JP4931315B2 - 三次元での相互接続の方法及びその方法により得られる電子デバイス - Google Patents

三次元での相互接続の方法及びその方法により得られる電子デバイス Download PDF

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Description

【0001】
本発明は、少なくとも一つの電子的な構成要素を含むパッケージのための三次元での相互接続の方法に関する。また、本発明は、その方法によって得られる電子デバイスにも関する。
【0002】
現在の電子的なシステムの生産では、軍事用にしても民間用にしても、含められる回路数の絶え間ない増大のために、絶えず増大する高密度化の要請を考慮しなければならなくなっている。
【0003】
この高密度化をより進めるための探求においては、集積回路チップを積み重ねたもの、すなわち、フランス国特許FR 2 688 630に開示されているように、チップ−カプセル封じ型のパッケージを積み重ねたものを生産することが既に提案されている。そのチップ−カプセル封じ型のパッケージの積重ねでは、積み重ねる各面を出力リード線間の必要な接続をなすための相互接続面として利用し、相互接続を三次元で成し遂げることとしている。
【0004】
例えば、SOJ(Small Outline J-lead)、TSOP(Thin Small Outline Package)ないしはCSP(Chip Scale Package)等のタイプによる標準的なパッケージのようなプラスチック・パッケージにおけるチップのカプセル封じには、多くの利点がある。まず第1に、試験やバーンインの工程をベアチップに対して実施するのは非常に難しいが、それらのパッケージについては、その試験やバーンインが製造業者によってなされている。また、試験やバーンインの工程をベアチップに対して実施するのは非常に難しい上に、製造業者からベアチップを入手するのも一般に困難であることから、それらの理由が組み合わさってかなり低廉で入手や取扱いの容易なパッケージを使用することが優先されるようになっている。
【0005】
上述した特許の解決策によるパッケージの積重ねは、主に、アライメント及び成形を容易にするために出力リード線をまっすぐに伸ばす工程と、プラスチック・パッケージを積み重ねる工程と、樹脂によりカプセル封じをして硬化させる工程と、ブロックを切断する工程と、金属を被覆する工程と、ブロックの各面上に接続のアウトラインをエッチングする工程とを、伴うものとなっている。さらに、パッケージの外側に対して切断を実行してパッケージの出力リード線を三次元での相互接続に用いるようにするので、得られる3Dモジュールは、パッケージの平らな面において、もとのパッケージよりも常に大きな寸法を有するものとなっている。
【0006】
本発明の目的は、一方では3Dモジュールを製造する工程を簡単にすることであり、また、他方では専有される容積をかなりの程度にまで減らすことである。これは、もはやパッケージの外側でブロックを切断するのではなく、それらのパッケージ中を通ってブロックを切断するという思想に基づくものである。
【0007】
このようなことから、本発明の最も概括的な側面によって提供されるのは、少なくとも一つの電子的な構成要素を含む少なくとも一つのパッケージのための三次元での相互接続の方法であって、前記パッケージの外部へと向かう出力リード線に対して前記構成要素における接続パッドを前記パッケージの内部で接続する接続導体が前記パッケージに備え付けられ、その方法は、
a)相互接続する要素を積み重ねて組み立てる過程と、
b)前記構成要素の近くで一つ若しくは複数の前記パッケージ中を切断し、前記接続導体の断面が同じ面に残っているブロックを形成する過程と、
c)前記ブロックの面上でそれぞれ異なる要素の導体間に電気的な接続を生成する過程と
を有することを特徴としている。
【0008】
また特に、いくつかのパッケージを共に相互接続するためには、前記積み重ねて組み立てる過程a)について、それらのパッケージを積み重ねて接着剤でボンディングすることによる構成が提供される。
【0009】
したがって、この方法によれば、出力リード線をまっすぐに伸ばす工程とカプセル封じをして硬化させる工程とが不要とされており、後者の工程が簡単な接着剤ボンディングの工程に置き換えられている。この方法は、このようにして簡単化されている。
【0010】
さらに、ブロックの切断は、チップの近くで実行され、したがってパッケージ中を貫いて実行され、もはやパッケージの外側で実行されるものとはなっていない。これにより、パッケージに平行な平面においてブロックの領域が約50%近く縮小される。
【0011】
電子デバイスの容積を減らすという課題に対し、この解決策に到達するためには、一方で、パッケージが様々な機能ないし役割(すなわち、外部環境からの保護、チップに対する危険を伴わない取扱い及び外部への電気的な接続)のために必要であってパッケージを切断してはならないという思想に逆行することが必要不可欠であったのが明らかであり、また他方で、半導体産業によりパッケージの内部で使用されているトランスファー成形樹脂が従来技術で使用されているカプセル封じ樹脂と実質的に同じ組成で充填剤の内容物を実質的に同じくしていたことを明示することが必要不可欠であったのが明らかである。
【0012】
特に有益な別の適用としては、例えば、器機の旧い部品の新たに続くものを製造しなければならない場合において、旧型になった(すなわち、もはや市場では入手できなくなった)複合的な構成要素を置き換えないしは取り替えることに関するものが挙げられる。その器機のオリジナルを最初に設計している間に、ASICの回路を個別的には定めることができたが、それらの回路が供給者によって生産されるもので、その供給者が後から技術的な変更をしたとする。すると、今まででは、新たなASICを再開発することが必要であった。ところがその一方で、オリジナルのASICの回路と同じ機能をプログラムすることを可能にするFPGA(Field Programmable Gate Array)の、非常に多くのポートを有するプログラム可能な集積回路はある。その難点は、ASICの回路の、配置、出力の数及び寸法が、利用可能なFPGAの回路のそれらとは異なる点である。すなわち、一般的に、超大規模集積回路によるFPGAの回路は、それによる置換えないし取替えが望まれることになるASICの回路よりもかなり多い数の出力を有している。例えば、44の出力を有するASICの機能を生じさせるためには、その数の分だけ(例えば144の出力を有する)FPGAの回路の出力が使用されることになる。また、それらの出力の配置は同じにはならないので、その回路を搭載すべきカードないし回路基板との関係でミスマッチが生じる。そして最終的には、FPGAの回路のフットプリント(footprint)が異なっていて一般により大きなものとなっているという危険性がある。
【0013】
本発明は、その原理を通じて、これらの課題を解決することを可能にする。この新たな適用によれば、パッケージに含まれる複合的な回路と第1の選択導体のアレイ及び第2のマッチング・アレイのプリント回路から構成されるマッチング回路を結び付けることが提供され、前記第1の選択導体のアレイは、それを前記パッケージの適切な出力に接続することを可能にし、前記第2のマッチング・アレイのリード線は、数と配置に関して、望まれるパターンを再形成し、これらの2つのアレイの間の相互接続を前記プリント回路が与える。
【0014】
このように、本発明を実施することにより、望まれる適用に対して適切な、小さいフットプリントの、三次元での相互接続による電子回路を作ることが可能である。
【0015】
したがって、この本発明の別の側面によれば、概略的には上に定めたように、出力リード線のアレイをマッチングするための回路にパッケージを相互接続する方法が提供され、その方法は、前記積み重ねて組み立てる過程a)が、接着剤ボンディングないしカプセル封じによって前記マッチング回路を前記パッケージに対して積み重ねて組み立てることで構成されることを特徴とする。
【0016】
以下の説明と添付図面から、本発明がより明確に理解されると共にさらなる特徴や利点が明らかとなるであろう。添付図面において、
−図1は、出力リード線に対するチップの接続を示すパッケージの上から見た内部の図であり、
−図2は、図1のパッケージの面Bにおける断面図であり、
−図3は、本発明に基づく方法のブロック図を示しており、
−図4は、本発明に基づく方法における一つのステップの間でパッケージが如何にして組み立てられるかを示した断面図であり、
−図5は、得られる3Dモジュールの部分的な透視図であり、
−図6は、本発明の適用の変形における最初のステップを例示した図であり、
−図7及び図8は、図6の変形における成功したステップの間の断面図を示したものであり、
−図9は、得られるモジュールの側面図であり、
−図10は、その本発明の変形に基づく方法のブロック図である。
【0017】
図1は、一例として、上から見たTSOPパッケージの内部を簡略化して示したものである。チップ1(例えばメモリ・チップ)は、2つの列に並べて配置された接続パッド10を有している。これらのパッドは、接続導体30の組3を介して出力リード線40のアレイ4に接続されている。パッド10と導体30の間のリンクは、ワイヤ11を配線して接続することによって行われている。この組立品は、プラスチック・パッケージ2に封入ないし封止されている。
【0018】
図2は、パッケージ2の面Bにおける断面を示している。導体30は、末端部が屈むように曲がった出力リード線40になっている。
【0019】
パッケージの三次元での互いの相互接続に適用した、本発明に基づく方法は、図3のブロック図によって例示してある。第1のステップ100においては、図4に示したようにパッケージが積み重ねられて接着剤ボンディングにより組み立てられる。図4における参照符号5は、各パッケージ間の接着剤の膜ないし層を示している。
【0020】
第2のステップ101においては、その組立品が切断される。この切断では、その組立品を、従来技術におけるように例えば(図1の)面Aにおける出力リード線の所で切断するのではなく、チップ1に近い切断をする面A′(若しくはB′)において、パッケージ2の中を貫いて切断し、各接続導体30を切断して、接続導体30の断面31が得られるブロックの面と同じ面にあるようにする。
【0021】
見ても分かるように、A′ないしB′のような断面の面は、チップ1に非常に接近しているので、フットプリントを著しく縮小する。例えば、半導体の製造で用いられたチップ・ワイヤ−ボンディングの手法に応じて、チップの周囲の0.5から2mmの間の距離の所で鋸による切断を行うことにしてもよい。
【0022】
その後のステップ102は、得られるブロックの面に対するそれぞれ異なるパッケージの各導体間の接続を行うことから構成される。これを行うに当たっては、様々な手法を用いることができる。好ましくは、第1のステージ1021でブロックの各面を金属で被覆すると共に、第2のステージ1022で接続ないし結線のアウトラインを例えばレーザ・エッチングによってエッチングするのがよい。得られるブロック6は図5に示してある。見ても分かる通り、各パッケージ2の接続導体の断面31は、ブロック6の面上の結線71によって接続されており、それらの結線71は、外部へと向かう接続パッド72において終端するものとしてもよく、あるいは、ブロックの出力アレイ78の断面77へと終端するものとしてもよい。このプロセスのステップについては、例えば、上述した特許FR 2 688 630において詳細に説明されている。
【0023】
これらのことからも分かるように、本発明に基づく方法は、出力のリード線ないしタブをまっすぐに伸ばす工程を(それらが切断中に取り除かれるので)省き、かつ、カプセル封じと硬化のステップを単一の接着剤ボンディングの工程に置き換えることにより、3Dモジュールの製造を簡単にすることができるものとなっている。
【0024】
次に、ASICタイプの特定の回路をFPGAタイプの汎用の回路で置き換える場面において、本発明の別の適用を説明する。FPGAタイプの汎用の回路は、オリジナルのASICの回路の機能を果たすようにプログラムし得るものである。既に説明したように、かかるプログラムの工程では、一般に、FPGAの回路のポート及び出力のうちのいくつかしか使用されないことになり、また、出力の配置を再割当ないし再配線して想像した適用に対してマッチングするようにしなければならないことになる。
【0025】
これを行うため、使用する出力の数とそれらの割当てを理解し、マッチング回路CA(図6)を作る。マッチング回路CAは、FPGAの回路のパッケージ20に対向したプリント回路50の一方の面とエッジの上に置かれた第1の選択アレイ52を有している。そのパッケージは、少なくとも一つのチップ12を含んでおり、そのチップ12の接続パッド(図示略)が導体41を介して出力アレイのリード線42に接続されている。選択アレイの各リード線52は、切断をする面Cとなる所で使用される導体41に対応するように位置決めされる。さらに、プリント回路50の反対側の面は、そのエッジに沿って、出力リード線53のマッチング・アレイを保持しており、それらの出力リード線53の位置決めは、それが置換えを望まれているASICの回路のリード線の位置決めとなっている。2つのアレイの間の相互接続は、プリント回路50の線路によってもたらされる。各リード線52は、各はんだ接続部54によってそれらの線路にはんだ付けされ、各リード線53は、各はんだ接続部55によってそれらの線路にはんだ付けされる。パッケージとマッチング回路CAを組み立てるため、アレイ支持部材60を設け、そのアレイ支持部材の各スロットにアレイ53の各リード線の端部56を入れて取り付ける。
【0026】
第1のステップ100′(図10)においては、切断をする面Cがチップ12に近くなり、かつ、切断をする面Cがアレイ52及び53の各端部を切り離すこととなるように、パッケージ20とマッチング回路CAを組み立てる。この組立ての工程は、例えば、プリント回路50の両側の面上に据える接着剤のビードを用いて実施する。接着剤の総量は、プリント回路50とパッケージ20の間にある容積とプリント回路50とアレイ支持部材60の間にある容積をそれぞれ満たすのに十分な量とする必要があり、かつ、過剰な分が組立て中に70においてあふれ出るようにし、(何もない空間や穴を伴うことのない)接着剤の中心部を鋸が通って切断をすることができるようにする。パッケージ20を支持部材60に組み立てるのに用いる圧力の下では、ちょうど今述べたように、接着剤があふれ出て(図7中に70で示したように)リード線52及び53の各端部を覆うようになる。また、組立ての工程は、エポキシ樹脂等のような硬化し得る樹脂によるパッケージと支持部材60の間のカプセル封じないし封止によって実施することにしてもよい。
【0027】
次のステップ101′は、前のように、面Cを通ってパッケージ中を切断することから構成される。
【0028】
これにより、図8に一部の断面が見られるブロックMが得られ、この図8の一部の断面において、導体41並びにアレイ52及び53のリード線は、ブロックの面と同じ面にあり、ブロックの面と同一平面を成している。さらに、この図8は、マッチング・アレイのリード線の端部56が適度に屈み込むように曲げられているのを示している。
【0029】
その後のステップ102′(図10)は、ブロックMの各面に対し、通常用いられる任意の技術を利用して、パッケージの導体41と第1の選択アレイ52のリード線との間に望まれる三次元での接続ないし結線を成すことから構成される。
【0030】
例えば、ブロックの面を金属で被覆する(1021′)と共に、それから接続ないし結線のアウトラインを例えばレーザ・エッチングによってエッチングする(1022′)。
【0031】
図9は、側方から見た、得られるモジュールMを示している。図示の面上では、選択アレイ52及びマッチング・アレイ53の、各導体41の断面を見ることができる。金属被覆80は、ブロックMのすべての面を覆っている。レーザ・エッチング81は、導体41とアレイ52のリード線との間の接続ないし結線のアウトラインをエッチングすると共に、マッチング・アレイ53のリード線を隔離するのに利用されている。例えば、パッケージの使用される出力410は、接続ないし結線73を介してリード線520に接続されている。これに対し、411のような出力は、使用されない。
【0032】
当然のことだが、例示して説明した例は、如何なる点においても本発明を限定するものではなく、特に、ブロックの完全な金属被覆以外の手法を用いて3Dでの接続を行うこともでき、あるいは、レーザ・エッチング以外のエッチング方法を用いることもできる。また、プリント回路のエッジを越えてリード線53を延ばすことにはしない構成を提供することもでき、この構成によれば、それらを必然的に同じ面にあるものとすることが回避され、したがって、それらをエッチングによって隔離する必要がなくなる。ただし、出力アレイ56と電子回路12の間の相互接続がプリント回路50にアレイをはんだ付けすることによって成し遂げられるので、過酷な環境で高い信頼性が要求される適用に対しては、そこが、他のすべての構成要素を有するプリント回路基板に組立品自体をはんだ付けする場合にはんだ(一般に融点が180℃である錫/鉛)がリフローする危険性を伴うのは、望ましくない。したがって、ブロックの金属で被覆された面を介する相互接続は、そのアレイ56の接続を危険性のない安全なものとする。ただし、危険性のない多くの適用に対しては、実際のプリント回路50へのアレイの簡単なはんだ付けが本格的な簡単化を生ぜしめる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 出力リード線に対するチップの接続を示すパッケージの上から見た内部の図である。
【図2】 図1のパッケージの面Bにおける断面図である。
【図3】 本発明に基づく方法のブロック図である。
【図4】 本発明に基づく方法における一つのステップの間でパッケージが如何にして組み立てられるかを示した断面図である。
【図5】 得られる3Dモジュールの部分的な透視図である。
【図6】 本発明の適用の変形における最初のステップを例示した図である。
【図7】 図6の変形における成功したステップの間の断面図を示したものである。
【図8】 図6の変形における成功したステップの間の断面図を示したものである。
【図9】 得られるモジュールの側面図である。
【図10】 その本発明の変形に基づく方法のブロック図である。

Claims (12)

  1. 複数のパッケージ(2)のための三次元での相互接続の方法であって、
    前記複数のパッケージそれぞれには、少なくとも一つの電子的な構成要素(1)と、当該構成要素における接続パッド(10)を当該パッケージの外部に突き出た出力リード線(40)に当該パッケージの内部で接続する接続導体(30)と、がカプセル封じされており
    a)前記複数のパッケージを積み重ねて一体化する過程(100)と、
    b)前記構成要素から0.5ないし2mmの間の距離の所で前記積み重ねられたパッケージを切断する過程(101)であって、前記接続導体の断面(31)が当該切断により形成されるブロック(6)の面と同じ面にあるようにする過程と、
    c)前記接続導体の断面(31)の間に電気的な接続(71、72)を生成する過程(102)と、を有することを特徴とする方法。
  2. 少なくとも一つのパッケージ(20)と、第1の選択アレイ(52)、第2のマッチング・アレイ(53、56)及びプリント回路(50)によって構成されたマッチング回路(CA)と、のための、三次元での相互接続の方法であって、
    前記パッケージは、少なくとも一つの電子的な構成要素(1)と、当該構成要素における接続パッド(10)を当該パッケージの外部に突き出た出力リード線(40)に当該パッケージの内部で接続する接続導体(30)と、がカプセル封じされており
    前記第1の選択アレイと第2のマッチング・アレイとは前記プリント回路のエッジに沿って配置されており
    a)前記パッケージ(20)に対して前記マッチング回路(CA)を積み重ねて一体化する過程(100′)と、
    b)前記構成要素から0.5ないし2mmの間の距離の所で前記パッケージと前記マッチング回路とを切断する過程(101′)であって、前記接続導体(41)、第1の選択アレイ(52)及び第2のマッチング・アレイ(53)の断面が当該切断により形成されるブロック(M)の面と同じ面にあるようにする過程と、
    c)前記接続導体(41)及び前記第1の選択アレイ(52)の断面の間に電気的な接続(73)を作る過程(102′)と、を有することを特徴とする方法。
  3. 求項1記載の方法において、前記積み重ねて一体化する過程a)が、前記パッケージ(2)を積み重ねて接着剤でボンディングすること(101)によって構成されることを特徴とする方法。
  4. 請求項1記載の方法において、前記構成要素が電子チップであることを特徴とする方法。
  5. 求項2記載の方法において、前記積み重ねて一体化する過程a)が、接着剤ボンディングないしカプセル封じにより前記マッチング回路(CA)を前記パッケージ(20)に対して積み重ねて一体化すること(101′)によって構成されることを特徴とする方法。
  6. 請求項2または5記載の方法において、前記構成要素が電子チップであって、前記切断をする程b)を、前記チップから0.5ないし2mmの間の距離の所で行うことを特徴とする方法。
  7. 請求項2、5、6のいずれか1項に記載の方法において、
    前記プリント回路のエッジに沿って、前記パッケージと対向する面に、接続する前記パッケージの出力リード線(42)を選択するための前記第1の選択アレイ(52)が置かれ、かつ、他方の面に、前記第2のマッチング・アレイ(53、56)が置かれており、
    前記切断する過程b)は、前記回路のアレイ(52、53)の端部を切り離す過程を含むことを特徴とする方法。
  8. 請求項1ないし7のいずれかに記載の方法において、電気的な接続を作る過程c)は、
    c.1)前記ブロックの面を金属で被覆すること(1021;1021′)と、
    c.2)前記接続(71;72;73;77)のアウトラインをエッチングすること(1022;1022′)とによって構成されることを特徴とする方法。
  9. 前記接続のアウトラインをエッチングする過程c.2)をレーザ・エッチングによって行うことを特徴とする請求項8記載の方法。
  10. 三次元での相互接続による電子デバイスであって、複数のパッケージを有し、
    前記複数のパッケージのそれぞれには、少なくとも一つの電子的な構成要素(1)と、当該構成要素における接続パッド(10)を前記パッケージの外部に突き出た出力リード線(40)に前記パッケージの内部で接続する接続導体(30)と、がカプセル封じされており
    前記複数のパッケージは、積み重ねられて接着剤でボンディングされ、
    当該積み重ねられたパッケージ(2)は、前記構成要素(1)から0.5ないし2mmの間の距離の所で切断され、
    前記接続導体の断面は、当該切断により形成されたブロック(6)の表面と同じ高さにあり、接続(71、72)により接続されていることを特徴とする電子デバイス。
  11. 三次元での相互接続による電子デバイスであって、少なくとも一つのパッケージ(20)を有し、前記パッケージは、少なくとも一つの電子的な構成要素(1)と、前記構成要素における接続パッド(10)を前記パッケージの外部に突き出た出力リード線(40)に前記パッケージの内部で接続する接続導体(30)と、がカプセル封じされており
    当該デバイスは、
    第1の選択アレイ(52)第2のマッチング・アレイ(53、56)及びプリント回路(50)によって構成されたマッチング回路(CA)をさらに有し、前記パッケージが前記マッチング回路と一体化され、
    前記第1の選択アレイ及び第2のマッチング・アレイは、それぞれ前記プリント回路のエッジに沿って、当該プリント回路の2つの面上に、置かれ、前記第1の選択アレイを保持する面が前記パッケージと対向し、
    前記パッケージ/マッチング回路の一体化品は、前記構成要素から0.5ないし2mmの間の距離の所で切断され、
    前記接続導体の断面(41)と前記第1の選択アレイと第2のマッチング・アレイ(52、53)の断面とは、当該切断により形成されるブロック(M)の表面と同じ高さであり、
    前記接続導体の断面(41)と前記第1の選択アレイ(52)の断面とは、接続(73)により接続されていることを特徴とする電子デバイス。
  12. 請求項11記載の電子デバイスにおいて、前記ブロック(M)の面が、金属で被覆され(80)、かつ、エッチングされており(81)、前記接続(73)のアウトラインを定めると共に前記第2のアレイ(53)の断面を隔離するようになっている、ことを特徴とする電子デバイス。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2832136B1 (fr) * 2001-11-09 2005-02-18 3D Plus Sa Dispositif d'encapsulation hermetique de composant devant etre protege de toute contrainte
US7777321B2 (en) 2002-04-22 2010-08-17 Gann Keith D Stacked microelectronic layer and module with three-axis channel T-connects
US6806559B2 (en) 2002-04-22 2004-10-19 Irvine Sensors Corporation Method and apparatus for connecting vertically stacked integrated circuit chips
US6906407B2 (en) * 2002-07-09 2005-06-14 Lucent Technologies Inc. Field programmable gate array assembly
FR2857157B1 (fr) * 2003-07-01 2005-09-23 3D Plus Sa Procede d'interconnexion de composants actif et passif et composant heterogene a faible epaisseur en resultant
FR2875672B1 (fr) * 2004-09-21 2007-05-11 3D Plus Sa Sa Dispositif electronique avec repartiteur de chaleur integre
FR2884049B1 (fr) * 2005-04-01 2007-06-22 3D Plus Sa Sa Module electronique de faible epaisseur comprenant un empilement de boitiers electroniques a billes de connexion
JP4819398B2 (ja) * 2005-05-18 2011-11-24 アプロレーザ ディベロップメント カンパニー リミテッド ライアビリティー カンパニー 電子モジュール
FR2894070B1 (fr) * 2005-11-30 2008-04-11 3D Plus Sa Sa Module electronique 3d
FR2895568B1 (fr) * 2005-12-23 2008-02-08 3D Plus Sa Sa Procede de fabrication collective de modules electroniques 3d
US7663232B2 (en) * 2006-03-07 2010-02-16 Micron Technology, Inc. Elongated fasteners for securing together electronic components and substrates, semiconductor device assemblies including such fasteners, and accompanying systems
FR2905198B1 (fr) * 2006-08-22 2008-10-17 3D Plus Sa Sa Procede de fabrication collective de modules electroniques 3d
FR2911995B1 (fr) * 2007-01-30 2009-03-06 3D Plus Sa Sa Procede d'interconnexion de tranches electroniques
US8338267B2 (en) * 2007-07-11 2012-12-25 Sematech, Inc. Systems and methods for vertically integrating semiconductor devices
FR2923081B1 (fr) * 2007-10-26 2009-12-11 3D Plus Procede d'interconnexion verticale de modules electroniques 3d par des vias.
US8461542B2 (en) 2008-09-08 2013-06-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation detector with a stack of converter plates and interconnect layers
FR2940521B1 (fr) 2008-12-19 2011-11-11 3D Plus Procede de fabrication collective de modules electroniques pour montage en surface
FR2943176B1 (fr) 2009-03-10 2011-08-05 3D Plus Procede de positionnement des puces lors de la fabrication d'une plaque reconstituee
ITTO20110295A1 (it) * 2011-04-01 2012-10-02 St Microelectronics Srl Dispositivo ad induttore integrato ad elevato valore di induttanza, in particolare per l'uso come antenna in un sistema di identificazione a radiofrequenza
RU2475885C1 (ru) * 2011-09-21 2013-02-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Способ изготовления трехмерного электронного модуля
US8824161B2 (en) 2012-06-15 2014-09-02 Medtronic, Inc. Integrated circuit packaging for implantable medical devices
US11213690B2 (en) 2012-06-15 2022-01-04 Medtronic, Inc. Wafer level packages of high voltage units for implantable medical devices
US9252415B2 (en) 2012-06-15 2016-02-02 Medtronic, Inc. Power sources suitable for use in implantable medical devices and corresponding fabrication methods
FR3033082B1 (fr) 2015-02-20 2018-03-09 3D Plus Procede de fabrication d'un module electronique 3d a broches externes d'interconnexion
US10321569B1 (en) 2015-04-29 2019-06-11 Vpt, Inc. Electronic module and method of making same
RU2705727C1 (ru) * 2018-12-28 2019-11-11 федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Способы изготовления трехмерных электронных модулей, трехмерные электронные модули
CN113299626B (zh) * 2021-06-29 2022-10-18 广东佛智芯微电子技术研究有限公司 一种多芯片封装用的导电组件及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06132471A (ja) * 1992-03-10 1994-05-13 Thomson Csf 半導体チップに対する3dカプセル封じの方法および装置
JPH06216303A (ja) * 1992-03-27 1994-08-05 Hitachi Ltd リードフレーム、その製造方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法
JPH077130A (ja) * 1992-10-13 1995-01-10 Thomson Csf 電子コンポーネントパッケージの3次元相互接続方法及びそれによって形成される3次元コンポーネント
JPH10242382A (ja) * 1997-02-10 1998-09-11 Alcatel Alsthom Co General Electricite 積層素子の一体化構造

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3370203A (en) * 1965-07-19 1968-02-20 United Aircraft Corp Integrated circuit modules
WO1992003035A1 (en) * 1990-08-01 1992-02-20 Staktek Corporation Ultra high density integrated circuit packages, method and apparatus
US5847448A (en) 1990-12-11 1998-12-08 Thomson-Csf Method and device for interconnecting integrated circuits in three dimensions
US5270261A (en) * 1991-09-13 1993-12-14 International Business Machines Corporation Three dimensional multichip package methods of fabrication
FR2688630B1 (fr) * 1992-03-13 2001-08-10 Thomson Csf Procede et dispositif d'interconnexion en trois dimensions de boitiers de composants electroniques.
FR2709020B1 (fr) * 1993-08-13 1995-09-08 Thomson Csf Procédé d'interconnexion de pastilles semi-conductrices en trois dimensions, et composant en résultant.
FR2719967B1 (fr) 1994-05-10 1996-06-07 Thomson Csf Interconnexion en trois dimensions de boîtiers de composants électroniques utilisant des circuits imprimés.

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06132471A (ja) * 1992-03-10 1994-05-13 Thomson Csf 半導体チップに対する3dカプセル封じの方法および装置
JPH06216303A (ja) * 1992-03-27 1994-08-05 Hitachi Ltd リードフレーム、その製造方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法
JPH077130A (ja) * 1992-10-13 1995-01-10 Thomson Csf 電子コンポーネントパッケージの3次元相互接続方法及びそれによって形成される3次元コンポーネント
JPH10242382A (ja) * 1997-02-10 1998-09-11 Alcatel Alsthom Co General Electricite 積層素子の一体化構造

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