JP4927091B2 - アバランシェ・フォトダイオードによるデータ・エイジの補償方法とシステム - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 73
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 166
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 73
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 34
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 11
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 11
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 7
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 6
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 230000008859 change Effects 0.000 description 19
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000035559 beat frequency Effects 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005183 dynamical system Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
- G01B9/02027—Two or more interferometric channels or interferometers
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02001—Interferometers characterised by controlling or generating intrinsic radiation properties
- G01B9/02007—Two or more frequencies or sources used for interferometric measurement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02083—Interferometers characterised by particular signal processing and presentation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2290/00—Aspects of interferometers not specifically covered by any group under G01B9/02
- G01B2290/45—Multiple detectors for detecting interferometer signals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2290/00—Aspects of interferometers not specifically covered by any group under G01B9/02
- G01B2290/70—Using polarization in the interferometer
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Description
本出願は、2005年12月1日付けの「電子アバランシェ・フォトダイオードによるデータ・エイジの補償(DATA AGE COMPENSATION WITH AVALANCHE PHOTODIODE)」という名称の米国仮特許出願第60/741,415号の優先権を主張する。上記米国仮特許出願の全文は、参照により本明細書に組み込むものとする。
光路長の測定は、例えば、532nmおよび1064nmのような複数の波長で行われ、距離測定干渉計の測定経路内のガスの分散度を測定するために使用される。分散測定は、距離測定干渉計により測定した光路長を物理的な長さに変換するために使用することができる。このような変換は重要な場合がある。何故なら、測定した光路長の変化は、測定対象物への物理的距離が変化しない場合でも、測定アーム内のガスの乱れおよび/またはガスの平均密度の変化により生じる場合があるからである。外因性分散測定の他に、光路長の物理長への変換の場合には、ガスの固有値を知っておく必要がある。係数Γは、適当な固有値であり、分散干渉計で使用する波長に対するガスの逆分散能である。係数Γは、別々に測定するか、または発行されている文献から得ることができる。
通常、ある態様において、本発明は、干渉計からの測定信号の条件付けを含む方法である。上記条件付けは1つまたは複数の条件パラメータ、すなわち、条件下測定信号の複数の値の測定、条件パラメータを示す1つまたは複数の値の供給、条件パラメータを示す1つまたは複数の測定値に基づいて、条件下測定信号の各測定値での調整値の決定、調整値による測定信号の測定値の調整を特徴とする。
調整値は、条件付けによる測定誤差を補償するように決定することができる。
種々の実施形態の場合には、測定誤差は、データ・エイジ、グループ遅延、位相シフトまたは検出装置遅延を含んでいる場合がある。
ある実施形態の場合には、可変増幅を電子アバランシェ・フォトダイオードにより行うことができる。
ある実施形態の場合には、調整値は、1つまたは複数のルックアップ・テーブルから決定される。
ある実施形態の場合には、調整値は、1つまたは複数の数式および1つまたは複数のルックアップ・テーブルから決定される。
電子処理ユニットは、データ・エイジ調整装置を含むことができる。
電子処理ユニットは、さらに動的データ・エイジ・ユニットを含むことができる。
受信機ユニットは、電子アバランシェ・フォトダイオードを含むことができる。
条件パラメータは、電子アバランシェ・フォトダイオードに印加するバイアス電圧を含むことができる。電子アバランシェ・フォトダイオードの1つまたは複数の電気的特性は、バイアス電圧により異なる。例えば、ある実施形態の場合には、電子アバランシェ・フォトダイオードのキャパシタンスは、バイアス電圧により異なる。ある実施形態の場合には、電子アバランシェ・フォトダイオードの電気的特性のバイアス依存性変化は、バイアス依存性測定誤差を導入する。
種々の実施形態の場合には、測定信号は、1つまたは複数の測定対象物の位置、1つまたは複数の角度変位、または1つまたは複数の測定対象物の光学的特性を特徴付けることができる。ある実施形態の場合には、光学的特性は、分散を含むことができる。
スクの位置を調整する。レンズ組立体は、ウェハ上に空間的にパターニングされた放射線を画像形成する。干渉計は、放射源からの放射線に対するマスクの位置を監視する。
他の態様の場合、本発明は、リソグラフィ・マスクを製造するための方法を特徴とする。この方法は、基板をパターニングするために基板に書込みビームを向けるステップと、書込みビームに対して基板を位置決めするステップと、上記干渉計システムにより書込みビームに対する基板の位置を監視するステップとを含む。
路内の変化を測定し、測定した信号のデータ・エイジの不確かさを低減する。説明を簡単にするために、ヘテロダイン干渉計システム10内には1つの測定軸しか図示していない。図1Bに示すような多軸測定システムの場合には、ヘテロダイン干渉計システム10bは、いくつかの軸の光路内の変化を検出し、各軸に対する条件下測定信号を生成するために光学測定ユニット11bを含む。電子処理ユニット13bおよび13cは、各軸からの条件下測定信号を処理し、干渉計測定信号の条件付けによる誤差を含む測定誤差を補償する。
PAを出力する。デジタル・フィルタ560は、濾過した速度の値V、および調整し、濾過した位置の値Pを出力するためにPAを使用する。
調整と同じものであることに留意されたい。それ故、ある実施形態の場合には、これら2つの補償のうちの一方だけが行われる。
ある実施形態の場合には、速度または周波数またはいくつかの他の中間値を、適当な修正を行って補償の計算の際に使用することができる。例えば、PBテーブルは、ゼロ周波数に対して計算した位相補償値PB0を含むことができる。補償の式は下記のようになる。
上記例の場合には、APDおよびプリアンプ回路は、条件パラメータVbiasに基づく増幅信号による測定を条件付けするために動作する。しかし、他のタイプの条件パラメータに基づく他のタイプの条件付けを使用することができる。例えば、標準可変利得アンプは、利得パラメータに基づいて条件付けを行うことができる。他のタイプの条件付けは、例えば、濾過または周波数変更を含むことができる。
SHEAR INTERFEROMETERS)」という名称の米国特許出願第10/207,314号に、受動ゼロ剪断干渉計のいくつかの例が記載されている。角度変位干渉計のいくつかの例が、両方ともHenry A.Hillの2002年8月23日付けの「入力ビームの方向を制御する動的干渉計(DYNAMIC INTERFEROMETER CONTROLLING DIRECTION OF INPUT BEAM)」という名称の米国特許出願第10/226,591号;2001年8月22日付けで、「角度感知ビーム・スプリッタを使用する受動ゼロ剪断干渉計PASSIVE ZERO
SHEAR INTERFEROMETERS USING ANGLE SENSITIVE BEAM−SPLITTERS」という名称の米国仮特許出願第60/314,345号;Henry A.HillおよびJustin Kreuzerの2002年10月15日付けの「光ビームの方向の変化を測定するための干渉計(INTERFEROMETERS FOR MEASURING CHANGES IN OPTICAL BEAM DIRECTION)」という名称の米国特許出願第10/271,034号に記載されている。別の方法としては、または追加的に、干渉計システムは、1つま
たは複数の微分角度変位干渉計を含むことができる。また、米国特許出願第10/271,034号にそのいくつかの例が記載されている。Henry A.Hillの「マルチプルパス干渉計(MULTIPLE−PASS INTERFEROMETRY)」という名称で、2003年1月28日付けの米国特許出願第10/352,616号;およびHenry A.Hillの「多軸干渉計(MULTI−AXIS INTERFEROMETER)」という名称で、2003年1月27日付けの米国特許出願第10/351,708号に2つ以上の自由度を測定し、ビーム剪断を低減するための干渉計システムのいくつかの例が記載されている。VDIBerichte Nr.749、93〜106(1989)、C.Zanoniの「距離および角度を測定するための差動干渉計装置:原理、利点および用途(Differential interferometer arrangements for distance and angle measurements: Principles, advantages and applications)」に、他の形のマルチプルパス干渉計が記載されている。Henry
A.Hill、Peter de GrootおよびFrank C.Demarestの「マルチプルパス干渉計を使用する空気の屈折率および光路長の影響を測定するための装置および方法(APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING THE REFRACTIVE INDEX AND OPTICAL PATH LENGTH EFFECTS OF AIR USING MULTIPLE−PASS INTERFEROMETRY)」という名称の米国特許第6,219,144
B1号、およびPeter de Groot、Henry A.Hill、およびFrank C.Demarestの米国特許第6,327,039号に、二波長分散干渉計のいくつかの例が記載されている。
種々の構成要素を含む。露光ベース1104は、レンズ・ハウジング1106の頂部に装着されていて、その頂部にはレチクルまたはマスクを支持するために使用するレチクルまたはマスク・ステージ1116が装着されている。露光ステーションに対してマスクを位置決めするための位置決めシステムは、素子1117により概略示してある。位置決めシステム1117は、例えば、圧電トランスジューサ素子、および対応する制御電子機器(control electronics)を含むことができる。それは、この記述した実施形態には含まれていないが、上記機能を内蔵する1つまたは複数の干渉計システムは、また、マスク・ステージおよびその位置をリソグラフィ構造体を製造するためのプロセス内で正確に監視しなければならない他の可動素子の位置を正確に測定するために使用することができる(SheatsおよびSmithのMicrolithography:Science and Technology参照)。
reference)と呼んでいるものを含むことができる。このような実施形態の場合には、干渉計システム1126は、例えば、レンズ・ハウジング1106のような放射ビームをある方向に向けるある構造体上に装着されている基準ミラー(図示せず)と接触する外部基準経路に沿って参照ビーム(図示せず)をある方向に向ける。基準ミラーは、干渉計システムの方向へ参照ビームを反射する。干渉計システム1126により生成された干渉信号は、ステージ1122から反射した測定ビーム1154とレンズ・ハウジング1106上に装着している基準ミラーから反射した参照ビームを結合した場合に、放射ビームに対するステージの位置の変化を示す。さらに、他の実施形態の場合には、干渉計システム1126は、スキャナ・システムのレチクル(またはマスク)ステージ1116または他の可動構成要素の位置の変化を測定するように設置することができる。最後に、干渉計システムは、スキャナの他にまたはスキャナではなくステッパを含むリソグラフィ・システムと一緒に類似の方法で使用することができる。
渉計システム1220は、参照ビーム1222をビーム集束組立体1214上の装着されているミラー1224に向け、測定ビーム1226をステージ1218上に装着されているミラー1228に向ける。参照ビームはビーム集束組立体上に装着されているミラーと接触するので、ビーム書込みシステムは列参照を使用するシステムの一例である。干渉計システム1220は、すでに説明した干渉計システムのうちの任意のものであってもよい。干渉計システムが測定した位置の変化は、基板1216上の書込みビーム1212の相対位置の変化に対応する。干渉計システム1220は、コントローラ1230に、基板1216上の書込みビーム1212の相対位置を示す測定信号1232を送る。コントローラ1230は、ステージ1218を支持し、位置決めするベース1236に出力信号1234を送る。さらに、コントローラ1230は、書込みビームが、基板の選択した位置のところだけに光物理的または光化学的変化を引き起こすのに十分な輝度で基板に接触するように、書込みビーム1212の輝度を変化させ、または阻止するために、放射源1210に信号1238を送る。
Claims (37)
- 光源(12)と、干渉計(18)と、受信機(40)と、電子処理ユニット(13)とを有する干渉計システム(10)における補償方法であって、前記受信機(40)は、アバランシェ・フォトダイオード検出装置としての検出装置(37)と、条件付け回路(39)とを備え、前記補償方法は、
前記光源(12)が、相互にf O だけ周波数が異なる互いに直角に偏光した第1光ビーム(14)と第2光ビーム(16)を生成する光ビーム生成ステップと;
前記光源(12)が、前記電子処理ユニット(13)に、周波数f R を有する基準信号(44)を送信する基準信号送信ステップと;
前記干渉計(18)が、前記第1光ビーム(14)を前記干渉計(18)の固定長経路に沿って通過させることによって、第1出力ビーム(28)を生成する第1出力ビーム生成ステップと;
前記干渉計(18)が、前記第2光ビーム(16)を前記干渉計(18)の可変長経路に沿って通過させることによって、第2出力ビーム(38)を生成する第2出力ビーム生成ステップと;
バイアス電圧(V bias )が印加された前記検出装置(37)が、前記第1出力ビーム(28)と前記第2出力ビーム(38)とから干渉信号(41)を生成する干渉信号生成ステップと;
前記条件付け回路(39)が、前記干渉信号(41)から、前記バイアス電圧(V bias )を有する条件パラメータによって特徴付けられる条件下測定信号(42)を生成する条件下信号生成ステップと;
前記電子処理ユニット(13)が、前記条件下測定信号(42)から測定値(φmeas)を算出する測定値算出ステップと;
前記電子処理ユニット(13)が、前記受信機(40)から前記条件パラメータを受信するパラメータ受信ステップと;
前記電子処理ユニット(13)が、前記測定値(φ meas )と前記条件パラメータとに基づき、前記測定値(φ meas )のための調整値(φ O ,φ f ,φ bias )を決定する調整値決定ステップと;
前記電子処理ユニット(13)が、前記調整値(φO,φf,φbias)に基づき、前記測定値(φ meas )を調整することによって、前記干渉信号(41)に含まれる測
定誤差を補償する誤差補正ステップと
を有することを特徴とする補償方法。 - 前記測定誤差は、前記測定値(φ meas )のデータ・エイジを有する、
請求項1記載の補償方法。 - 前記測定誤差は、前記測定値(φ meas )のグループ遅延を有する、
請求項1記載の補償方法。 - 前記測定誤差は、前記測定値(φ meas )の位相シフトを有する、
請求項1記載の補償方法。 - 前記測定誤差は、前記検出装置(37)による遅延を有する、
請求項1記載の補償方法。 - 前記条件下信号生成ステップは、前記条件下測定信号(42)を増幅するステップを有し、
前記増幅は、前記条件パラメータによって変わる、
請求項1記載の補償方法。 - 前記増幅は、前記検出装置(37)が有するアバランシェ・フォトダイオードによって行われる、
請求項6記載の補償方法。 - 前記測定誤差は、前記増幅によって導入された誤差を有する、
請求項6記載の補償方法。 - 前記電子処理ユニット(13)はさらに、ルックアップ・テーブルを有する動的データ・エイジ・ユニット(700)を備え、
前記動的データ・エイジ・ユニット(700)は、前記条件パラメータを受信するように構成され、
前記電子処理ユニット(13)は、前記調整値(φO,φf,φbias)を、前記ルックアップ・テーブルを用いることによって決定する、
請求項1記載の補償方法。 - 干渉計システム(10)であって、
光源(12)と;
干渉計(18)と;
アバランシェ・フォトダイオード検出装置としての検出装置(37)と、条件付け回路(39)とを有する受信機(40)と;
電子処理ユニット(13)と
を備え、
前記光源(12)は、前記干渉計(18)に、相互にf O だけ周波数が異なる互いに直角に偏光した第1光ビーム(14)と第2光ビーム(16)を生成し、且つ前記電子処理ユニット(13)に、周波数f R を有する基準信号(44)を送信するように構成され、
前記干渉計(18)は、前記第1光ビーム(14)を前記干渉計システム(10)の固定長経路に沿って通過させることによって、第1出力ビーム(28)を生成し、且つ前記第2光ビーム(16)を前記干渉計システム(10)の可変長経路に沿って通過させることによって、第2出力ビーム(38)を生成するように構成され、
バイアス電圧(V bias )が印加された前記検出装置(37)は、前記第1出力ビー
ム(28)と前記第2出力ビーム(38)とから干渉信号(41)を生成し、
前記条件付け回路(39)は、前記干渉信号(41)から、前記バイアス電圧(V bias )を有する条件パラメータによって特徴付けられる条件下測定信号(42)を生成するように構成され、
前記電子処理ユニット(13)は、前記条件下測定信号(42)から測定値(φmeas)を算出し、且つ前記受信機(40)から前記条件パラメータを受信し、且つ前記測定値(φ meas )と前記条件パラメータとに基づき、前記測定値(φ meas )のための調整値(φ O ,φ f ,φ bias )を決定し、且つ前記調整値(φO,φf,φbias)に基づき、前記測定値(φ meas )を調整することによって前記干渉信号(41)に含まれる測定誤差を補償するように構成されることを特徴とする、干渉計システム。 - 前記電子処理ユニット(13)は、データ・エイジ調整装置(540)を備える、
請求項10記載の干渉計システム。 - 前記電子処理ユニット(13)はさらに、動的データ・エイジ・ユニット(700)を備える、
請求項11記載の干渉計システム。 - 前記受信機(40)はさらに、前記条件下測定信号(42)を増幅するように構成され、
前記増幅は、前記条件パラメータによって変わる、
請求項10記載の干渉計システム。 - 前記バイアス電圧(V bias )は、前記アバランシェ・フォトダイオードに印加される、
請求項13記載の干渉計システム。 - 前記アバランシェ・フォトダイオードの1つまたは複数の電気的特性は、前記バイアス電圧(Vbias)によって変わる、
請求項14記載の干渉計システム。 - 前記アバランシェ・フォトダイオードのキャパシタンスは、前記バイアス電圧(Vbias)によって変わる、
請求項15記載の干渉計システム。 - 前記測定誤差は、前記バイアス電圧(Vbias)に依存する
請求項15記載の干渉計システム。 - 前記干渉信号(41)は、前記条件付け回路(39)を通過する、
請求項13記載の干渉計システム。 - 前記条件付け回路(39)は、プリアンプ・ステージ、低域フィルタ、およびポストアンプ・ステージを備える、
請求項18記載の干渉計システム。 - 前記条件下測定信号(42)は、前記固定長経路と前記可変長経路との差に対応する、
請求項10記載の干渉計システム。 - 前記干渉計(18)は、ヘテロダイン・タイプである、
請求項20記載の干渉計システム。 - 前記測定信号は、1つまたは複数の測定対象物の位置を特徴付ける、
請求項20記載の干渉計システム。 - 前記条件下測定信号(42)は、1つまたは複数の測定対象物の光学的特性を特徴付ける、
請求項20記載の干渉計システム。 - 前記条件下測定信号(42)は、1つまたは複数の測定対象物の角度変位を特徴付ける、
請求項20記載の干渉計システム。 - 前記光学的特性は、前記干渉計(18)が有する反射器(32,24)の分散を有する、
請求項23記載の干渉計システム。 - ウェハ上に集積回路を製造する際に使用するためのリソグラフィ・システム(1100)であって、
前記ウェハを支持するためのステージ(1122)と;
前記ウェハ上に空間的にパターニングされた放射線を画像形成するための照明システム(1106,1108,1112,1116)と;
前記画像形成した放射線に対して前記ステージ(1122)の位置を調整するための位置決めシステム(1117)と;
前記干渉計が前記画像形成された放射線に対して前記ウェハの位置を監視するように構成された、請求項22記載の干渉計システムと
を備える、リソグラフィ・システム。 - ウェハ上に集積回路を製造する際に使用するためのリソグラフィ・システムであって、
前記ウェハを支持するためのステージと;
放射源(1112)、マスク、位置決めシステム(1117)、レンズ組立体(1108)、および請求項22記載の前記干渉計システムを含む照明システムと
を備え、
動作中、前記放射源は、空間的にパターニングされた放射線を生成するために、前記マスクを通して前記放射線を或る方向に向け、前記位置決めシステム(1117)は、前記放射源(1112)からの前記放射線に対する前記マスクの位置を調整し、前記レンズ組立体(1108)は、前記ウェハ上に前記空間的にパターニングされた前記放射線を画像形成し、前記干渉計は、前記放射源から前記放射線に対する前記マスクの位置を監視する、
リソグラフィ・システム。 - リソグラフィ・マスクを製造する際に使用するためのビーム書込みシステム(1200)であって、
基板(1216)をパターニングするために書込みビームを供給する放射源(1210)と;
前記基板(1216)を支持するステージ(1218)と;
前記基板(1216)に前記書込みビームを照射するためのビーム集束組立体(1214)と;
相互に前記ステージ(1218)とビーム集束組立体(1214)とを位置決めするためのコントローラ(1230)と;
前記ビーム集束組立体(1214)に対する前記ステージ(1218)の位置を監視す
るように構成される、請求項22記載の干渉計システムと
を備える、ビーム書込みシステム。 - ウェハ上に集積回路を製造する際に使用するためのリソグラフィ方法であって、
可動ステージ上に前記ウェハを支持するステップと;
前記ウェハ上に空間的にパターニングされた放射線を画像形成するステップと;
前記ステージの位置を調整するステップと;
請求項22記載の干渉計システムによって前記ステージの位置を監視するステップと
を有する、リソグラフィ方法。 - 集積回路を製造する際に使用するためのリソグラフィ方法であって、
空間的にパターニングされた放射線を生成するためにマスクを通して入力放射線を或る方向に向けるステップと;
前記入力放射線に対して前記マスクを位置決めするステップと;
請求項22記載の干渉計システムによって前記入力放射線に対する前記マスクの位置を監視するステップと;
ウェハ上に前記空間的にパターニングされた放射線を画像形成するステップと
を有する、リソグラフィ方法。 - ウェハ上に集積回路を製造するためのリソグラフィ方法であって、
前記ウェハを空間的にパターニングされた放射線に露光するために、リソグラフィ・システムの第2の構成要素に対してリソグラフィ・システムの第1の構成要素を位置決めするステップと;
請求項22記載の干渉計システムによって前記第2の構成要素に対する前記第1の構成要素の位置を監視するステップと
を有する、リソグラフィ方法。 - 集積回路を製造するための方法であって、請求項29記載のリソグラフィ方法を有する、方法。
- 集積回路を製造するための方法であって、請求項30記載のリソグラフィ方法を有する、方法。
- 集積回路を製造するための方法であって、請求項31記載のリソグラフィ方法を有する、方法。
- 集積回路を製造するための方法であって、請求項26記載のリソグラフィ・システムを使用するステップを有する、方法。
- 集積回路を製造するための方法であって、請求項27記載のリソグラフィ・システムを使用するステップを有する、方法。
- リソグラフィ・マスクを製造するための方法であって、
基板をパターニングするために前記基板に書込みビームを向けるステップと;
前記書込みビームに対して前記基板を位置決めするステップと;
請求項22記載の干渉計システムによって、前記書込みビームに対する前記基板の位置を監視するステップと
を有する、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US74141505P | 2005-12-01 | 2005-12-01 | |
US60/741,415 | 2005-12-01 | ||
PCT/US2006/045555 WO2007064643A2 (en) | 2005-12-01 | 2006-11-29 | Data age compensation with avalanche photodiode |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009517693A JP2009517693A (ja) | 2009-04-30 |
JP4927091B2 true JP4927091B2 (ja) | 2012-05-09 |
Family
ID=38092725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008543392A Active JP4927091B2 (ja) | 2005-12-01 | 2006-11-29 | アバランシェ・フォトダイオードによるデータ・エイジの補償方法とシステム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7542147B2 (ja) |
JP (1) | JP4927091B2 (ja) |
WO (1) | WO2007064643A2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7268881B2 (en) * | 2004-02-17 | 2007-09-11 | The Curators Of The University Of Missouri | Light scattering detector |
US7903252B2 (en) * | 2005-01-13 | 2011-03-08 | The Curators Of The University Of Missouri | Noise cancellation in fourier transform spectrophotometry |
NL2005309A (en) * | 2009-10-13 | 2011-04-14 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US9297694B2 (en) | 2012-08-16 | 2016-03-29 | Nec Corporation | Correction device and correction method for light reception power monitor |
CN104457581B (zh) * | 2014-08-28 | 2017-03-22 | 深圳奥比中光科技有限公司 | 一种全场z向位移测量系统 |
EP3021139B1 (en) * | 2014-11-14 | 2020-09-02 | Airbus Defence and Space GmbH | Signal acquisition and distance variation measurement system for laser ranging interferometers |
DE102016118905A1 (de) * | 2016-10-05 | 2018-04-05 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zum zeitaufgelösten Erfassen gepulster elektromagnetischer Hochfrequenzstrahlung |
CN110207733B (zh) * | 2019-04-30 | 2021-11-19 | 武汉昊衡科技有限公司 | 基于扫频激光的光纤干涉仪臂长差测量装置及方法 |
KR20220159431A (ko) * | 2020-03-27 | 2022-12-02 | 램 리써치 코포레이션 | 빔 투과형 레이저 센서를 사용한 인-시츄 (in-situ) 웨이퍼 두께 및 갭 모니터링 |
WO2023219862A1 (en) | 2022-05-10 | 2023-11-16 | Zygo Corporation | Data age reduction |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002515594A (ja) * | 1998-05-14 | 2002-05-28 | シリンクス メディカル テクノロジー ゲーエムベーハー | 三次元表面の立体構造を検出する方法 |
US20030047752A1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-03-13 | Campbell Joe C. | Avalanche photodiodes with an impact-ionization-engineered multiplication region |
JP2004501362A (ja) * | 2000-05-16 | 2004-01-15 | ザイゴ コーポレーション | データの経時の調整 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4688940A (en) * | 1985-03-12 | 1987-08-25 | Zygo Corporation | Heterodyne interferometer system |
US5530542A (en) * | 1995-04-19 | 1996-06-25 | Hewlett-Packard Company | Circuit and method for controlling glitches in low intensity signals |
US5767972A (en) * | 1996-06-04 | 1998-06-16 | Zygo Corporation | Method and apparatus for providing data age compensation in an interferometer |
US6219144B1 (en) * | 1997-10-02 | 2001-04-17 | Zygo Corporation | Apparatus and method for measuring the refractive index and optical path length effects of air using multiple-pass interferometry |
EP1058813B1 (en) * | 1998-02-23 | 2012-10-10 | Zygo Corporation | Interferometer and method for measuring the refractive index and optical path length effects of air |
US6252667B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-06-26 | Zygo Corporation | Interferometer having a dynamic beam steering assembly |
US6218870B1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-04-17 | Agilent Technologies, Inc. | Anti-glitch system and method for laser interferometers using frequency dependent hysteresis |
US6975406B2 (en) * | 2001-08-02 | 2005-12-13 | Zygo Corporation | Glitch filter for distance measuring interferometry |
US6847452B2 (en) * | 2001-08-02 | 2005-01-25 | Zygo Corporation | Passive zero shear interferometers |
EP1419361A1 (en) * | 2001-08-23 | 2004-05-19 | Zygo Corporation | Dynamic interferometric controlling direction of input beam |
WO2003036223A1 (en) * | 2001-10-19 | 2003-05-01 | Zygo Corporation | Interferometers for measuring changes in optical beam direction |
JP2003198864A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Ricoh Co Ltd | カラープリンタ、カラープリント方法およびその方法をコンピュータに実行させるためのプログラム |
TWI278599B (en) * | 2002-01-28 | 2007-04-11 | Zygo Corp | Multi-axis interferometer |
US6819434B2 (en) * | 2002-01-28 | 2004-11-16 | Zygo Corporation | Multi-axis interferometer |
TW538849U (en) * | 2002-05-21 | 2003-06-21 | Jen-Fu Lin | Grinding device for drill bit |
JPWO2004094940A1 (ja) * | 2003-04-23 | 2006-07-13 | 株式会社ニコン | 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ |
-
2006
- 2006-11-29 US US11/605,855 patent/US7542147B2/en active Active
- 2006-11-29 WO PCT/US2006/045555 patent/WO2007064643A2/en active Application Filing
- 2006-11-29 JP JP2008543392A patent/JP4927091B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002515594A (ja) * | 1998-05-14 | 2002-05-28 | シリンクス メディカル テクノロジー ゲーエムベーハー | 三次元表面の立体構造を検出する方法 |
JP2004501362A (ja) * | 2000-05-16 | 2004-01-15 | ザイゴ コーポレーション | データの経時の調整 |
US20030047752A1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-03-13 | Campbell Joe C. | Avalanche photodiodes with an impact-ionization-engineered multiplication region |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007064643A3 (en) | 2009-04-30 |
US20070127035A1 (en) | 2007-06-07 |
US7542147B2 (en) | 2009-06-02 |
WO2007064643A2 (en) | 2007-06-07 |
JP2009517693A (ja) | 2009-04-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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