JP4951728B2 - 有機カルボン酸金属錯体の単結晶及びその製造方法 - Google Patents

有機カルボン酸金属錯体の単結晶及びその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、各種ガスや有機溶剤の蒸気の吸着剤、水素吸蔵材等として有用な、有機カルボン酸金属錯体の巨大な単結晶及びその製造方法に関する。
特許文献1には、安息香酸と、金属と、該金属に2座配位可能な有機配位子から成るカルボン酸金属錯体が記載されており、該錯体がメタンガスの吸蔵材として有用なことが記載されている。また、非特許文献1には、安息香酸と、ロジウムと、ピラジンから成る有機金属錯体が一次元的につながった単結晶が記載されており、該金属錯体がゲスト分子である二酸化炭素を吸着及び脱着する際に結晶構造が変化することも記載されている。
特開2000-309592号公報 Satoshi Takamizawa et al., Angew. Chem. Int. Ed. 2003, 42, 4331-4334
本発明の目的は、各種ガスや有機溶剤の蒸気の吸着剤、水素吸蔵材等として有用な、非特許文献1に記載されている有機カルボン酸金属錯体のような錯体の巨大な単結晶及びその製造方法を提供することである。
本願発明者は、鋭意研究の結果、金属塩と共役系を有する有機カルボン酸を含む溶液、又は共役系を有する有機カルボン酸の金属塩の溶液を上層とし、該溶液の溶媒と混じり合わない溶媒を下層として2層を形成し、この状態で前記上層の溶液にピラジン又は置換ピラジンの溶液からのピラジン又は置換ピラジン蒸気を導入して反応させ、前記2層の界面に前記有機カルボン酸金属錯体の単結晶を生成させることにより、有機カルボン酸金属錯体の巨大な単結晶を成長させることが可能であることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、一般式[I]
Figure 0004951728
(ただし、M1及びM2は互いに独立して2価をとり得る金属、R1a、R1b、R1c及びR1dは互いに独立して、置換されていてもよいフェニル基(置換基は炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のハロアルキル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、炭素数1〜4のものアルキルアミノ基、炭素数1〜4のアルコキシル基、ハロゲン原子及び置換されていてもよいフェニル基(置換基は上記置換基と同じ(置換フェニル基は除く))、R2、R3、R4及びR5は互いに独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数1〜4のアルケニル基を示す)
で示される繰返し単位から構成された有機カルボン酸金属錯体の巨大単結晶の製造方法であって、前記2価をとり得る金属の塩と共役系を有する有機カルボン酸を含む溶液、又は共役系を有する有機カルボン酸の前記2価をとり得る金属塩の溶液を上層とし、該溶液の溶媒と混じり合わない溶媒を下層として2層を形成し、この状態で前記上層の溶液にピラジン又は置換ピラジンの溶液からのピラジン又は置換ピラジン蒸気を導入して反応させ、前記2層の界面に前記有機カルボン酸金属錯体の単結晶を生成させることを含み、前記共役系を有する有機カルボン酸は、R 1 -COOH(ただし、R 1 は上記一般式[I]中のR 1a 、R 1b 、R 1c 又はR 1d を表す)で表され、R 1a 、R 1b 、R 1c 及びR 1d が複数種類の上記置換されていてもよいフェニル基である場合には複数種類の有機カルボン酸であり、前記置換ピラジンは、上記一般式[I]中の置換基R 2 、R 3 、R 4 及びR 5 で置換されたピラジンである、前記有機カルボン酸金属錯体の単結晶の製造方法。
本発明により、各種ガスや有機溶剤の蒸気の吸着剤、水素吸蔵材等として有用な有機カルボン酸金属錯体の巨大単結晶及びその製造方法が初めて提供された。有機カルボン酸金属錯体を各種ガスや有機溶剤の蒸気の吸着剤、水素吸蔵材等として用いる場合、巨大な単結晶を用いれば、小さな単結晶を多数用いる場合に比べて、単位見かけ体積当りの吸着量を大きくすることができ有利である。また、巨大な単結晶は、そのままで各種ガスや有機溶剤の蒸気の吸着フィルターとしても利用できる。
上記の通り、本発明に用いられる有機カルボン酸金属錯体は、上記一般式[I]で表される構造を有する繰返し単位から構成される。なお、一般式[I]中、M1とOの間、M2とOの間、M1とM2の間及びM2とNの間は配位結合である。一般式[I]に示される繰返し単位の繰返し数は、特に限定されないが、通常、107〜1010、好ましくは8 x 107〜109程度である。なお、一般式[I]から明らかなように、一般式[I]中、M1に結合している4つの酸素原子のうち、右上の酸素原子は、R1bが結合している炭素原子と結合しており、右下の酸素原子はR1cが結合している炭素原子と結合している。同様に、M2に結合している4つの酸素原子のうち、左上の酸素原子は、R1aが結合している炭素原子と結合しており、左下の酸素原子はR1dが結合している炭素原子と結合している。
一般式[I]中、M1及びM2は、互いに独立して、2価をとり得る金属原子であり、遷移金属でも典型金属でもよい。Mの好ましい例として、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、クロム、モリブデン、パラジウム及びタングステンを挙げることができ、これらの中でも特に銅及びロジウムが好ましい。なお、M1及びM2は、同じ種類の金属原子であることが好ましい。
一般式[I]中、R1a、R1b、R1c及びR1d (以下、R1a、R1b、R1c及びR1d を総称して「R1」と記載することがある)は、互いに独立して、置換されていてもよいフェニル基であり、特に無置換のフェニル基が好ましい。フェニル基が置換されている場合、置換基は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のハロアルキル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、炭素数1〜4のものアルキルアミノ基、炭素数1〜4のアルコキシル基、ハロゲン原子及び置換されていてもよいフェニル基(置換基は上記と同様(置換フェニル基は除く))であり、置換基の数は1〜5個である。なお、本明細書において、「アルキル基」は、特に断りがない限り直鎖アルキル基及び分枝アルキル基の両者を包含する。「アルケニル基」、「アルコキシル基」についても同様である。R1a、R1b、R1c及びR1dは、同じ種類の上記置換されていてもよいフェニル基であることが好ましい。
一般式[I]中、R2、R3、R4及びR5は互いに独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数1〜4のアルケニル基を表す。R2、R3、R4及びR5の好ましい例としては、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、アリル基等を挙げることができ、また、R2、R3、R4及びR5のうち2個から4個が水素原子であるものが好ましい。
上記一般式[I]で表される繰返し単位は、一次元的につながり、それらが集まって分子結晶を構成する。その際、R1の共役系が接近するのでπ−π結合が生じ、結晶造が安定化される。
前記有機カルボン酸金属錯体の巨大な単結晶は、前記2価をとり得る金属の塩(M1とM2が異なる場合は2種類の金属塩、以下同様)と共役系を有する有機カルボン酸(R1-COOH(R1は上記と同義、R1a、R1b、R1c及びR1dが複数種類の有機基である場合には複数種類の有機カルボン酸、以下同様))を含む溶液、又は共役系を有する有機カルボン酸(R1-COOH(R1は上記と同義))の前記2価をとり得る金属塩の溶液を上層とし、該溶液の溶媒と混じり合わない溶媒を下層として2層を形成し、これにピラジン又は置換ピラジンの溶液からのピラジン又は置換ピラジン蒸気を導入して反応させ、前記2層の界面に前記有機カルボン酸金属錯体の単結晶を生成させることにより製造することができる。
ここで、前記金属塩としては、酢酸塩、ギ酸塩、硫酸塩、硝酸塩及び炭酸塩が好ましく、特に酢酸塩が好ましい。また、該金属塩及び前記有機カルボン酸の溶液又は前記有機カルボン酸の前記金属塩の溶液の溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ニトロメタン、テトラヒドロフラン、酢酸メチル等が好ましい。該溶液中の前記金属塩の濃度(複数種類の金属塩を含む場合はそれらの濃度の合計)は、特に限定されないが、通常、0.00001〜0.5molL-1程度、好ましくは0.001〜0.1molL-1程度であり、また、前記有機カルボン酸の濃度(複数種類の有機カルボン酸を含む場合にはそれらの濃度の合計)は、特に限定されないが、通常、0.0001〜1molL-1程度、好ましくは0.004〜0.4molL-1程度である。有機カルボン酸の金属塩を用いる場合は、その濃度は、特に限定されないが、通常、0.00001〜1molL-1程度、好ましくは0.001〜0.1molL-1程度である。
また、前記下層を構成する溶媒としては、上層の溶液中の溶媒と混じり合わず、かつ、該溶媒よりも密度が大きい溶媒(好ましくは密度が1.5以上)であって、前記各反応物質や生成された錯体と反応しない溶媒であれば何ら限定されない。なお、ここで「混じり合わない」とは、数十日に亘る結晶成長反応後においても、2層の界面が明瞭に存在していることを意味する。上層の溶液中の溶媒がメタノールやアセトニトリルである場合、下層を形成する好ましい溶媒としては、フッ素系溶媒を挙げることができる。フッ素系溶媒としては、例えば、パーフルオロデカヒドロフェナンスレン、パーフルオロデカリン、パーフルオロ−1−メチルデカリン、パーフルオロジメチルナフタレン、パーフルオロ−1,3−ジメチルシクロヘキサン、2,5−ジクロロベンゾトリフロライド、クロロペンタフルオロベンゼン、1,1,2−トリクロロ−1,2,2−トリフルオロエタン(例えば、旭硝子株式会社製の商品名「フロンソルブ」)、ヘキサフルオロベンゼン、1.3−ジトリフルオロメチルベンゼン、2,2,2−トリフルオロエタノール、トリフルオロメチルベンゼン、住友スリーエム株式会社製の商品名「PF5052」、パーフルオロ−2−ノルマルブチルフラン系溶媒(例えば、住友スリーエム株式会社製の商品名「フロリナートFC75」)、トリスパーフルオロn−ブチルアミン系溶媒(例えば、住友スリーエム株式会社製の商品名「フロリナートFC43」)、同じくトリスパーフルオロアルキルアミン系溶媒(例えば、住友スリーエム株式会社製の商品名「フロリナートFC3283」、同「フロリナートFC40」および同「フロリナートFC70」)、日本モンテジソン株式会社製のガルデンDO2(商品名)並びにクロロフルオロカーボン(例えば、旭硝子株式会社製の商品名「フロン113」)などを挙げることができる。
前記上層を形成している溶液に、ピラジン又は置換ピラジンの溶液からのピラジン又は置換ピラジン蒸気を導入して反応させる。ピラジン又は置換ピラジンをそのまま用いるのではなく、溶媒に溶解して溶液にし、該溶液から発生するピラジン又は置換ピラジン蒸気を反応に供する。そうすることによって、ピラジン又は置換ピラジンの蒸気圧を下げ、単位時間当たりに導入されるピラジン又は置換ピラジンの量を少なくすることができる。なお、導入は、単位時間当たりに導入されるピラジン又は置換ピラジンの量を少なくするために、反応温度における自然拡散により導入することが好ましい。ピラジン又は置換ピラジンの溶液の溶媒としてはエチレングリコール、キシレン等の蒸気圧の低い有機溶媒が好ましい。また、溶液中のピラジン又は置換ピラジンの濃度は、特に限定されないが、0.00001〜0.01molL-1程度が好ましく、さらに好ましくは0.0001〜0.01molL-1程度である。
反応温度は、特に限定されないが、10℃〜25℃程度が好ましく、反応時間は、15日〜2ヶ月程度が好ましい。また、反応容器は何ら限定されるものではないが、生成した単結晶が容器の壁面に付着しないように、表面にテフロン(登録商標)加工等の付着防止加工を施した容器を用いることが好ましい。
上記した方法により、上記有機カルボン酸金属錯体の単結晶が、2層の界面において生成され、成長する。単結晶の大きさは特に限定されないが、長辺が0.8mm以上のものが好ましく、下記実施例では、長辺が5mmのものが得られている。反応時間をさらに長くすれば、10mm程度のものが得られる。なお、ここで「長辺」は、結晶を構成する最も広い面である多角形のうち、最も長い辺を意味する。なお、長辺の長さが0.8mm以上の、上記一般式[I]で表される有機カルボン酸金属錯体は本願よりも前には知られておらず、このような巨大単結晶はそれ自体が新規である。したがって、本発明は、長辺の長さが0.8mm以上である、上記一般式[I]で表される有機カルボン酸金属錯体単結晶をも提供するものである。
本発明の方法により得られる巨大単結晶は、通常の大きさの単結晶と同様、各種ガスや有機溶剤の蒸気の吸着剤、水素吸蔵材等として利用できる。
以下、本発明を実施例に基づきより具体的に説明する。もっとも、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
実施例1 安息香酸銅(II)ピラジン付加物単結晶の合成
酢酸銅(II)一水和物350mg (3.50mmol)に50倍等量の安息香酸21.4g (176mmol)をメタノール350mlに溶かし、テフロン(登録商標)容器中でフロリナート(商品名、3M製、FC77)50mlの上に注いだ。上層のメタノール溶液と下層のフロリナート(商品名)の2層に分離させた状態で、エチレングリコール中に溶かして蒸気圧抑制させたピラジンを蒸気拡散によって溶液に導き、20℃で反応させた。蒸気拡散は、ピラジンのエチレングリコール溶液の入った試験管を反応液と接しないように注意して担持して系全体を密閉し、ゆっくりとピラジン蒸気を反応溶液中へと溶け込ませることにより行なった。フロリナート―メタノール2層界面中に結晶成長し、1ヶ月後に単結晶として目的物をろ過によって単離したのち、風乾した。青色板状単結晶360mg(収率60%)。生成した結晶サイズから算出すると(結晶1cm当り約107)、繰返し単位の繰返し数は約5 x 106〜107程度であった。
実施例2 安息香酸ロジウム(II)ピラジン付加物単結晶の合成
安息香酸ロジウム(II)20mg (3.50mmol)をアセトニトリル40mlに溶解し、テフロン(登録商標)容器中でフロリナート(商品名、3M製、FC77)5mlの上に注いだ。上層のアセトニトリル溶液と下層のフロリナートの2層に分離させた状態で、エチレングリコール中に溶かして蒸気圧抑制させたピラジンを実施例1と同様に蒸気拡散によって溶液に導き、15℃でゆっくりと反応させた。フロリナート―メタノール2層界面中に結晶成長し、1ヶ月後に単結晶として目的物をろ過によって単離した。赤色板状単結晶360mg(収率70%)。生成した結晶サイズから算出すると、繰返し単位の繰返し数は約106〜7 x 106程度であった。
実施例1及び2で得られた巨大単結晶の実体顕微鏡写真を図1に示す。図1の左側が実施例1で得られた単結晶、右側が実施例2で得られた単結晶の写真である。また、実施例1及び2で得られた巨大単結晶の実体顕微鏡写真、並びにX線単結晶構造解析により明らかになった面指数及び結晶面とチャンネル方向の位置関係を図2に示す。図2のa)が実施例1で得られた単結晶、b)が実施例2で得られた単結晶についての結果を示す。また、X線単結晶解析の結果をそれぞれ図3及び図4に示す。さらに、実施例1で得られた巨大単結晶の実体顕微鏡写真(図5のa))とX線トポグラフィー写真(図5のb))を図5に示す。
実施例1及び2で得られた巨大単結晶の実体顕微鏡写真である。 実施例1及び2で得られた巨大単結晶の実体顕微鏡写真、並びにX線単結晶構造解析により明らかになった面指数及び結晶面とチャンネル方向の位置関係を模式的に示す図である。 実施例1で得られた巨大単結晶のX線単結晶解析データを示す。 実施例2で得られた巨大単結晶のX線単結晶解析データを示す。 実施例1で得られた巨大単結晶の実体顕微鏡写真(a))とX線トポグラフィー写真(b))を示す。

Claims (11)

  1. 一般式[I]
    Figure 0004951728
    (ただし、M1及びM2は互いに独立して2価をとり得る金属、R1a、R1b、R1c及びR1dは互いに独立して、置換されていてもよいフェニル基(置換基は炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のハロアルキル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、炭素数1〜4のものアルキルアミノ基、炭素数1〜4のアルコキシル基、ハロゲン原子及び置換されていてもよいフェニル基(置換基は上記置換基と同じ(置換フェニル基は除く))、R2、R3、R4及びR5は互いに独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数1〜4のアルケニル基を示す)
    で示される繰返し単位から構成された有機カルボン酸金属錯体の巨大単結晶の製造方法であって、前記2価をとり得る金属の塩と共役系を有する有機カルボン酸を含む溶液、又は共役系を有する有機カルボン酸の前記2価をとり得る金属塩の溶液を上層とし、該溶液の溶媒と混じり合わない溶媒を下層として2層を形成し、この状態で前記上層の溶液にピラジン又は置換ピラジンの溶液からのピラジン又は置換ピラジン蒸気を導入して反応させ、前記2層の界面に前記有機カルボン酸金属錯体の単結晶を生成させることを含み、前記共役系を有する有機カルボン酸は、R 1 -COOH(ただし、R 1 は上記一般式[I]中のR 1a 、R 1b 、R 1c 又はR 1d を表す)で表され、R 1a 、R 1b 、R 1c 及びR 1d が複数種類の上記置換されていてもよいフェニル基である場合には複数種類の有機カルボン酸であり、前記置換ピラジンは、上記一般式[I]中の置換基R 2 、R 3 、R 4 及びR 5 で置換されたピラジンである、前記有機カルボン酸金属錯体の単結晶の製造方法。
  2. 前記M1及びM2が互いに独立してマンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、クロム、モリブデン、パラジウム及びタングステンから成る群より選ばれる少なくとも1種である請求項1又は2記載の方法。
  3. 前記M1及びM2が同一種類の金属であり、前記R1a、R1b、R1c及びR1d が同一種類の上記置換されていてもよいフェニル基である請求項1又は2記載の方法。
  4. 前記R1a、R1b、R1c及びR1d がフェニル基、前記R2、R3、R4及びR5が互いに独立して水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基、前記M1及びM2が銅又はロジウムである請求項記載の方法。
  5. 前記上層を形成する溶液の溶媒がメタノール又はアセトニトリルである請求項1ないしのいずれか1項に記載の方法。
  6. 前記ピラジン又は置換ピラジンの溶液の溶媒がエチレングリコールである請求項1ないしのいずれか1項に記載の方法。
  7. 製造された単結晶の長辺の長さが0.8mm以上である請求項1ないしのいずれか1項に記載の方法。
  8. 一般式[I]
    Figure 0004951728
    (ただし、M1及びM2は互いに独立して2価をとり得る金属、R1a、R1b、R1c及びR1dは互いに独立して、置換されていてもよいフェニル基(置換基は炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のハロアルキル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、炭素数1〜4のものアルキルアミノ基、炭素数1〜4のアルコキシル基、ハロゲン原子及び置換されていてもよいフェニル基(置換基は上記と同様(置換フェニル基は除く))、R2、R3、R4及びR5は互いに独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数1〜4のアルケニル基を示す)
    で示される繰返し単位から構成され、長辺の長さが0.8mm以上である有機カルボン酸金属錯体単結晶。
  9. 前記M1及びM2が互いに独立してマンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、クロム、モリブデン、パラジウム及びタングステンから成る群より選ばれる少なくとも1種である請求項記載の単結晶。
  10. 前記M1及びM2が同一種類の金属であり、前記R1a、R1b、R1c及びR1d が同一種類の上記置換されていてもよいフェニル基である請求項8又は9記載の単結晶。
  11. 前記R1a、R1b、R1c及びR1d がフェニル基、前記R2、R3、R4及びR5が互いに独立して水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基、前記M 1 及びM 2 が銅又はロジウムである請求項記載の単結晶。
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WO2015068712A1 (ja) 2013-11-05 2015-05-14 公立大学法人横浜市立大学 超弾性材料、ならびに当該超弾性材料を用いた、エネルギー貯蔵材料、エネルギー吸収材料、弾性材料、アクチュエータおよび形状記憶材料

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