JP4965153B2 - Semiconductor integrated circuit, electronic device using the same, and method for controlling semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Description
本発明は、半導体集積回路に関し、特にパッケージ内に内蔵された論理回路部と半導体素子電極との接続を、論理回路部の動作状態に応じて変更可能とした半導体集積回路に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a semiconductor integrated circuit in which the connection between a logic circuit unit incorporated in a package and a semiconductor element electrode can be changed according to the operating state of the logic circuit unit.
近年、半導体プロセスの微細化技術の進化により半導体集積回路の集積度が飛躍的に向上し、一つの半導体集積回路に内蔵できる回路規模が大きくなった。その結果、システムの大部分の機能を一つの半導体集積回路で実現したシステムLSIが実用されるに至っている。これに伴い、システムLSIと周辺回路との接続インターフェイスの数が増加し、システムLSIが有する外部端子の数も増加している。 In recent years, the degree of integration of semiconductor integrated circuits has been dramatically improved by the advancement of semiconductor process miniaturization technology, and the circuit scale that can be incorporated in one semiconductor integrated circuit has increased. As a result, a system LSI in which most functions of the system are realized by a single semiconductor integrated circuit has come into practical use. Along with this, the number of connection interfaces between the system LSI and peripheral circuits has increased, and the number of external terminals of the system LSI has also increased.
従来の半導体集積回路では、パッケージ内に内蔵された半導体素子電極とパッケージに設けられている外部端子が電気的に接続され、外部との通信や外部からの電源供給等に供されている。この半導体素子電極と、パッケージ内の論理回路部から外部に出る信号線との接続関係は、通常、動作中では固定されている。ただし、半導体集積回路のテストを行う時においては、この接続関係を内部回路で切替えて、外部端子から入出力される信号を変えることができるようになっている。 In a conventional semiconductor integrated circuit, a semiconductor element electrode incorporated in a package and an external terminal provided in the package are electrically connected to be used for communication with the outside, power supply from the outside, and the like. The connection relationship between the semiconductor element electrode and the signal line that goes out from the logic circuit portion in the package is normally fixed during operation. However, when testing a semiconductor integrated circuit, this connection relationship can be switched by an internal circuit to change a signal input / output from an external terminal.
また、特許文献1は、パッケージ化された半導体集積回路を基板に実装する際の、外部端子の位置による制約を削減する技術を開示している。特許文献1が開示する技術では、パッケージ内部の論理回路部から外部に出る信号線を選択回路で切替えて、異なる外部端子に接続し、外部端子の位置による制約を削減するために新たな外部端子を重複して設けることを回避している。
しかしながら、半導体集積回路の集積度が向上するに従い、パッケージ内の論理回路部の面積に対して、論理回路部から外部に出る信号線を接続する半導体素子電極部分の面積が大きくなり、半導体集積回路の面積削減に大きな支障をきたしている。 However, as the degree of integration of the semiconductor integrated circuit is improved, the area of the semiconductor element electrode portion for connecting the signal line extending from the logic circuit portion to the outside becomes larger than the area of the logic circuit portion in the package. This has been a major hindrance to the area reduction.
図14は、従来のパッケージ化された半導体集積回路の配置図である。図14に示すように、従来のパッケージ化された半導体集積回路は、パッド5とピン6からなる外部端子を有するパッケージ4に半導体素子3が内蔵されている。半導体素子3は、内部の論理回路部1と、周辺の半導体素子電極2を有する。半導体素子電極2は、論理回路部1から外部に出る信号線(図示せず)と接続し、さらに、パッケージ化に際して、パッド5とワイヤボンディングされる。半導体集積回路の高集積化に伴い、論理回路部1の占有面積は縮小されるが、半導体素子電極2の面積は縮小されない。その結果、半導体素子3には、無駄な空白部分7が生じることになる。また、半導体集積回路の高集積化に伴い、論理回路部1が多機能化され、論理回路部1から外部に出る信号線がより多く必要となった場合には、半導体素子電極2の占める面積を増やさない限り、必要な半導体素子電極2の数を確保できないという問題がある。
そこで本発明は、パッケージ内に内蔵された論理回路部と半導体素子電極との接続を、論理回路部の動作状態に応じて変更可能とし、必要な半導体素子電極の数を削減できる半導体集積回路とその制御方法を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides a semiconductor integrated circuit capable of changing the connection between a logic circuit part and a semiconductor element electrode incorporated in a package according to the operation state of the logic circuit part, and reducing the number of necessary semiconductor element electrodes. An object is to provide a control method thereof.
第1の発明に係る半導体集積回路は、論理回路部と、複数の半導体素子電極と、論理回路部から外部に出る複数の信号線の内の一つを選択し、選択した信号線を複数の半導体素子電極の内の第1の半導体素子電極と電気的に接続する信号選択部と、信号選択部を制御する信号制御部とを備え、信号選択部は、論理回路部の動作状態の変化に応じて、選択した信号線を、複数の半導体素子電極の内の第1の半導体素子電極と異なる第2の導体素子電極と電気的に接続する。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit that selects one of a logic circuit portion, a plurality of semiconductor element electrodes, and a plurality of signal lines extending from the logic circuit portion to the selected signal line. A signal selection unit electrically connected to the first semiconductor element electrode of the semiconductor element electrodes and a signal control unit for controlling the signal selection unit are provided. The signal selection unit responds to a change in the operation state of the logic circuit unit. Accordingly, the selected signal line is electrically connected to a second conductor element electrode different from the first semiconductor element electrode among the plurality of semiconductor element electrodes.
この構成によれば、論理回路部の動作状態の変化、すなわち、処理内容の変化に応じて、論理回路部から外部に出る信号線と半導体素子電極との接続を切替えることができる。その結果、一つの半導体素子電極を複数の信号線で共有することができ、必要な半導体素子電極数の削減が図れる。さらなる効果として、この半導体集積回路を組み込んだLSIの面積を削減できる。 According to this configuration, the connection between the signal line and the semiconductor element electrode that are output from the logic circuit unit to the outside can be switched in accordance with a change in the operation state of the logic circuit unit, that is, a change in processing content. As a result, one semiconductor element electrode can be shared by a plurality of signal lines, and the number of necessary semiconductor element electrodes can be reduced. As a further effect, the area of the LSI incorporating this semiconductor integrated circuit can be reduced.
第2の発明に係る半導体集積回路では、信号制御部は、論理回路部の動作状態の変化に応じて、信号選択部が行う複数の信号線と複数の半導体素子電極との電気的接続に関する接続情報を生成し、接続情報を、信号選択部に通知すると同時に外部の半導体集積回路に通知する。 In the semiconductor integrated circuit according to the second aspect of the invention, the signal control unit connects the electrical connection between the plurality of signal lines and the plurality of semiconductor element electrodes performed by the signal selection unit in accordance with a change in the operation state of the logic circuit unit. Information is generated, and connection information is notified to the signal selection unit and simultaneously to an external semiconductor integrated circuit.
この構成によれば、論理回路部から外部に出る信号線がどの半導体素子電極に接続されるかを、接続情報によって、外部の半導体集積回路に的確に通知することができる。 According to this configuration, an external semiconductor integrated circuit can be accurately notified to which semiconductor element electrode a signal line extending from the logic circuit unit to the outside is connected.
第3の発明に係る半導体集積回路では、信号選択部は、信号制御部からの接続情報を受信した後、所定の留保期間が終了するまで、接続情報に基づく新たな電気的接続を留保する。 In the semiconductor integrated circuit according to the third aspect of the invention, the signal selection unit reserves a new electrical connection based on the connection information after receiving the connection information from the signal control unit until the predetermined reservation period ends.
第4の発明に係る半導体集積回路では、信号選択部は、所定の留保期間においては、当該半導体素子電極をハイインピーダンスに設定する。 In the semiconductor integrated circuit according to the fourth aspect of the invention, the signal selection unit sets the semiconductor element electrode to high impedance during a predetermined retention period.
これらの構成によれば、論理回路部から外部に出る信号線と半導体素子電極との切替え接続時に、留保期間を置き、この間、当該半導体素子電極をハイインピーダンスに設定することにより、切替え接続に伴う潜在的な障害を回避することができる。 According to these configurations, a retention period is set at the time of switching connection between the signal line and the semiconductor element electrode that are output from the logic circuit unit, and during this period, the semiconductor element electrode is set to high impedance, thereby accompanying the switching connection. Potential obstacles can be avoided.
第5の発明に係る半導体集積回路では、信号選択部は、接続情報に基づいて、複数の信号線の内の一つと複数の半導体素子電極の内の一つとの新たな電気的接続を行うセレクタと、接続情報に基づいて、論理回路部の動作状態の変化を検出する状態変化検出部と、動作状態の変化を検出した後、所定の留保期間において、セレクタが行う新たな電気的接続を留保する状態遷移保護部と、所定の留保期間を計測するカウンタ部とを有し、状態遷移保護部は、カウンタ部が、所定の留保期間の計測を終了した後に、セレクタが行う新たな電気的接続の留保を解除する。 In the semiconductor integrated circuit according to the fifth aspect of the invention, the signal selection unit is a selector that performs a new electrical connection between one of the plurality of signal lines and one of the plurality of semiconductor element electrodes based on the connection information. And a state change detection unit that detects a change in the operation state of the logic circuit unit based on the connection information, and a new electrical connection made by the selector is reserved during a predetermined reservation period after the change in the operation state is detected. A state transition protection unit and a counter unit that measures a predetermined retention period. The state transition protection unit is a new electrical connection made by the selector after the counter unit finishes measuring the predetermined retention period. Cancel the reservation.
この構成によれば、論理回路部から外部に出る信号線と半導体素子電極との切替え接続時に、ある留保期間を置き、この間、信号線と半導体素子電極との接続を留保できる。この留保期間は、カウンタ部によって計測できる。 According to this configuration, a certain retention period is set at the time of switching connection between the signal line and the semiconductor element electrode that are output from the logic circuit unit, and during this period, the connection between the signal line and the semiconductor element electrode can be retained. This reservation period can be measured by the counter unit.
第6の発明に係る半導体集積回路では、カウンタ部は、内部に予め設定された基準値を基に、所定の留保期間の計測を終了する。 In the semiconductor integrated circuit according to the sixth aspect of the invention, the counter unit ends the measurement of the predetermined reservation period based on a reference value preset in the inside.
この構成によれば、論理回路部の内部に予め設定された基準値を、関連する外部の半導体集積回路が、新しい接続情報に伴う設定を完了するのに十分な時間に設定することによって、当該半導体集積回路は、信号線と半導体素子電極との接続を確実に切替えることができる。 According to this configuration, the reference value preset in the logic circuit unit is set to a time sufficient for the related external semiconductor integrated circuit to complete the setting associated with the new connection information. The semiconductor integrated circuit can reliably switch the connection between the signal line and the semiconductor element electrode.
第7の発明に係る半導体集積回路では、信号選択部は、信号制御部より接続情報を通知された外部の半導体集積回路から、接続情報に対する確認応答信号を受信する確認応答受信部をさらに有し、カウンタ部は、確認応答受信部が受信する確認応答信号を基に、所定の留保期間の計測を終了する。 In the semiconductor integrated circuit according to the seventh aspect of the present invention, the signal selection unit further includes a confirmation response receiving unit that receives a confirmation response signal for the connection information from the external semiconductor integrated circuit notified of the connection information by the signal control unit. The counter unit ends the measurement of the predetermined reservation period based on the confirmation response signal received by the confirmation response receiving unit.
この構成によれば、関連する外部の半導体集積回路から、新しい接続情報に伴う設定を完了したことを示す確認応答信号を受信した後、当該半導体集積回路は、信号線と半導体素子電極との接続を確実に切替えることができる。 According to this configuration, after receiving the confirmation response signal indicating that the setting according to the new connection information is completed from the related external semiconductor integrated circuit, the semiconductor integrated circuit connects the signal line and the semiconductor element electrode. Can be switched reliably.
第8の発明に係る半導体集積回路では、状態遷移保護部は、所定の留保期間では、当該半導体素子電極をハイインピーダンスに設定する。 In the semiconductor integrated circuit according to the eighth aspect of the invention, the state transition protection unit sets the semiconductor element electrode to high impedance during a predetermined retention period.
この構成によれば、論理回路部から外部に出る信号線と半導体素子電極との新しい接続を安全に実行できる。 According to this configuration, it is possible to safely execute a new connection between the signal line exiting from the logic circuit unit and the semiconductor element electrode.
第9の発明に係る電子装置は、相互に接続された複数の半導体集積回路と、複数の半導体集積回路を実装した基板とを備え、複数の半導体集積回路の内の少なくとも1つは、論理回路部と、複数の半導体素子電極と、論理回路部から外部に出る複数の信号線の内の一つを選択し、選択した信号線と、論理回路部の動作状態の変化に応じて選択された、複数の半導体素子電極の内の第1の半導体素子電極との電気的接続を行う信号選択部と、信号選択部を制御し、信号選択部が行う電気的接続に関する接続情報を生成し、接続情報を、複数の半導体集積回路の内の他の半導体集積回路に通知する信号制御部とを備え、信号選択部は、論理回路部の動作状態の変化に応じて、選択した信号線を、複数の半導体素子電極の内の、第1の半導体素子電極と異なる第2の半導体素子電極と電気的に接続する。 An electronic device according to a ninth invention includes a plurality of semiconductor integrated circuits connected to each other and a substrate on which the plurality of semiconductor integrated circuits are mounted, and at least one of the plurality of semiconductor integrated circuits is a logic circuit Selected from the signal line and the operation state of the logic circuit unit. , A signal selection unit that performs electrical connection with the first semiconductor element electrode among the plurality of semiconductor element electrodes, and controls the signal selection unit to generate connection information regarding the electrical connection performed by the signal selection unit, A signal control unit that notifies information to other semiconductor integrated circuits among the plurality of semiconductor integrated circuits, and the signal selection unit selects a plurality of selected signal lines according to a change in the operation state of the logic circuit unit. Of the semiconductor element electrodes of the first semiconductor element And connecting different second semiconductor element electrodes and electrically.
この構成によれば、当該電子装置は、論理回路部の動作状態の変化、すなわち、処理内容の変化に応じて、論理回路部から外部に出る信号線と半導体素子電極との接続を切替えることができる半導体集積回路を組み込んだLSIを利用するので、高集積化された、より小型の電子装置を実現できる。 According to this configuration, the electronic device can switch the connection between the signal line extending from the logic circuit unit to the semiconductor element electrode in accordance with a change in the operation state of the logic circuit unit, that is, a change in processing content. Since an LSI incorporating a semiconductor integrated circuit that can be used is utilized, a highly integrated and smaller electronic device can be realized.
第10の発明に係る制御方法は、論理回路部と、複数の半導体素子電極とを備える半導体集積回路における、半導体集積回路の制御方法であって、論理回路部から外部に出る複数の信号線の内の一つを選択する選択ステップと、選択された信号線を、複数の半導体素子電極の内の第1の半導体素子電極に電気的に接続する第1の接続ステップと、論理回路部の動作状態の変化に応じて、選択された信号線を、複数の半導体素子電極の内の第1の半導体素子電極と異なる第2の半導体素子電極に電気的に接続する第2の接続ステップとを含む。 A control method according to a tenth invention is a method for controlling a semiconductor integrated circuit in a semiconductor integrated circuit comprising a logic circuit portion and a plurality of semiconductor element electrodes, wherein a plurality of signal lines extending from the logic circuit portion to the outside are controlled. A selection step of selecting one of the first, a first connection step of electrically connecting the selected signal line to a first semiconductor element electrode of the plurality of semiconductor element electrodes, and an operation of the logic circuit unit A second connection step of electrically connecting the selected signal line to a second semiconductor element electrode different from the first semiconductor element electrode of the plurality of semiconductor element electrodes in response to a change in state; .
この方法によれば、論理回路部の動作状態の変化、すなわち、処理内容の変化に応じて、論理回路部から外部に出る信号線と半導体素子電極との接続を切替えることができる。その結果、一つの半導体素子電極を複数の信号線で共有し、必要な半導体素子電極数を削減した、半導体集積回路を実現できる。 According to this method, the connection between the signal line and the semiconductor element electrode that are output from the logic circuit unit to the outside can be switched in accordance with a change in the operation state of the logic circuit unit, that is, a change in processing content. As a result, a semiconductor integrated circuit can be realized in which one semiconductor element electrode is shared by a plurality of signal lines and the number of necessary semiconductor element electrodes is reduced.
第11の発明に係る制御方法では、第1の接続ステップにおいて行われる電気的接続と、第2の接続ステップにおいて行われる電気的接続とに関する接続情報を生成する生成ステップと、生成された接続情報に基づいて、第1の接続ステップにおいて行われる電気的接続と、第2の接続ステップにおいて行われる電気的接続とを制御する制御ステップと、生成された接続情報を外部の半導体集積回路に通知する通知ステップとをさらに含む。 In the control method according to the eleventh aspect of the present invention, a generation step of generating connection information relating to the electrical connection performed in the first connection step and the electrical connection performed in the second connection step, and the generated connection information And a control step for controlling the electrical connection performed in the first connection step and the electrical connection performed in the second connection step, and the generated connection information is notified to the external semiconductor integrated circuit. A notification step.
この方法によれば、接続情報に基づいて、論理回路部から外部に出る信号線と半導体素子電極との新しい接続を制御でき、同時に、外部の半導体回路も、接続情報に基づいて、信号送受の設定を行うことができる。 According to this method, it is possible to control a new connection between the signal line and the semiconductor element electrode that are output from the logic circuit unit based on the connection information, and at the same time, the external semiconductor circuit can perform signal transmission / reception based on the connection information. Settings can be made.
第12の発明に係る制御方法では、第2の接続ステップは、所定の留保期間が終了するまで、選択された信号線と、第2の半導体素子電極との電気的接続を留保する留保ステップを含む。 In the control method according to the twelfth invention, the second connection step includes a reservation step for retaining the electrical connection between the selected signal line and the second semiconductor element electrode until the predetermined retention period ends. Including.
第13の発明に係る制御方法では、第2の接続ステップは、所定の留保期間において、第2の半導体素子電極をハイインピーダンスに保持する保持ステップを含む。 In the control method according to the thirteenth invention, the second connection step includes a holding step of holding the second semiconductor element electrode at a high impedance during a predetermined holding period.
これらの方法によれば、論理回路部から外部に出る信号線と半導体素子電極との新しい接続を実行する際に、所定の留保期間を設け、この留保期間の間は、当該半導体素子電極をハイインピーダンスに設定することにより、当該半導体集積回路での新たな電気的接続を、確実にかつ安全に実行できる。 According to these methods, a predetermined retention period is provided when a new connection between the signal line that goes out from the logic circuit portion and the semiconductor element electrode is performed, and during this retention period, the semiconductor element electrode is held high. By setting the impedance, a new electrical connection in the semiconductor integrated circuit can be executed reliably and safely.
本発明によれば、パッケージ内に内蔵された論理回路部と半導体素子電極との接続を、論理回路部の動作状態に応じて変更可能とし、必要な半導体素子電極の数を削減できる半導体集積回路とその制御方法を提供することができる。 According to the present invention, the connection between the logic circuit part and the semiconductor element electrode incorporated in the package can be changed according to the operation state of the logic circuit part, and the number of necessary semiconductor element electrodes can be reduced. And a control method thereof.
以下図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1における半導体集積回路のブロック図である。本形態の半導体集積回路100は、パッケージ10に内蔵されている。パッケージ10の有する外部端子は、図示していない。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention. The semiconductor integrated
本形態の半導体集積回路100は、論理回路部20、信号制御部30、第1信号選択部41、第2信号選択部42、及び、第3信号選択部43を含む信号選択部40、第1素子電極51、第2素子電極52、第3素子電極53、及び、第4素子電極54を備える。
The semiconductor integrated
第1信号選択部41は、論理回路部20から外部に出る信号線D1、D2、D3、D4の内の一つを選択して、第1素子電極51に接続している信号線D5に接続する。
The first
第2信号選択部42は、論理回路部20から外部に出る信号線D4、D6、D7、D8の内の一つを選択して、第2素子電極52に接続している信号線D9に接続する。
The second
第3信号選択部43は、論理回路部20から外部に出る信号線D10、D11、D12、D13の内の一つを選択して、第3素子電極53に接続している信号線D14に接続する。
The third
論理回路部20の処理内容が変更されると、その動作状態の変化は、制御信号線C1を介して論理回路部20から信号制御部30に通知される。信号制御部30は、論理回路部20の動作状態の変化を検出し、接続情報を生成する。信号制御部30は、生成した接続情報を、制御信号線C2を介して、信号選択部40に通知すると同時に、制御信号線C3を介して、第4素子電極54に接続されている、外部のLSIに通知する。この接続情報は、第1素子電極51、第2素子電極52、第3素子電極53のそれぞれに、信号線D1〜D4、D6〜D8、D10〜D13のどれが接続されるかを示している。
When the processing content of the
第1信号選択部41、第2信号選択部42、及び、第3信号選択部43は。送られてきた接続情報を基に、それぞれの電気的接続を行う。
The first
半導体集積回路100と接続関係にある外部のLSIは、送られてきた接続情報を基に、半導体集積回路100と信号の送受を行うための設定をする。
An external LSI having a connection relationship with the semiconductor integrated
本形態の半導体集積回路100では、論理回路部20から外部に出る信号線D4が、第1信号選択部41と第2信号選択部42に接続されており、論理回路部20の動作状態に応じて、第1素子電極51または第2素子電極52に接続できる。このように、論理回路部20から外部に出る信号線を複数の素子電極50に接続できるようにした構成が、本発明の特徴の一つである。このような構成の説明と効果については、本発明の実施の形態4でさらに詳しく述べる。
In the semiconductor integrated
なお、論理回路部20の動作状態の変化とは、例えば、論理回路部20が携帯電話向けシステムLSIに含まれる場合、カメラを用いるビデオ撮影モード、通常の音声通話モード、カメラとマイクを用いるテレビ電話モード等、モードの切替えに伴う、論理回路部20が使用する外部デバイスの変化や、論理回路部20が処理する信号処理内容の変化を意味している。
For example, when the
図2は、本発明の実施の形態1における信号選択部のブロック図である。本形態の信号選択部60と素子電極50は、図1に示す第1信号選択部41とそれに対応する第1素子電極51を例示している。しかし、信号選択部60は、第2信号選択部42、第3信号選択部43にも、等しく適用できる。
FIG. 2 is a block diagram of the signal selection unit according to
本形態の信号選択部60は、セレクタ61、状態遷移保護部62、状態変化検出部63、及び、カウンタ部64を備える。
The
図1の論理回路部20から外部に出る信号線D1〜D4が、セレクタ61に接続されている。信号制御部30から制御信号線C2が、セレクタ61と状態変化検出部63に接続されている。
Signal lines D <b> 1 to D <b> 4 exiting from the
図7は、本発明の実施の形態1における信号選択部のタイミング図である。図7の横軸は、時間を表す。 FIG. 7 is a timing diagram of the signal selection unit in the first embodiment of the present invention. The horizontal axis in FIG. 7 represents time.
本形態の信号選択部60の動作を、図1、図2、図7を参照して説明する。
The operation of the
時刻t1において、論理回路部20に含まれるCPUが、論理回路部20での動作状態が、動作状態Aから動作状態Bに変化したことを、制御信号線C1を介して、信号制御部30に通知する。この時刻において、セレクタ61は、動作状態Aの信号を選択し、状態遷移保護部62に出力している。状態遷移保護部62は、動作状態Aの信号を素子電極50に出力している。
At time t1, the CPU included in the
時刻t2において、信号制御部30は、新しい接続情報を生成し、制御信号線C2を介して、セレクタ61と状態変化検出部63に送る。状態変化検出部63は、論理回路部20での動作状態が変化したことを検出し、動作状態が変化したことを状態遷移保護部62とカウンタ部64に通知する。
At time t2, the
時刻t3において、状態遷移保護部62は、素子電極50に出力していた動作状態Aの信号をきり、素子電極50をハイインピーダンスの状態に設定する。同時に、カウンタ部64は、留保期間の計測を開始する。
At time t3, the state
時刻t4において、セレクタ61は、信号制御部30から送られてきた接続情報を基に、動作状態Aの信号から動作状態Bの信号にその接続を切替え、状態遷移保護部62に出力する。ただし、素子電極50は、まだハイインピーダンスの状態を継続している。
At
時刻t5において、カウンタ部64は、所定の時間を計測し、留保期間が終了したことを状態変化検出部63に通知する。状態遷移保護部62は、この通知を受けて、素子電極50をハイインピーダンスの状態から解除し、素子電極50に動作状態Bの信号を出力する。
At time t5, the
このように、本形態の半導体集積回路100によれば、論理回路部20の動作状態の変化に従って、論理回路部20から外部に出る複数の信号線の内の一つを選択して、対応する素子電極50に接続することができる。さらに、この接続切替えにおいて、半導体集積回路100と接続関係にある外部のLSIが、半導体集積回路100からの信号を適正に受信するための設定をする時間的余裕を、留保時間によって確保している。さらに、この間は、接続を切替える素子電極50を、ハイインピーダンスに設定して、安全な接続切替えを行い、潜在的な障害の発生を防止している。
As described above, according to the semiconductor integrated
なお、図1に示す半導体集積回路100では、外部と信号の送受をする素子電極50の個数は、4個であるが、この個数は、例示であって、半導体集積回路100の機能が必要とする個数の素子電極50と信号選択部40を備えることができる。
In the semiconductor integrated
(実施の形態2)
図3は、本発明の実施の形態2における信号選択部のブロック図である。図3において、 図2と同様な構成要素については、同一の符号を付すことにより、説明を省略する。
(Embodiment 2)
FIG. 3 is a block diagram of a signal selection unit in
本形態の信号選択部60は、図2に示す信号選択部60に対して、確認応答受信部65をさらに備える。
The
本形態の信号選択部60を、図1に示す第1信号選択部41として用いた場合の、半導体集積回路100の動作は、以下の点を除いて、本発明の実施の形態1における半導体集積回路100の動作と、同様である。
The operation of the semiconductor integrated
すなわち、論理回路部20の処理内容が変更され、動作状態が動作状態Aから動作状態Bに変化すると、図7の時刻t2において、信号制御部30は、新しい接続情報を生成して、半導体集積回路100と接続関係にある外部のLSIに通知する。接続情報を通知されて外部のLSIは、その設定を変更した後、接続情報に対する確認応答信号を半導体集積回路100に発する。確認応答受信部65は、制御信号線C4を介して、この確認応答信号を受信し、カウンタ部64に通知する。カウンタ部64は、図7の時刻t3から開始していた留保期間の計測を終了する(時刻t5に相当する)。
That is, when the processing content of the
このように、本形態の信号選択部60を用いれば、セレクタ61が計測する留保時間を、半導体集積回路100と接続関係にある外部のLSIからの接続情報に対する確認応答信号を受信して終了することができる。勿論、この留保期間中は、素子電極50はハイインピーダンスの状態に保たれ、その間に、セレクタ61は、動作状態Aの信号から動作状態Bの信号に切替えている。この結果、安全な接続切替えが実現され、潜在的な障害の発生を防止できる。
As described above, when the
本形態の半導体集積回路100は、本発明の実施の形態1における半導体集積回路100に比べ、さらに短い留保期間で、信号選択部40の接続切替えを実行できる。
The semiconductor integrated
(実施の形態3)
図4は、本発明の実施の形態3における信号制御部と信号選択部のブロック図である。図4において、 図2と同様な構成要素については、同一の符号を付すことにより、説明を省略する。
(Embodiment 3)
FIG. 4 is a block diagram of a signal control unit and a signal selection unit in
図4に示す本形態の信号選択部60は、セレクタ61と状態遷移保護部62を備え、信号制御部30は、状態変化検出部31、カウンタ部32、及び、選択指示部33を備える。
4 includes a
本形態の信号制御部30と信号選択部60を、図1に示す信号制御部30と第1信号選択部41として用いた場合の、半導体集積回路100の動作を、以下に説明する。
The operation of the semiconductor integrated
論理回路部20に含まれるCPUから、論理回路部20の処理内容が変更され、動作状態が動作状態Aから動作状態Bに変化したことが、制御信号線C1を介して、信号制御部30に通知される。
The fact that the processing content of the
この動作状態変化の通知を受けて、選択指示部33は、新しい接続情報を生成し、セレクタ61に通知する。同時に、生成した新しい接続情報を半導体集積回路100と接続関係にある外部のLSIに、制御信号線C3と第4素子電極54を介して、通知する。
Upon receiving the notification of the change in the operating state, the
また、この動作状態変化の通知を受けて、状態変化検出部31は、論理回路部20の動作状態が変化したことを検出し、留保期間が開始することを選択指示部33とカウンタ部32に通知する。
In response to the notification of the change in the operation state, the state
選択指示部33は、留保期間が開始することを受けて、状態遷移保護部62に、その出力を、ハイインピーダンスに設定するように指示する。状態遷移保護部62は、素子電極50をハイインピーダンスに設定する。この時、素子電極50への出力は、動作状態Aの信号からハイインピーダンスに切り替わる。
Upon receiving the start of the reservation period, the
カウンタ部32は、留保期間が開始することを受けて、留保期間の計測を開始する。
In response to the start of the reservation period, the
セレクタ61は、留保期間が開始されたことを確認して、動作状態Aの信号から動作状態Bの信号に切替え、動作状態Bの信号を状態遷移保護部62に出力する。
The
カウンタ部32は、所定の時間を計測した後に、留保期間の終了を状態変化検出部31に通知する。状態変化検出部31は、留保期間の終了を選択指示部33に通知する。
After measuring the predetermined time, the
選択指示部33は、留保期間の終了の通知を受けて、状態遷移保護部62に、その出力を、ハイインピーダンスの状態から解除することを指示する。この時、素子電極50への出力は、ハイインピーダンスの状態から動作状態Bの信号に切り替わる。
Upon receiving the notification of the end of the reservation period, the
このように、本形態の半導体集積回路100によれば、論理回路部20の動作状態の変化に従って、論理回路部20から外部に出る複数の信号線の内の一つを選択して、対応する素子電極50に接続することができる。さらに、この接続切替えにおいて、半導体集積回路100と接続関係にある外部のLSIが、半導体集積回路100からの信号を適正に受信するための設定を行う時間的余裕を、留保時間によって確保している。さらに、この間は、接続を切替える素子電極50は、ハイインピーダンスにして、安全な接続切替えを行い、潜在的な障害の発生を防止できる。
As described above, according to the semiconductor integrated
なお、本形態の信号制御部30では、留保期間の計測を、カウンタ部32の内部に予め設定されている基準値を参照して行った。しかし、図3に示した本発明の実施の形態2の信号選択部60と同様に、図4の信号制御部30に確認応答受信部65を付加して、本形態の半導体集積回路100と接続関係にある外部のLSIから、新しい接続情報に対する確認応答信号を受信し、留保期間の終了を決定することもできる。
In the
(実施の形態4)
図5は、本発明の実施の形態4における電子装置のブロック図である。本形態の電子装置200は、第1半導体集積回路101、第2半導体集積回路102、及び、第3半導体集積回路103を備えている。
(Embodiment 4)
FIG. 5 is a block diagram of an electronic device according to
第1半導体集積回路101は、図1に示した本発明の実施の形態1の半導体集積回路100と同様な機能を有する半導体集積回路であり、10個の外部端子T0〜T9を有している。これらの外部端子T0〜T9は、第1半導体集積回路101の素子電極と接続されている。その詳細は後述する。
The first semiconductor integrated
第2半導体集積回路102と第3半導体集積回路103は、第1半導体集積回路101と接続関係にある外部LSIに相当する半導体集積回路であり、それぞれ、7個の外部端子T0〜T6を有している。第2半導体集積回路102と第3半導体集積回路103は、図1に示した本発明の実施の形態1の半導体集積回路100と同様な機能に加えて、接続情報を受信して、その接続情報に対する必要は設定を行った後に、確認応答信号を送信する確認応答送信部66を有している。
The second semiconductor integrated
本形態の電子装置200の相互接続関係は、以下のようになっている。
The interconnection relationship of the
すなわち、第1半導体集積回路101の外部端子T0〜T5は、第2半導体集積回路102の外部端子T0〜T5に、それぞれ接続し、第1半導体集積回路101の外部端子T3〜T8は、第3半導体集積回路103の外部端子T0〜T5にそれぞれ接続している。これらの外部端子間の接続は、信号(データ)を送受するパスとなる。ここで、第1半導体集積回路101の外部端子T3〜T5は、第2半導体集積回路102と第3半導体集積回路103に接続されていることに注意されたい。
That is, the external terminals T0 to T5 of the first semiconductor integrated
第1半導体集積回路101の外部端子T9は、第2半導体集積回路102の外部端子T6と第3半導体集積回路103の外部端子T6に接続されている。それらの外部端子間の接続は、接続情報などの制御信号を送受するパスとなる。
The external
次に、本形態の電子装置200における信号の送受に付いて述べる。
Next, transmission / reception of signals in the
図8は本発明の実施の形態4における第1半導体集積回路の信号配置図である。すなわち、図8は、第1半導体集積回路101の論理回路部20における動作状態の変化に伴う、外部端子の出力信号配列を示す。
FIG. 8 is a signal layout diagram of the first semiconductor integrated circuit according to the fourth embodiment of the present invention. That is, FIG. 8 shows the output signal arrangement of the external terminals accompanying the change of the operation state in the
図9は、本発明の実施の形態4における第2半導体集積回路102の信号配置図である。すなわち、図9は、第1半導体集積回路101の論理回路部20における動作状態の変化に伴う、第2半導体集積回路102の外部端子の入力信号配列を示す。
FIG. 9 is a signal layout diagram of the second semiconductor integrated
図10は、本発明の実施の形態4における第3半導体集積回路103の信号配置図である。すなわち、図10は、第1半導体集積回路101の論理回路部20における動作状態の変化に伴う、第3半導体集積回路103の外部端子の入力信号配列を示す。
FIG. 10 is a signal layout diagram of the third semiconductor integrated
第1半導体集積回路101における論理回路部20が動作状態1に変化した時、第1半導体集積回路101の信号制御部30は、その外部端子T0〜T8に、信号群A(A0〜A5)と信号群B(B0〜B2)をそれぞれ出力することを示す接続情報を生成し、第2半導体集積回路102と第3半導体集積回路103に通知する。同時に、第1半導体集積回路101は、留保期間に入る。接続情報の通知は、第1半導体集積回路101の外部端子T9、第2半導体集積回路102の外部端子T6、第3半導体集積回路103の外部端子T6を介して行われる。
When the
第2半導体集積回路102の信号制御部30は、この接続情報を受信して、外部端子T0〜T5から信号群A(A0〜A5)を受信する設定をし、確認応答送信部66は、確認応答信号を第1半導体集積回路101に送る。
The
同様に、第3半導体集積回路103の信号制御部30は、この接続情報を受信して、外部端子T3〜T5から信号群B(B0〜B2)を受信する設定をし、確認応答送信部66は、確認応答信号を第1半導体集積回路101に送る。
Similarly, the
第1半導体集積回路101では、確認応答受信部65が、第2半導体集積回路102と第3半導体集積回路103からの確認応答信号を受信して、留保期間が終了し、外部端子T0〜T8に、信号群A(A0〜A5)と信号群B(B0〜B2)がそれぞれ出力される。その結果、動作状態1では、信号群A(A0〜A5)が第1半導体集積回路101から第2半導体集積回路102に送られ、信号群B(B0〜B2)が第1半導体集積回路101から第3半導体集積回路103に送られる。
In the first semiconductor integrated
次に、第1半導体集積回路101における論理回路部20が動作状態2に変化した時、第1半導体集積回路101の信号制御部30は、その外部端子T0〜T8に、信号群C(C0〜C2)、信号群D(D0〜D2)、信号群B(B0〜B2)をそれぞれ出力することを示す接続情報を生成し、第2半導体集積回路102と第3半導体集積回路103に通知する。同時に、第1半導体集積回路101は、留保期間に入る。
Next, when the
第2半導体集積回路102の信号制御部30は、この接続情報を受信して、外部端子T0〜T2から信号群C(C0〜C2)を、外部端子T3〜T5から信号群D(D0〜D2)を受信する設定をし、確認応答送信部66は、確認応答信号を第1半導体集積回路101に送る。
The
同様に、第3半導体集積回路103の信号制御部30は、この接続情報を受信して、外部端子T0〜T2から信号群D(D0〜D2)を、外部端子T3〜T5から信号群B(B0〜B2)を受信する設定をし、確認応答送信部66は、確認応答信号を第1半導体集積回路101に送る。
Similarly, the
第1半導体集積回路101では、確認応答受信部65が、第2半導体集積回路102と第3半導体集積回路103からの確認応答信号を受信して、留保期間が終了し、外部端子T0〜T8に、信号群C(C0〜C2)、信号群D(D0〜D2)、信号群B(B0〜B2)がそれぞれ出力される。その結果、動作状態2では、信号群C(C0〜C2)と信号群D(D0〜D2)が第1半導体集積回路101から第2半導体集積回路102に送られ、信号群D(D0〜D2)、信号群B(B0〜B2)が第1半導体集積回路101から第3半導体集積回路103に送られる。
In the first semiconductor integrated
さらに、第1半導体集積回路101における論理回路部20が動作状態3に変化した時、第1半導体集積回路101の信号制御部30は、その外部端子T0〜T8に、信号群A(A0〜A5)と信号群D(D0〜D2)をそれぞれ出力することを示す接続情報を生成し、第2半導体集積回路102と第3半導体集積回路103に通知する。同時に、第1半導体集積回路101は、留保期間に入る。ここで注意すべきことは、動作状態2から動作状態3に変化した時、信号群D(D0〜D2)が出力される外部端子が外部端子T3〜T5から外部端子T6〜T8に変更されていることである。
Further, when the
第2半導体集積回路102の信号制御部30は、この接続情報を受信して、外部端子T0〜T5から信号群A(A0〜A5)を受信する設定をし、確認応答送信部66は、確認応答信号を第1半導体集積回路101に送る。
The
同様に、第3半導体集積回路103の信号制御部30は、この接続情報を受信して、外部端子T3〜T5から信号群D(D0〜D2)を受信する設定をし、確認応答送信部66は、確認応答信号を第1半導体集積回路101に送る。
Similarly, the
第1半導体集積回路101では、確認応答受信部65が、第2半導体集積回路102と第3半導体集積回路103からの確認応答信号を受信して、留保期間が終了し、外部端子T0〜T8に、信号群A(A0〜A5)と信号群D(D0〜D2)がそれぞれ出力される。その結果、動作状態3では、信号群A(A0〜A5)が第1半導体集積回路101から第2半導体集積回路102に送られ、信号群D(D0〜D2)が第1半導体集積回路101から第3半導体集積回路103に送られる。
In the first semiconductor integrated
上述した本形態の電子装置200の動作において注意すべきことは、動作状態2から動作状態3に変化した時、信号群D(D0〜D2)が出力される外部端子が外部端子T3〜T5から外部端子T6〜T8に変更されていることである。この結果、本形態の第1半導体集積回路101において必要とされる外部端子の数を9端子、すなわち、外部端子T0〜T8に低減できる。
It should be noted in the operation of the
図11は、従来技術による半導体集積回路の信号配置図である。従来技術による半導体集積回路は、論理回路部20から外部に出る複数の信号線の内の一つを複数の素子電極50(したがって、複数の外部端子)に接続する機能を有していない。その結果、信号群A(A0〜A5)、信号群B(B0〜B2)、信号群C(C0〜C2)、信号群D(D0〜D2)を出力するためには、第1半導体集積回路101は、図11に示すように、12個の信号(データ)送受用外部端子T0〜TBを備える必要がある。なお、ここでは、信号群A(A0〜A5)と信号群C(C0〜C2)とは、同時に出力されることはなく、外部端子を共用できると仮定している。
FIG. 11 is a signal layout diagram of a semiconductor integrated circuit according to the prior art. The semiconductor integrated circuit according to the prior art does not have a function of connecting one of a plurality of signal lines coming out from the
以上の説明から、本発明の半導体集積回路100が、必要とされる外部端子の数を低減できることが、明白である。
From the above description, it is apparent that the semiconductor integrated
図6は、本発明の実施の形態4における第1半導体集積回路の信号選択部の説明図である。図6は、図5の電子装置200における信号の送受を実現するための、論理回路部20から外部に出る信号線と信号選択部40の接続を示している。
FIG. 6 is an explanatory diagram of the signal selection unit of the first semiconductor integrated circuit according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 6 shows the connection between the signal line and the
図6に示すように、論理回路部20は、信号群A(A0〜A5)、信号群B(B0〜B2)、信号群C(C0〜C2)、信号群D(D0〜D2)を出力するために、外部に出る15本の信号線A0〜D2を有している。(接続情報などの制御信号を送る信号線は、別に設けてあり、本説明から除外している。)
信号選択部40は、9個の選択部S0〜S8を有し、それぞれの出力端は素子電極E0〜E8に接続され、さらに、外部端子T0〜T8に接続されている。
As shown in FIG. 6, the
The
選択部S0は、論理回路部20の信号線A0またはC0を選択し、素子電極E0に出力する。選択部S1は、論理回路部20の信号線A1またはC1を選択し、素子電極E1に出力する。以下同様である。
The selection unit S0 selects the signal line A0 or C0 of the
ただし、論理回路部20の信号線D0は、選択部S3と選択部S6に接続され、信号線D1は、選択部S4と選択部S7に接続され、信号線D2は、選択部S5と選択部S8に接続されている。
However, the signal line D0 of the
この構成により、上述したように、論理回路部20が動作状態2から動作状態3に変化した時、信号群D(D0〜D2)が出力される外部端子を、外部端子T3〜T5から外部端子T6〜T8に変更することを可能としている。
With this configuration, as described above, when the
(実施の形態5)
図12は、本発明の実施の形態5における半導体集積回路ブロック図である。図12において、 図1と同様な構成要素については、同一の符号を付すことにより、説明を省略する。
(Embodiment 5)
FIG. 12 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit according to the fifth embodiment of the present invention. In FIG. 12, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
図12に示す半導体集積回路100は、論理回路部20、信号制御部30、信号選択部40、ROM70、素子電極50を備え、論理回路部20は、各種機能回路(図示していない)の他に、半導体集積回路100の全体を制御するCPU21を有している。なお、図12においては、素子電極50は、複数の素子電極を代表しており、信号選択部40は複数の信号選択部を代表している。
A semiconductor integrated
ROM70は、半導体集積回路100を制御するためのプログラムが格納されており、CPU21がこのプログラムを読み出し、実行する。
The
図13は、本発明の実施の形態5における半導体集積回路のフローチャートである。このフローチャートを実行するためのプログラムが、ROM70に格納されている。
FIG. 13 is a flowchart of the semiconductor integrated circuit according to the fifth embodiment of the present invention. A program for executing this flowchart is stored in the
信号選択部40として、図2に示す本発明の実施の形態1における信号選択部60を用いた場合における、本形態の半導体集積回路100の動作を、図13のフローチャートに従って、以下に説明する。
The operation of the semiconductor integrated
図13において、ステップS0で、制御プログラムがスタートする。 In FIG. 13, the control program starts in step S0.
ステップS1において、信号制御部30は、論理回路部20の動作状態が変化したかどうかを判定する。判定結果が「NO」(動作状態の変化は検出されない)の場合は、ステップS1を繰り返す。判定結果が「YES」(動作状態の変化が検出された)の場合は、制御をステップS2に進める。
In step S1, the
ステップS2において、信号制御部30は、論理回路部20の外部に出る信号線と素子電極50との接続に関する接続情報を生成し、信号選択部40に通知する。同時に、信号制御部30は、半導体集積回路100と接続関係にある外部のLSIに接続情報を通知する。
In step S <b> 2, the
ステップS3において、図2の状態変化検出部63は、接続情報を受信して、状態遷移保護部62に指示して、素子電極50をハイインピーダンスに設定する。
In step S3, the state
ステップS4において、カウンタ部64は、留保期間の計測を開始する。カウンタ部64が、留保期間の計測を行っている間に、セレクタ61は、接続情報に従って、論理回路部20の信号線の選択を行い、状態遷移保護部62に接続する。また、外部のLSIは、接続情報に従って、信号(データ)を受信する設定をする。
In step S4, the
ステップS5において、カウンタ部64は、所定の留保期間が計測されたかどうかを判定する。判定結果が、「YES」(所定の留保期間を計測)の場合、カウンタ部64は、所定の留保期間が終了したことを状態変化検出部63に通知する。そして、制御はステップS6に移る。
In step S5, the
ステップS6において、状態変化検出部63は、留保期間の終了通知を受けて、状態遷移保護部62に指示して、素子電極50をハイインピーダンスの設定から解除し、素子電極50に、セレクタ61がすでに選択している信号線の信号を送る。こうして、論理回路部20の動作状態の変化に伴う、新しい信号が、素子電極50から外部のLSIに送信される。
In step S <b> 6, the state
ステップS7において、論理回路部20の動作状態の変化に伴う一連の処理が終了する。その後、制御は、再度、ステップS1に戻っても良い。
In step S <b> 7, a series of processes accompanying the change in the operation state of the
なお、上述したフローチャートでは、留保期間を、カウンタ部64が内部に有する基準値を用いて、計測したが、外部のLSIから、接続情報に対する確認応答信号を受信して、留保期間を終了しても良い。半導体集積回路100と接続関係にある外部のLSIが多い場合には、外部のLSIから、接続情報に対する確認応答信号を受信して、留保期間を終了するほうが、一般的に留保期間を短く設定できる。
In the above-described flowchart, the reservation period is measured using the reference value that the
上述した本発明の実施の形態では、いずれも、半導体集積回路100から、半導体集積回路100と接続関係にある外部のLSIに、信号(データ)が送信されると仮定して、その動作を説明した。しかし、信号は、双方向に送信できる。
In each of the above-described embodiments of the present invention, the operation is described assuming that a signal (data) is transmitted from the semiconductor integrated
例えば、図5に示した本発明の実施の形態4の電子装置200では、第1半導体集積回路101が動作状態1の場合、図8、9、10に示すように、信号群A(A0〜A5)が、第1半導体集積回路101の外部端子T0〜T5と、第2半導体集積回路102の外部端子T0〜T5を経由して、第1半導体集積回路101から第2半導体集積回路102に送られ、信号群B(B0〜B2)が、第1半導体集積回路101の外部端子T6〜T8と、第3半導体集積回路103の外部端子T3〜T5を経由して、第1半導体集積回路101から第3半導体集積回路103に送られる。
For example, in the
同時に、この接続状態において、例えば、第2半導体集積回路102から、第2半導体集積回路102の外部端子T0〜T5と、第1半導体集積回路101の外部端子T0〜T5と、第1半導体集積回路101の選択部S0〜S4とを経由して、第1半導体集積回路101の信号線A0〜A5に、信号を送ることもできる。
At the same time, in this connection state, for example, from the second semiconductor integrated
すなわち、本発明の実施の形態では、いずれも、半導体集積回路100と、半導体集積回路100と接続関係にある外部のLSIとは、必要に応じて、双方向に信号を送信できる。しかも、この場合に、半導体集積回路100が必要とする素子電極の数を、従来技術に比べて削減できる。
In other words, in any of the embodiments of the present invention, the semiconductor integrated
以上説明したように、本発明の趣旨は、パッケージ内に内蔵された論理回路部と半導体素子電極との接続を、論理回路部の動作状態に応じて変更可能とし、必要な半導体素子電極の数を削減できる半導体集積回路とその制御方法を提供することにあるのであって、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の変更が可能である。 As described above, the gist of the present invention is that the connection between the logic circuit part built in the package and the semiconductor element electrode can be changed according to the operation state of the logic circuit part, and the number of necessary semiconductor element electrodes Therefore, various modifications are possible without departing from the spirit of the present invention.
本発明に係る半導体集積回路は、例えば、携帯電話等、複数の機能を有し、高度な集積化と小型化が要求される半導体装置とその応用分野において利用できる。 The semiconductor integrated circuit according to the present invention can be used in a semiconductor device having a plurality of functions such as a mobile phone and requiring high integration and miniaturization and its application fields.
1、20 論理回路部
2 半導体素子電極
3 半導体素子
4、10 パッケージ
5 パッド
6 ピン
21 CPU
22 信号線端子
30 信号制御部
31 状態変化検出部
32 カウンタ部
33 選択指示部
40、41、42、43、60 信号選択部
44 選択部
50、51、52、53、54、55 素子電極
61 セレクタ
62 状態遷移保護部
63 状態変化検出部
64 カウンタ部
65 確認応答受信部
66 確認応答送信部
70 ROM
81、82、83 外部端子
100、101、102、103 半導体集積回路
200 電子装置
DESCRIPTION OF
22
81, 82, 83
Claims (17)
複数の半導体素子電極と、
前記論理回路部から外部に出る複数の信号線の内の一つを選択し、選択した信号線を前記複数の半導体素子電極の内の第1の半導体素子電極と電気的に接続する信号選択部と、
前記信号選択部を制御する信号制御部とを備え、
前記信号選択部は、前記論理回路部の動作状態の変化に応じて、前記選択した信号線を、前記複数の半導体素子電極の内の前記第1の半導体素子電極と異なる第2の半導体素子電極と電気的に接続する、半導体集積回路。 A logic circuit section;
A plurality of semiconductor element electrodes;
A signal selection unit that selects one of a plurality of signal lines that exits from the logic circuit unit and electrically connects the selected signal line to a first semiconductor element electrode of the plurality of semiconductor element electrodes. When,
A signal control unit for controlling the signal selection unit,
The signal selection unit is configured in accordance with a change in the operation state of the logic circuit portion, the selected signal line, the first semiconductor element electrode different from the second half conductor elements of said plurality of semiconductor element electrodes A semiconductor integrated circuit that is electrically connected to an electrode .
前記接続情報に基づいて、前記複数の信号線の内の一つと前記複数の半導体素子電極の内の一つとの新たな電気的接続を行うセレクタと、
前記接続情報に基づいて、前記論理回路部の動作状態の変化を検出する状態変化検出部と、
前記動作状態の変化を検出した後、所定の留保期間において、前記セレクタが行う新たな電気的接続を留保する状態遷移保護部と、
前記所定の留保期間を計測するカウンタ部とを有し、
前記状態遷移保護部は、前記カウンタ部が、前記所定の留保期間の計測を終了した後に、前記セレクタが行う新たな電気的接続の留保を解除する、請求項2記載の半導体集積回路。 The signal selector is
A selector for performing a new electrical connection between one of the plurality of signal lines and one of the plurality of semiconductor element electrodes based on the connection information;
Based on the connection information, a state change detection unit that detects a change in the operation state of the logic circuit unit;
A state transition protection unit that reserves a new electrical connection made by the selector in a predetermined retention period after detecting a change in the operating state;
A counter unit for measuring the predetermined retention period;
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the state transition protection unit releases the reservation of a new electrical connection performed by the selector after the counter unit finishes measuring the predetermined reservation period.
前記カウンタ部は、前記確認応答受信部が受信する確認応答信号を基に、前記所定の留保期間の計測を終了する、請求項5記載の半導体集積回路。 The signal selection unit further includes a confirmation response reception unit that receives a confirmation response signal for the connection information from an external semiconductor integrated circuit notified of the connection information by the signal control unit,
6. The semiconductor integrated circuit according to claim 5, wherein the counter unit ends the measurement of the predetermined reservation period based on the confirmation response signal received by the confirmation response receiving unit.
前記複数の半導体集積回路を実装した基板とを備え、
前記複数の半導体集積回路の内の少なくとも1つは、
論理回路部と、
複数の半導体素子電極と、
前記論理回路部から外部に出る複数の信号線の内の一つを選択し、選択した信号線と、前記論理回路部の動作状態の変化に応じて選択された、前記複数の半導体素子電極の内の第1の半導体素子電極との電気的接続を行う信号選択部と、
前記信号選択部を制御し、前記信号選択部が行う前記電気的接続に関する接続情報を生成し、前記接続情報を、前記複数の半導体集積回路の内の他の半導体集積回路に通知する信号制御部とを備え、
前記信号選択部は、前記論理回路部の動作状態の変化に応じて、前記選択した信号線を、前記複数の半導体素子電極の内の、前記第1の半導体素子電極と異なる第2の半導体素子電極と電気的に接続する、電子装置。 A plurality of semiconductor integrated circuits connected to each other;
A board on which the plurality of semiconductor integrated circuits are mounted,
At least one of the plurality of semiconductor integrated circuits is:
A logic circuit section;
A plurality of semiconductor element electrodes;
Selecting one of a plurality of signal lines coming out of the logic circuit unit, and selecting the selected signal line and the plurality of semiconductor element electrodes selected in accordance with a change in an operation state of the logic circuit unit; A signal selection unit for making electrical connection with the first semiconductor element electrode
A signal control unit that controls the signal selection unit, generates connection information related to the electrical connection performed by the signal selection unit, and notifies the connection information to another semiconductor integrated circuit among the plurality of semiconductor integrated circuits. And
A second semiconductor element different from the first semiconductor element electrode among the plurality of semiconductor element electrodes, wherein the signal selection unit is configured to change the selected signal line according to a change in an operation state of the logic circuit unit; An electronic device that is electrically connected to an electrode.
前記論理回路部から外部に出る複数の信号線の内の一つを選択する選択ステップと、
前記選択された信号線を、前記複数の半導体素子電極の内の第1の半導体素子電極に電気的に接続する第1の接続ステップと、
前記論理回路部の動作状態の変化に応じて、前記選択された信号線を、前記複数の半導体素子電極の内の前記第1の半導体素子電極と異なる第2の半導体素子電極に電気的に接続する第2の接続ステップとを含む、半導体集積回路の制御方法。 A method for controlling a semiconductor integrated circuit in a semiconductor integrated circuit comprising a logic circuit section and a plurality of semiconductor element electrodes,
A selection step of selecting one of a plurality of signal lines coming out of the logic circuit unit;
A first connection step of electrically connecting the selected signal line to a first semiconductor element electrode of the plurality of semiconductor element electrodes;
The selected signal line is electrically connected to a second semiconductor element electrode different from the first semiconductor element electrode among the plurality of semiconductor element electrodes in accordance with a change in an operation state of the logic circuit portion. And a second connection step. A method for controlling a semiconductor integrated circuit.
前記生成された前記接続情報に基づいて、前記第1の接続ステップにおいて行われる電気的接続と、前記第2の接続ステップにおいて行われる電気的接続とを制御する制御ステップと、
前記生成された前記接続情報を外部の半導体集積回路に通知する通知ステップとをさらに含む、請求項14記載の半導体集積回路の制御方法。 A generation step of generating connection information relating to the electrical connection performed in the first connection step and the electrical connection performed in the second connection step;
A control step for controlling the electrical connection performed in the first connection step and the electrical connection performed in the second connection step based on the generated connection information;
15. The method of controlling a semiconductor integrated circuit according to claim 14, further comprising a notification step of notifying the generated connection information to an external semiconductor integrated circuit.
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