JP4911875B2 - イオンビームスパッタ成膜法 - Google Patents
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Description
本発明は、一般的にABxと表示される検出器材料(例えばVOxであり得る)、及び該検出器材料の製造に使用される方法に関する。他の態様において、当該検出器材料は、二つ以上の種(そのうちの少なくとも一つの種は気相状態にある)の反応によって形成される任意の材料であり得る。VOxのxは、本発明の方法によってスパッタ成膜されるピクセルに適合する値であって、必ずしも“2”のような特定の数字でなく、1〜2.5の範囲でよい。該材料は、高性能マイクロボロメータのピクセルの一部として成膜される。該材料はイオンビームスパッタリングによって成膜されるが、成膜プロセスの制御によりマイクロボロメータ用検出器に適したフレキシブルな検出器の製造法がもたらされた。これらの検出器材料は、高性能検出器に適合する光学的、電気的、及び熱的特性を有するが、それらの性質は個々のアレイ設計の要件に合わせて容易に改変することも可能である。
好ましい態様の説明
制御されたイオンビームスパッタ成膜法によって成膜されたVOxは、広範囲の性能特性を有するボロメータ用の検出器フィルムを生み出し、それがフレキシブルな検出器の製造法の開発につながった。本発明の検出器フィルム材料のいくつかの利点を記す(本発明は、これらの材料のクラス及びこれらの材料の製造に使用される加工技術に関する)。0.005から>0.03の範囲、例えば0.05のような高いTCRを有するボロメータ用フィルム材料が実証された。図1に示されているように、所定の抵抗率において、これらの材料は、いくつかの結晶性材料(これらはピクセル上に製造されていない)を除くいかなる公知材料よりも、マイクロボロメータで高性能を示す。図1は、ABx(例えばVOx)と各種材料のTCR対導電率の比較を示すグラフである。このクラスの材料には、抵抗とTCRの間に、TCR=C+D*log(導電率)(式中“C”及び“D”は定数)の関係式で与えられる実験的に決定された関係がある場合がある。例えば、TCR=−(0.03−0.01*log(導電率))などでありうる。異なる抵抗率の材料(成膜プロセスをわずかに変更して得られる)を検出器の異なるパターンや厚さと組み合わせて使用することにより、広範囲のピクセル抵抗及びTCR特性が可能である。図2に示すように、これらの電気的特性は、どの具体的なVOxフィルムについても、広範囲の温度にわたって正常に動作し、またキャラクタライズされており、狭い転移領域に限定されていない。いずれの具体的なVOxフィルムについても、抵抗は、Ln(R)=E+(F/T)(式中“E”及び“F”は定数、“T”は温度)で与えられるので、1/R・dR/dTで定義されるTCRは、TCR=−F/T2となる。図2は、高TCRのVOx検出器フィルムの電気的特性を示す。これらの特徴から、材料が広い温度範囲にわたって正常な動作性を示すことが明らかになる。抵抗レベルは、最適の応答性を得るために高電流でのボロメータ作動を可能にする適正な範囲にある。フィルムは非晶質で、VO2のおける相転移の影響とは異なり、潜熱の影響はない。フィルムは高温にしなければアニール後も安定である。アニールによる抵抗の変化は明確にされており、初期の成膜条件を変化させることによって補正できる。1/fノイズレベルは、式:
VOxの光学的特性は検出器の高吸光度に適合する。重要な熱的特性であるVOxの熱的質量は、主要なピクセル材料、例えばSi3N4に匹敵する。これらのVOxフィルムは数百オングストローム(Å)から1500Åの厚さ範囲にわたって高TCRを有する。このフィルム材料はマイクロボロメータの特性に適合する。該VOx材料の特性は、図3から明らかなように、本発明の方法のイオンビームスパッタ成膜の環境を単に変化させるだけで容易に変更できる。図3は、ガス制御レベル等のイオンビームスパッタ成膜環境の制御によるVOx抵抗の決定を示すグラフである。本発明のイオンビームスパッタリングは、酸化プロセスを十分に制御することにより、非化学量論的なVOxフィルムの形成を可能にしている。他の反応性成膜技術では、酸化プロセスは化学量論的材料だけの形成に終わる方向に進行しがちである。イオンビームスパッタ成膜は低温成膜プロセスである。このことは、成膜の間にフォトレジストを使用するリフトオフ法によって、VOxフィルムのパターニングに柔軟性をもたらしうるということを意味する。
ウェハ11のプロセス18はSiO2を成膜するための段階64に進む。工程65で、ターゲットホルダー36を回転させ、ターゲット47の面が、イオンビーム35が作動したときにその中心の方向に対して45°の角度になるようにする。酸素流はMFC51で2.0scc/mに設定する。まず、工程66でウェハ11をカルーセルによって回転させる。イオンガン33を50mA、2kVで作動させ、ターゲット47を300秒間プレスパッタする。シャッタ55を開き、タイマー57をスタートさせる。タイマー57は、工程67で、1秒当たり0.33Åの成膜速度でウェハ11上に所望の厚さのSiO2が達成できる時間に設定される。次にシャッタを閉じる。次に、工程68でSiO2成膜のためにウェハ11をカルーセル19によって回転させ、前のウェハ11にSiO2を成膜した工程を繰り返す。最後のウェハ11がSiO2の成膜によって被覆されたら、段階64の工程69でシステム10をシャットダウンする。イオンビーム35を止め、MFC51を0.0scc/mに設定し、イオンビーム源33を切り、基板回転装置70とカルーセル19を停止させる。システム10がクールダウンするまで45分間待つ。クールダウン後、Hivacバルブ24を閉じ、システム10を供給71からバルブ72を通じて乾燥N2で通風する。システム10が大気圧になったら開けてウェハ11を取り出してよい。別の組の基板又はウェハ11でプロセス18をスタートするには、ウェハ11を上部チャンバ31にポート15から入れ、システムを閉じる。クォーツランプ45をオンにしてシステム10内が80℃の温度になるようにプレセットレベルに合わせる。N2の通風ガスバルブ72を閉じ、MFC37とMFC39を0.0scc/mに設定する。次にクライオポンプ23でポンプダウンし、Hivacバルブ24を開く。漏れをチェックし、前述のプロセス18を繰り返す。前述の態様のパラメータ及び設定は単に例示的なものであり、場合より変動しうる。
Claims (11)
- イオンビームスパッタ成膜法で酸化物材料を成膜させる方法であって、
酸素を含有するチャンバ内でターゲットの状態をイオンで調節し;
酸素を含有するチャンバ内でターゲットをイオンでスパッタし;および、
ターゲットのスパッタ中にチャンバ内の酸素分圧を制御する;
工程を含み、
成膜させる材料が非化学量論組成を有するVOx材料であり、
前記xは、前記VOxの導電率の対数が0〜3で、抵抗温度係数を0.005〜0.05とする値であり、
前記ターゲットの状態を調節する工程は、
チャンバ内への第一の酸素流量を設定し、前記第一の酸素流量に対応する第一の酸素分圧を測定し;
前記酸素流量を段階的に増加させて第二の酸素流量にし、前記第二の酸素流量に対応する第二の酸素分圧を記録し;
前記第一の酸素分圧を前記第二の酸素分圧と比較し;そして、
前記第二の酸素分圧が前記第一の酸素分圧より大きいことを確認し;
酸素分圧の設定値を前記第一の酸素分圧と前記第二の酸素分圧の間に設定する;
ことを含み、
前記方法は、100℃を超えない温度で実施される、
酸化物材料の成膜方法。 - チャンバ内の酸素分圧の制御が、
残留ガス分析器でチャンバ内の酸素分圧を検出し;
前記残留ガス分析器で検出された分圧に応じてチャンバ内への酸素流入を調整する;
工程を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記酸素分圧の設定値の増加分が、前記第一の酸素分圧と前記第二の酸素分圧間の差の半分に相当する、請求項1に記載の方法。
- 前記ターゲットの状態を調節する工程が、
前記第二の酸素分圧が前記第一の酸素分圧の10倍未満であることを確認し;
前記酸素流量を段階的に増加させて第三の酸素流量にし、前記第三の酸素流量に対応する第三の酸素分圧を記録する;
ことをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記反応性ターゲットがバナジウムを含む、請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 前記イオンがアルゴンイオンである、請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の方法によって製造される、マイクロボロメータアレイに使用するためのピクセル。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の方法によって製造されるVOx材料。
- イオンビーム源をその中に有するチャンバ;
前記チャンバに連結された残留ガス分析器;
前記残留ガス分析器に接続されたコンピュータプロセッサ;及び
前記プロセッサに接続されたコントローラ;
を含み、
前記コンピュータプロセッサが前記残留ガス分析器を監視し、前記残留ガス分析器によって測定された酸素分圧に基づいて前記コントローラを経由してチャンバ内への酸素の質量流量を調節する、
イオンビームスパッタ成膜に使用するための装置であって、請求項1〜6のいずれかの方法に使用するための装置。 - チャンバ内に配置されたバナジウムの反応性ターゲットをさらに含む、請求項9に記載の装置。
- イオンガンに連結されたアルゴン源をさらに含む、請求項9又は10に記載の装置。
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