JP4902111B2 - 監視付レーザ衝撃ピーニング - Google Patents

監視付レーザ衝撃ピーニング Download PDF

Info

Publication number
JP4902111B2
JP4902111B2 JP2004315276A JP2004315276A JP4902111B2 JP 4902111 B2 JP4902111 B2 JP 4902111B2 JP 2004315276 A JP2004315276 A JP 2004315276A JP 2004315276 A JP2004315276 A JP 2004315276A JP 4902111 B2 JP4902111 B2 JP 4902111B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
film
peening
detector
target position
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004315276A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005163174A (ja
Inventor
リチャード・エドウィン・ワレン,ジュニア
フィリップ・ランダル・スタバー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JP2005163174A publication Critical patent/JP2005163174A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4902111B2 publication Critical patent/JP4902111B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/009Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a non-absorbing, e.g. transparent, reflective or refractive, layer on the workpiece
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/18Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using absorbing layers on the workpiece, e.g. for marking or protecting purposes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D10/00Modifying the physical properties by methods other than heat treatment or deformation
    • C21D10/005Modifying the physical properties by methods other than heat treatment or deformation by laser shock processing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Description

本発明は、金属加工物の表面ピーニングに関し、より具体的には金属加工物表面のレーザ衝撃ピーニングに関する。
金属部材の疲労強度は、このような部材の表面に圧縮残留応力を導入することにより改善することができる。これは典型的には、小さな金属製弾丸で表面をショットピーニングして金属表面層を塑性変形させ且つ圧縮することにより達成される。ピーニング処理の効果を確実なものとするために、金属表面は均一にピーニングされなくてはならない。
レーザ衝撃ピーニング(LSP)は、ピーニングにおいて最近開発されたものであり、高いピーク出力のレーザを使用して機械的な衝撃波を発生させ金属表面に圧縮残留応力を発生させるようにする。この処理は、黒色ペイント又はテープなどの吸収物質を金属表面上に施してレーザビームからのエネルギーを吸収し急速に膨張又は爆発するプラズマを発生させることによって行われる。プラズマは、金属表面を塑性変形して表面内に残留圧縮応力を導入できる衝撃波を発生する。
LSPは、膨張プラズマを局所的に閉じ込めて金属表面に対する爆発圧力を集中させることによって大幅に改善される。これは典型的には、表面上を連続的に流れてLSPが行われる時に補充される水の薄い閉込層で金属表面を覆うことによって達成される。
レーザの高出力は、レーザを好適な繰返し率又はパルス繰返し数のパルスモードで作動させることにより発生する。このように各パルスのエネルギーを最大化して衝撃ピーニング効果を最大にすることができると共に、連続するレーザビームパルス間における閉込め水膜の補充が可能になる。
ピーニング位置における各レーザパルスの小爆発の発生により、水膜は一時的に分断される。従って、連続的なパルスショットを効率的に閉じ込めるためには、十分に厚く滑らかな水膜が各ピーニングパルス後に確実に再生成されるよう、出力レーザの繰返し数は十分に低くなくてはならない。繰返し数が過度に大きく、且つ水膜が速やかに再生成されない場合には、連続するレーザパルスは適切に閉じ込められず、従ってピーニング処理の品質が劣化し、ピーニング処理全体の効率が低下することになる。
LSP用に構成された高出力パルスモードレーザは、高い平均出力熱負荷の下で性能が最適化される。このようなパルスレーザは、これに対応したパルス繰返し率において最大の効率で作動する。しかしながら、閉込め膜を確実に再生成するためにパルスレーザをその設計パルス繰返し率を下回って作動させると、レーザ性能の低下を生じることになる。
LSPに対する水膜の効果を確保するために水膜の品質を監視する実用的な方法は、現在のところ存在しない。LSP処理において、加工物表面上を適正な水の膜が流れ、且つこの水膜が各レーザパルス後に適切に再生成されることを保証するよう注意する必要がある。これは現在のところ、水膜を目視観察して、適正な閉込め水膜の再生成を確保するためにパルス繰返し率を約4秒毎に1パルスよりも大きくならないように制限することによって達成されている。
米国特許6,570,126号 米国特許6,559,415号 W.Koechner著「Solid−State Laser Engineering」第4版、1996年、Springer−Verlag、New York
従って、レーザパルスの繰返し率を増大させてLSP処理の効率を改善するために、閉込め膜の自動監視を含むレーザ衝撃ピーニングシステムを提供することが望ましい。
パルスレーザは、加工物をレーザ衝撃ピーニングするために加工物上の流体膜の上のターゲット位置にパルスレーザビームを投射するように構成される。流体膜は、ターゲット位置にプローブレーザビームを投射するプローブレーザと、ターゲット位置からのプローブビームの反射を検出する光検出器とによって監視される。パルスレーザは、監視された膜に応じてパルスビームを放出するよう検出器によって調整される。
図1において、塑性変形及びその結果生じる圧縮残留応力を導入するために金属加工物12の一方の面をレーザ衝撃ピーニングするように構成された本発明の例示的な1つの実施形態によるレーザ衝撃ピーニング(LSP)システム10が示されている。
好ましい実施形態における加工物の反対側の面を同時にピーニングして加工物に導入される圧縮応力を均衡させる同一のシステム10が、図1の加工物12の右側に四角枠で概略的に示されている。従ってこのシステムは、金属加工物のどの表面上でも要求に応じて単独或いは両面のピーニングと共に使用することができる。
図2に一部を拡大して示した加工物12は、該加工物の外表面をレーザ衝撃ピーニングすることが望ましい任意の従来構成を有することができる。LSPは、光エネルギーを吸収して処理中に所望の爆発プラズマを生成するために、最初に加工物の露出表面上に光吸収層又はアブレーティブ層14を設けることによって行われる。吸収層14は、加工物の露出表面上に塗布される黒色ペイント又はテープなどの任意の従来の形態をとることができる。
図1に示すように、1つ又はそれ以上の吐出ノズル16を含む好適な手段を設けて、作業中に光吸収層14の上又はこれに沿った加工物の露出表面上に水18を吐出する。両面を同時にピーニングすることになる場合には、典型的には同一の方法で加工物の反対側の表面上に水を吐出することもまた必要であろう。加工物は、水が加工物表面上を単純に垂直方向下向きに流れ落ちて加工物表面上に比較的薄い膜を形成するように垂直に配向することができる。水膜18は、作業中に生じる衝撃ピーニングプラズマを局所的に限定するために吸収層14上に液体閉込層を形成する。
ピーニングレーザ20は、パルスレーザビーム22を発生させて、これを加工物上部の流体膜のターゲット位置又は作業位置24に投射する。ピーニングレーザは、高エネルギーレーザパルスを発生させるためにパルスモードで作動する高ピーク出力レーザであるのが好ましく、該高エネルギーレーザパルスは、ターゲット位置24に配向される周期的レーザを形成するパルス列として投射される。レーザビームがLSPを必要とする加工物の露出表面全体を横切ることができるようにレーザもしくは加工物を移動することができる。レーザビームと加工物との間のこのような相対運動は、レーザ又は加工物を好適に駆動するキャリッジに装着することにより任意の従来方法で行うことができる。
ピーニングレーザ20は、例えば約1ギガワットより大きな例示的な出力を有するQスイッチモードで作動される、ネオジミウムがドープされたガラス(Nd:ガラス)レーザなどの任意の従来型構成のものとすることができる。例えばピーニングレーザ20は、光励起されてレーザビームを発生する好適な利得物質から成るレーザスラブ又はロッド26を含むのが好ましい。
レーザロッド26は、レーザロッド26を光励起するための任意の従来型構成の対向するフラッシュランプ28を含む冷却ハウジング内に取り付けられる。1対の末端ミラー30がレーザロッドの両端に配置され、レーザビームが発生する共振器又は発振器キャビティを生成する。レーザビームを発生させるために偏光子を含む従来型の光学素子を共振器キャビティ内で使用する。例えば、ポッケルスセルの形態のQスイッチ32を共振器キャビティ内で使用してレーザから高パルス出力を発生させる。
高出力パルスレーザにおけるQスポイリング又はQスイッチングは、従来形のものであって、更なる詳細は、W.Koechner著「Solid−State Laser Engineering」第4版、1996年、Springer−Verlag、New Yorkの文献の特にQスイッチングについて述べた第8章で見られる。
ピーニングレーザ20は、ターゲット位置24にある加工物12に向けて実質的に垂直に配向されるのが好ましい。図2に拡大して示すように、パルスビーム22は、薄い水膜18を透過して下にある光吸収層14に衝突するように配向され、この光吸収層14は、レーザビームエネルギーを吸収して瞬間的に効果的に爆発し、膜18により局所的に限定されたプラズマを発生する。
爆発するプラズマは、ターゲット位置の下で加工物の露出表面を塑性変形させ、残留圧縮応力を有する小さな表面窪みを残す衝撃波を発生する。図2に示す加工物12の下方部分にはLSP処理が施されおり、ここでピーニングレーザビーム22は、垂直方向に移動して垂直方向のLSP処理を継続すると共に、所望に応じて加工物の露出表面を横方向に横断し、加工物の露出表面内に均一な塑性変形された圧縮層を形成している。
適度に薄い閉込層を生成するよう任意の従来方法で露出された加工物表面上に水膜18を形成することができ、個々のレーザパルスは局所的に爆発して膜18の連続性を分断する。従って、対応するターゲット位置24において流体膜が再生されるまでは、連続したレーザパルスを放電することは望ましくない。更に、加工物自体の表面における種々の不規則性により流体膜の局所的な分断を生じる可能性があるので、どのような形態においても流体膜の品質が不十分であるか又は異常な場合には、レーザパルスを放出することは望ましいことではない。従って図1に示すLSPシステム10は、ターゲット位置24における流体膜18の品質を自動的に監視する監視装置34の形態の手段を含み、この手段は、流体膜が使用中の特定のLSP処理において望ましい十分な品質を有する正常状態にある時に、ピーニングレーザ20を制御する際に使用するためのものである。
監視装置34は、流体膜18の品質を検出するために、プローブレーザビーム38を発生させてターゲット位置24に投射するプローブレーザ36を含むのが好ましい。ターゲット位置自体は、流体膜の適切な品質を保証するようピーニングビーム22の衝突位置と同程度に小さいか、又はこれよりも適度に大きくし、最大効果を有した状態で爆発プラズマを閉じ込めることができる。プローブレーザ36は、好ましくはターゲット位置において集束する連続波レーザビーム38を放出するヘリウム−ネオン(HeNe)レーザ又はダイオードレーザなどの任意の従来型のものとすることができる。
監視装置はまた、ターゲット位置と光学的に整列してターゲット位置からのプローブビーム38の反射を検出する固体光検出器などの光検出器40を含む。プローブレーザ36と光検出器40とは、典型的には流体膜の平面に対して同じ傾斜角度Aでターゲット位置24と整列する。これに対してピーニングレーザビーム22は、流体膜の平面に対して好ましくは垂直に配向される。
システム10は更に、ピーニングレーザ20及び光検出器40に作動的に結合された流体膜18の監視状態又は品質に応答してパルスレーザビームを生成する電気制御装置42の形態の手段を含む。
図1に示すピーニングレーザ20は、パルスレーザビーム22を適度なパルス繰返し率で生成されるパルス列として発生する。Qスイッチ32は、固定のポンピング速度及び対応する熱状態におけるレーザロッド26の光励起中にレーザを切り換えるよう従来の方法で作動される。このようにして、パルスレーザ20の作動効率は、LSPの処理速度を増大させるのに望ましい特定のパルス繰返し率で最大化又は最適化することができる。
好ましい実施形態においては、ピーニングレーザ20のパルス繰返し率は、典型的には従来のLSPにおいて見られる1サイクル4秒毎よりも実質的に大きく、少なくとも毎秒10サイクル(10Hz)であるのが好ましい。高出力パルスレーザにおけるこの比較的高い繰返し率は、最大の効率及び熱負荷状態用に設計され、LSP処理と連動して経時的にピーニング面積範囲を最大化することができる。
このような比較的高いパルス繰返し率の場合には、対応する短い時間間隔の後に流体膜18の状態を監視して各レーザパルスの後に流体膜を再生させることを保証し、これによりレーザパルスを発射して不十分な流体膜を透過させる可能性(このようなパルスを無駄にしてLSP処理の全体効率を低下させることになる)を排除することが重要である。
図1に示すように制御装置42は、好ましくはQスイッチ32と作動的に結合されて流体膜の監視状態に連動しながらピーニングレーザビーム22を放出する。
正常作動中、Qスイッチ32は、所望のレーザビームパルスを周期的な列を成して発生させるように制御される。しかしながら、光検出器40を使用して流体膜18の状態を監視することにより、制御装置42は更に、正常な膜18がターゲット位置24において検出された時にだけパルスレーザ20のQスイッチ32を選択的に切り換え可能にするように使用することができる。
図2は、図1の装置の表記された機能に同じ参照符号を付与した、流体膜18の監視状態に応答して加工物12をレーザ衝撃ピーニングする例示的な方法を概略的に示している。比較的滑らかな(すなわち、成膜された表面が十分に遅い運動周期を有しており、上に述べたレーザ監視法を用いて液体膜の状態を評価することができる)水膜18は、例えば約1.0mmの厚みBを有するように任意の好適な方法で形成することができる。次にパルスレーザ20は、パルス列が加工物の表面を横断して移動する時にターゲット位置24でレーザパルス22の列を放出するように作動する。各レーザパルスは、光吸収層14を急速に加熱して爆発プラズマを発生させ、これに対応して加工物表面をピーニングする。
ターゲット位置24にある流体膜18は、プローブレーザビーム38をターゲット位置に投射し、そこからの反射光を検出することにより連続的に監視される。単純な実施形態では、ターゲット位置24に膜18が存在することにより、最大の大きさのプローブレーザ光エネルギーが光検出器40に反射される。検出される光のこの最大の大きさは、パルスレーザが連続して正常に作動していることを示している。
例えば先行するレーザパルスの直後にプラズマ爆発によりターゲット位置24において流体膜が分断されると、プローブレーザ36からの光は、光検出器40へ殆ど反射されないことになる。流体膜のこの異常状態の間、流体膜が適切に再生成されて十分なプローブ光が検出器40へ反射されるまで、制御装置42を用いてQスイッチ32を無効化してレーザパルスの放電を阻止することができる。
図1に示す実施形態において、制御装置42は、流体膜18が正常状態にある時すなわちターゲット位置において滑らかで遮断されていない時にはQスイッチングを有効にし、同様に流体膜が異常状態にある時すなわち監視装置34によって判定されるとターゲット位置において分断又は不連続である時にはQスイッチングを無効にするように、パルスレーザ20と監視装置34の光検出器40とを論理的に結合させるよう特に構成されている。本明細書で使用される「構成される」、「に適合される」等の表現は、所望の出力信号を供給するよう入力データを処理するアルゴリズム又は方法に従って動作するデジタル又はアナログ装置(プログラマブルコンピュータ、特定用途向け一体型マウント、又は同様のものなど)に対して使用される。
図1に示す実施形態においては、制御装置42は、周期的なクロック信号又は相対的に高い電圧値と低い電圧値の列を発生してパルスレーザ20に所望のパルス繰返し率を行わせるマスタクロック44を含む。パルスレーザシステムは更に、先行技術における他の場合には所望の繰返し率でレーザビームパルスを発生するためにマスタクロック44と連動することになるQスイッチ32用の従来型電気的ドライバ46を更に含む。しかしながら図1の実施形態においては、制御装置42は、膜が正常であることを検出器が検出した時にはQスイッチドライバ46を有効にし、膜が異常であることを検出器が検出した時にはドライバ46を無効にするように、光検出器40と連動するよう変更される。
制御装置は、監視装置34の出力信号をドライバ46によって制御された時のパルスレーザのパルス繰返し率と同期させるように、本発明の特徴に従って構成されるのが好ましい。これは好ましくは、ターゲット位置24からの光を監視した時に光検出器40によって発生された高電圧信号及び低減圧信号を最大限弁別するように電気信号調整器48を導入することによって行われる。調整器は、光検出器40によって発生される電気信号を改善するために好適な増幅器及びバイアス除去器を含むことができる。例えば、膜18が滑らかである場合、検出器40は、そこで反射される光により最大電圧出力を発生することになる。爆発プラズマを発生するレーザパルスにより膜が分断されると、プローブレーザビーム38の反射は中断され、検出器40は、これに対応したより低い電圧出力を発生する。この低電圧出力は、滑らかな膜が再生成されると、これに応じてその最大値まで上昇することになる。
ロジックコンバータ50は、正常な流体膜に対応し且つ論理的TRUE状態を表す相対的に高い電圧の出力信号か、或いは異常な流体膜に対応し且つ逆のFALSE論理値を表す相対的に低い値の信号を発生させるように信号調整器48に作動的に結合される。このようにロジックコンバータ50は、正常及び異常の流体流れ状態に対応した光検出器40からのhigh信号とlow信号に相当するhigh又はlowのいずれかの出力信号を発生する。
制御装置42は、信号調整器48及びロジックコンバータ50により光検出器40に作動的に結合された論理AND回路52と協働する。このAND回路は、Qスイッチドライバ46及びマスタクロック44に作動的に結合される。このようにして、Qスイッチドライバ46は、従来方式にてマスタクロック44のクロックパルスに対応した所望のパルス繰返し数でパルスを発生するように有効にされるが、AND回路52の導入は、協働するロジックコンバータ50を介してQスイッチドライバ46を光検出器40の作動と同期させる。
光検出器40が正常な流体膜状態に対応した相対的に高い出力電圧を発生すると、ロジックコンバータ50は、これに対応してhighすなわちTRUE値を発生し、この値は、AND回路52においてマスタクロック44からの信号と結合すると、ロジックコンバータ50からの信号の高いピークがマスタクロック信号の対応する高いピークと一致する時にQスイッチドライバ46を有効にする。しかしながら、光検出器40が異常な流体膜状態に対応した低い出力電圧を発生すると、ロジックコンバータ50は、lowすなわちFALSE状態を発生し、これによりマスタクロックからの信号に関係無くAND回路52がQスイッチドライバ46を無効にする。
従って、監視装置34及びこれと協働するAND回路52の導入により、Qスイッチドライバ46は、監視装置によって許可された時だけ有効にされる。このようにして、パルスレーザ20は、所望のパルス繰返し数にて最大の効率を達成するように設計及び構成され、且つ該パルス繰返し数にて作動することができ、パルスビーム22は、正常状態(すなわち、上述のレーザピーニング処理に対応するのに十分な膜)の成立を確実にするために必要な場合にのみQスイッチドライバ46を無効にすることで遮断される。
パルスレーザ20はまた、マスタクロック44と同期して動作するように結合された従来のフラッシュランプドライバ54を含む。しかしながら、固定された励起速度と熱状態で光励起されるレーザの最大効率を達成するためには、フラッシュランプドライバ54の代わりにQスイッチドライバ46を使用してパルスレーザ20を制御することが好ましい。
図1に示す基本的な実施形態においては、制御装置42は、検出器40によって感知される反射されたプローブビーム38の相対的強度又は大きさに応答してパルスレーザ20の作動を制御するように構成される。ターゲット位置における滑らかな水の表面は、プローブビームを最も良好に反射して検出器40によって受光されることになり、正常又は滑らかな膜に関連してこれに応じた高い反射測定値を有し、他方、例えば先行するレーザパルスによって分断された異常な膜は、検出器40に向かうプローブビームが1つでもある場合には殆ど反射せず、検出器が比較的低い値の反射光を測定することになる。
光検出器40の性能は、検出器40とターゲット位置24との間に光学的に整列されて反射光を集めて検出器上に集束させる集束レンズ56を導入することにより高めることができる。検出器40とレンズ56との間にピンホール開口58を光学的に整列して配置し、ターゲット位置におけるプローブビームの高度にコリメートされた鏡面反射と、LSP処理中におけるレーザパルス爆発直後における分断されたターゲット位置からの分散又は拡散されたビーム光とを弁別することができる。
狭帯域光フィルタ60を検出器40と開口58との間に光学的に整列して配置し、爆発プラズマ自体から放出される広帯域光などの望ましくない背景光を低減又は除去する。フィルタ60は、プローブレーザ光を確実に検出し望ましくない背景光を検出しないように、プローブレーザビーム38の波長を中心とする通過波長を有するのが好ましい。
上記に示すように、信号調整器48は、水膜18の正常及び異常な滑らかさに対応する信号の相対的な高い値と低い値とを弁別することにより、光検出器40からの結果として得られる信号を適切に調整する。調整された信号は、ロジックコンバータ50において論理的なTRUE又はFALSE電圧レベルに変換されて論理AND回路52においてマスタクロック44からの信号と結合され、TRUE又は正常信号が光検出器40によって検出された時だけQスイッチドライバ46を有効となる。反対に、効率的なLSP処理のためには膜が一時的に不十分であることを表すFALSE又は異常信号が検出器40から発生された場合には、ドライバ46は無効化される。
図1及び2に示す基本的な実施形態においては、検出される水膜18の品質は、光検出器40上でのプローブビーム38の検出可能な反射を可能にする水膜の相対的滑らかさのみとすることができる。LSP処理を更に改善するためには、例えば約0.5mmよりも大きい必要がある水膜18の実際の厚みをリアルタイムで測定することが望ましい。しかしながら、膜18の厚み測定は、その場でリアルタイムに、且つ膜自体を分断することなく達成する必要がある。典型的には固体部材の厚み測定のために超音波装置が使用される場合が多いが、これを水の厚み測定に適用した場合、超音波装置は侵害性であり、測定される水膜を分断することになる。
従って、ターゲット位置24における水膜18の厚みBを測定するために特別に構成された光監視装置34Aを含むように図1に示すLSPシステム10の一部分を変更したものを図3に示す。約0.5mmの最小厚みBは、膜18に望ましい正常厚みに対応するのに十分とすることができ、これより小さいか又は不十分な厚みは、典型的にはターゲット位置におけるレーザパルス爆発の直後に生じる異常な膜に対応する。
図2に示すように、プローブビーム38は、ターゲット位置において2つの反射を生じる好適な傾斜した入射角Aにてターゲット位置24へ配向される。第1の反射は、水膜の表面からの単純な鏡面反射である。第2の反射は、水膜内への入射ビームの屈折、加工物との境界面からの反射、及び膜表面から外側への屈折の結果であって、鏡面反射と略平行であるが、そこから変位量Cだけ離れたビームを生成する。
膜厚Bは、変位間隔Cを測定することにより従来の光学的分析により求めることができる。具体的には、2つの反射の間隔Cは、膜厚Bと、水の屈折率n(n=1.33)の2乗と入射角の正弦の2乗との差の平方根で除算した入射角Aの2倍の正弦との積に等しい。すなわち、
C=Bsin2A/(n−sinA)1/2
である。
この関係のグラフは間隔Cが膜厚Bよりも常に小さいことを示しており、これにより数百ミクロン乃至約1.0mm厚の範囲内の小さな膜を測定することがより困難になる。従来のHeNeタイプの好適なプローブレーザは、膜の所望の厚みとほぼ等しいか又はそれよりも大きい約1.0mmのビーム径を有する。
更に、図2に示す水の表面は平坦であるが、実際にはリップルを含む可能性があり、これは該リップルに応じて2つの反射を集束又は発散させ、投影変位間隔Cの大きさを変化させる。これに加えて、典型的な加工物表面は比較的粗く、該加工物表面から反射されるプローブビームの成分は、水の表面から鏡面反射されるプローブビームと比べて粗さに応じて減少した大きさを有する。しかしながら、これらの困難は、反射像を検出するために二次元的平坦アレイ40Aの形態を有する複数の光検出器がターゲット位置24と光学的に整列して配置された図3に示す本発明の実施形態によって克服できる。検出器アレイ上にターゲット位置の像を集束させるために、協働する結像レンズ62が検出器アレイ40Aとターゲット位置24との間に光学的に整列して配置される。検出器アレイ40A上にターゲット位置の像を倒立して集束させるために、結像レンズ62は、複数の協働し合うレンズを含む。例えば、ターゲット位置の像を検出器アレイへ中継するために従来のコピー機から取り出した4枚レンズ群を1つのテスト実施形態において使用した。検出器アレイは、画像を取り込むための典型的にはビデオカメラで使用されるような従来型の荷電結合素子(CCD)の形態とすることができる。
集束レンズ64は、プローブレーザ36とターゲット位置24との間に光学的に整列して配置されて、プローブレーザビームをターゲット位置において集束させる。例えば最初に1.0mmの直径を有するHeNeレーザビームは、2つの反射ビーム間の間隔Cを測定する目的でターゲット位置における両反射ビームの弁別を改善するために約0.05mmまでに絞って集束させることができる。
図3に破線で示したように2つの反射ビームを集束又は発散させる作動時における水膜18のリップルが生じたにもかかわらず、それでも反射源の正確な結像を得ることができる。このようにして、横方向にずれた2つの反射ビームの正確な結像を得て適切に測定することができる。
作動時には、集束レンズ64がプローブビーム38をターゲット位置24において集束させ、レンズの焦点距離は、好ましくは該レンズと水の表面上のターゲット位置との間の距離と正確に等しい。集束されたビームは水の表面並びに加工物との境界面から反射され、2つの反射されたビームは像を検出器アレイ40Aへ中継する結像レンズ62によって取り込まれる。このアレイからの像は、次にビーム間隔Cと更に膜厚Bとを求めるために制御装置42によって適切に処理される。
結像レンズ62は、水表面及び加工物表面からの反射スポットの像を水膜のリップルによって実質的に影響されない2つの反射された像間の対応する間隔Dを備えて検出器アレイ上に中継する。アレイ40A上に結像される反射スポットの間隔Dは、空気中で測定される間隔Cと関係しており、ここで該スポットは結像レンズ62で使用される対応する倍率によりターゲット位置で生成される。このようにして、上記数式を使用して、膜厚Bは、アレイ40A上で検出される反射スポットの間隔Cと対応する間隔Dとから容易に求めることができる。
従って制御装置42は、検出器アレイ40Aと作動的に結合され、例えば間隔Dを測定する好適なソフトウエアを有するように構成され、該間隔Dは、ひいては水膜の表面からのプローブビームの反射とターゲット位置における膜の下にある加工物の表面からの反射との間隔Cを表している。
像を分析するための従来型のソフトウエアを用いて、検出器アレイ40Aによって感知される2つの反射スポットを識別し、これらの間の距離を正確に測定することができる。
従って、制御装置42は更に、上記数式と前述の間隔C、D、及び結像レンズ62の倍率との間の関係により求められた離間距離Dからターゲット位置における水膜18の厚みBを求め又は計算するソフトウエアを追加して構成することができる。次いで制御装置は、膜の測定された厚みBを例えば0.5mmなどの記憶された基準値と比較して、膜厚がLSP処理に対して十分であるか又は不十分であるかを判定することができる。
図1の実施形態での説明と同様にして、制御装置42は、十分な膜厚が測定された時にQスイッチドライバ46を有効にするロジックコンバータ50及びこれと協働するAND回路52を備え、変換器50がAND回路52に論理TRUE値を与えるように同様に構成することができる。不十分な厚みが測定された時には、ロジックコンバータ50は、AND回路52に対してFALSE値を発生してQスイッチドライバを無効にする。このようにして、パルスレーザ20は、上述と同様の方法で且つ同様な利点を有しながら作動可能であり、変更された形態の監視装置34Aを用いて測定される水膜18の厚みによって制御することができる。
結像レンズ62を用いる特定の利点は、膜厚Bの測定値がリップルのある水表面の特定の傾斜特性によって比較的影響されないことである。ターゲット位置における2つの反射スポットは、検出器アレイ40Aの焦点面上で正確に結像され、水表面のリップルの存在及び大きさにかかわりなく対応する間隔を有し、反射スポット間の間隔は、結像レンズ62の倍率のみによって決まることになる。
この監視装置の別の利点は、加工物表面の粗さ又は散乱度にかかわらず、これから散乱される光の一部が常に結像レンズ62を通過し検出器アレイ上で結像されて検出されることである。従って、非鏡面すなわち粗い表面であってもこのようにして処理し監視することができる。
監視装置34Aの感度は、特定の結像レンズ62の選択及び加工物と検出器アレイ40Aとの間隔により可変及び拡縮可能である。膜厚測定の感度及び精度を高めることは、結像レンズ62の焦点距離をこれに応じて大きくし、且つ加工物と検出器アレイ40A間の間隔をこれに応じて大きくすることによって容易に行われる。
検出器アレイ40Aと結像レンズ62との間に光学的に整列された調節可能な開口66を組み込むことにより追加的な利点が得られる。この開口を用いて、水表面により反射されるビーム成分と加工物により反射されるビーム成分のアレイ上における相対的明るさを調節することができる。水表面からの鏡面反射は、典型的には加工物からの反射よりも有意に明るく、その相対的明るさは、両反射の弁別及び両反射間の間隔測定を改善する開口66によって調節できる。所望の場合には、いずれかの反射スポットの明るさは、その所望の反射スポットとレンズ62との間に従来型の減光フィルタを介在させることによって減衰できる。
更に別の実施形態においては、結像レンズ62と置き換えるために、テレセントリックレンズを使用することができる。像空間内でテレセントリックであるレンズは、焦点距離の関数として検出器アレイ40Aにおける像間隔を変化させない。このように検出器アレイ40A上で検出される2つのスポット間の間隔測定は、焦点位置に対して敏感ではない。この利点を活用すると、監視装置設定の構築における誤差に起因する測定値変動を低減することができる。
図3に適合するよう構成された監視装置を試験では、水のリップルにもかかわらず約0.1mm乃至約1.5mmの範囲の水層の厚みが正確に測定された。従って、このような監視装置は、Qスイッチドライバ46を有効及び無効にしてパルスレーザ20の動作を制御し、これによってリアルタイムLSP処理中における適切な膜厚を保証してパルスレーザ自体の性能を最適化し処理速度を実質的に増大させるよう図1に示すLSPシステム内に効果的に組み込むことができる。
本発明の特定の好ましい特徴のみを図示し説明してきたが、当業者には多くの修正及び変更を行うことができるであろう。なお、特許請求の範囲に記載された符号は、理解容易のためであってなんら発明の技術的範囲を実施例に限縮するものではない。
本発明の1つの例示的実施形態によるレーザ衝撃ピーニングシステムの概略図。 ピーニング作業の例示的方法を示す、図1でレーザ衝撃ピーニングされている加工物の拡大図。 本発明の別の実施形態による図1のレーザ衝撃ピーニングシステムの概略図。
符号の説明
10 レーザ衝撃ピーニング(LSP)システム
12 金属加工物
14 光吸収層
16 吐出ノズル
18 水、水膜、流体膜
20 ピーニングレーザ
22 パルスレーザビーム、レーザビーム、ピーニングレーザビーム
24 ターゲット位置
26 レーザスラブ、レーザロッド
28 フラッシュランプ
30 末端ミラー
32 Qスイッチ
34 監視装置
34A 光監視装置
36 プローブレーザ
38 連続波レーザビーム、プローブレーザビーム
40 光検出器
40A 検出器アレイ
42 制御装置
44 マスタクロック
46 Qスイッチドライバ
48 電気信号調整器
50 ロジックコンバータ
52 論理AND回路
54 フラッシュランプドライバ
56 集束レンズ
58 ピンホール開口
60 狭帯域光フィルタ
62 結像レンズ
64 集束レンズ
66 調節可能な開口

Claims (8)

  1. 閉込め流体膜を有する加工物(12)をレーザ衝撃ピーニングするシステムであって、
    前記加工物上の前記流体膜の上のターゲット位置(24)でパルスレーザビーム(22)を投射するピーニングレーザ(20)と、
    前記ターゲット位置にプローブレーザビーム(38)を投射するプローブレーザと、前記ターゲット位置と光学的に整列して配置され、該ターゲット位置からの前記プローブビームの反射を検出する光検出器(40)とを含む、前記ターゲット位置において前記膜(18)を監視する監視装置(34)と、
    前記ピーニングレーザ(20)と検出器(40)とに作動的に結合され、前記監視された膜の品質に応じて前記パルスレーザビームを開始する制御装置(42)と、
    を含み、
    前記ピーニングレーザ(20)が、光励起されるレーザロッドと前記パルスビームをあるパルス繰返し率で発生させるQスイッチ(32)とを含み、前記制御装置(42)が、前記Qスイッチと作動的に結合されて前記監視された膜の品質に応じて前記パルスビームを放出し、
    前記ピーニングレーザ(20)が前記Qスイッチ(32)用のドライバ(46)を更に含み、前記システムが前記パルス繰返し率をもたらすクロック信号を発生するためのマスタクロック(44)を更に含み、前記制御装置(42)は、前記膜の品質が正常であることを前記検出器が検出した時に前記ドライバ(46)を有効にし、前記膜の品質が異常であることを前記検出器が検出した時に前記ドライバ(46)を無効にするように構成され、
    前記システムは、さらに、
    前記検出器(40)と前記Qスイッチドライバ(46)とに作動的に結合され、前記検出器が前記膜が正常な場合に対応する高い電圧を発生する時に前記ドライバを有効にし、且つ前記検出器が前記膜が異常な場合に対応する低い電圧を発生する時に前記ドライバを無効にする論理AND回路(52)を含む
    ことを特徴とする、システム。
  2. 前記検出器(40)と前記ターゲット位置(24)との間に光学的に整列して配置された集束レンズ(56)と、
    前記検出器(40)と前記レンズ(56)との間に光学的に整列して配置されたピンホール開口(58)と、
    前記検出器(40)と前記開口(58)との間に光学的に整列して配置された帯域光フィルタ(60)と、
    を更に含む請求項に記載のシステム。
  3. 前記ピーニングレーザ(20)のパルス繰返し率が、少なくとも毎秒10サイクルであることを特徴とする請求項に記載のシステム。
  4. 像を検出する平面アレイ(40A)状態の複数の光検出器と、
    前記ターゲット位置の像を前記光検出器の前記アレイ上に集束させる、前記光検出器のアレイと前記ターゲット位置との間に光学的に整列して配置された結像レンズ(62)と、
    を更に含むことを特徴とする請求項に記載のシステム。
  5. 前記制御装置(42)が、前記膜の表面からの前記プローブビームの第1の反射と前記膜の下にある前記加工物の表面からの前記プローブビームの第2の反射との間の距離を測定するように構成されていることを特徴とする請求項に記載のシステム。
  6. 前記制御装置(42)が、前記ターゲット位置における膜の厚みを測定された距離から求め、膜厚が有効なピーニングを行うのに十分である時には前記Qスイッチドライバ(46)を有効にし、膜厚が有効なピーニングを行うのに不十分である時には前記Qスイッチドライバ(46)を無効にするよう構成されていることを特徴とする請求項に記載のシステム。
  7. 前記プローブレーザ(36)と前記ターゲット位置(24)との間に光学的に整列して配置され、前記プローブビームを前記ターゲット位置において集束させる集束レンズ(64)を更に含むことを特徴とする請求項に記載のシステム。
  8. 前記結像レンズ(62)が、前記ターゲット位置の像を前記検出器アレイ(40A)上で倒置させる複数の協働するレンズを含むことを特徴とする請求項に記載のシステム。
JP2004315276A 2003-10-31 2004-10-29 監視付レーザ衝撃ピーニング Expired - Fee Related JP4902111B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/700,063 US7148448B2 (en) 2003-10-31 2003-10-31 Monitored laser shock peening
US10/700,063 2003-10-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005163174A JP2005163174A (ja) 2005-06-23
JP4902111B2 true JP4902111B2 (ja) 2012-03-21

Family

ID=34423462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004315276A Expired - Fee Related JP4902111B2 (ja) 2003-10-31 2004-10-29 監視付レーザ衝撃ピーニング

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7148448B2 (ja)
EP (1) EP1528110B1 (ja)
JP (1) JP4902111B2 (ja)
CN (1) CN100422350C (ja)
DE (1) DE602004017396D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11440137B2 (en) 2018-05-11 2022-09-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Laser peening device and laser peening method

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050279741A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Arenberg Jonathan W Laser burn through sensor
US7906746B2 (en) * 2005-11-30 2011-03-15 General Electric Company Laser shock peening system with time-of-flight monitoring
EP1795887B1 (en) * 2005-12-08 2011-06-15 General Electric Company Laser shock peening plasma diagnostics sensors for real time process monitoring
US7897895B2 (en) * 2006-05-01 2011-03-01 General Electric Company System and method for controlling the power level of a laser apparatus in a laser shock peening process
DE102006053269A1 (de) * 2006-11-06 2008-05-08 Forschungsgesellschaft für Strahlwerkzeuge -FGSW- mbH Verfahren zum Erfassen eines Materialabtrags
US7763876B2 (en) * 2007-04-06 2010-07-27 Xerox Corporation Gloss and differential gloss measuring system
US7764893B2 (en) * 2008-01-31 2010-07-27 Xerox Corporation Use of customer documents for gloss measurements
CN101693945B (zh) * 2009-09-29 2012-05-30 中冶南方(武汉)自动化有限公司 一种热处理炉脉冲燃烧的温度控制方法
JP5249403B2 (ja) * 2011-11-17 2013-07-31 ファナック株式会社 補助制御装置を備えたレーザ加工システム
CN102494712B (zh) * 2011-11-25 2014-05-28 江苏大学 一种检测激光冲击波加载过程及衰减规律的方法与装置
DE102012111022A1 (de) 2012-11-15 2014-06-26 Airbus Operations Gmbh Verstärktes Fahrzeugstrukturteil, Fahrzeug und Verfahren
WO2014110276A1 (en) * 2013-01-11 2014-07-17 Electro Scientific Industries, Inc. Laser pulse energy control systems and methods
US10196706B2 (en) 2013-04-19 2019-02-05 University Of The Witwatersrand System for and method of performing Laser Shock Peening on a target with a fluid flow path sandwiched between a transparent to laser light solid medium and the target
US9539690B2 (en) 2013-09-19 2017-01-10 The Boeing Company Control feedback loop for real-time variable needle peen forming
US10576523B1 (en) 2013-09-19 2020-03-03 The Boeing Company Method and apparatus for impacting metal parts
EP2853336B1 (en) * 2013-09-30 2018-07-11 Airbus Operations GmbH Method of and system for fabricating a module through welding and peening the weld seam and/or the members
CN103614541B (zh) * 2013-10-31 2015-08-19 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 针对工件表面的激光冲击强化装置及激光冲击强化处理方法
CN103710493B (zh) * 2013-12-23 2015-12-09 江苏大学 一种液态吸收层液态约束层的激光冲击处理方法和装置
JP6121924B2 (ja) * 2014-02-20 2017-04-26 株式会社東芝 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
CN104004901A (zh) * 2014-06-11 2014-08-27 温州大学 一种以磁场作为约束层的激光冲击强化装置和方法
CN104004900A (zh) * 2014-06-11 2014-08-27 温州大学 一种用磁场代替实体约束层的激光冲击强化装置及方法
EP2993124B1 (en) * 2014-09-08 2019-04-03 Airbus Operations GmbH Preventing cracks at bolted or riveted joints of aircraft structural parts
US10406583B2 (en) 2015-12-10 2019-09-10 The Boeing Company Apparatus, system, and method for forming metal parts
CN105652797A (zh) * 2016-01-06 2016-06-08 广东工业大学 表面流动水膜的实时监控装置及其实时监控方法
KR102357445B1 (ko) 2016-09-23 2022-01-28 타타 스틸 네덜란드 테크날러지 베.뷔. 이동하는 강 스트립의 액체-보조 레이저 텍스쳐링을 위한 방법 및 장치
JP6980022B2 (ja) * 2017-01-30 2021-12-15 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft オーバーレイとの適合性を有する遮熱コーティングシステム
CN106903424B (zh) * 2017-02-20 2018-05-29 温州大学激光与光电智能制造研究院 一种基于激光冲击波提高光学元件力学性能的后处理方法
US11090727B2 (en) 2017-04-05 2021-08-17 General Electric Company Additively manufactured component having surface features for part identification
US10703086B2 (en) 2017-04-05 2020-07-07 General Electric Company System and method for authenticating an additively manufactured component
US10706139B2 (en) 2017-04-05 2020-07-07 General Electric Company System and method for authenticating components
US10943240B2 (en) 2017-04-05 2021-03-09 General Electric Company Additively manufactured component including a contrast agent for part identification
US10762407B2 (en) 2017-04-05 2020-09-01 General Electric Company Component incorporating 3-D identification code
US10549347B2 (en) 2017-04-05 2020-02-04 General Electric Company System and method for authenticating components
US10821718B2 (en) 2017-06-23 2020-11-03 General Electric Company Selective powder processing during powder bed additive manufacturing
US10821519B2 (en) 2017-06-23 2020-11-03 General Electric Company Laser shock peening within an additive manufacturing process
US11851763B2 (en) 2017-06-23 2023-12-26 General Electric Company Chemical vapor deposition during additive manufacturing
CN107695520A (zh) * 2017-09-18 2018-02-16 中国科学院力学研究所 调节激光增材制造或再制造时应力的激光调控装置及方法
SG10202001721UA (en) 2019-03-14 2020-10-29 Gen Electric Acoustic inspection device and method of operation
CN110332910A (zh) * 2019-06-14 2019-10-15 广东镭奔激光科技有限公司 基于激光波动和表面激光散射的激光冲击预测方法与装置
US11420259B2 (en) 2019-11-06 2022-08-23 General Electric Company Mated components and method and system therefore
CZ309004B6 (cs) * 2020-02-28 2021-11-18 Ústav Termomechaniky Av Čr, V. V. I. Zařízení ke zpevňování povrchu výrobků, způsob a použití tohoto zařízení
CN111906438B (zh) * 2020-06-19 2022-04-15 宁波大艾激光科技有限公司 一种随动式激光冲击强化处理装置及其方法
CN113108709A (zh) * 2021-04-08 2021-07-13 中国航发北京航空材料研究院 一种面向叶片的激光喷丸表面质量测量装置及其测量方法
CN114279870B (zh) * 2021-12-16 2024-04-30 江苏大学 一种用于检测薄膜材料冲击性能的装置
CN114700627B (zh) * 2022-05-13 2023-06-06 西安交通大学 一种激光冲击液体约束层厚度控制系统
CN117697166B (zh) * 2024-02-06 2024-04-19 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 在金属薄膜表面利用激光刻蚀有机膜的方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL107549A (en) * 1993-11-09 1996-01-31 Nova Measuring Instr Ltd Device for measuring the thickness of thin films
US6215097B1 (en) 1994-12-22 2001-04-10 General Electric Company On the fly laser shock peening
US5744781A (en) 1995-08-07 1998-04-28 General Electric Company Method and apparatus for laser shock peening
US5730811A (en) 1995-12-21 1998-03-24 General Electric Company Cavity dumped laser shock peening process
US5742028A (en) 1996-07-24 1998-04-21 General Electric Company Preloaded laser shock peening
US5987042A (en) * 1997-10-31 1999-11-16 General Electric Company Method and apparatus for shaping a laser pulse
US5980101A (en) * 1997-10-31 1999-11-09 General Electric Company Method and apparatus for measuring laser pulse energy
US6021154A (en) 1997-11-21 2000-02-01 General Electric Company Laser shock peening method and reflective laser beam homogenizer
JPH11151307A (ja) * 1997-11-21 1999-06-08 Shimadzu Corp レーザ治療器
US6005219A (en) 1997-12-18 1999-12-21 General Electric Company Ripstop laser shock peening
US5932120A (en) 1997-12-18 1999-08-03 General Electric Company Laser shock peening using low energy laser
US6159619A (en) 1997-12-18 2000-12-12 General Electric Company Ripstop laser shock peening
US6002706A (en) * 1997-12-30 1999-12-14 General Electric Company Method and apparatus for controlling the size of a laser beam
US5951790A (en) 1998-06-26 1999-09-14 General Electric Company Method of monitoring and controlling laser shock peening using an in plane deflection test coupon
US6130400A (en) 1998-06-26 2000-10-10 General Electric Company Ballistic momentum apparatus and method for monitoring and controlling laser shock peening
US6512584B1 (en) * 1998-06-29 2003-01-28 Lsp Technologies, Inc. Quality control for laser peening
US6094260A (en) 1998-08-12 2000-07-25 General Electric Company Holographic interferometry for monitoring and controlling laser shock peening
US5948293A (en) 1998-12-03 1999-09-07 General Electric Company Laser shock peening quality assurance by volumetric analysis of laser shock peened dimple
US6197133B1 (en) 1999-02-16 2001-03-06 General Electric Company Short-pulse high-peak laser shock peening
US6254703B1 (en) * 1999-02-19 2001-07-03 Lsp Technologies, Inc. Quality control plasma monitor for laser shock processing
US6075593A (en) 1999-08-03 2000-06-13 General Electric Company Method for monitoring and controlling laser shock peening using temporal light spectrum analysis
US6333488B1 (en) 1999-08-30 2001-12-25 General Electric Company Method for setting up and controlling confinement media flow in laser shock peening
US6296448B1 (en) 1999-09-30 2001-10-02 General Electric Company Simultaneous offset dual sided laser shock peening
US6281473B1 (en) 2000-01-19 2001-08-28 General Electric Company Apparatus and method for controlling confinement media thickness in laser shock peening
US6479790B1 (en) 2000-01-31 2002-11-12 General Electric Company Dual laser shock peening
US6422082B1 (en) 2000-11-27 2002-07-23 General Electric Company Laser shock peening quality assurance by ultrasonic analysis
US6548782B2 (en) 2001-01-23 2003-04-15 Lsp Technologies, Inc. Overlay control for laser peening
US6570125B2 (en) 2001-08-31 2003-05-27 General Electric Company Simultaneous offset dual sided laser shock peening with oblique angle laser beams
US6570126B2 (en) 2001-08-31 2003-05-27 General Electric Company Simultaneous offset dual sided laser shock peening using low energy laser beams
US6670577B2 (en) 2001-09-28 2003-12-30 General Electric Company Laser shock peening method and apparatus
US6559415B1 (en) 2002-07-12 2003-05-06 General Electric Company Single sided laser shock peening

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11440137B2 (en) 2018-05-11 2022-09-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Laser peening device and laser peening method

Also Published As

Publication number Publication date
EP1528110A1 (en) 2005-05-04
DE602004017396D1 (de) 2008-12-11
US20050092724A1 (en) 2005-05-05
CN1611615A (zh) 2005-05-04
EP1528110B1 (en) 2008-10-29
US7148448B2 (en) 2006-12-12
CN100422350C (zh) 2008-10-01
JP2005163174A (ja) 2005-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4902111B2 (ja) 監視付レーザ衝撃ピーニング
JP5054297B2 (ja) レーザーショック処理を監視するシステム及び方法
US11224938B2 (en) Laser process monitoring
US11858065B2 (en) Method and system for use in laser shock peening and laser bond inspection process
RU2741466C1 (ru) Устройство обработки кожи на основе света
JPWO2018097018A1 (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
De Keuster et al. Monitoring of high-power CO 2 laser cutting by means of an acoustic microphone and photodiodes
TWI682154B (zh) 評價裝置、評價方法及顯示裝置
Tadano et al. Coupling of focused laser pulse to surfaces of transparent materials studied by time-resolved imaging technique
Harp et al. A Practical method for determining the beam profile near the focal spot
Baik et al. Process monitoring of laser welding using chromatic filtering of thermal radiation
JP2000283888A (ja) 加工用レーザ集光光学系の検査方法およびその装置
CN216051352U (zh) 一种多功能金属清洗无损检测系统
JP2020110825A (ja) レーザピーニング装置およびレーザピーニング方法
JP2002210575A (ja) レーザ溶接における溶接状態判定方法
Steen et al. Laser automation and in-process sensing
JP2008068325A (ja) レーザ溶接の出力変調波形の決定方法
JPH09108866A (ja) 加工不良判別機構を備えた加工用レーザー出射機構
US6407375B1 (en) Device monitor for multiple optical signals
JPS58125388A (ja) レ−ザ加工状態監視方法
JP2008080348A (ja) レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JP2002316280A (ja) レーザ加工のモニタリング方法、装置、レーザ加工方法及び装置
Pfluger et al. The application of optical signal detection for characterizing transitions during laser beam welding
JPH042352B2 (ja)
Dai et al. Measurement of target deformation under laser shock with optical beam shading technique

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071026

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101028

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101102

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110127

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20110127

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20110127

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110426

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111206

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111228

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees