限定されないが、以下に説明するスプレー法はＭｇＯ結晶粒子１８ｂを均一に分散させられる点で特に好ましい。

スプレー法では、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂが分散されたスラリ（例えば、＜２−３−１＞で説明した解砕後の第２のスラリ１８ｆ）をスプレーガンと呼ばれる噴霧装置から吐出して付着させる。スプレーガンとしては、第２のスラリ１８ｆと空気とを２液化状態に霧化して吐出するいわゆる２流体エア霧化方式のものを用いることができる。

スラリ中のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの濃度は、０．０１〜２ｗｔ％である。またこの時、第２のスラリ１８ｆを霧化するための空気の圧力（霧化圧）を調整することにより、霧化された第２のスラリ１８ｆの液滴の大きさを調整することができるので液滴中でのＭｇＯ結晶粒子１８ｂの再凝集、あるいはＭｇＯ膜１８ａへの付着不良を防止することができる。また、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、ＭｇＯ膜１８ａ上の全面または一部に付着させることができる。

また、本実施の形態では、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布を＜２−２−３＞項、＜２−２−４＞項で説明したように所定の範囲内に調整しているので、各液滴はＭｇＯ結晶粒子１８ｂを伴って、一様に分散する。この結果、ＭｇＯ膜１８ａの表面上の全ての視野範囲において１０％以下の被覆率で均一に付着させることができる。

＜３．効果検証実験＞
次に、以上に説明した本実施の形態のＰＤＰ１における各構成についての効果を検証するため、本発明者が行った検証実験の結果について説明する。図８は本実施の形態の効果検証実験の結果を示す説明図である。

図８に示す効果実証実験では、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布累積５０％値が０．９１μｍ（比較例１）から２．７７μｍ（比較例５）までの累積粒度分布を有するＰＤＰを作製し、放電遅れおよび点灯時の画面内における明暗のムラ（粒状ムラ）を比較することにより、本実施の形態で説明した構成による効果を実証した。なお、図８において「Ｄ５０」とは、各比較例または実施例における累積５０％値を表し、単位はμｍである。また、「Ｄ１０」、「Ｄ９０」はそれぞれ各比較例または実施例における累積１０％値、および累積９０％値を表し、単位はμｍである。以下比較例１〜５および実施例１〜５の調製条件などについて順に説明する。

＜３−１．ＭｇＯ結晶粒子の調製条件＞
ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの調製方法は以下である。まず、ＭｇＯ種結晶（宇部マテリアルズ株式会社製、商品名：気相法高純度超微粉マグネシア（２０００Ａ））にフラックスとしてＭｇＦ２（フルウチ化学株式会社製、純度：９９．９９％）を４８ｐｐｍ添加した。これを乳鉢と乳棒ですり潰すことによって混合及び粉砕を実施した。次に、混合及び粉砕後の上記原料を大気中で、焼成時間を１時間、温度を１４５０℃で焼成を行い、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの焼成物を得た。次に乳鉢と乳棒を用いて得られた焼成物を塊体１８ｄに解砕した。

得られた塊体１８ｄの一部をＩＰＡ（関東化学株式会社製、電子工業用）に混合し、球石にジルコニアを用いてボールミルで凝集体１８ｃがなくなるＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の状態まで解砕処理を行い凝集のないスラリ（凝集体１８ｃが含まれていない点で第２のスラリ１８ｆとは異なる）を得た。図８に示す比較例１ではこのボールミルで処理したスラリをＭｇＯ膜１８ａに分散配布してＰＤＰを作製した。

また、得られた塊体１８ｄの別の一部はＩＰＡに混合した後、微粒化装置を用い、処理回数を変える事で凝集が制御された（すなわち、凝集体がない状態に対する累積５０％値が制御された）第２のスラリ１８ｆを得た。

ここで得られたＭｇＯ結晶粒子１８ｂについて、レーザー回折式の粒度分布計（型式：ＬＡ−３００、(株)堀場製作所製）を用いて累積粒度分布を求めた。求めた結果は図８に示している。

＜３−２．ＭｇＯ膜への分散配布条件＞
次に、ＭｇＯ膜１８ａの表面に塗装用スプレーガンを用いて凝集が制御された第２のスラリ１８ｆをスプレー塗布し、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂをＭｇＯ膜１８ａの表面に付着させた。スプレーガンは、２流体エア霧化方式のものを用いた。第２のスラリ１８ｆ中のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの濃度は０．６ｗｔ％、スプレーガンにかかる霧化圧は、１８０ｋＰａに設定した。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの密度が１ｍ^２当り０．１ｇとなるように付着させた。

＜３−３．ＰＤＰのその他の製造条件＞
図８に示す比較例１〜５および実施例１〜５の各ＰＤＰのその他の製造条件は、以下の通りである。図１に示すようにガラスからなる前面基板１３上に表示電極対（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５）、誘電体層１７、保護層１８（ＭｇＯ膜１８ａおよびその上に付着した配向の揃った複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂ）を形成することによって前面側基板構造体１１を作製した。また、ガラスからなる背面基板１９上にアドレス電極２０、誘電体層２１、隔壁２２及び蛍光体２３を形成することによって背面側基板構造体１２を作製した。次に、前面側基板構造体１１と背面側基板構造体１２とを重ね合わせて周縁部を封着材で封止することによって内部に気密な放電空間を有するパネルを作製した。次に、放電空間２４内を排気後、放電ガスを封入し、ＰＤＰを完成させた。

各基板構造体の条件は以下である。
（前面側基板構造体１１）
Ｘ、Ｙ透明電極１４ａ、１５ａの幅：２７０μｍ
Ｘ、Ｙバス電極１４ｂ、１５ｂの幅：９５μｍ
放電ギャップの幅：１００μｍ
誘電体層１７：低融点ガラスペーストの塗布焼成により形成、厚さ：３０μｍ
ＭｇＯ膜１８ａ：電子ビーム蒸着によるＭｇＯ膜、厚さ：１．１μｍ
（背面側基板構造体１２）
アドレス電極２０の幅：７０μｍ
誘電体層２１：低融点ガラスペーストの塗布焼成により形成、厚さ：１０μｍ
アドレス電極２０の真上での各蛍光体２３の厚さ：２０μｍ
隔壁２２の高さ：１４０μｍ 頂部での幅：５０μｍ
隔壁２２のピッチ：３６０μｍ
放電ガス：Ｎｅ９６％−Ｘｅ４％、５００Ｔｏｒｒ。

＜３−４．点灯試験および評価＞
次に、製造した各ＰＤＰについて点灯試験を行いＭｇＯ膜１８ａの被覆率、赤ムラの有無、放電電圧、放電遅れ、Ｘ線回折信号強度測定および粒状ムラを評価した。点灯試験の結果は図８に合わせて示している。

まず、被覆率、赤ムラの有無、放電電圧の評価結果について説明する。被覆率の測定では視野範囲を分割して１０点の測定点について被覆率を測定したが、比較例１〜５および実施例１〜５は全ての測定点でＭｇＯ膜１８ａの被覆率が１０％以下であった。また、各ＰＤＰについて８時間のいわゆるエージング処理を施し、目視にて前述した赤ムラの確認を行ったが、比較例１〜５および実施例１〜５の全てについて赤ムラは確認出来なかった。不純物により蛍光体２３が劣化する場合、８時間程度のエージング処理を施せば、赤ムラが顕在化することから、図８に示す比較例１〜５および実施例１〜５はＭｇＯ膜１８ａの被覆率を１０％以下とすることにより、赤ムラの顕在化を防止することができたと考えられる。また、図８には示していないが、ＭｇＯ膜１８ａの表面にＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着させないＰＤＰも作成し、このＰＤＰと比較例１〜５および実施例１〜５の各ＰＤＰの放電電圧を測定したが、放電電圧の上昇も認められなかった。したがって図８に示す比較例１〜５および実施例１〜５はＭｇＯ膜１８ａの被覆率を１０％以下とすることにより、放電電圧の上昇を防止することができたと考えられる。

次に、放電遅れの評価結果について説明する。放電遅れ試験では、アドレス電極２０に電圧を印加し、この電圧印加時から実際に放電が開始されるまでの時間を測定した。放電開始までの時間は１０００回測定し、評価方法は１０００回の測定データのうち、９５％以上が放電を開始するまでの時間（累積放電成功確率が９５％の値）を評価した。放電遅れが改善されているかどうかの判定については、上記累積放電成功確率が９５％の値が１．１μｍ未満の比較例あるいは実施例には○を、上記累積放電成功確率が９５％の値が１．１μｍ以上の比較例あるいは実施例には×をそれぞれ付している。放電遅れの改善効果を判定する閾値を１．１μｍとした理由は以下である。すなわち、ＰＤＰ１をフルハイビジョンの規格に適合させる場合を勘案して決定した。詳しくは、フルハイビジョン規格に適合するＰＤＰ１において、１フィールド（１６．７ｍ秒）を１０のサブフィールドに分割しプログレッシブ方式で駆動させる場合を考えると、１サブフィールドあたりの時間は約１.７ｍ秒である。この時間内に１０８０回のアドレス放電のスキャンを行うので、アドレス放電における放電遅れは少なくとも１．６μ秒（１．７ｍ秒／１０８０回）未満である必要がある。また、１サブフィールド内で維持放電と初期化放電（いわゆるリセット放電とも呼ばれる放電）も行う必要があるため、これらに要する時間を鑑みて１．１μ秒を閾値とした。

図８において、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積５０％値が１．１３μｍ以下である比較例１および比較例２はいずれも放電遅れの改善効果が確認できなかった。一方、１．２６μｍ以上である実施例１〜５および比較例３〜５ではいずれも放電遅れを改善することができた。

各比較例、実施例についてＸ線回折信号強度測定を行い、上述した規格化を行った結果、比較例１および比較例２についてはいずれもＭｇＯ膜１８ａの厚さ１μｍ当りの（１１１）面のＸ線回折信号強度に対して等倍未満であった。一方実施例１〜５および比較例３〜５ではいずれも等倍以上であった。この結果から、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積５０％値を１．２６μｍ以上とすることにより、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向を（１００）面で揃えることができ、この結果放電遅れを改善できることが判った。また、配向を揃える程度は、Ｘ線回折信号強度を測定することにより判断することができ、上述した規格化を行った後の｛（２００）面の信号強度／（１１１）面の信号強度｝の値を等倍以上となる時に、放電遅れが改善されることが判った。

また、比較例２〜５、実施例１〜５ではそれぞれ、比較例１に示したＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の凝集体１８ｃが含まれたものを用い、それぞれ凝集の程度を変化させたものを用いている。したがって、比較例２〜５、実施例１〜５における凝集体１８ｃに含まれる各ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の単粒子での累積粒度分布が、累積５０％値で０．９１μｍ以上、累積１０％値で０．５９μｍ以上とすれば、凝集の程度を制御して凝集体１８ｃを含むＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積５０％値を１．２６μｍ以上とすることにより放電遅れを改善できることが判った。

次に、明暗のムラ（粒状ムラ）の評価結果について説明する。粒状ムラの試験は、目視によって行い、ムラが視認できない（すなわち顕在化していない）比較例あるいは実施例には○を、視認できた（顕在化した）比較例あるいは実施例には×をそれぞれ付している。粒状ムラの評価結果は、図８に示すようにＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積５０％値が１．６０μｍ以上である比較例３〜５はいずれも粒状ムラが視認された。一方、１．５２μｍ以下である実施例１〜５ではいずれもいずれも粒状ムラが視認されなかった。この結果からＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積５０％値を１．５２μｍ以下とすることにより、粒状ムラの顕在化を防止することができることが判った。

以上説明したように、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布の累積５０％値を１．２６μｍ以上１．５２μｍ以下とすることにより、放電遅れを短くしつつ、かつ、明暗のムラ（粒状ムラ）の顕在化を防止することができることが実験的に検証された。また、凝集体１８ｃを含む構成においては、凝集体１８ｃを構成する各ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の単粒子での累積粒度分布はこれよりもさらに小さく、累積１０％値で０．５９μｍ以上とすれば、放電空間２４に対向する面の配向を（１００）面で揃えることができるので放電遅れを改善することができることが判った。

また、本実施の形態によれば、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂを分級するなどの新たな工程を追加することなく、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布を所定の範囲内に収めることができるので、製造効率の低下を抑制することができる。なお、本実施の形態では、第１のスラリ１８ｅ中の塊体１８ｄを解砕する工程が含まれているが、ＭｇＯの単結晶体は凝集性が高く、例えば上述したＭｇＯ種結晶をＭｇＯ結晶粒子としてそのまま用いる場合であっても何らかの方法で凝集体を解砕する必要があるので、本工程をおこなっても製造工程は特に増加しない。

＜３−５．関連実験＞
次に、関連実験としてＭｇＯ結晶粒子１８ｂの分散状態の均一性を確認するための試験を行った。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの分散状態の均一性を示す指標としてはＭｇＯ膜１８ａの被覆率の標準偏差の３倍を被覆率の平均値で除した値を用いた。この値が２０％を超えると、被覆率のばらつきにより、粒状ムラが顕在化することが判っている。ここで、「標準偏差」とは各測定視野毎の被覆率の標本に基づいて予測した被覆率の標準偏差を意味する。このように「ＭｇＯ膜１８ａの被覆率の標準偏差の３倍を被覆率の平均値で除した値」を指標として用いた理由は、以下である。すなわち、被覆率の分布が正規分布であると仮定して標準偏差をσとすると、平均値＋／−３σの中に全データの９９．７３％が含まれるため測定値のばらつきの広さを３σで表した。また、相対的に比較するために平均値に対するばらつきの広さを表す目的で３σを平均値で除した。

ＭｇＯ膜１８ａの被覆率の標準偏差の３倍を被覆率の平均値で除した値を測定したところ、実施例１〜５については全て２０％以下となっていることを確認した。つまり、本実施の形態によれば、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積５０％値を１．２６μｍ以上１．５２μｍ以下とすることにより、セル２５（図１参照）毎の累積粒度分布のばらつきが小さくすることができる。このように、セル２５（図１参照）毎の累積粒度分布のばらつきを小さくすることにより、放電遅れ（特に統計遅れ）を改善することができたものと推察される。また、粒状ムラについても、セル２５（図１参照）毎の累積粒度分布のばらつきを小さくすることにより、顕在化が防止できたものと推察される。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

本発明は、例えば、パーソナルコンピュータやワークステーション等のディスプレイ装置、平面型のテレビ受像器、あるいは、広告や情報等を表示するための装置として利用されるプラズマディスプレイ装置に用いるプラズマディスプレイパネルに対して幅広く適用することができる。

本発明の一実施の形態であるＰＤＰの要部を拡大して示す要部拡大組み立て斜視図である。 図１に示す前面基板構造体の上下を反転させて保護層の表面状態を示す要部拡大斜視図である。 図２に示すＭｇＯ結晶粒子の一例を示す図であって、ＭｇＯ結晶単粒子を示す斜視図である。 図２に示すＭｇＯ結晶粒子の一例を示す図であって、３個のＭｇＯ結晶単粒子の側面が密着して凝集した凝集体を示す説明図である。 図２に示すＭｇＯ膜とＭｇＯ結晶粒子の微視的な関係を示す拡大断面図である。 図２〜図５に示すＭｇＯ結晶粒子を調製するための解砕工程における解砕方法の実施態様の一例を説明するための説明図である。 図２〜図５に示すＭｇＯ結晶粒子を調製するための解砕工程における解砕方法毎のＭｇＯ結晶粒子の累積粒度分布を示す説明図である。 本発明の一実施の形態の効果検証実験の結果を示す説明図である。 本発明の一実施の形態に対する比較例であるＭｇＯ膜とＭｇＯ結晶粒子の微視的な関係を示す拡大断面図である。 本発明の一実施の形態に対する他の比較例であるＭｇＯ膜とＭｇＯ結晶粒子の微視的な関係を示す拡大断面図である。

符号の説明

１ ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）
１１ 前面基板構造体（第１基板構造体）
１２ 背面基板構造体（第２基板構造体）
１３ 前面基板（第１基板）
１３ａ 第１の面（表面）
１４ Ｘ電極（表示電極）
１４ａ Ｘ透明電極
１４ｂ Ｘバス電極
１５ Ｙ電極（表示電極）
１５ａ Ｙ透明電極
１５ｂ Ｙバス電極
１７ 誘電体層
１８ 保護層
１８ａ ＭｇＯ膜
１８ｂ、３０、３１ ＭｇＯ結晶粒子
１８ｂ１ ＭｇＯ結晶単粒子
１８ｃ 凝集体
１８ｄ 塊体
１８ｅ 第１のスラリ
１８ｆ 第２のスラリ
１９ 背面基板（第２基板）
２０ アドレス電極
２１ 誘電体層
２２ 隔壁
２３、２３ｒ、２３ｇ、２３ｂ 蛍光体
２４ 放電空間
２５ セル
２６ 隙間
２７ オリフィス（絞り孔）
２８ 矢印
Ｗ１ 頭頂間隔

Claims (11)

1. 放電ガスを封入して形成された放電空間を介して対向する一対の基板構造体を備え、前記一対の基板構造体の一方は、基板上に配置された複数の表示電極対と、前記複数の表示電極対を被覆する誘電体層と、この誘電体層を被覆する保護層とを有するプラズマディスプレイパネルであって、
   前記保護層は、前記誘電体層の表面に積層されるＭｇＯ（酸化マグネシウム）膜と、前記プラズマディスプレイパネルの全てのセルに対応する領域の前記ＭｇＯ膜上に分散配置された複数のＭｇＯ結晶粒子とを備え、
   前記ＭｇＯ膜の表面の前記複数のＭｇＯ結晶粒子による被覆率は１０％以下であり、
   前記複数のＭｇＯ結晶粒子の累積粒度分布の累積５０％値を１．２６μｍ以上とすることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記複数のＭｇＯ結晶粒子は、前記放電空間と対向する面の配向が（１００）面で揃うように配置されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
3. 請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記複数のＭｇＯ結晶粒子の累積粒度分布の累積５０％値を１．５２μｍ以下とすることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記ＭｇＯ膜は前記放電空間と対向する表面に（１１１）面の配向を有し、
   前記保護層について、（２００）面のＸ線回折信号強度測定を行い、（１１１）面と（２００）面との信号強度比に応じて規格化した後の値は、前記ＭｇＯ膜の厚さ１μｍ当りの（１１１）面のＸ線回折信号強度の等倍以上であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記ＭｇＯ結晶粒子を構成するＭｇＯ結晶単粒子は、それぞれ立方体の形状を有していることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記複数のＭｇＯ結晶粒子は、気相法により得られるＭｇＯ種結晶と前記ＭｇＯ種結晶の溶融を促進させる融剤とを混合した後焼成し、得られた焼成物を解砕することにより得られることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
7. 請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記焼成物の解砕は、前記焼成物を溶媒中に分散させてスラリを形成し、前記スラリを加圧しながらオリフィスを通過させることにより解砕することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
8. 第１基板の一方の面に表示電極対を形成する工程と、
   前記表示電極対を被覆するように誘電体層を形成する工程と、
   前記誘電体層の表面に保護層を形成する工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   前記保護層を形成する工程には、
   複数のＭｇＯ結晶粒子を調製する工程と、
   前記誘電体層の表面にＭｇＯ（酸化マグネシウム）膜を形成する工程と、
   前記プラズマディスプレイパネルの全てのセルに対応する領域の前記ＭｇＯ膜の表面に前記ＭｇＯ膜の前記複数のＭｇＯ結晶粒子による被覆率が１０％以下となるように前記複数のＭｇＯ結晶粒子を分散配置させる工程とが含まれ、
   前記複数のＭｇＯ結晶粒子を分散配置させる工程では、前記複数のＭｇＯ結晶粒子における前記ＭｇＯ膜との対向面と反対側に位置する面の配向が（１００）面で揃うように配置され、
   前記複数のＭｇＯ結晶粒子の累積粒度分布の累積５０％値を１．２６μｍ以上、１．５２μｍ以下とすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
9. 請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
   前記ＭｇＯ結晶粒子を構成するＭｇＯ結晶単粒子は、それぞれ立方体の形状を有していることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
10. 請求項８または請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
    前記複数のＭｇＯ結晶粒子を調製する工程には、
    気相法により得られるＭｇＯ種結晶と前記ＭｇＯ種結晶の溶融を促進させる融剤とを混合した後焼成し、得られた焼成物を解砕する工程が含まれることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
11. 請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
    前記焼成物の解砕は、前記焼成物を溶媒中に分散させてスラリを形成し、前記スラリを加圧しながらオリフィスを通過させることにより解砕することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。

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