JP4914959B2 - 透明シリカガラス発光材料およびその製造方法 - Google Patents
透明シリカガラス発光材料およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4914959B2 JP4914959B2 JP2005513474A JP2005513474A JP4914959B2 JP 4914959 B2 JP4914959 B2 JP 4914959B2 JP 2005513474 A JP2005513474 A JP 2005513474A JP 2005513474 A JP2005513474 A JP 2005513474A JP 4914959 B2 JP4914959 B2 JP 4914959B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica glass
- pressure
- light
- firing
- silica
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C12/00—Powdered glass; Bead compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/06—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/06—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction
- C03B19/066—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction for the production of quartz or fused silica articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B20/00—Processes specially adapted for the production of quartz or fused silica articles, not otherwise provided for
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
- C03B2201/03—Impurity concentration specified
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
- C03B2201/03—Impurity concentration specified
- C03B2201/04—Hydroxyl ion (OH)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
下記に示すシリカガラスに関する文献では、微粒子の焼結過程については述べられているが、透明性シリカガラスではなく、また、発光特性(もちろん白色発光)については報告されていない(特許文献2、特許文献3、特許文献4、非特許文献2、非特許文献3、非特許文献4)。
一方、本発明に係るシリカガラスの製造方法では、溶融を経ずにシリカ微粒子の固相反応により作製する。具体的には、化学的に活性なシリカの表面同士の反応を利用した加圧成形を経て、溶融する場合と比較して低温な温度条件で、加圧成形体を焼成することにより、アモルファス(非晶質)の欠陥を生成し、かつ、欠陥を緩和せずに保持した状態でシリカガラスを製造する。
そこで、500〜1400℃の温度範囲として、シリカ微粒子のOH基の脱水縮合の過程で生成した欠陥を緩和せずに保持できるようにした。
また、本発明に係る透明シリカガラス発光材料の製造方法は、加圧成形と焼成という簡易な製造プロセスであり、また、その焼成温度範囲から、低温度で容易に製造することができるという効果を有する。
上記の発光特性、製造プロセスから、白色LEDなどの蛍光材料として実用化できる可能性が高い。
なお、実際に使用したフュームドシリカは、以下の通りである。
・製造メーカー:Sigma,St.Louis,Missouri,USA
・型番:S 5130
・粒径:7nm
また、標準的なフュームドシリカの不純物の分析値を以下に示しておく。
・Al2O3 0.001%以下,Fe2O3 0.0001%,以下TiO2 0.001%以下
本発明者等が鋭意研究を続けた結果、980℃の場合は、168hrの時間の焼成が好ましいことを見出した。
図10に、980℃,168時間焼結して得た試料の510nmの発光強度の時間変化の温度依存性を示すグラフ図を示す。ここで、実線は下記数1で示す伸張型指数関数(stretched exponential function)をもちいたフィッティングの結果を示している。
図5に示された2つの指数関数によるフィッティングは、寿命が2成分あると考えた場合に相当する。図10に示した伸張型指数関数では、寿命が2成分ではなく、多成分存在する考えていることになる。本試料において、βの値は0.5程度であることから、本発光過程は、短寿命(数μ秒程度)から長寿命(数千μ秒)におよぶ非常に寿命の分布幅の広いものであることが理解できる。このような寿命の分布幅の広い原因としては、以下の理由が考えられる。
(2)生成した電子と正孔は、試料中を拡散する。
(3)拡散の過程で、電子と正孔が再結合し、その結果発光が観測される。
(4)電子−正孔の生成、拡散から再結合が起こるまでにに時間的幅があるため、その幅が寿命の分布として現れる。
次に、図中のSTEP2bは、生成した電子と正孔が再結合する前に、試料中を拡散する過程である。
なお、STEP1で生成した電子・正孔は、STEP2a,STEP2bのいずれかの過程とたどる。
STEP2a,2b,3は、生成した電子と正孔がその場で、または拡散を経た後再結合し可視発光する過程といえる。
図6に、フォトルミネッセンス(PL)のスペクトル図(980℃,1000℃,1100℃で焼成したシリカガラスのもの)を示す。図6から、焼成温度が1000℃より大きい場合は、フォトルミネッセンス(PL)のスペクトルにおいて、波長400〜500nmに第1の発光のピークを有し、波長650nmに第2の発光のピークを有し、可視光の波長域でブロードな発光特性を有する透明シリカガラスが生成できることがわかる。
なお、このピークより短波長側でも励起スペクトルの強度は上昇していることから、より短波長の励起でも、240nmにおける励起と同等の発光強度が得られることが予想できることになる。
上述の実施例1および実施例2における透明シリカガラスの製造プロセスでは、フュームドシリカを前熱処理することなしに加圧成形体を作製して、その成形体を熱処理することで透明シリカガラスを作製している。本実施例では、新たに、フュームドシリカを1000℃で2時間、前熱処理を行い、その試料を用いて加圧成形体を作製し、その成形体をさらに熱処理することで透明シリカガラスを作製する。
また、従来の510nm付近の発光強度も、この前熱処理により、強度が2倍程度増加していることが示されている。
上述の実施例1および実施例2における透明シリカガラスの製造プロセスでは、加圧成形体を作製する圧力は529MPaと一定であった。本実施例では、発光現象に対する圧力の効果、すなわち発光現象の圧力依存性を確認するため、その30分の1の圧力(18MPa)で成形体を作製している。
また、従来の500nm付近の発光強度も、加圧成形圧力を低くして試料を作製することにより、前熱処理を加えて作製した透明シリカガラスと同様、強度が2倍程度増加していることが示されている。
シリカ微粒子を加圧成形して加圧成形体を形成する加圧プロセスにおいて、加圧成形圧力が低いと、成形体内部で粒子間距離が(これまでより)長くなると予想される。従って、シリカ微粒子の間で十分な粒子間反応が起きるまでに、より長時間要することとなる。その結果、加圧成形圧力を低くして作製した透明シリカガラスの場合、透明化に至るまでの反応時間が長くなったものと考えている。
1)照射レーザ源
Pulsed Nd:YAG laser
(Spectra Physics INDI−40)
・excitation wavelength:266nm
・pulse width:5−8ns
・repetition rate:10Hz
・beam diameter<10mm
・laser energy:1−2mJ
2)モノクロメータ
Action Reserch SpectraPro 300i Grating
・150g/mm Gratings(500nm Blaze)
3)検出器
ICCD
(Princeton Instruments PI−MAX 1024RB)
・CCD format 1024x256 imaging pixels
・peak QE minimum 15−20%
・gate time 9ns
Claims (9)
- シリカ微粒子を加圧成形して加圧成形体を形成する加圧工程と、該加圧成形体を焼成する焼成温度が900〜1000℃の温度範囲で、焼成時間が120〜200hrの時間範囲で行う焼成工程とからなり、該加圧成形体にアモルファス(非晶質)の欠陥が生成され、かつ、欠陥が緩和されずに保持されることを特徴とするシリカガラス発光材料の製造方法。
- シリカ微粒子を加圧成形して加圧成形体を形成する加圧工程と、該加圧成形体を焼成する焼成温度が1000〜1100℃の温度範囲で、焼成時間が72hrの時間で行う焼成工程とからなり、該加圧成形体にアモルファス(非晶質)の欠陥が生成され、かつ、欠陥が緩和されずに保持されることを特徴とするシリカガラス発光材料の製造方法。
- 請求項1又は2に記載の製造方法において、前記シリカ微粒子が気相法によって合成される、粒径が1〜100nmの高純度のナノサイズシリカ微粒子であるフュームドシリカ(fumed silica)であることを特徴とするシリカガラス発光材料の製造方法。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法において、シリカ微粒子に半導性及び/又は導電性を有する無機物質の粒子を混合して加圧成形および焼成工程を行うことを特徴とするシリカガラス発光材料の製造方法。
- 請求項3に記載のシリカガラス発光材料の製造方法において、前記加圧成形体を形成する加圧工程の前に、フュームドシリカを1000℃で2時間熱処理を行う前熱処理工程を備えたことを特徴とするシリカガラス発光材料の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の製造方法により得られる透明シリカガラス発光材料であって、フォトルミネッセンス(PL)のスペクトルが、波長500〜520nmに発光のピークを有し、半値全幅(FWHM)が200〜300nmのブロードな発光特性を有することを特徴とするシリカガラス発光材料。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の製造方法により得られる透明シリカガラス発光材料であって、フォトルミネッセンス(PL)のスペクトルが、波長400〜520nmに第1の発光のピークを有し、波長640〜660nmに第2の発光のピークを有し、可視光の波長域で波長範囲が300〜800nmのブロードな発光を示すことを特徴とするシリカガラス発光材料。
- 請求項6又は7に記載のシリカガラス発光材料が、600nmにおける可視光透過率が75%以上である透明性を有することを特徴とするシリカガラス発光材料。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の製造方法により得られる透明シリカガラス発光材料、又は、請求項6〜8のいずれかに記載の特徴を有するシリカガラス発光材料を蛍光体として用いた発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005513474A JP4914959B2 (ja) | 2003-08-29 | 2004-08-27 | 透明シリカガラス発光材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003305634 | 2003-08-29 | ||
JP2003305634 | 2003-08-29 | ||
PCT/JP2004/012373 WO2005021449A1 (ja) | 2003-08-29 | 2004-08-27 | 透明シリカガラス発光材料およびその製造方法 |
JP2005513474A JP4914959B2 (ja) | 2003-08-29 | 2004-08-27 | 透明シリカガラス発光材料およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005021449A1 JPWO2005021449A1 (ja) | 2007-11-01 |
JP4914959B2 true JP4914959B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=34269356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005513474A Expired - Fee Related JP4914959B2 (ja) | 2003-08-29 | 2004-08-27 | 透明シリカガラス発光材料およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060258525A1 (ja) |
EP (1) | EP1669327A2 (ja) |
JP (1) | JP4914959B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0913027A (ja) * | 1992-05-11 | 1997-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 蛍光体の製造方法 |
JP2003201138A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-07-15 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | シリカガラスの製造方法 |
JP2004224629A (ja) * | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Japan Science & Technology Agency | 透明シリカガラスの製造方法 |
-
2004
- 2004-08-27 JP JP2005513474A patent/JP4914959B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-27 EP EP04772329A patent/EP1669327A2/de not_active Withdrawn
- 2004-08-27 US US10/569,822 patent/US20060258525A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0913027A (ja) * | 1992-05-11 | 1997-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 蛍光体の製造方法 |
JP2003201138A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-07-15 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | シリカガラスの製造方法 |
JP2004224629A (ja) * | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Japan Science & Technology Agency | 透明シリカガラスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1669327A2 (de) | 2006-06-14 |
WO2005021449A2 (ja) | 2005-03-10 |
JPWO2005021449A1 (ja) | 2007-11-01 |
WO2005021449A3 (ja) | 2005-04-21 |
US20060258525A1 (en) | 2006-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Kesavulu et al. | Physical, vibrational, optical and luminescence investigations of Dy3+-doped yttrium calcium silicoborate glasses for cool white LED applications | |
JP4961526B2 (ja) | シリカ微粒子の表面修飾を利用した可視発光材料およびその製造方法 | |
JP6572373B1 (ja) | β型サイアロン蛍光体の製造方法 | |
Mondal et al. | Influence of doping and annealing temperature on the structural and optical properties of Mg2SiO4: Eu3+ synthesized by combustion method | |
Kang et al. | Processing-dependence and the nature of the blue-shift of Bi 3+-related photoemission in ScVO 4 at elevated temperatures | |
Maciel et al. | Photon conversion in lanthanide-doped powder phosphors: concepts and applications | |
Katelnikovas et al. | Synthesis and optical properties of yellow emitting garnet phosphors for pcLEDs | |
Andrade et al. | Tunable light emission and similarities with garnet structure of Ce-doped LSCAS glass for white-light devices | |
Miao et al. | Blue LED‐pumped broadband short‐wave infrared emitter based on LiMgPO4: Cr3+, Ni2+ phosphor | |
KR101854114B1 (ko) | 금속불화물 적색 형광체 및 이를 이용한 발광소자 | |
JP5508817B2 (ja) | β型サイアロン蛍光体の製造方法 | |
KR102432725B1 (ko) | 안정적인 유속 출력 대 온도를 갖는 백색 인광체 변환 led | |
Ye et al. | CsPbBr3 nanocrystals embedded glass enables highly stable and efficient light-emitting diodes | |
Chen et al. | Near-infrared-laser-driven robust glass-ceramic-based upconverted solid-state-lighting | |
Chen et al. | Low temperature quenching and high efficiency Tm3+, La3+ or Tb3+ co-doped CaSc2O4: Ce3+ phosphors for light-emitting diodes | |
Lohia et al. | Novel multi-wavelength excitable single-component phosphor system for application in white-LEDs | |
Zhang et al. | Regulated broadband visible emission of Bi ions-doped borosilicate glass | |
TW201802229A (zh) | 螢光體及發光裝置 | |
JP4914959B2 (ja) | 透明シリカガラス発光材料およびその製造方法 | |
JP4528948B2 (ja) | 蛍光体ガラス材料 | |
Huerta et al. | Multicolor emission in potassium-zinc phosphate glasses activated with Dy3+, Tb3+ and Dy3+/Tb3+ for photonic device applications | |
KR100367854B1 (ko) | 툴리움을 포함하는 백색 발광다이오드용 알루미늄산이트륨황색 형광체 및 그 제조방법 | |
Doan et al. | Highly stable white light emission from III-nitride nanowire LEDs utilizing nanostructured alumina-doped Mn4+ and Mg2+ | |
JP5509997B2 (ja) | 光変換用セラミック複合体の製造方法 | |
In et al. | Up‐conversion phosphor plate for white lighting device using NIR excitation source |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AA64 | Notification of invalidation of claim of internal priority (with term) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A241764 Effective date: 20061010 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070228 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101115 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110905 |
|
R155 | Notification before disposition of declining of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R155 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20111124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111212 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |