JP4893169B2 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4893169B2 JP4893169B2 JP2006236960A JP2006236960A JP4893169B2 JP 4893169 B2 JP4893169 B2 JP 4893169B2 JP 2006236960 A JP2006236960 A JP 2006236960A JP 2006236960 A JP2006236960 A JP 2006236960A JP 4893169 B2 JP4893169 B2 JP 4893169B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- flame
- processing apparatus
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
このような従来のプラズマ処理装置は、基板を支持する第1の電極と、基板を介して第1の電極と対向配置された第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に高周波電圧を印加する電源を備えた電源回路と、基板と第2の電極との間に所定のガスを供給するガス供給部とを有する。
また、従来のプラズマ処理装置では、放電プラズマを用いているが、放電プラズマは、処理ガス(エッチングガス)の種類によっては、処理ガスをプラズマ化する際の効率が低い場合がある。この場合、発生するプラズマの密度(ラジカルの密度)が低くなるため、プラズマと基板との反応効率が低下し、十分な加工速度が得られない。
さらに、このプラズマ処理装置は、一対の電極と、電源や整合器のような電源回路を構成する装置とを必要とする。しかしながら、これらの部品や装置は一般に体積が大きいため、プラズマ処理装置の大型化の要因となっている。さらに、これらの部品や装置は、非常に高価なため、プラズマ処理装置のコスト上昇を招いている。
本発明のプラズマ処理装置は、ワークに向けてプラズマを供給するプラズマ供給手段を有し、
前記ワークに前記プラズマを接触させることにより反応物を生成し、前記反応物を前記ワークから脱離させることにより、前記ワークにエッチング加工を施すプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ供給手段は、前記ワークが位置する空間から隔離された燃焼室を備えており、該燃焼室内において、火炎中に処理ガスを導入することにより、前記処理ガスをプラズマ化して前記プラズマを発生させ、該発生したプラズマを前記ワークに向けて放射するよう構成されており、
前記火炎は、前記処理ガスと水素ガスを主成分とする可燃性ガスとを混合して混合ガスを生成した後、前記混合ガスと酸素ガスを主成分とする助燃性ガスとを合流させ、この合流の位置で、これらのガスを燃焼させて発生させたものであることを特徴とする。
これにより、前記ワークに対して効率よくエッチング加工を行うことができ、かつ小型で安価なプラズマ処理装置が得られる。
また、ワークが位置する空間から隔離された燃焼室を備えているため、高温の火炎が前記ワークに直接接触せず、火炎によってワークが変質・劣化するのを確実に防止するという効果が得られる。これにより、より耐熱性が低いため、火炎に直接曝すことができない材料で構成されたワークに対しても、エッチング加工を施すことができる。
また、火炎として可燃性ガスと助燃性ガスとの混合ガスを燃焼させて発生させたものを用いたため、可燃性ガスを効率よく燃焼させることができ、より高いエネルギーの火炎を発生させることができる。
また、可燃性ガスと処理ガスとをあらかじめ混合した後、得られた混合ガスに助燃性ガスを合流させ、この合流の位置において燃焼させるようにしたため、燃焼前に可燃性ガスと処理ガスとが互いに十分に拡散し合う。このため、可燃性ガスが燃焼した際に発生するエネルギーを、効率よく処理ガスに付与することができる。その結果、処理ガス中のガス分子を確実に熱分解させることができる。また、可燃性ガスと助燃性ガスとが合流する位置で燃焼させているので、火炎が可燃性ガスの供給方向に向かって逆流してしまうのを確実に防止することができる。
また、水素ガスは、燃焼する際に、前記ワークにとって汚染原因となり得る炭素を発生させない。このため、ワークを清浄な状態に維持しつつ、良好なプラズマ処理が可能となる。
また、水素ガスと酸素ガスとが反応すると水が発生するが、水は、前記ワークに付着しても変質・劣化等を招き難く、さらに、環境に対する負荷がないという利点を有する。
前記ワークには、火炎が直接接触しないので、比較的耐熱性が低い前記ワークに対して前記エッチング加工を施す際に、その効果が特に発揮される。
これにより、火炎の発生に必要なガスを低コストで効率よく得ることができる。
これにより、前記ワークに高温のプラズマが接触したときに、前記ワークに急激な温度変化(熱衝撃)が加わるのを防止して、前記ワークに亀裂や反り等が発生するのを防止することができる。
これにより、前記ワークに対して効率よく前記エッチング加工を行うことができる。
<第1実施形態>
まず、本発明のプラズマ処理装置の第1実施形態について説明する。
図1は、本発明のプラズマ処理装置の第1実施形態を示す模式図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図1中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
このプラズマ処理装置1では、基板10に向けて供給されたプラズマ中の活性化原子(ラジカル)と基板10とが反応し、この反応物を基板10から脱離させることにより、基板(ワーク)10に対してエッチング加工を施すことができる。
しかしながら、このような装置では、高価な希ガスを大量に消費することとなり、ランニングコストの増大が問題となっていた。
さらに、このようなプラズマ処理装置は、電極、電源、整合器等の電源回路を構成する高価かつ大型の装置を必要とするため、プラズマ処理装置の大型化および高コスト化の要因となっていた。
また、火炎Fは、処理ガスを熱分解(解離)する効率が比較的高いため、生成されるプラズマの密度を高めることができる。これにより、プラズマ中のラジカルの密度も高くなり、被処理物に対して効率よくエッチング加工を施すことができる。このため、このようなプラズマ処理装置1によれば、エッチング加工の加工速度を高めることができる。
ここで、プラズマ処理装置1の説明に先立って、プラズマ処理装置1によりエッチング加工を施す基板(ワーク)10について説明する。
基板10は、プラズマ処理装置1により、処理面(上面)にエッチング加工を施されるものである。
かかる材料としては、例えば、Si、SiO2、SiN、Si3N4のようなシリコン系材料、Al、Au、Cr、Cu、Ga、Mo、Nb、Ta、Ti、V、W、またはこれらの金属を含む合金のような各種金属系材料、ポリオレフィン、ポリイミドのような有機系材料、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス材料、C、GaAs、GaN等が挙げられる。
また、処理チャンバー2の下方には、排気口22が設けられている。この排気口22には排気手段5が接続されており、排気手段5により処理室21内のガスを排気することができる。
このような処理チャンバー2は、火炎による高温に耐え得る材料で構成される。かかる材料としては、例えば、鉄鋼、ステンレス鋼のような金属材料、アルミナのようなセラミックス材料、または、これらの材料の複合体等が挙げられる。
図1に示すステージ31は、その内部にヒータ(加熱手段)311を内蔵している。このヒータ311により、ステージ31上に載置された基板10を加熱することができる。これにより、基板10に高温のプラズマが接触したときに、基板10に急激な温度変化(熱衝撃)が加わるのを防止して、基板10に亀裂や反り等が発生するのを防止することができる。
なお、加熱手段は、基板10を加熱し得るものであればよく、ヒータに限定されない。
このような吸着機構としては、例えば、静電チャック、真空チャック等が挙げられる。
移動手段32は、ステージ31を水平方向および垂直方向に移動させる機構であり、例えば、ステージ31が走行する軌道とステージ31を牽引するワイヤとにより構成される機構や、リニアガイド等で構成される。また、移動手段32は、ステージ31を回転させる機構を備えていてもよい。
ガス発生装置41は、例えば、水の電気分解を行う装置等で構成される。水の電気分解を行うことにより、火炎の生成が可能な水素ガスと酸素ガスとを発生させることができる。
このような可燃性ガスと助燃性ガスの組み合わせとしては、例えば、水素ガスと酸素ガス、メタンガスと酸素ガスの他、都市ガスと空気等が挙げられ、この中でも特に、水素ガスと酸素ガスの組み合わせが好ましい。水素ガスは、燃焼する際に、基板10にとって汚染原因となり得る炭素が発生させない。このため、基板10を清浄な状態に維持しつつ、良好なプラズマ処理が可能となる。
さらに、水素ガスと酸素ガスは、前述したように、水の電気分解によって同時に得られるものである。このため、本実施形態のように、水の電気分解を行う装置を備えていれば、火炎用ガスを低コストで効率よく得ることができる。
なお、このガス発生装置41は、火炎用ガスを貯留する容器等で代替することもできる。
処理ガスは、火炎との接触により、含まれるガス分子が熱分解してプラズマを生じるガスである。
このような処理ガスには、エッチング加工を施す基板10の構成材料に応じて異なる種類のガスが用いられる。
また、基板10の構成材料が前述のような金属系材料である場合、処理ガスとしては、例えば、CF、CF4、C2F6、CCl2F2、CCl2F4、SF6、Cl2、BCl3、SiCl4、CCl4、BBr3、HBr3、HI、HBrのようなハロゲン系ガスを含むガス等が挙げられる。
また、基板10の構成材料が前述のような有機系材料である場合、処理ガスとしては、例えば、O2のような酸素系ガス、CF4、SF6のようなハロゲン系ガスを含むガス等が挙げられる。
プラズマ供給手段4がこのような構成になっていると、プラズマの発生から供給までを火炎ノズル43により行うことができる。このため、プラズマ供給手段4の構成部品をより少なくすることができ、プラズマ処理装置1のさらなる簡素化および低コスト化を図ることができる。
なお、火炎ノズル43は、火炎用ガスに着火するための図示しない着火手段を備えていてもよい。
また、火炎ノズル43は、処理室21に対して相対的に移動できるようになっていてもよい。
また、火炎ノズル43は、いわゆる「ガスバーナー」等で構成することもでき、さらに、いかなる形状をなしていてもよく、例えば、筒状、錐状とされる。
図2に示す火炎ノズル43では、火炎Fを放射する開口部が、火炎ノズル43の長手方向に沿って一列に並んでいる。このような火炎ノズル43によれば、基板10を長手方向に移動させることにより、基板10に対して火炎Fや火炎F中に含まれるラジカルをムラなく接触させることができる。その結果、基板10の処理面をより均一にエッチング加工することができる。
なお、火炎ノズル43の幅は、基板10の幅と同等以上であるのが好ましい。
排気ポンプ51を作動させて処理室21内のガスを排出することにより、基板10とラジカルとの反応で生成して脱離した反応物が、基板10に再付着するのを確実に防止することができる。その結果、基板10の処理面に確実かつ適切にエッチング加工を施すことができる。
まず、ステージ31上に基板10を載置する。そして、ヒータ311を作動させる。これにより、ヒータ311を所定の温度に加熱する。
基板10の加熱温度は、基板10を構成する材料に応じて異なり、基板10の耐熱温度未満でできるだけ高い温度であるのが好ましい。
また、排気手段5を作動させて、処理室21内のガスを排気する。
また、バルブ49を開状態として、処理ガスを火炎ノズル43に供給する。
ここで、処理ガスの火炎用ガスに対する混合比は、特に限定されないが、1〜50vol%程度であるのが好ましく、1〜10vol%程度であるのがより好ましい。これにより、プラズマ化されない過剰な処理ガスの量をできるだけ抑制しつつ、処理ガスを確実にプラズマ化することができる。
また、処理ガスの流量も、火炎ノズル43のサイズ等に応じて若干異なるが、0.05〜150L/min程度であるのが好ましく、0.2〜20L/min程度であるのがより好ましい。
本実施形態では、火炎用ガスと処理ガスとを混合し、このガスに着火されるようになっているため、火炎Fが発生するとともに、火炎Fと処理ガスとが接触する。これにより、処理ガスに火炎Fのエネルギーが付与され、処理ガスが熱分解してプラズマが発生する(第1の工程)。
なお、脱離した反応物は、排気手段5により、処理室21外に排出される。
このとき、エッチング加工の加工量は、火炎Fの熱量に応じて変化するため、この熱量を設定することにより調整することができる。
このうち、火炎用ガスの流量を設定するのが好ましい。これにより、火炎用ガスや処理ガスの種類を変更するといった煩雑な作業を伴うことなく、より容易にプラズマ(ラジカル)の密度を調整することができる。その結果、エッチング加工の加工量を容易に調整することができる。
さらに、火炎用ガスや処理ガスの流量を変更する場合、流量の変更が火炎Fの熱量の変化、すなわちエッチング加工の加工量に反映されるのに一定のタイムラグが伴うため、その間、加工を中断する必要があるが、火炎ノズル43と基板10との距離を設定する方法によれば、より少ないタイムラグで加工量の調整を行うことができる。
以上説明したようなプラズマ処理装置1によれば、基板10に対して効率よくエッチング加工を行うことができる。また、このプラズマ処理装置1は、小型かつ安価なものとなる。
次に、本発明のプラズマ処理装置の第2実施形態について説明する。
図3は、本発明のプラズマ処理装置の第2実施形態を示す模式図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図3中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第2実施形態について説明するが、前記第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかるプラズマ処理装置は、プラズマ供給手段の構成が異なること以外は、前記第1実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態では、配管44を介して供給された水素ガスと、配管45を介して供給された酸素ガスと、配管46を介して供給された処理ガスとを火炎ノズル43内で混合し、この混合ガスを燃焼させて火炎Fを発生させる。この火炎Fは、燃焼のエネルギーにより、火炎ノズル43から燃焼室401に向けて放射される。
さらに、配管404の途中には、配管404を開閉するバルブ406が設けられ、配管405の途中には、配管405を開閉するバルブ407が設けられている。
また、本実施形態にかかるプラズマ供給手段4は、処理チャンバー2と燃焼チャンバー40との間に、反応ガス供給ノズル408を備えている。
この反応ガス供給ノズル408は、その一端が処理室21内に開口し、他端が燃焼室401内に開口しており、これにより、処理室21と燃焼室401とが互いに連通している。
この反応ガスは、反応ガス供給ノズル408を介して、処理室21内の基板10に向けて供給される。
なお、前記第1実施形態では、プラズマの密度やラジカルの密度を調整するために設定する処理条件の1つとして、火炎ノズルと基板との距離が挙げられるが、本実施形態では、反応ガス供給ノズル408と基板10との距離を設定するようにすればよい。これにより、前記第1実施形態と同様に、エッチング加工の加工量を容易に調整することができ、かつ、より少ないタイムラグで加工量の調整を行うことができる。
また、前記第1実施形態では、火炎とともにプラズマやラジカルが基板10に供給されるようになっているが、本実施形態では、プラズマやラジカルを含む反応ガスが基板10に供給されるようになっている。
したがって、本実施形態にかかるプラズマ処理装置1は、ガラス材料で構成され、比較的耐熱性が低い基板10に対してエッチング加工を施す際に、その効果が特に有効に発揮される。
また、前記各実施形態にかかるプラズマ処理方法は、任意の工程を追加することもできる。
Claims (5)
- ワークに向けてプラズマを供給するプラズマ供給手段を有し、
前記ワークに前記プラズマを接触させることにより反応物を生成し、前記反応物を前記ワークから脱離させることにより、前記ワークにエッチング加工を施すプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ供給手段は、前記ワークが位置する空間から隔離された燃焼室を備えており、該燃焼室内において、火炎中に処理ガスを導入することにより、前記処理ガスをプラズマ化して前記プラズマを発生させ、該発生したプラズマを前記ワークに向けて放射するよう構成されており、
前記火炎は、前記処理ガスと水素ガスを主成分とする可燃性ガスとを混合して混合ガスを生成した後、前記混合ガスと酸素ガスを主成分とする助燃性ガスとを合流させ、この合流の位置で、これらのガスを燃焼させて発生させたものであることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記ワークは、ガラス材料で構成されている請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 当該プラズマ処理装置は、水を電気分解して水素ガスと酸素ガスとを発生させ、発生したガスを前記プラズマ供給手段に導入するガス発生手段を有する請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
- 当該プラズマ処理装置は、前記ワークに向けて前記プラズマを供給する前に、あらかじめ前記ワークを加熱する加熱手段を備える請求項1ないし3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載のプラズマ処理装置を用いて、前記ワークにエッチング加工を施すことを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006236960A JP4893169B2 (ja) | 2006-08-31 | 2006-08-31 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006236960A JP4893169B2 (ja) | 2006-08-31 | 2006-08-31 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008057012A JP2008057012A (ja) | 2008-03-13 |
JP2008057012A5 JP2008057012A5 (ja) | 2009-10-15 |
JP4893169B2 true JP4893169B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=39240108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006236960A Expired - Fee Related JP4893169B2 (ja) | 2006-08-31 | 2006-08-31 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4893169B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7510664B2 (en) * | 2001-01-30 | 2009-03-31 | Rapt Industries, Inc. | Apparatus and method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for shaping of damage free surfaces |
US7371992B2 (en) * | 2003-03-07 | 2008-05-13 | Rapt Industries, Inc. | Method for non-contact cleaning of a surface |
-
2006
- 2006-08-31 JP JP2006236960A patent/JP4893169B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008057012A (ja) | 2008-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007522935A5 (ja) | ||
JP2009513329A (ja) | プラズマリアクタ | |
JP2009532842A (ja) | 直流アークプラズマトロン及び直流アークプラズマトロンを使用する方法 | |
JP5025614B2 (ja) | 大気圧プラズマ処理方法 | |
Němcová et al. | Chemical Efficiency of $\hbox {H} _ {2}\hbox {O} _ {2} $ Production and Decomposition of Organic Compounds Under Action of DC Underwater Discharge in Gas Bubbles | |
Konov et al. | CO2 laser-induced plasma CVD synthesis of diamond | |
KR100954486B1 (ko) | 전자파 플라즈마토치에서 발생한 활성입자의 화학반응 장치 | |
JP4893169B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
Vadikkeettil et al. | Comparative study of plasma torch characteristics using air and carbon dioxide | |
Korolev et al. | Plasma-assisted combustion system for incineration of oil slimes | |
JP4621848B2 (ja) | 酸化薄膜の作成方法 | |
JPH0780287A (ja) | 高周波誘導熱プラズマ発生方法および有機ハロゲン化合物の分解方法 | |
JP2004160312A (ja) | Pfcガス分解システム及びガス分解方法 | |
JP4158905B2 (ja) | ガス浸炭処理装置 | |
JP2006224066A (ja) | プラズマ除害機の制御方法および該方法を用いた装置 | |
US6156994A (en) | Arc-plasma method for welding metals | |
JP2024507524A (ja) | 極紫外線フォトマスク上でのルテニウム酸化物還元のための方法及び装置 | |
JPS62273047A (ja) | 燃焼炎複合高周波熱プラズマ発生装置 | |
Riaby et al. | Application of a high-durability DC arc plasmatron to plasma-chemical processing of silicon substrates | |
JPH10182521A (ja) | メタノール合成方法およびメタノール合成装置 | |
JP2907345B2 (ja) | プラズマトーチにおける原料ガス励起方法 | |
KR20210026851A (ko) | 레이저 가열과 플라즈마를 이용한 산화환원 처리방법 | |
JP2615190B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素の製造方法 | |
RU2324255C2 (ru) | Универсальный дуговой источник вуф-фотонов и химически активных частиц | |
JP3866854B2 (ja) | 表面処理装置および方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090827 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090827 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110913 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111122 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |