JP4922238B2 - 光検出装置構造 - Google Patents

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Description

本発明は、光検出装置構造に関し、特に、垂直駆動有機発光トランジスタを使用する光検出装置構造に関する。
有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode, OLED）と発光ダイオード（Light Emitting Diode, LED）は、原理が類似し、いずれも半導体特性を利用し、電子と正孔が結合し、光子を発出する。但し、有機発光ダイオードプロセスは、発光ダイオードに比べて簡単であり、且つコストが低い利点を有する。有機発光ダイオードは、薄膜ユニットに属し、低温製造が可能であるので、有機発光ダイオードの最大の特色は基板に対する依存性が低く、即ち、有機発光ダイオードは、ガラス基板またはプラスチック基板上に製造でき、軟式電子装置として製造し、大型のフレキシブルパネルに応用することができ、且つ製造されたフレキシブルパネルは、厚さが薄いという利点を有する。
且つフレキシブルパネルは、携帯に便利である以外に、フレキシブル特性を有することでフレキシブルパネルが物体の形状に応じて貼り合わせることができる。
有機発光ダイオードは、低電力消耗且つ高明度を有する光源であり、ディスプレイ方面に応用できる以外に、その他の電子装置、例えば、スキャナ、プリンタ等にも使用することができる。また、有機発光ダイオードは、従来の電子部材と異なり、有機発光ダイオードを使用して製造された軟式電子装置は、書籍の頁面の形状に貼合することができ、更に、曲面表面を有する物品、例えば、プラスチック彫刻品等に応用でき、同時にその上の文字パターンに対してスキャンを行うこともできる。
軟式スキャナは、有機発光ダイオードの応用であり、有機発光ダイオードを光検出装置の光源に応用し、光線を発生し検出側の物体に照射することに用い、物体に反射され返ってくる光線の波長を分析し、物体の形状、物体上の模様および物体の組成成分を分析でき、更に、その他の電子装置と結合し、物体と光検出装置間の距離を測定することに用いることができる。
しかしながら、有機発光ダイオードを光検出装置の光源とする時、大半は、トランジスタに結合し有機発光ダイオードを駆動または制御することに用いるが、これら２つの独立したユニットの設計は、光検出装置の体積が制限を受け、光検出装置全体の体積を縮小することができない。
米国特許第７，１２６，１５３号 特開２００６−２５３１６４公報
本発明の目的は、垂直駆動有機発光トランジスタを使用し光線を発出し検出待ちの物体に照射し、光検出ユニットを経由して物体により反射された反射光線を受け、光検出ユニットが受けた反射光線によって物体の形状、組成成分を判別し、物体と光検出装置間の距離も計算することができる、光検出装置構造を提供することである。
そして、前記垂直駆動有機発光トランジスタは、有機発光ダイオードと垂直トランジスタを垂直に堆積し、垂直トランジスタを利用して有機発光ダイオードを駆動することによって、垂直駆動有機発光トランジスタの体積を縮小でき、光検出装置構造の全体の体積を縮小することができる光検出装置構造を提供することである。
上記の目的を達成するため、本発明が提供する光検出装置構造は、基材と、基材の第１位置に設置される垂直駆動有機発光トランジスタと、基材の第２位置に設置される光検出ユニットを含み、且つ第１位置は第２位置と所定の距離を隔てる。
本発明の光検出装置構造によれば、少なくとも下記の効果が達成される。
１．垂直駆動有機発光トランジスタを使用し、光検出装置の体積を縮小する。
２．垂直駆動有機発光トランジスタが形成する光検出装置構造は、スキャナの改良に応用でき、且つ物体形状に貼合してスキャンする効果を達成できる。
３．光検出装置構造を使用し、物体の吸収スペクトルを分析することによって、物体の組成成分の分析に用いることができる。
４．光検出装置を光検出装置と物体間の距離の測定に応用することができる。
当業者が本発明の技術的内容を理解し、実施できるようにするため、および本明細書が開示する内容、特許請求の範囲および図面に基づき本発明に関する目的、利点を容易に理解できるようにするため、本発明の特徴および利点を実施態様において詳細に説明する。
図１は、本発明の光検出装置構造の実施形態１の断面図である。図２は、本発明の光検出装置構造の実施形態２の断面図である。図３は、本発明の光検出装置構造の実施形態３の断面図である。図４は、本発明の光検出装置構造の実施形態４の断面図である。図５は、本発明の光検出装置構造の実施形態５の断面図である。図６は、本発明の光検出装置構造の実施形態６の断面図である。図７は、本発明の光検出装置構造の実施形態７の断面図である。図８は、本発明の光検出装置構造の実施形態８の断面図である。図９は、本発明の光検出装置構造の実施形態９の断面図である。図１０は、本発明の光検出装置構造の実施形態１０の断面図である。図１１は、本発明の光検出装置構造の実施形態１１の断面図である。図１２は、本発明の光検出装置構造の応用実施例図である。
図１に示すように、本実施例は、光検出装置構造の実施形態1であり、それは、基材１０と、垂直駆動有機発光トランジスタ２０と、光検出ユニット３０を含む。
基材１０は、透明基材を透光として用いるものであり、基材１０は、ガラス基材またはプラスチック基材であることができ、フレキシブル性質を具備し、軟式電子装置の製造に有利である。
垂直駆動有機発光トランジスタ２０は、基材１０の第１位置に設置され、光線を発出することに用いる。また、垂直駆動有機発光トランジスタ２０は、第１垂直式トランジスタ２１および第１有機発光ダイオード２２を有することができ、または第２垂直式トランジスタ２３および第２有機発光ダイオード２４を有することができる。
第１垂直式トランジスタ２１は、第１電極２１１と、第１有機層２１２と、第２電極２１３を有する。
第１有機層２１２は、第１電極２１１に堆積され、且つ第１有機層２１２は、正孔注入層(Hole Injection Layer, HIL)、正孔輸送層(Hole Transport Layer, HTL)、正孔阻止層(Hole Blocking Layer, HBL)、電子阻止層(Electron Blocking Layer, EBL)、電子輸送層(Electron Transport Layer, ETL)、電子注入層(Electron Injection Layer, EIL)から組成されるグループより選択することができる。
第２電極２１３は、第１有機層２１２に結合し、且つ第２電極２１３は、第１有機層２１２中の任意位置に結合でき、第１有機層２１２の上方への設置を含み、また、第２電極２１３は、正孔または電子の注入量を制御することに用い、第１有機発光ダイオード２２の発光明度を調整する。
第１有機発光ダイオード２２は、第２有機層２２１および第３電極２２２を有する。第２有機層２２１は、第１垂直式トランジスタ２１に堆積され、且つ第２有機層２２１は、発光層(EMission Layer, EML)を含み、または正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子阻止層、電子輸送層、電子注入層から組成されるグループの少なくとも１つを選択して含むことができ、各層間のエネルギー障壁差を低減し、第１有機発光ダイオード２２の発光効率を向上する。
第３電極２２２は、第２有機層２２１に堆積され、光検出装置構造の陰極または陽極として用いることができる。垂直駆動有機発光トランジスタ２０の設計は、第１有機発光ダイオード２２の第２有機層２２１を第１垂直式トランジスタ２１上に垂直に堆積し、第３電極２２２が第２有機層２２１上に堆積するようにする。
例を挙げれば、第１垂直式トランジスタ２１の第１電極２１１は、陽極であり、且つ通常比較的高い仕事関数の材料、例えば、金、白金、酸化モリブデン/アルミニウム、ＰＥＤＯＴ/酸化モリブデン/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用い、また、透明電極、例えば、酸化インジウム錫（Indium Tin Oxides，ITO）を用いることもできる。同時に、第１電極２１１上に堆積される第１有機層２１２は、正孔注入層および正孔輸送層を選択して用い、且つ正孔注入層は、第１電極２１１に堆積でき、また、正孔輸送層は、正孔注入層上に堆積できる。且つ、第２電極２１３は、グリッドであることができ、正孔輸送層中の任意の位置に結合でき、正孔輸送層の上方を含む。この時、第１有機発光ダイオード２２の第３電極２２２は、陰極であることができ、且つ電子注入効率を増加するため、陰極は、通常比較的低い仕事関数の複合金属材料、例えば、カルシウム/アルミニウム、フッ化リチウム/アルミニウム、フッ化セシウム/アルミニウム、バリウム/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用いることができる。
第２電極２１３の効用は、第１有機発光ダイオード２２への正孔注入量を制御することであり、正孔が適当な第２電極２１３および第３電極２２２の電圧調整の下、第２電極２１３を貫通し、第１有機発光ダイオード２２に注入されることができる。正孔が第１有機発光ダイオード２２に注入された後、第２有機層２２１箇所で第３電極２２２から注入された電子と相互に結合することができる。正孔と電子の複合によって電子エネルギーレベルが変更され、第２有機層２２１の発光層が光線を発出することができる。
例を挙げれば、第１垂直式トランジスタ２１の第１電極２１１は、陰極であることができ、且つ電子注入効率を増加するため、陰極は通常比較的低い仕事関数の複合金属材料、例えば、カルシウム/アルミニウム、フッ化リチウム/アルミニウム、フッ化セシウム/アルミニウム、バリウム/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用いることができる。同時に第１電極２１１上に堆積される第１有機層２１２は、電子輸送層を選択して用い、電子輸送層は、第１電極２１１上に堆積されることができる。且つ第２電極２１３は、グリッドであることができ、電子輸送層中の任意の位置に結合でき、電子輸送層の上方を含む。この時、第１有機発光ダイオード２２の第３電極２２２は、陽極であり、且つ通常比較的高い仕事関数の材料、例えば、金、白金、酸化モリブデン/アルミニウム、ＰＥＤＯＴ/酸化モリブデン/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用い、また、透明電極、例えば、酸化インジウム錫（Indium Tin Oxides，ITO）を用いることもできる。
第２電極２１３の効用は、第１有機発光ダイオード２２への電子注入量を制御することであり、電子が適当な第２電極２１３および第３電極２２２の電圧調整の下、第２電極２１３を貫通し、第１有機発光ダイオード２２に注入されることができる。電子が第１有機発光ダイオード２２に注入された後、第２有機層２２１箇所で第３電極２２２から注入された正孔と相互に結合することができる。正孔と電子の複合によって電子エネルギーレベルが変更され、第２有機層２２１の発光層が光線を発出することができる。
図１および図２に示すように、基材１０は、第１垂直式トランジスタ２１側に設置されることができ、且つ基材１０は、透明基材、ガラス基材またはプラスチック基材等であることができ、即ち、第１垂直式トランジスタ２１の第１電極２１１を透明基材上に設置することができる。第３電極２２２が薄い金属電極である時、光線は、第２有機層２２１の発光層から発出でき、且つ第３電極２２２を透過して上向きに射出するので、検出待ちの物体４０を光検出装置構造の上方に置き、検出に有利にすることができる。また、透明電極を第１電極２１１として選択することもできるので、光線が同時に第２有機層２２１の発光層から第１電極２１１を光が透過して射出し、同時に上向きおよび下向きに発光を達成でき、更に、同時に上下両側の物体４０を検出する効果を達成することができる。
また、図２および図４に示すように、透明基材が第１有機発光ダイオード２２側に設置されることができ、且つ基材１０は透明基材、ガラス基材またはプラスチック基材等であることができ、即ち、第１有機発光ダイオード２２の第３電極２２２を透明基材上に設置し、第３電極２２２が薄い金属電極または透明電極であることができるので、第２有機層２２１の発光層から発光される時、光線が第３電極２２２を介して透明基材から下向き射出されることもでき、この時、検出待ちの物体４０が光検出装置構造の下方に置くことができる。上記の透明基材は、フレキシブルの性質を具備し、光検出装置構造が軟式電子装置に応用することに有利であることができる。
図３および図４に示すように、垂直駆動有機発光トランジスタ２０は、更に第４電極２１４を有し、それは、第１垂直式トランジスタ２１の第１有機層２１２及び第１有機発光ダイオード２２の第２有機層２２１の間に設置され、陰極または陽極として用いることができる。第４電極２１４の材質は、低い仕事関数の金属、例えば、アルミニウムまたは銀等であることができ、第４電極２１４の材質も、例えば、ＰＥＤＯＴの高電導高分子または金属およびその他の材料の多層構造、例えば、アルミニウム/酸化モリブデン、アルミニウム/酸化モリブデン/ＰＥＤＯＴ、金/ＰＥＤＯＴ等であることができる。
第４電極２１４が光検出装置構造中、陰極または陽極とした応用は、例を挙げれば、第１垂直式トランジスタ２１の第１電極２１１が陽極であり、第２電極２１３がグリッドであり、且つ第１有機発光ダイオード２２の第３電極２２２が陰極である時、第４電極２１４は、陽極であることができる。同様に、第１垂直式トランジスタ２１の第１垂直式トランジスタ２１の第１電極２１１が陰極であり、第２電極２１３がグリッドであり、且つ第１有機発光ダイオード２２の第３電極２２２が陽極である時、第４電極２１４は、陰極であることができる。
また、垂直駆動有機発光トランジスタ２０は、第２垂直式トランジスタ２３と、第２有機発光ダイオード２４を有することができる。
第２垂直式トランジスタ２３は、第５電極２３１と、第３有機層２３２と、第１絶縁層２３３と、第６電極２３４を有する。そのうち、第３有機層２３２は、第５電極２３１上に堆積され、且つ第３有機層２３２は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子阻止層、電子輸送層、電子注入層が組成するグループから選択することができる。第１絶縁層２３３は、第３有機層２３２と第６電極２３４の間に堆積され、第６電極２３４は、第１絶縁層２３３上に堆積される。
第２有機発光ダイオード２４は、第４有機層２４１と、第７電極２４２を有する。第４有機層２４１は、発光層を含むか、または更に正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子阻止層、電子輸送層、電子注入層が組成するグループの少なくとも１つを選択して含むことができ、各種異なる組み合わせによって、各層間のエネルギー障壁差を低減でき、第２有機発光ダイオード２４の発光効率を向上する。
第７電極２４２は、第４有機層２４１に堆積され、光検出装置構造の陰極または陽極として用いられる。垂直駆動有機発光トランジスタ２０の設計は、第２有機発光ダイオード２４の第４有機層２４１を第２垂直式トランジスタ２３上に垂直に堆積し、且つ第７電極２４２が第４有機層２４１上に堆積されるようにする。
光検出装置構造の陰極または陽極の応用は、例を挙げれば、第２垂直式トランジスタ２３の第５電極２３１は、陽極であり、且つ通常比較的高い仕事関数の材料、例えば、金、白金、酸化モリブデン/アルミニウム、ＰＥＤＯＴ/酸化モリブデン/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用い、また、透明電極、例えば、酸化インジウム錫（Indium Tin Oxides，ITO）を用いることもできる。同時に第５電極２３１上に堆積される第３有機層２３２は、正孔注入層および正孔輸送層を選択して用いることができ、且つ正孔注入層が第５電極２３１に堆積され、正孔輸送層は、正孔注入層上に堆積されることができる。第１絶縁層２３３が、先ず正孔輸送層上に堆積され、更に、第６電極２３４を第１絶縁層２３３に堆積し、第６電極２３４は、ベースであることができる。第２有機発光ダイオード２４の第７電極２４２は、陰極であることができ、且つ電子注入効率を増加するため、陰極は、通常比較的低い仕事関数の複合金属材料、例えば、カルシウム/アルミニウム、フッ化リチウム/アルミニウム、フッ化セシウム/アルミニウム、バリウム/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用いることができる。
第１絶縁層２３３および第６電極２３４の厚さが適当(所定の厚さ)である時、第５電極２３１から注入された正孔が第１絶縁層２３３を透過した後、弾道式の方式で第６電極２３４を通過し、且つ第６電極２３４の電流の大きさを制御することによって、大多数の正孔が第６電極２３４を貫通して第４有機層２４１に注入するようにし、第６電極２３４に流れないようにする。
正孔が第６電極２３４を貫通し、第４有機層２４１に注入された後、第４有機層２４１箇所で第７電極２４２が注入する電子と相互に結合し、第４有機層２４１の発光層が光線を発出するようにする。また、第６電極２３４の電流を調整し、正孔が第２有機発光ダイオード２４に入る数量を制御でき、更に、第２有機発光ダイオード２４の発光強度の制御を達成することができる。
例を挙げれば、第２垂直式トランジスタ２３の第５電極２３１は、陰極であることができ、且つ電子注入効率を増加するため、陰極は、通常比較的低い仕事関数の複合金属材料、例えば、カルシウム/アルミニウム、フッ化リチウム/アルミニウム、フッ化セシウム/アルミニウム、バリウム/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用いることができる。また、第５電極２３１上に堆積された第３有機層２３２は、電子輸送層を含むことでき、電子輸送層は、第５電極２３１上に堆積されることができる。第１絶縁層２３３は、先ず電子輸送層上に堆積され、更に第６電極２３４を第１絶縁層２３３に堆積し、且つ第６電極２３４は、ベースであることができる。第２有機発光ダイオード２４の第７電極２４２は、陽極であり、且つ通常比較的高い仕事関数の材料、例えば、金、白金、アルミニウム/酸化モリブデン、アルミニウム/酸化モリブデン/ＰＥＤＯＴまたはその組み合わせを選択して用い、また、透明電極、例えば、酸化インジウム錫（Indium Tin Oxides，ITO）を用いることもできる。
同様に、第１絶縁層２３３および第６電極２３４の厚さが適当(所定の厚さ)である時、第５電極２３１から注入された電子が第１絶縁層２３３を貫通した後、弾道式の方式で第６電極２３４を通過し、且つ第６電極２３４の電流の大きさを制御することによって、大多数の電子が第６電極２３４から第４有機層２４１まで貫通し、第６電極２３４に流れないようにする。電子が第６電極２３４を通過し第４有機層に至った後、第４有機層２４１箇所で第７電極２４２が注入する正孔と相互に結合し、第４有機層２４１の発光層が光線を発出するようにする。従って、第６電極２３４の電流を調整し、電子が第２有機発光ダイオード２４に入る数量を制御し、第２有機発光ダイオード２４の発光強度の制御を達成する。
図５、図７および図８に示すように、透明基材は、第２垂直式トランジスタ２３側に設置されることができ、且つ基材１０は、透明基材、例えば、ガラス基材またはプラスチック基材等であることができ、即ち、第２垂直式トランジスタ２３の第５電極２３１を透明基材上に設置し、この時、第２有機発光ダイオード２４が発生する光線は、第７電極２４２が薄い金属電極であることによって、光線が第７電極２４２を透過し上向きに光を出すことができるので、検出待ちの物体４０を光検出装置構造上に設置し、検出に有利にすることができる。透明電極を選択して第５電極２３１とすることによって、光線が第５電極２３１と基材１０を透過し、下向きに透光し、上向きと下向きのいずれにも発光でき、同時に上下両側の物体４０に対して検出を行うことができる。
図６に示すように、透明基材は、第２有機発光ダイオード２４側に設置でき、且つ基材１０は、透明基材、例えば、ガラス基材またはプラスチック基材等であることができ、即ち、第２有機発光ダイオード２４の第７電極２４２を透明基材上に設置し、第４有機層２４１の発光層が発光する時、第７電極２４２が薄い金属電極であることによって、光線が第７電極２４２を透過した後、透明基材から下向きに光を出すことができ、且つ検出待ちの物体４０を光検出装置構造下方に置き、検出に便利にすることができる。上記の透明基材はフレキシブル性質を具備し、光検出装置構造を軟式電子装置に応用することに有利にすることができる。
図７は、光検出装置構造の実施形態７であり、そのうち、第２垂直式トランジスタ２３は、更に第５有機層２３５を有することができ、それは、電子輸送層、正孔輸送層、電子阻止層または正孔阻止層であることができ、且つ第５有機層２３５は、第２垂直式トランジスタ２３の第６電極２３４と第２有機発光ダイオード２４の第４有機層２４１の間に設置されることができる。
図７に示すように、第２垂直式トランジスタ２３側に透明基材を設置し、且つ透明基材の材料は、フレキシブルなガラス基材またはプラスチック基材等であることができる。しかしながら、もう１つの実施形態中、透明基材を第２有機発光ダイオード２４側（図示せず）に設置することもでき、また、透明電極を選択して第７電極２４２とし、第２有機発光ダイオード２４の発光層が発出する光線が、第７電極２４２を透過し、透明基材に下向きに透過し射出され、物体４０への入射に用いることができる。
図８は、光検出装置構造の実施形態８であり、そのうち、垂直駆動有機発光トランジスタ２０は、更に第５有機層２３５と第８電極２３６を有することができる。
第５有機層２３５は、電子輸送層、正孔輸送層、電子阻止層または正孔阻止層であることができ、且つ第５有機層２３５は、第６電極２３４上に堆積される。第８電極２３６は、第５有機層２３５に堆積され、第５有機層２３５が第６電極２３４と第８電極２３６の間に設置されるようにし、陰極または陽極として用いることができる。且つ第８電極２３６上に第４有機層２４１を堆積することができる。第８電極２３６の材質は、低い仕事関数の金属、例えば、アルミニウムまたは銀等であることができ、例えば、ＰＥＤＯＴの高電導高分子または金属およびその他の材料の多層構造、例えば、アルミニウム/酸化モリブデン、アルミニウム/酸化モリブデン/ＰＥＤＯＴ、金/ＰＥＤＯＴ等であることもできる。
第８電極２３６が光検出装置構造中、陰極または陽極とされる応用は、例を挙げれば、第２垂直式トランジスタ２３の第５電極２３１が陽極であり、第６電極２３４がベースであり、且つ第７電極２４２が陰極である時、第８電極２３６は陽極であることができる。同様に、第２垂直式トランジスタ２３の第５電極２３１が陰極であり、第６電極がベースであり、且つ第７電極が陽極である時、第８電極が陰極であることができる。
図８に示すように、第２垂直式トランジスタ２３側に透明基材を設置し、且つ透明基材の材料がフレキシブルなガラス基材またはプラスチック基材等であることができる。しかしながら、もう１つの実施形態中、透明基材を第２有機発光ダイオード２４側に設置することもでき（図示せず）、更に透明電極を選択して第７電極２４２とし、第２有機発光ダイオード２４の発光層が発出する光線が、第７電極２４２と透明基材を透過し下向きに射出され、物体４０に対して検出を行うことに用いることができる。
光検出ユニット３０は、図１〜図１１に示すように、基材１０の第２位置に設置され、設計上の要求に応じて第１位置と第２位置に所定の距離を隔てる。
光検出ユニットの１つの実施形態は、図９に示すように、光検出ユニットが第３垂直式トランジスタ３１と、光検出層３２と、第１２電極３３を有することができる。
第３垂直式トランジスタ３１は、第９電極３１１と、第６有機層３１２と、第１０電極３１３と、第１１電極３１４を有する。そのうち、第６有機層３１２は、第９電極３１１上に堆積され、且つ第６有機層３１２は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子阻止層、電子輸送層、電子注入層から組成されるグループから選択できる。第１０電極３１３は、第６有機層３１２の任意の位置に結合でき、第６有機層３１２の上方への設置を含む。第１１電極３１４は、第６有機層３１２上に堆積され、陰極または陽極として用いる。
光検出層３２は、第３垂直式トランジスタ３１に垂直に堆積され、且つ光電ダイオードの構造に類似したものであり、外部光線が光検出層３２に入射する時、光検出層３２は、光電流を発生することができ、且つ下方の第３垂直式トランジスタ３１から読み取ることができる。第１２電極３３は、光検出層３２に堆積され、光検出ユニット３０の陰極または陽極として用いる。
光検出ユニット３０の陰極または陽極の応用は、例を挙げれば、第３垂直式トランジスタ３１の第９電極３１１は、陽極であることができ、且つ通常比較的高い仕事関数の材料、例えば、金、白金、酸化モリブデン/アルミニウム、ＰＥＤＯＴ/酸化モリブデン/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用い、また、透明電極、例えば、酸化インジウム錫（Indium Tin Oxides，ITO）を用いることもできる。第９電極３１１上に堆積される第６有機層３１２は、正孔注入層および正孔輸送層を選択でき、そのうち、正孔注入層は、第９電極３１１に堆積され、正孔輸送層は、正孔注入層上に堆積されることができる。第１０電極は、グリッドであることができ、正孔輸送層中の任意の位置に結合され、正孔輸送層の上方を含む。第１１電極３１４は、第６有機層３１２上に堆積され、且つ陽極であることができ、例えば、ＰＥＤＯＴの高導電高分子または金属およびその他の材料の多層構造、例えば、アルミニウム/酸化モリブデン、アルミニウム/酸化モリブデン/ＰＥＤＯＴ、金/ＰＥＤＯＴ等であることができる。この時、第１２電極３３は、陰極であることができ、且つ電子注入効率を増加するため、陰極は、通常比較的低い仕事関数の複合金属材料、例えば、カルシウム/アルミニウム、フッ化リチウム/アルミニウム、フッ化セシウム/アルミニウム、バリウム/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用いることができる。
第１０電極３１３の効用は、正孔の光検出層３２への注入量を制御することであり、正孔が適当な第１０電極３１３と第１２電極３３の電圧調整の下、第１０電極３１３を貫通し第１１電極３１４に達することができる。この時、第３垂直式トランジスタ３１が低抵抗状態にあり、外部回路が光検出層３２の光電流を読み取り、更に光検出層３２が光線を検出したか否かを判読することができる。
例を挙げれば、第３垂直式トランジスタ３１の第９電極３１１は、陰極であることができ、電子注入効率を増加するため、陰極は、通常比較的低い仕事関数の複合金属材料、例えば、カルシウム/アルミニウム、フッ化リチウム/アルミニウム、フッ化セシウム/アルミニウム、バリウム/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用いることができる。同時に、第９電極３１１上に堆積された第６有機層３１２は、電子輸送層を選択でき、電子輸送層は、第９電極３１１上に堆積されることができる。且つ第１０電極３１３は、グリッドであることができ、電子輸送層中の任意の位置に結合でき、電子輸送層の上方を含む。また、第１１電極３１４は、第６有機層３１２上方に堆積され、且つ陰極であることができ、アルミニウムまたは銀等の材質を選択して用いることができる。この時、第１２電極３３は、陽極であることができ、且つ通常比較的高い仕事関数の材料、例えば、金、白金、酸化モリブデン/アルミニウム、ＰＥＤＯＴ/酸化モリブデン/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用い、また、透明電極、例えば、酸化インジウム錫（Indium Tin Oxides，ITO）を用いることもできる。
第１０電極３１３の効用は、第３垂直式トランジスタ３１の開閉を制御することである。正孔が適当な第１０電極３１３の電圧調整の下、第３垂直式トランジスタ３１は、開放状態にあることができる。第３垂直式トランジスタ３１が低抵抗状態にあり、外部回路が光検出層３２の光電流を読み取ることができ、更に、光検出層３２が光線を検出しているか否かを判読することができる。
図９に示すように、基材１０は、第１垂直式トランジスタ２１と第３垂直式トランジスタ３１側に設置されることができ、且つ基材１０は、透明基材、例えば、ガラス基材またはプラスチック基材等であることができ、即ち、第１垂直式トランジスタ２１の第１電極２１１と第３垂直式トランジスタ３１の第９電極３１１を透明基材上に設置できる。光線が第２有機層２２１の発光層が上向きに光を出す時、検出待ち物体４０が存在すれば、光線が物体４０によりフィルタ５０に反射され、且つ光線がフィルタ５０を通過し、光検出層３２に到達するようにする。
図１０に示すように、透明基材は、第１有機発光ダイオード２２と第１２電極３３側に設置することもでき、且つ基材１０は、透明基材、例えば、ガラス基材またはプラスチック基材等であることができ、即ち、第１有機発光ダイオード２２の第３電極２２２は透明基材上に設置され、第３電極２２２が薄い金属電極または透明電極であることができるので、第２有機層２２１の発光層が発光する時、光線が第３電極２２２を透過した後、透明基材から下向きに射出され、この時、検出待ち物体４０が存在すれば、光線が物体４０により第１２電極３３に反射され、第１２電極３３も透明電極を選択でき、光線が第１２電極３３を通過し光検出層３２に到達するようにする。
また、光検出ユニット３０は、ホットキャリアトランジスタ３４と、光検出層３２と、第１３電極３５を有することができる。
ホットキャリアトランジスタ３４は、エミッタ３４１と、第７有機層３４２と、第２絶縁層３４３と、ベース３４４と、第８有機層３４５と、コレクタ３４６を有する。そのうち、第７有機層３４２は、エミッタ３４１上に堆積され、且つ第７有機層３４２は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子阻止層、電子輸送層、電子注入層から組成されるグループから選択できる。第２絶縁層３４３は、第７有機層３４２とベース３４４の間に堆積され、ベース３４４は、第２絶縁層３４３上に堆積される。また、第８有機層３４５は、ベース３４４上に堆積され、電子輸送層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層が組成するグループから選択でき、コレクタ３４６は、第８有機層３４５上に堆積される。
光検出層３２は、ホットキャリアトランジスタ３４に垂直に堆積され、且つ光電ダイオードに類似した構造であり、外部光線が光検出層３２に入射時、光検出層３２中の電子と正孔を分離させ、光電流の変化を発生させる。第１３電極３５は、光検出層３２に堆積され、光検出ユニット３０の陰極または陽極として用いられる。
光検出ユニット３０の陰極または陽極の応用は、例を挙げれば、ホットキャリアトランジスタ３４のエミッタ３４１が陽極である時、通常比較的高い仕事関数の材料、例えば、金、白金、酸化モリブデン/アルミニウム、PEDOT/酸化モリブデン/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用い、また、透明電極、例えば、酸化インジウム錫を用いることもできる。同時にエミッタ３４１上に堆積される第７有機層３４２は、正孔注入層と正孔輸送層を選択して用いることができ、そのうち、正孔注入層は、エミッタ３４１に堆積され、正孔輸送層は、正孔注入層上に堆積されることができる。第２絶縁層３４３は、正孔輸送層上に堆積され、ベース３４４を第２絶縁層３４３に堆積することができる。また、ベース３４４上方に堆積された第８有機層３４５は、正孔注入層と正孔輸送層を選択して用いることができ、且つ正孔注入層がベース３４４に堆積し、正孔輸送層が正孔注入層上に堆積する。コレクタ３４６は、正孔注入層上に堆積されることができ、陽極であることができ、エミッタ３４１と同一の材料を使用することもできる。
光検出層３２上の第１３電極３５は、陰極であることができる。陰極は、通常比較的低い仕事関数の複合金属材料、例えば、カルシウム/アルミニウム、フッ化リチウム/アルミニウム、フッ化セシウム/アルミニウム、バリウム/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用いることができる。
第２絶縁層３４３とベース３４４が所定の厚さである時、エミッタ３４１から注入された正孔が第２絶縁層３４３を透過した後、弾道式の方式でベース３４４を通過し、ベース３４４の電流の大きさを制御することによって、大多数の正孔がベース３４４を貫通してコレクタ３４６に注入され、ベース３４４に流れないようにすることができる。
ホットキャリアトランジスタ３４は、低抵抗状態にある時、外部回路は、光検出層３２の光電流を読み取ることができ、更に光検出層３２が光線を検出しているか否かを判読することができる。
また、例を挙げれば、ホットキャリアトランジスタ３４のエミッタ341は、陰極であることができ、電子注入効率を増加するため、陰極は通常比較的低い仕事関数の複合金属材料、例えば、カルシウム/アルミニウム、フッ化リチウム/アルミニウム、フッ化セシウム/アルミニウム、バリウム/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用いることができる。また、エミッタ３４１上に堆積された第７有機層３４２は、電子輸送層を含むことができ、電子輸送層は、エミッタ３４１上に堆積されることができる。第２絶縁層３４３は、電子輸送層上に堆積され、ベース３４４を第２絶縁層３４３に堆積することができる。また、ベース３４４上方に堆積された第８有機層３４５は、電子輸送層を含むことができ、コレクタ３４６は、電子輸送層上に堆積されることができ、また、陰極であることができ、エミッタ３４１と同一の材料を使用することもできる。
光検出層３２上の第１３電極３５は、陽極であり、且つ通常比較的高い仕事関数の材料、例えば、金、白金、酸化モリブデン/アルミニウム、ＰＥＤＯＴ/酸化モリブデン/アルミニウムまたはその組み合わせを選択して用い、また、透明電極、例えば、酸化インジウム錫を用いることもできる。同様に、第２絶縁層３４３と電極３４４の厚さが適当である時、エミッタ３４１から注入された電子が第２絶縁層３４３を貫通した後、弾道式の方式でベース３４４を通過し、ベース３４４の電流の大きさを制御することによって、大多数の電子がベース３４４を透過してコレクタ３４６に注入れ、ベース３４４に流れないようにする。
ホットキャリアトランジスタ３４の電圧調節の下、外部回路が光検出ユニット３０と導通するか否かを決定することができ、更に、某１つの光検出ユニット３０の光電流変化を読み取るように指定することができる。
図１１に示すように、第２垂直式トランジスタ２３とホットキャリアトランジスタ３４側に透明基材を設置し、且つ透明基材の材料は、フレキシブルなガラス基材またはプラスチック基材等であることができる。しかしながら、もう１つの実施形態中、透明基材を第２有機発光ダイオード２４とフィルタ５０（図示せず）に設置することができ、透明電極を第７電極２４２として選択でき、第２有機発光ダイオード２４の発光層が発出する光線が第７電極２４２と透明基材を透過して下向きに射出でき、物体４０に入射することに用いることができる。また、第１３電極３５は、透明電極を選択でき、物体４０により反射された光線がフィルタ５０と第１３電極３５を透過した後、光検出層３２に入射し、光検出層３２の光電流変化を引き起こすことができる。
光検出ユニット３０の実施態様が図１〜図１１に示すように、光検出ユニット３０が光電ダイオードであるか、または光検出ユニット３０が光検出層３２と第３垂直式トランジスタ３１またはホットキャリアトランジスタ３４によって相互に整合し一体になることができる。また、上記の光検出ユニット３０の全ての実施態様が何れも実際の需要に応じて選択でき、垂直駆動有機発光トランジスタ２０と合わせて使用し、最も良好な性能を達成することができる。
そのうち、光検出ユニット３０は、光検出層３２と第３垂直式トランジスタ３１またはホットキャリアトランジスタ３４が相互に結合する時、第３垂直式トランジスタ３１またはホットキャリアトランジスタ３４の電圧を調整することによって、外部回路が光検出ユニット３０と導通しているか田舎を決定することに用いることができるので、某１つの光検出ユニット３０の光電流変化の読み取りを指定することができる。
光検出装置構造の垂直駆動有機発光トランジスタ２０が光線を発出する時、検出待ちの物体４０がない場合、光検出ユニット３０は、如何なる光線も受けることなく、如何なる光線も受けないことによって、光検出ユニット３０が導通できず、電流を発生しない。反対に、光検出装置構造前に検出待ちの物体４０がある場合、垂直駆動有機発光トランジスタ２０が発出する光線の一部が物体４０に吸収され、他の部分が反射されるので、光検出ユニット３０が物体４０の反射光線を受け、光検出ユニット３０を導通し、電流値の変化を発生する。
光検出ユニット３０上の電流値の変化は、外付け電子装置に合わせ、光検出ユニット３０の電流値の変化と垂直駆動有機発光トランジスタ２０が光線を発射する時間間隔または光強度の大きさを計算することに用い、これにより、物体４０と光検出装置構造間の距離を得ることができる。更に、光検出ユニット３０に吸収された反射光線の波長を、垂直駆動有機発光トランジスタ２０が発出した光線の波長と比較し、物体４０の吸収スペクトルを得ることができ、吸収スペクトルを分析することによって物体４０の組成成分を判読することができる。
例を挙げれば、人体内の細胞が官能化した後、正常な細胞と病変細胞が構造上の差異を発生する、例えば、がん細胞表面の官能化後、多くの特定できない波長が激発し光の分子を放出する。従って、垂直駆動有機発光トランジスタ２０が発生する特定波長を有する光線照射体表を利用し、病変細胞が特定波長の光線を照射された後、病変細胞上の分子が光線により激発され、病変細胞により反射され、且つ偏移波長を有する光線を放出し、光検出ユニット３０が反射された光線を受け、且つ検出した反射光線を分析し、体内に病変細胞、例えば、癌細胞の存在、の有無を判定することができる。これにより診断試験の時間を効率的に短縮でき、病人が早く医学治療を受けられるようにし、治癒率を上昇する。
図１２に示すように、複数の光検出装置構造を１つの陳列構造６０、例えば、４×４の陳列構造に整合することができる。各光検出装置構造中の垂直駆動有機発光トランジスタ２０の第１垂直式トランジスタ２１または第２垂直トランジスタ２３によって、それぞれ、第１有機発光ダイオード２２または第２有機発光ダイオード２４を駆動し発光させる。また、検出待ちの物体４０を設置する時、対応する光検出ユニット３０は、検出待ち物体４０により反射された反射光線を受信することができる。
例を挙げれば、光検出装置構造Ｐ１１中の垂直駆動有機発光トランジスタ２０が発光する時、光検出装置構造Ｐ１１中の光検出ユニット３０が最も多くの反射光線を受信し、光検出装置構造Ｐ６、光検出装置構造Ｐ７、光検出装置構造Ｐ８、光検出装置構造Ｐ９、光検出装置構造Ｐ１０、光検出装置構造Ｐ１１、光検出装置構造Ｐ１２、光検出装置構造Ｐ１４、光検出装置構造Ｐ１５、光検出装置構造Ｐ１６は、徐々に外に向かって減衰する。光検出装置構造が構成する陳列構造６０は、大きな範囲に検出待ち物体４０の反射光線を検出することができ、物体４０の形状の検出に応用することができる。
しかしながら、光検出ユニット３０は、垂直駆動有機発光トランジスタ２０が発出する光線波長を直接吸収し、光干渉を発生し、光線を検出待ち物体４０からの反射光線と誤って判断する可能性があり、物体４０の形状、組成成分等を誤って判断することが起こりうる。光干渉の影響を回避するため、図７に示すように、垂直駆動有機発光トランジスタ２０が上向きに発光時、更にフィルタ５０を光検出ユニット３０上に設置することができ、上方からの反射光線を受けることに用いる。または、図８に示すように、垂直駆動有機発光トランジスタ２０が下向きに光を出す時も、フィルタ５０を光検出ユニット３０と基材１０の間に設置することができる。垂直駆動有機発光トランジスタ２０が上下同時に出光する時、光検出ユニット３０の両側にそれぞれフィルタ５０を設置し、上方および下方からの反射光線が何れもフィルタ５０を経過するようにすることができる。
フィルタ５０の設置によって光干渉をフィルタし、光検出ユニット３０の光線波長の受信の精確性を向上する。
図９に示すように、フィルタ５０は、第１２電極３３上方に設置することができ、図１０に示すように、フィルタ５０を第１２電極３３と基材１０の間に設置することもできる。また、光検出層３２と第３垂直式トランジスタ３１の第１１電極３１４の間（図示せず）に設置することもできる。
図１１に示すように、フィルタ５０を第１３電極３５上方に設置することもでき、第２有機発光体と第１３電極３５側に透明基材を設置する時、フィルタは、第１３電極３５と基材１０の間（図示せず）に配置することができる。また、光検出層３２とホットキャリアトランジスタ３４のコレクタ３４６の間に設置することもできる（図示せず）。
また、光検出装置構造中の垂直駆動有機発光トランジスタ２０が発出する光線波長は、光検出ユニット３０の最も敏感な波長範囲を避けなければならず、フィルタ５０は、光検出ユニット３０の最も敏感な波長範囲外のその他の光線波長に設定することができ、光検出ユニット３０の精確度を向上させることができる。上記が有する実施形態は、いずれも需要に応じて光検出ユニット３０上にフィルタ５０を設置することができる。
また、光検出装置構造は、軟式電子装置であるので、物体４０表面に貼付でき、物体４０表面の文字または図形をスキャンでき、スキャナの性能を改良することに用いることができ、更に、フレキシブルスキャナの製造に応用することができる。
なお、本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない均等の範囲内で各種の変動や潤色を加えることができることは勿論である。
本発明の光検出装置構造の実施形態１の断面図である。 本発明の光検出装置構造の実施形態２の断面図である。 本発明の光検出装置構造の実施形態３の断面図である。 本発明の光検出装置構造の実施形態４の断面図である。 本発明の光検出装置構造の実施形態５の断面図である。 本発明の光検出装置構造の実施形態６の断面図である。 本発明の光検出装置構造の実施形態７の断面図である。 本発明の光検出装置構造の実施形態８の断面図である。 本発明の光検出装置構造の実施形態９の断面図である。 本発明の光検出装置構造の実施形態１０の断面図である。 本発明の光検出装置構造の実施形態１１の断面図である。 本発明の光検出装置構造の応用実施例図である。
符号の説明
１０ 基材
２０ 垂直駆動有機発光トランジスタ
２１ 第１垂直式トランジスタ
２１１ 第１電極
２１２ 第１有機層
２１３ 第２電極
２１４ 第４電極
２２ 第１有機発光ダイオード
２２１ 第２有機層
２２２ 第３電極
２３ 第２垂直式トランジスタ
２３１ 第５電極
２３２ 第３有機層
２３３ 第１絶縁層
２３４ 第６電極
２３５ 第５有機層
２３６ 第８電極
２４ 第２有機発光ダイオード
２４１ 第４有機層
２４２ 第７電極
３０ 光検出ユニット
３１ 第３垂直式トランジスタ
３１１ 第９電極
３１２ 第６有機層
３１３ 第１０電極
３１４ 第１１電極
３２ 光検出層
３３ 第１２電極
３４ ホットキャリアトランジスタ
３４１ エミッタ
３４２ 第７有機層
３４３ 第２絶縁層
３４４ ベース
３４５ 第８有機層
３４６ コレクタ
３５ 第１３電極
４０ 物体
５０ フィルタ
６０ 陳列構造
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６、Ｐ７、Ｐ８、Ｐ９、Ｐ１０、Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３、Ｐ１４、Ｐ１５、Ｐ１６ 光検出装置構造

Claims (31)

  1. 透明基材と、
    該透明基材の第１位置に設置される垂直駆動有機発光トランジスタと、 該透明基材の第２位置に設置される光検出ユニットと、
    を含み、
    前記垂直有機発光トランジスタは第１垂直式トランジスタおよび第１有機発光ダイオードを有し、
    前記第１垂直式トランジスタは、第１電極と、該第１電極に堆積される第１有機層と、該第１有機層に結合される第２電極とを有し、
    前記第１有機発光ダイオードは、該第１垂直式トランジスタに垂直に堆積される第２有機層と、該第２有機層に堆積される第３電極とを有し、且つ前記第２有機層は、光線を発出するように発光層を含み、
    該第１位置は、該第２位置と所定の距離を隔て、
    前記第１電極または前記第３電極は、該透明基材に貼合設置され、且つ前記第１電極及び前記第３電極は透明電極であり、発光層から発光される光線が前記第１電極、前記第３電極、及び該透明基材を透過して射出し、光線が上下両側の物体に上向きおよび下向きに発光を達成できることを特徴とする光検出装置構造。
  2. 前記第１有機層と前記該第２有機層の間に、第４電極を有することを特徴とする請求項１記載の光検出装置構造。
  3. 前記光検出ユニットは光電ダイオードであることを特徴とする請求項１記載の光検出装置構造。
  4. 前記光検出ユニットは、更に前記光検出ユニットの上に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項１記載の光検出装置構造。
  5. 前記光検出ユニットは、更に光検出ユニットと透明基材の間に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項１記載の光検出装置構造。
  6. 前記光検出ユニットは、第３垂直式トランジスタと、前記第３垂直式トランジスタに垂直に堆積される光検出層と、前記光検出層に堆積される第１２電極を有し、
    前記第３垂直式トランジスタは、第９電極と、前記第９電極に堆積される第６有機層と、前記第６有機層に結合される第１０電極と、前記第６有機層に堆積される第１１電極を有することを特徴とする請求項１記載の光検出装置構造。
  7. 前記第９電極または前記第１２電極は、該透明基材に貼合設置されることを特徴とする請求項６記載の光検出装置構造。
  8. 更に、前記光検出層と前記第３垂直式トランジスタの間に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項６記載の光検出装置構造。
  9. 更に、前記第１２電極の上方に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項６記載の光検出装置構造。
  10. 更に、前記第１２電極と該透明基材の間に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項６記載の光検出装置構造。
  11. 前記光検出ユニットは、ホットキャリアトランジスタと、前記ホットキャリアトランジスタに垂直に堆積される光検出層と、前記光検出層に堆積される第１３電極を有し、
    前記ホットキャリアトランジスタは、エミッタと、前記エミッタの上に堆積される第７有機層と、前記第７有機層に堆積される第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に堆積されるベースと、前記ベースの上に堆積される第８有機層と、前記第８有機層の上に堆積されるコレクタを有することを特徴とする請求項１記載の光検出装置構造。
  12. 前記エミッタまたは前記第１３電極は、該透明基材に貼合設置されることを特徴とする請求項１１記載の光検出装置構造。
  13. 更に、前記第１３電極の上方に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項１１記載の光検出装置構造。
  14. 更に、前記光検出層と前記ホットキャリアトランジスタの間に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項１１記載の光検出装置構造。
  15. 更に、前記第１３電極と該透明基材の間に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項１１記載の光検出装置構造。
  16. 透明基材と、
    該透明基材の第１位置に設置される垂直駆動有機発光トランジスタと、
    該透明基材の第２位置に設置される光検出ユニットと、
    を含み、
    前記垂直有機発光トランジスタは第２垂直式トランジスタおよび第２有機発光ダイオードを有し、
    前記第２垂直式トランジスタは、第５電極と、該第５電極に堆積される第３有機層と、該第３有機層に堆積される第１絶縁層、第１絶縁層の上に堆積される第６電極とを有し、
    前記第２有機発光ダイオードは、該第２垂直式トランジスタに垂直に堆積される第４有機層と、該第４有機層に堆積される第７電極とを有し、且つ前記第４有機層は、光線を発出するように発光層を含み、
    該第１位置は、該第２位置と所定の距離を隔て、
    前記第５電極または前記第７電極は、該透明基材に貼合設置され、且つ前記第５電極及び前記第７電極は透明電極であり、発光層から発光される光線が前記第５電極、前記第７電極、及び該透明基材を透過して射出し、光線が上下両側の物体に上向きおよび下向きに発光を達成できることを特徴とする光検出装置構造。
  17. 前記第２垂直式トランジスタが更に、該第６電極と該第４有機層の間に設置される第５有機層を有することを特徴とする請求項１６記載の光検出装置構造。
  18. 前記第２垂直式トランジスタが、更に第５有機層と第８電極を有し、該第５有機層は該第６電極と該第８電極の間に設置され、且つ、該第８電極は該第５有機層と該第４有機層の間に設置されることを特徴とする請求項１６記載の光検出装置構造。
  19. 前記光検出ユニットは光電ダイオードであることを特徴とする請求項１６記載の光検出装置構造。
  20. 前記光検出ユニットが、更に該光検出ユニット上に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項１６記載の光検出装置構造。
  21. 前記光検出ユニットが、更に該光検出ユニットと該透明基材との間に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項１６記載の光検出装置構造。
  22. 前記光検出ユニットは、第９電極を有する第３垂直式トランジスタと、該第９電極に堆積される第６有機層と、該第６有機層に結合される第１０電極と、該第６有機層に堆積される第１１電極と、該第３垂直式トランジスタに垂直に堆積される光検出層と、該光検出層に堆積される第１２電極とを有することを特徴とする請求項１６記載の光検出装置構造。
  23. 前記第９電極または該第１２電極が該透明基材に貼合設置されることを特徴とする請求項２２記載の光検出装置構造。
  24. 更に、前記光検出層と該第３垂直式トランジスタとの間に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項２２記載の光検出装置構造。
  25. 更に、前記第１２電極上に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項２２記載の光検出装置構造。
  26. 更に、前記第１２電極と該透明基材との間に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項２２記載の光検出装置構造。
  27. 前記光検出ユニットは、エミッタを有するホットキャリアトランジスタと、該エミッタに堆積される第７有機層と、該第７有機層に堆積される第２絶縁層と、該第２絶縁層に堆積されるベースと、該ベースに堆積される第８有機層と、該第８有機層に堆積されるコレクタと、該ホットキャリアトランジスタに垂直に堆積される光検出層と、該光検出層に堆積される第１３電極とを有することを特徴とする請求項１６記載の光検出装置構造。
  28. 前記エミッタまたは該第１３電極は、該透明基材に貼合設置されることを特徴とする請求項２７記載の光検出装置構造。
  29. 更に、前記第１３電極上に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項２７記載の光検出装置構造。
  30. 更に、前記光検出層と該ホットキャリアトランジスタの間に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項２７記載の光検出装置構造。
  31. 更に、前記第１３電極と該基材との間に設置されるフィルタを有することを特徴とする請求項２７記載の光検出装置構造。
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