JP4931716B2

JP4931716B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ生成室

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Publication number: JP4931716B2
Application number: JP2007187262A
Authority: JP
Inventors: 大輔林
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2007-07-18
Filing date: 2007-07-18
Publication date: 2012-05-16
Anticipated expiration: 2027-07-18
Also published as: US20090020228A1; JP2009026885A

Description

本発明は，処理ガスを励起して発生したプラズマを用いて被処理基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置及びプラズマ生成室に関する。

例えば半導体製造プロセスにおいては，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」という）上の所定の膜をその表面に形成したレジスト膜をマスクとして用いて選択的にエッチング除去してコンタクトホールなどを形成し，その後にレジスト膜をアッシング除去する処理が行われる。また，コンタクトホールなどに成膜処理を行う前にそのホール内の下地の自然酸化膜を除去する処理が行われることもある。このようなアッシング処理や自然酸化膜の除去処理などには，従来より酸素含有ガスを励起して発生した酸素含有プラズマが用いられている。

このように，酸素含有プラズマによってウエハの処理を行うプラズマ処理装置としては，例えばウエハを保持する載置台を備える処理室と，この処理室の上部に連続して設けられ，酸素含有する処理ガスを励起させて酸素含有プラズマを発生させるプラズマ生成室としての略円筒状のベルジャーとを備えるものが知られている（例えば特許文献１参照）。ベルジャーは，例えば石英ガラスなどの絶縁材料で形成し，その側壁の周囲に高周波電源に接続するアンテナ部材としてのコイルを券回する。これによれば，ベルジャー内に酸素を含む処理ガスを供給しつつ，コイルに高周波電力を供給することにより，ベルジャーの側壁とコイルは高周波（ＲＦ）回路の一部として機能し，ベルジャー内に誘導電磁界を形成させることができ，これにより酸素含有プラズマを生成させることができる。こうして生成された酸素含有プラズマによって例えばウエハの表面に付着した自然酸化膜を除去する処理が行われる。

また，近年の半導体素子の更なる多層化の要求に応えるため，多層配線構造に適した膜として例えばＬｏｗ−ｋ膜などの低誘電率絶縁膜が多用されている。このような低誘電率絶縁膜は，酸素含有プラズマによるダメージを受けやすいため，低誘電率絶縁膜が形成されるウエハに対する処理（例えばエッチング処理，アッシング処理，自然酸化膜の除去処理など）には，よりダメージを抑えることのできる水素含有プラズマが用いられている。（例えば特許文献２参照）

特開２００４−１５８８２８号公報特開２００６−７３７２２号公報特開平７−２５４４９９号公報

ところで，ベルジャー内に供給する処理ガスの種類によっては，その処理ガスを励起して生成されるプラズマから強力な紫外光が発生する場合がある。例えば水素含有処理ガスを励起して生成されるプラズマからは，酸素含有処理ガスを励起して生成されるプラズマからよりも強力な紫外光が発生していることがわかってきた。

一方，上述したようなベルジャーのように，側壁の周囲を巻回したコイルに高周波電力を印加して誘導電磁界を発生させてプラズマを生成するプラズマ生成室では，その側壁は誘導電磁界を発生させる高周波回路の一部を構成するので，通常は石英ガラスなどの絶縁材料により構成されている。ところが，一般に石英ガラスなどの絶縁材料は紫外光のような短い波長の光を透過し易い性質があるので，石英ガラスなどで構成された側壁の内側に水素含有プラズマを発生させると，そのプラズマから発生した強力な紫外光が側壁を透過して外部に漏れ出してしまう虞がある。

また，石英ガラスなどの厚みが厚ければ，紫外光は石英ガラスの内部で減衰して外側には漏れ出さないとも考えられる。ところが，プラズマ生成室に用いられる側壁は薄くする方が，効率よく誘導電磁界を発生させることができるとともに壊れにくくなる。従って，石英ガラスなどで側壁を構成する場合にはできるだけ薄い方が好ましい反面，側壁の厚みが薄いほど紫外光が外側に漏れ易くなってしまう。

このように，紫外光が側壁を透過してその側壁の外側の大気中にまで漏れ出してしまうと，大気中の酸素と反応してオゾンが発生する問題がある。漏れ出す紫外光の量が多くなるほどオゾンの発生量も多くなるので，これを防ぐための対策が重要となっている。

この点，特許文献３に記載のマイクロ波プラズマ処理装置では，紫外光がマイクロ波導入窓を透過して漏れ出すのを防ぐために，マイクロ波導入窓の上部に紫外光遮断板を設置している。

ところが，上述したベルジャーのようなプラズマ生成室の側壁は，特許文献３のマイクロ波導入窓と異なり，側壁自体がその周囲に巻回されるコイルとともに処理ガスをプラズマ励起する誘導電磁界を発生させるための高周波回路の一部を構成する。このため，そのような側壁とコイルとの間には，単に紫外光を遮蔽するためだけの板状部材を設置しても，その板状部材の材質や厚み，板状部材の設置状態などによって，上記高周波回路のキャパシタンスなどが変わってしまうため，所定の誘導電磁界を発生させることができなくなる虞がある。これでは，生成されるプラズマの状態も変わってしまうため，ウエハの処理結果にも影響を与えかねない。

また，紫外光を遮光する観点だけからは，プラズマ生成室の側壁自体の厚みを厚くしたり，側壁自体の材質を変えたりすることも考えられるが，高周波回路の一部を構成する側壁自体の材質や形状を変えてしまうと，高周波回路のキャパシタンスなどが変わってしまい，所定の誘導電磁界を発生させることができなくなってしまう。

さらに，もし紫外光を遮蔽する部材を，高周波回路の一部を構成する側壁とコイルとの間に設置する場合には，その遮光部材の材質が導電性を有するものであれば高周波回路がショートするなど不具合が生じるので，絶縁材料でなければならない。また，側壁と紫外光を遮蔽する部材の隙間に空気があるとオゾンが発生する可能性があるため，側壁と隙間なく密着させなければならない。ところが，側壁の外側の温度は，コイルに供給する高周波電力のパワーが大きいほど高温（例えば４００℃以上）になるので，紫外光を遮蔽する部材はそのような高温にも耐えられる耐熱性を有する必要がある。このように，紫外光を遮蔽する部材は，高周波回路の一部を構成する側壁とコイルとの間に設けるので種々の制約があり，これらの条件を満たす必要がある。

そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，プラズマ生成室内に発生させる誘導電磁界に影響を与えることなく，そのプラズマより発生する紫外光を外部に漏れることを防止できるプラズマ処理装置を提供することにある。

上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，水素を含む処理ガスを励起して生成されたプラズマにより被処理基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置であって，前記処理ガスを励起させてプラズマを生成するプラズマ生成室と，前記プラズマ生成室に連通する処理室と，前記処理室内に配置され，前記被処理基板を載置する載置台と，を備え，前記プラズマ生成室は，筒状の側壁を有する反応容器と，前記反応容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と，前記側壁の周りに巻回して配設され，所定の高周波電力を印加するコイルと，前記側壁の外側表面を被覆する被覆膜と，を備え，前記被覆膜は，前記反応容器内に生成されるプラズマからの紫外光を遮光するとともに，耐熱性を有する絶縁材料からなる薄膜であることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，水素を含む処理ガスを励起してプラズマを生成させるプラズマ生成室であって，前記処理ガスを導入する処理ガス導入部と，筒状の側壁を有する反応容器と，前記反応容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と，前記側壁の周りに巻回して配設され，所定の高周波電力を印加するコイルと，前記側壁の外側表面を被覆する被覆膜と，を備え，前記被覆膜は，前記反応容器内に生成されるプラズマからの紫外光を遮光するとともに，耐熱性を有する絶縁材料からなる薄膜であることを特徴とするプラズマ生成室が提供される。

このような本発明によれば，プラズマ生成室を構成する反応容器の側壁の外側表面を紫外光を遮光する被覆膜で被覆したことにより，反応容器内で発生したプラズマからの紫外光が側壁の外側の大気中に漏れ出さないようにすることができるので，紫外光と大気中の酸素とが反応してオゾンが発生することを防止できる。

また，上記被覆膜は耐熱性を有する絶縁材料からなる薄膜によって構成したので，プラズマ生成室内に処理ガスをプラズマ励起する誘導電磁界を発生させるための高周波回路の一部を構成する側壁とコイルとの間に設けても，高周波回路として想定通りに機能させることができる。このため，プラズマ生成室内に所定の誘導電磁界を発生させることができるので，生成されるプラズマの状態に影響を与えることなく，そのプラズマより発生する紫外光が外部に漏れることを防止できる。すなわち，被覆膜を導電性材料ではなく，絶縁材料で構成することによって，コイルに高周波電力を印加したときに上記高周波回路が短絡（ショート）することを防止でき，被覆膜を薄膜で構成することによって側壁の厚みを変えなくて済むので高周波回路のキャパシタンスなどが変わることもない。また，側壁と被覆膜との間の密着性を高めることもできるので，側壁と被覆膜との間にオゾンが発生することもない。

さらに，上記被覆膜は耐熱性を有するので，プラズマが生成されたときに温度が上昇する反応容器の側壁に密着させても耐えることができる。実用的には例えば４００℃以上の耐熱性を有することにより，被処理基板の様々な処理に適用することができる。

また，上記反応容器の側壁は，その内側表面と外側表面を粗面加工し，前記粗面加工後の外側表面に前記被覆膜を成膜するようにしてもよい。これによれば，プラズマから発生する紫外光を含む光を側壁の内側表面と外側表面で乱反射させることができるので側壁の一部に集中することを防止でき，粗面加工後の側壁の外側表面に被覆膜を成膜するので側壁と被覆膜との密着度を向上させることができる。これにより，被覆膜のひび割れを防止できる。

この場合，上記反応容器の側壁は，その内側表面と外側表面の全面に前記粗面加工を施すようにしてもよく，また，上記反応容器の側壁は，その外側表面の全面に前記粗面加工を施すとともに，前記側壁の内側表面の一部に前記粗面加工を施すようにしてもよい。

なお，上記反応容器の側壁の内側表面の一部に前記粗面加工を施す場合には，その内側表面のうち，反応容器内に生成されるプラズマの位置に応じてそのプラズマの周囲を囲む部位に前記粗面加工を施すようにしてもよい。これによれば，側壁の内側表面のうち，プラズマから発生した紫外光を含む強い光が集中し，被覆膜のひび割れの可能性が高い部位に粗面加工を施して乱反射させることができる。被覆膜のひび割れを十分に防止しながらも，側壁の内側表面において粗面加工を施す部位を極力少なくすることができる。これにより，側壁の内側表面に反応生成物などのパーティクルなどが付着することを極力防止できる。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，水素を含む処理ガスを励起して生成されたプラズマにより被処理基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置であって，前記処理ガスを励起させてプラズマを生成するプラズマ生成室と，前記プラズマ生成室に連通する処理室と，前記処理室内に配置され，前記被処理基板を載置する載置台と，を備え，前記プラズマ生成室は，絶縁材料からなる複数の筒状部材をそれぞれ真空の密閉空間を空けて重ねて一体化した側壁を有する反応容器と，前記反応容器内に前記処理ガスを導入する処理ガス導入部と，前記側壁の周りに巻回して配設され，所定の高周波電力を印加するコイルと，前記側壁の外側表面を被覆する被覆膜と，を備え，前記被覆膜は，前記反応容器内に生成されるプラズマからの紫外光を遮光するとともに，耐熱性を有する絶縁材料からなる薄膜であることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。

このような本発明によれば，反応容器内で発生したプラズマからの紫外光が側壁の外側の大気中に漏れ出さないようにすることができ，紫外光と大気中の酸素とが反応してオゾンが発生することを防止できる。しかも，反応容器の側壁を筒状部材を重ねた多重構造にしたことにより，反応容器内にプラズマを生成させた場合の側壁の外側表面の温度を下げることができるので，被覆膜の強度劣化によるひび割れを防止できる。

また，上記各筒状部材は，その内側表面と外側表面を粗面加工し，最も外側に配置される筒状部材の粗面加工後の外側表面に前記被覆膜を成膜するようにしてもよい。これにより，プラズマＰから紫外光を含む光が側壁の一部に集中することを防止することができるので，被覆膜のひび割れ防止効果を一層高めることができる。

上述した被覆膜として最適な材料を見つけ出すのに，本発明者らは試行錯誤を繰り返した結果，例えばシリカ含有アモルファスカーボン系膜を用いることが好ましいことが判明した。シリカ含有アモルファスカーボン系膜は，紫外光を含む３００ｎｍ以下の波長の光を通さない紫外光遮蔽性の高い材料であり，しかも絶縁材料であるとともに，５００℃以上の高温に耐え得る耐熱性も有している。しかも，ＣＶＤ法による成膜によって側壁に薄膜形成が可能であるため，側壁の外側表面に隙間なく密着させることができる。

なお，本明細書中１Ｔｏｒｒは（１０１３２５／７６０）Ｐａとする。

本発明によれば，プラズマ生成室内に発生させるプラズマの状態に影響を与えることなく，そのプラズマより発生する紫外光を外部に漏れることを防止できるプラズマ処理装置等を提供できる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（プラズマ処理装置の構成例）
先ず，本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは，水素を含む処理ガスを励起させて発生したプラズマ（以下，「水素プラズマ」ともいう）により生成された水素ラジカルを用いたダウンフロータイプのプラズマ処理装置を例に挙げる。図１は，本実施形態にかかるプラズマ処理装置１００の概略構成を示す縦断面図である。プラズマ処理装置１００は，例えばＬｏｗ−ｋ膜などの低誘電率絶縁膜を有するウエハＷに対して水素ラジカルを供給して，低誘電率絶縁膜上に形成されているフォトレジスト膜をアッシング除去する処理を行うようになっている。

図１に示すように，プラズマ処理装置１００は，ウエハＷの処理を行う処理室１０２と，この処理室１０２に連通し，処理ガスを励起させてプラズマを生成する略円筒状のプラズマ生成室１０４を備える。プラズマ生成室１０４は，処理室１０２の上方に連続して設けられ，誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）方式によって導入される処理ガスのプラズマを生成するように構成されている。

処理室１０２内にはウエハＷを水平に支持する円板状の載置台１０６が設けられている。載置台１０６は，処理室１０２の底部に設けられた円筒状の支持部材１０８に支持されている。載置台１０６は，例えば窒化アルミニウムなどのセラミックスからなる。なお，載置台１０６の外縁部に，載置台１０６に載置されたウエハＷをクランプする図示しないクランプリングを設けるようにしてもよい。

載置台１０６内にはウエハＷを加熱するためのヒータ１１２が埋設されており，このヒータ１１２はヒータ電源１１４から給電されることによりウエハＷを所定の温度（例えば３００℃）に加熱できるようになっている。このときの温度は，低誘電率絶縁膜が大きなダメージを受けない程度の温度，例えば２５０℃〜４００℃程度の範囲で設定されることが好ましい。

処理室１０２の底壁には排気管１２６が接続されており，この排気管１２６には真空ポンプを含む排気装置１２７が接続されている。排気装置１２７を作動させることにより処理室１０２及びプラズマ生成室１０４内を所定の真空度まで減圧することができる。

また，処理室１０２の側壁には，ゲートバルブ１３０によって開閉自在な搬出入口１３２が形成されている。ウエハＷの搬出入は，例えば図示しない搬送アームなどの搬送機構によって行われる。

上記プラズマ生成室１０４は，上下に開口端を有する筒状の側壁１４２と，側壁１４２の上側の開口端を気密に閉塞する蓋体１４４とにより構成される反応容器１４０を備える。側壁１４２の下側の開口端は処理室１０２の上側に形成された開口端に取付けられており，プラズマ生成室１０４の内部空間が処理室１０２の内部空間に連続するようになっている。例えば図１に示すように側壁１４２は，その下側の開口端に設けられた下部フランジ１４２ｂをボルトなどの締結部材により処理室１０２に固定することで，処理室１０２に着脱自在に取り付けられている。

上記蓋体１４４は，例えば図１に示すように側壁１４２の上側の開口端に設けられた上部フランジ１４２ａにボルトなどの締結部材で着脱自在に取り付けられている。蓋体１４４には処理ガス導入部が接続されている。具体的には，蓋体１４４にはガス導入口１２２が形成されており，ガス供給源１２０から所定の処理ガスがこのガス導入口１２２を介して反応容器１４０内に導入されるようになっている。ガス供給源１２０とガス導入口１２２を接続するガス配管１２４には，図示はしないが，ガス配管１２４を開閉するための開閉バルブ，処理ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラなどが設けられている。

蓋体１４４には，ガス導入口１２２から導入される処理ガスの流れを調整するための整流板１２８が設けられている。具体的には例えば図１に示すように，整流板１２８は蓋体１４４の下面から離間して取り付けられる。これによれば，図１に示す矢印のようにガス導入口１２２からの処理ガスは整流板１２８によって，反応容器１４０の水平面内の中心付近からその周縁付近へ向けて放射線状に広がって，整流板１２８と側壁１４２との間の隙間から下方に流れるようになる。これにより，例えば反応容器１４０内に水平面内の中心付近よりも周縁付近の方が高密度になる，いわゆるドーナツ状のプラズマが生成される場合には，反応容器１４０内の中心付近よりも周縁付近に多くの処理ガスを流すことができるので，処理ガスの無駄を防止でき，効率よくプラズマを生成することができる。なお，整流板１２８は必ずしも設けなくてもよく，また反応容器１４０内に生成するプラズマもドーナツ状のものに限定されるものではない。

上記処理ガスとしては，水素を含有するガスであって水素ラジカル（Ｈ^＊）を発生させるガスを用いる。例えば水素ガス単体でもよく，また水素ガスと不活性ガスとの混合ガスであってもよい。この場合の不活性ガスとしては，例えばヘリウムガス，アルゴンガス，ネオンガスが挙げられる。なお，水素ガスと不活性ガスの混合ガスを処理ガスとして用いる場合には，水素ガスの混合比は，例えば４％に調整される。

反応容器１４０の側壁１４２は，例えば石英ガラス，セラミックス等の絶縁材料により構成され，側壁１４２の外周にはアンテナ部材としてのコイル１１６が巻回して配置される。コイル１１６には高周波電源１１８が接続されている。高周波電源１１８は，３００ｋＨｚ〜６０ＭＨｚの所定のパワーの高周波電源を出力することができる。例えばコイル１１６に供給する高周波電力の周波数（共振モード）に応じて反応容器１４０の高さ方向に複数のプラズマが発生する。例えば反応容器１４０の高さ方向にそれぞれ離間して３つのドーナツ状のプラズマを発生させることができる。

このような構成のプラズマ生成室１０４においては，高周波電源１１８からコイル１１６に例えば４５０ｋＨｚの高周波電力を供給することにより，反応容器１４０の内部，すなわち側壁１４２の内側に誘導電磁界が形成される。これにより，反応容器１４０内に導入された処理ガスが励起されてプラズマが生成される。

このように，石英ガラスなどの絶縁材料で構成される側壁１４２はコイル１１６とともに，側壁１４２の内側にプラズマを生成するための誘導電磁界を形成する反応容器１４０の高周波（ＲＦ）回路の一部を構成する。これに対して例えば反応容器１４０の蓋体１４４については，側壁１４２の場合とは異なり，上記高周波回路の一部を構成するものではない。このため，蓋体１４４は側壁１４２のように絶縁材料で構成する必要はない。すなわち，蓋体１４４は側壁１４２と同じ材質であってもよく，異なる材質であってもよい。また，蓋体１４４の厚みや形状についても側壁１４２と同じにする必要はない。

反応容器１４０内にプラズマが生成されると，このプラズマからは，大気中の酸素と反応してオゾンを発生させるような紫外光が発生する。特に水素含有処理ガスを励起して生成されるプラズマからは，酸素含有処理ガスを励起して生成されるプラズマからよりもはるかに強力な紫外光が発生することが本発明者らの実験等により明らかになった。

反応容器１４０は側壁１４２によって，所定の真空圧力まで減圧されて真空の内側空間と大気の外側空間とが区画されるので，その側壁１４２の内側で生成されたプラズマからの紫外光が側壁１４２を透過して外側の大気中に漏れ出してしまうと，大気中の酸素と紫外光が反応してオゾンが発生する虞がある。このような水素含有処理ガスによるプラズマからの紫外光が大気中の酸素と反応して発生するオゾンの量を実験により測定してみたところ，酸素含有処理ガスによるプラズマからの紫外光の場合に比して約５倍も発生することがわかった。

そこで，本実施形態にかかるプラズマ生成室１０４では，反応容器１４０の側壁１４２の外側表面を，反応容器１４０内に生成されるプラズマからの紫外光を外部に漏らさないように遮光する被覆膜１５０で被覆する。ここでいう紫外光とは，プラズマから発光され，大気中の酸素と反応してオゾンを発生し得る可視光よりも短い波長の光であり，例えば大気中の紫外光のような波長の光のみならず，さらに短い真空紫外光のような波長の光も含まれる。本実施形態によれば，このようなプラズマからの紫外光は被覆膜１５０で遮光され，側壁１４２よりも外側の大気中に漏れることを防止できるので，反応容器１４０の外側でオゾンを発生させないようにすることができる。

また，ここでの被覆膜１５０は，上述したように反応容器１４０の高周波回路の一部を構成する側壁１４２とコイル１１６との間に形成するものであるため，単に紫外光を遮蔽できるだけでは足りず，高周波回路として想定通りに機能するように構成する必要がある。

具体的には，先ず被覆膜１５０は，絶縁性材料からなる薄膜で構成する。被覆膜１５０はコイル１１６の内側に存在するため，もし被覆膜１５０を導電性材料で構成すると，コイル１１６に高周波電力を印加したときに反応容器１４０の高周波回路が短絡して機能を果たさなくなる虞があるので，これを防止するためである。具体的には被覆膜１５０は反応容器１４０の側壁１４２を構成する絶縁性材料に近い体積抵抗率を有するほど好ましいが，必ずしも同程度の体積抵抗率でなくてもよい。例えば体積抵抗率としては，１０^１０オーム・ｃｍオーダー以上の絶縁性材料が好ましく，１０^１２オーム・ｃｍオーダー以上の絶縁性材料がより好ましい。

また，被覆膜１５０を例えばＣＶＤ（化学気相成長）法などによって成膜した薄膜で構成することによって，反応容器１４０の側壁１４２の厚みを変えることなく，紫外光を遮蔽できる。例えば側壁１４２の厚みが数ｍｍ程度の場合，被覆膜１５０の厚みは数μｍ程度であることが好ましい。

もし反応容器１４０の側壁１４２に被覆膜１５０を設けずに，側壁１４２の厚みを厚くすることによって紫外光を遮蔽しようとすれば，例えば側壁１４２の厚みが数ｍｍ程度であれば，その厚みを例えば２倍以上にするなど大幅に厚くしなければならなくなる。ところが側壁１４２の厚みを厚くするほど，反応容器１４０の高周波回路のキャパシタンスなどの電気的特性が大きく変わってしまうという問題がある。また，側壁１４２の厚みを厚くするほど，側壁１４２の内側表面と外側表面の温度差も大きくなるので，熱応力などの内部応力も大きくなって側壁１４２自体が壊れやすくなってしまうという問題もある。

これに対して，本実施形態による被覆膜１５０で側壁１４２を被覆しても，側壁１４２の厚みは変わらないため，反応容器１４０の高周波回路のキャパシタンスなどの電気的特性も変わることはなく，所定の誘導電磁界を発生させることができる。このため，発生するプラズマの状態（例えばプラズマの発生位置，プラズマの面内方向の密度，プラズマの強さなど）も変わることなく，所定のウエハの処理結果が得られる。

また，本実施形態による紫外光を遮光する被覆膜１５０は例えばＣＶＤ（化学気相成長）法などによって成膜することにより，側壁１４２の外側表面全体に隙間なく密着させることができる。これにより，側壁１４２と被覆膜１５０と間に空気がない状態にすることができるので，側壁１４２と被覆膜１５０と間にオゾンが発生することを防止できる。

但し，このように反応容器１４０の側壁１４２を被覆膜１５０で被膜するので，被覆膜１５０は側壁１４２の外側表面の温度に耐え得る程度の耐熱性を有する必要がある。側壁１４２の外側表面の温度は，コイル１１６に供給する高周波電力のパワーが大きいほど高温（例えば４００℃以上）になる。側壁１４２の外側表面の温度は，その材質や厚みによっても異なるが，高周波電力のパワーが例えば３ｋＷ程度で４００℃くらいまで昇温し，さらに５ｋＷ程度では５００℃〜６００℃くらいまで昇温する。従って，被覆膜１５０としては，実用的には例えば４００℃以上の耐熱性を有することが好ましい。

また，側壁１４２を被覆膜１５０で被覆するので，被覆膜１５０の熱膨張率は側壁１４２の熱膨張率にできるだけ近いことが好ましい。これは側壁１４２の外側表面は例えば４００℃以上の高温になるので，被覆膜１５０と側壁１４２との熱膨張率の差が大きいほど，側壁１４２と被覆膜１５０との縦方向の熱膨張量に大きな差が生じ易いからである。このような熱膨張量の差に応じて側壁１４２と被覆膜１５０との間に発生する内部応力の大きさが大きいほど，側壁１４２又は被覆膜１５０にひび割れなどが発生する虞が高くなるので，これを防止するためである。

但し，例えば側壁１４２の外側表面の温度状況（例えば温度の高さや温度の変化の繰り返し状況）によっては，被覆膜１５０と側壁１４２との熱膨張率に差があっても，ひび割れなどは発生しないので，使用状況に応じて被覆膜１５０の熱膨張率の差が許容される範囲も広がる。また，側壁１４２と被覆膜１５０との密着力が高ければ，被覆膜１５０と側壁１４２との熱膨張率に差があっても，側壁１４２又は被覆膜１５０にひび割れなどが発生することはない。特に本実施形態にかかる被覆膜１５０を例えばＣＶＤ法で側壁１４２に成膜することにより，被覆膜１５０の密着力を高めることができるので，被覆膜１５０と側壁１４２との熱膨張率に多少の差（例えば１０^２／℃〜１０^３／℃オーダーの差）があっても，側壁１４２又は被覆膜１５０にひび割れなどの発生を十分に防止できる。

このように，被覆膜１５０と側壁１４２との熱膨張率はできるだけ近いことが好ましいが，必ずしも同程度でなくてもよい。すなわち，被覆膜１５０の材質は側壁１４２との熱膨張量の差が大きくなり過ぎないような熱膨張率を有していれば足りる。例えば側壁１４２が石英ガラス（熱膨張率は１０^−８／℃オーダー）で構成される場合には，被覆膜１５０は１０^−６／℃〜１０^−５／℃オーダー以下の熱膨張率を有していることが好ましい。

このような本実施形態にかかる被覆膜１５０としては，例えばシリカ含有アモルファスカーボン系膜を用いることが好ましい。シリカ含有アモルファスカーボン系膜は，紫外光を含む３００ｎｍ以下の波長の光を通さない紫外光遮蔽性の高い材料であり，体積抵抗率が１０^１２オーム・ｃｍオーダーの絶縁材料であるとともに，５００℃以上の高温に耐え得る耐熱性も有している。しかも，ＣＶＤ法による成膜によって側壁１４２に薄膜形成が可能である。

なお，本実施形態にかかる被覆膜１５０としては，上記シリカ含有アモルファスカーボン系膜に限られるものではないことは言うまでもない。上述した絶縁性，耐熱性を有する薄膜であれば，例えば側壁１４２の温度状況，コイル１１６へ印加する高周波電力，プラズマから発生する紫外光の波長などに応じて，被覆膜１５０を構成する材料を適宜選択することができる。例えばプラズマから発生する紫外光として，２００μｍ以下の波長の紫外光が側壁１４２を透過してオゾン発生の要因になるような場合には，その範囲の紫外光を遮蔽できる薄膜，例えばＹ_２Ｏ_３系緻密膜を被覆膜１５０として側壁１４２の外側表面に成膜してもよい。

また，反応容器１４０の側壁１４２の上部フランジ１４２ａと下部フランジ１４２ｂの外側表面には被覆膜１５０を設けなくてもよい。この上部フランジ１４２ａと下部フランジ１４２ｂの部分にはプラズマからの紫外光が到達し難く，また一般に上部フランジ１４２ａと下部フランジ１４２ｂの厚みは，これらの間の部分（側壁１４２の側部）の厚みよりも厚いことから，たとえ上部フランジ１４２ａや下部フランジ１４２ｂの部分まで紫外光が到達したとしても，その外側に至るまでに大きく減衰するので，これら上部フランジ１４２ａと下部フランジ１４２ｂから紫外光が漏れ出すことはないからである。

従って，例えば図１に示すように上部フランジ１４２ａと下部フランジ１４２ｂの間の部分（側壁１４２の側部）の外側表面のみに被覆膜１５０を形成すれば十分である。但し，これら上部フランジ１４２ａと下部フランジ１４２ｂについても厚みを薄くする場合には，上部フランジ１４２ａと下部フランジ１４２ｂの外側表面についても，被覆膜１５０を形成するようにしてもよい。なお，反応容器１４０の側壁１４２に，必ずしも上部フランジ１４２ａと下部フランジ１４２ｂを設けなくてもよい。

このようなプラズマ処理装置１００において，ウエハＷに対して水素ラジカルを用いた処理を行う場合，まずゲートバルブ１３０を開いて，搬出入口１３２から処理室１０２内にウエハＷを搬入する。

次に，ゲートバルブ１３０を閉じて，排気装置１２７によって処理室１０２内及びプラズマ生成室１０４内を排気して所定の減圧状態にする。ウエハＷが所定の温度（例えば３００℃）になるように，ヒータ電源１１４からヒータ１１２に供給する電力を設定する。

続いて，ガス供給源１２０からプラズマ生成室１０４内にガス導入口１２２を介して処理ガスとしての水素含有ガスを供給しつつ，高周波電源１１８からコイル１１６に高周波電力（例えば４０００Ｗ）を供給して，プラズマ生成室１０４内に誘導電磁界を形成すると，プラズマ生成室１０４内に水素プラズマが生成される。こうして反応容器１４０内に生成された水素プラズマにより処理室１０２内のウエハＷの表面は，例えばウエハＷ上のフォトレジスト膜のアッシング処理など所定の処理が実行される。

このとき，図２に示すようにプラズマ生成室１０４内で生成されたプラズマＰからは紫外光（図２中矢印）が発生して反応容器１４０の側壁１４２にも照射されるものの，被覆膜１５０により遮蔽されて側壁１４２の外側の大気中に紫外光が漏れ出すことはない。これにより，側壁１４２の外側にオゾンが発生することを防止できる。

（実験結果）
ここで，本実施形態にかかるプラズマ処理装置１００を用いてオゾン発生防止効果を確認する実験を行った結果について説明する。先ず，反応容器１４０の側壁１４２にシリカ含有アモルファスカーボン系膜からなる被覆膜１５０を成膜した場合（被覆膜あり）について，被覆膜１５０を成膜しない場合（被覆膜なし）と比較する実験を行った結果を下記表１に示す。ここでの実験の処理条件は以下の通りである。すなわち，使用した処理ガスは，水素ガスと不活性ガスの混合ガスであって，水素ガスの混合比を４％に調整したものであり，処理室内の圧力は１．５Ｔｏｒｒとし，コイル１１６に印加する高周波電力のパワーを３ｋＷとした。このような処理条件で側壁１４２に被覆膜１５０を成膜した場合と，被覆膜１５０を成膜しない場合についてそれぞれプラズマ処理装置１００を稼働し，稼働前と稼働後における側壁１４２の外側のオゾン量を測定する実験を行った。

なお，本実験でオゾン量を測定した部位については，反応容器１４０内に最も強いプラズマが発生する部位，例えば図１に示すプラズマ生成室１０４の高さ方向の中央付近における側壁１４２の外側部位でオゾン量を測定した。また，オゾン量を測定したタイミングについては，コイル１１６に高周波電力印加後３０秒後である。これはプラズマからの紫外光によって発生するオゾンの量は，コイル１１６に高周波電力印加し始めてプラズマの状態が安定するまでくらい（例えば３０秒後〜６０秒後くらい）が最も大きくなり，その後は徐々に減少する傾向にあることが他の実験によって確認できたので，オゾンの量が最も多くなる可能性の高いタイミング（ここでは３０秒後）にオゾン量の測定したものである。

上記表１に示す結果によれば，被覆膜１５０を成膜しない場合（被覆膜なし）の場合には，未だプラズマが発生していない稼働前のオゾン量（バックグラウンドのオゾン量）は，０．０１２ｐｐｍから見て，プラズマが発生した稼働後のオゾン量は０．５７０ｐｐｍまで増加している。これは，プラズマから発生した紫外光が側壁１４２を透過して外側へ漏れ出して，大気中の酸素と反応してオゾンが発生したものと考えられる。

これに対して，被覆膜１５０を成膜した場合（被覆膜あり）の場合には，０．０１２ｐｐｍであり，稼働前のオゾン量から変化していない。これらの実験結果によれば，被覆膜１５０を成膜した場合（被覆膜あり）の場合には，例えば図２に示すように，プラズマＰから発生した紫外光が被覆膜１５０により遮光されて側壁１４２の外側へ漏れなくなり，オゾンの発生を防止できたことがわかる。

次に，上記と同様の処理条件でプラズマ処理装置１００を稼働し，コイル１１６に印加する高周波電力のパワーだけを変えて実験を行った結果を下記表２に示す。ここでは，反応容器１４０の側壁１４２にシリカ含有アモルファスカーボン系膜からなる被覆膜１５０を成膜した場合（被覆膜あり）について，コイル１１６に印加する高周波電力のパワーを，１．５ｋＷ，４ｋＷ，５ｋＷの場合についてそれぞれ，プラズマ処理装置１００を稼働し，上記と同様に稼働前と稼働後のオゾン量を測定する実験を行った。

上記表２に示す実験結果によれば，コイル１１６に印加する高周波電力が１．５ｋＷ，４ｋＷ，５ｋＷの場合のそれぞれについて，稼働前と稼働後とでオゾン量がほとんど変化していない。これによれば，コイル１１６に印加する高周波電力を変えても，被覆膜１５０を成膜した場合（被覆膜あり）の場合には，プラズマが発生した紫外光が被覆膜１５０により遮光されて側壁１４２の外側へ漏れなくなり，オゾンの発生を防止できたことがわかる。

ここで，実際にプラズマからの紫外光が遮光されているか否かを確認した実験結果について説明する。ここでは，シリカ含有アモルファスカーボン系膜からなる被覆膜１５０を成膜した場合（被覆膜あり）と被覆膜１５０を成膜しない場合（被覆膜なし）の場合のそれぞれについて，コイル１１６に印加する高周波電力は１．５ｋＷ〜５ｋＷの範囲，４％の水素ガスを含む不活性ガスを処理ガスとしてその流量は３Ｌ〜９Ｌの範囲とし，これらの範囲で，高周波電力と処理ガス流量の組合せを変えて，それぞれについて側壁１４２の外側で受光した光のスペクトル（２００ｎｍ〜８００ｎｍ）を測定した。これらすべての実験結果について実際に紫外光がオゾンを発生させない程度に十分遮光されていることが確認できた。また，いずれの実験結果においても紫外光遮蔽効果は同様であったため，ここでは，コイル１１６に印加する高周波電力を１．５ｋＷ，処理ガスを３Ｌとした場合の実験結果を図３に示す。

図３に示す実験結果によれば，紫外光の波長領域（例えば４００ｎｍ以下の波長領域）では，被覆膜１５０を成膜しない場合（被覆膜なし）には全体的に強度が高くなっているとともに波長によってはピーク的な強度も見られるのに対して，被覆膜１５０を成膜した場合（被覆膜あり）には全体的に強度が低くなるとともにピーク的な強度もなくなっている。このように，被覆膜１５０を成膜した場合（被覆膜あり）には，被覆膜１５０を成膜しない場合（被覆膜なし）に比して，オゾン発生の要因となる紫外光が側壁１４２の外部に漏れないように遮光できる。

ところで，ウエハＷの処理を行う場合にはプラズマを生成させるので側壁１４２の温度も高温（例えば４００℃以上）になり，ウエハＷの処理が終了するとプラズマを消失させるので側壁１４２の温度も常温（例えば２５℃）に戻る。このようなウエハＷの処理を繰り返すと，側壁１４２の温度も高温と常温が繰り返され，その温度変化によって側壁１４２の被覆膜１５０も熱膨張が繰り返されるので，繰り返し回数が多いほど，またウエハＷの処理時と被処理時の温度差が大きいほど，被覆膜１５０の強度が劣化してひび割れが生じ易くなる。特に，被覆膜１５０の熱膨張率が側壁１４２の熱膨張率と異なる場合には，上述したように被覆膜１５０と側壁１４２との間に膨張量の差に応じた応力が生じるため，被覆膜１５０の強度が劣化し易くなる。

この場合，例えば被覆膜１５０の熱膨張率が側壁１４２の熱膨張率よりも大きい場合には，図４に示すように被覆膜１５０の方が伸縮が大きくなるので，被覆膜１５０にひび割れが生じると，その部分が互いに重なり合うようになる。しかも，図４に示すＡ部のように，プラズマＰが最も強く発生する位置に近い部位ほど，被覆膜１５０にひび割れが生じやすい。これはプラズマＰから近い部位ほど，そのプラズマＰから発生した紫外光を含む強い光が集中するからと考えられる。

そこで，このような被覆膜１５０の強度劣化によるひび割れを防止するため，例えば図５に示すように，反応容器１４０の側壁１４２は，その内側表面と外側表面の全面に粗面加工を施し，粗面加工後の外側表面に被覆膜１５０を成膜するようにしてもよい。このように側壁１４２の内側表面と外側表面に粗面加工を施すことにより，例えば図６に示すようにプラズマＰから発生する紫外光を含む光を側壁１４２の内側表面と外側表面で乱反射させることができるので，側壁１４２の一部（例えば図６に示すＡ部）に集中することを防止できる。また，粗面加工後の側壁１４２の外側表面に被覆膜１５０を成膜するので，側壁１４２と被覆膜１５０との密着度を向上させることができる。これにより，被覆膜１５０のひび割れを防止できる。

なお，図５では側壁１４２の表面のうち，被覆膜１５０が成膜される外側表面の全面に粗面加工を施すとともに，内側表面の全面にも粗面加工を施した場合の具体例を挙げたが，必ずしもこれに限定されるものではなく，側壁１４２の内側表面についてはその一部に粗面加工を施すようにしてもよい。この場合，側壁１４２の内側表面のうち，反応容器１４０内に生成されるプラズマの位置に応じてそのプラズマの周囲を囲む部位のみに粗面加工を施すことが好ましい。例えば図６に示すように側壁１４２の高さ方向の中央部位にプラズマが生成される場合には，側壁１４２の内側表面のうち，プラズマを囲む中央部位のみに粗面加工を施すことが好ましい。

これによれば，側壁１４２の内側表面のうち，プラズマから発生した紫外光を含む強い光が集中し，被覆膜１５０のひび割れの可能性が高い部位に粗面加工を施して乱反射させることができる。被覆膜１５０のひび割れを十分に防止しながらも，側壁１４２の内側表面において粗面加工を施す部位を極力少なくすることができる。これにより，側壁１４２の内側表面に反応生成物などのパーティクルなどが付着することを極力防止できる。

なお，反応容器１４０内の高さ方向に複数のプラズマが発生する場合には，側壁１４２の内側表面のうち，各プラズマを囲む部位に粗面加工を施すようにしてもよく，また最も強く発生するプラズマを囲む部位に粗面加工を施すようにしてもよい。例えば上述したように反応容器１４０の高さ方向の中央とその上下に離間して合計３つのドーナツ状のプラズマが発生する場合には，中央に生成されるプラズマが最も強くなるので，そのプラズマを囲む部位，すなわち側壁１４２の内側表面のうち反応容器１４０の高さ方向の中央部位に粗面加工を施すことが好ましい。

また，上記のように側壁１４２の内側表面の一部を粗面加工する場合でも，側壁１４２の外側表面については全面を粗面加工することが望ましい。側壁１４２の外側表面は，パーティクルなどの付着を考える必要がないばかりか，側壁１４２の外側表面の全面を粗面加工することで被覆膜１５０の密着性を高めることができるからである。

上記の他，例えば反応容器１４０の側壁１４２を多重構造にすることで反応容器１４０内にプラズマを生成させた場合の側壁１４２の外側表面の温度を下げることができるので，これによっても被覆膜１５０の強度劣化によるひび割れを防止できる。例えば側壁１４２を絶縁部材からなる複数の筒状部材をそれぞれ真空の密閉空間を空けて重ねて一体化して構成し，側壁１４２の最も外側の表面に被覆膜１５０を成膜するようにしてもよい。

ここで，反応容器１４０の側壁１４２を２重構造にした場合の具体例を図７に示す。図７に示す側壁１４２は，絶縁部材からなる２つの筒状部材１４６，１４８を真空の密閉空間１４７を空けて重ねて一体化して構成したものである。被覆膜１５０は，側壁１４２の最も外側の筒状部材１４８の外側表面に成膜する。

これによれば，反応容器１４０内で生成されたプラズマから発生する紫外光を含む光が側壁に照射されても，これらの光は内側の筒状部材１４６，真空の密閉空間１４７，外側の筒状部材１４８を通って大きく減衰するため，側壁１４２の外側表面の温度を，１つの側壁１４２で構成する場合よりも低下させることができる。しかも，各筒状部材１４６，１４８の間に真空の密閉空間１４７を設けることにより，断熱効果も高まるので，側壁１４２の外側表面の温度をより低下させることができる。これにより，側壁１４２の外側表面について，プラズマが生成されている場合と生成されていない場合との温度差を低くすることができるので，被覆膜１５０のひび割れを防止できる。また，被覆膜１５０を成膜する側壁１４２の外側表面の温度を低下させることができるので，被覆膜１５０自体についても，より低い耐熱性の材料で構成することができる。

なお，このように側壁１４２を多重構造にした場合に，さらに側壁１４２を構成する各筒状部材の内側表面と外側表面を粗面加工するようにしてもよい。これにより，プラズマＰから紫外光を含む光が側壁１４２の一部に集中することを防止することができる。例えば図７に示す２重構造の側壁１４２の各筒状部材１４６，１４８の内側表面と外側表面を粗面加工したものを図８に示す。これによれば，プラズマから発生する紫外光を含む光を筒状部材１４６，１４８の両方の内側表面と外側表面で乱反射させることができるので，被覆膜１５０のひび割れ防止効果を一層高めることができる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明は，プラズマを用いて被処理基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置及びプラズマ生成室に適用可能である。

本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成例を示す断面図である。図１に示す反応容器の側壁内に生成されたプラズマからの紫外光が遮光される様子を模式的に表した図である。反応容器の側壁の外側で測定した光のスペクトルを示す図であって，側壁に被覆膜を成膜した場合と被覆膜を成膜しない場合とを比較するための図である。同実施形態にかかる被覆膜の膜質が劣化してひび割れが発生した場合を模式的に表した図である。同実施形態にかかる反応容器の側壁の変形例であり，内側表面と外側表面を粗面加工した場合を模式的に表した図である。図５に示す反応容器の側壁内にプラズマが生成されたプラズマからの紫外光が遮光される様子を模式的に表した図である。同実施形態にかかる反応容器の側壁の他の変形例であり，側壁を２つの筒状部材を重ねて２重構造にした場合を模式的に表した図である。図７に示す反応容器の側壁を構成する各筒状部材について内側表面と外側表面を粗面加工した場合を模式的に表した図である。

符号の説明

１００プラズマ処理装置
１０２処理室
１０４プラズマ生成室
１０６載置台
１０８支持部材
１１０クランプリング
１１２ヒータ
１１４ヒータ電源
１１６コイル
１１８高周波電源
１２０ガス供給源
１２２ガス導入口
１２４ガス配管
１２６排気管
１２７排気装置
１２８整流板
１３０ゲートバルブ
１３２搬出入口
１４０反応容器
１４２側壁
１４２ａ上部フランジ
１４２ｂ下部フランジ
１４４蓋体
１４６，１４８筒状部材
１４７密閉空間
１５０被覆膜
Ｗウエハ

Claims

水素を含む処理ガスを励起して生成されたプラズマにより被処理基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置であって，
前記処理ガスを励起させてプラズマを生成するプラズマ生成室と，
前記プラズマ生成室に連通する処理室と，
前記処理室内に配置され，前記被処理基板を載置する載置台と，を備え，
前記プラズマ生成室は，
筒状の側壁を有する反応容器と，
前記反応容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と，
前記側壁の周りに巻回して配設され，所定の高周波電力を印加するコイルと，
前記側壁の外側表面を被覆する被覆膜と，を備え，
前記被覆膜は，前記反応容器内に生成されるプラズマからの紫外光を遮光するとともに，耐熱性を有する絶縁材料からなる薄膜であり，前記反応容器の側壁は，その内側表面と外側表面を粗面加工し，前記粗面加工後の外側表面に前記被覆膜を成膜したことを特徴とするプラズマ処理装置。
前記被覆膜は，少なくとも４００℃以上の耐熱性を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記被覆膜は，シリカ含有アモルファスカーボン系膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
前記反応容器の側壁は，その内側表面と外側表面の全面に前記粗面加工を施したことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
前記反応容器の側壁は，その外側表面の全面に前記粗面加工を施すとともに，前記側壁の内側表面の一部に前記粗面加工を施したことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
前記反応容器の側壁は，その内側表面のうち，前記反応容器内に生成されるプラズマの位置に応じてそのプラズマの周囲を囲む部位に前記粗面加工を施したことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
水素を含む処理ガスを励起して生成されたプラズマにより被処理基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置であって，
前記処理ガスを励起させてプラズマを生成するプラズマ生成室と，
前記プラズマ生成室に連通する処理室と，
前記処理室内に配置され，前記被処理基板を載置する載置台と，を備え，
前記プラズマ生成室は，
絶縁材料からなる複数の筒状部材をそれぞれ真空の密閉空間を空けて重ねて一体化した側壁を有する反応容器と，
前記反応容器内に前記処理ガスを導入する処理ガス導入部と，
前記側壁の周りに巻回して配設され，所定の高周波電力を印加するコイルと，
前記側壁の外側表面を被覆する被覆膜と，を備え，
前記被覆膜は，前記反応容器内に生成されるプラズマからの紫外光を遮光するとともに，耐熱性を有する絶縁材料からなる薄膜であり，前記各筒状部材は，その内側表面と外側表面を粗面加工し，最も外側に配置される筒状部材の粗面加工後の外側表面に前記被覆膜を成膜したことを特徴とするプラズマ処理装置。
前記被覆膜は，少なくとも４００℃以上の耐熱性を有することを特徴とする請求項７に記載のプラズマ処理装置。
前記被覆膜は，シリカ含有アモルファスカーボン系膜であることを特徴とする請求項７又は８に記載のプラズマ処理装置。
水素を含む処理ガスを励起してプラズマを生成させるプラズマ生成室であって，
前記処理ガスを導入する処理ガス導入部と，
筒状の側壁を有する反応容器と，
前記反応容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と，
前記側壁の周りに巻回して配設され，所定の高周波電力を印加するコイルと，
前記側壁の外側表面を被覆する被覆膜と，を備え，
前記被覆膜は，前記反応容器内に生成されるプラズマからの紫外光を遮光するとともに，耐熱性を有する絶縁材料からなる薄膜であり，前記反応容器の側壁は，その内側表面と外側表面を粗面加工し，前記粗面加工後の外側表面に前記被覆膜を成膜したことを特徴とするプラズマ生成室。