JP4893064B2 - 半導体集積回路および半導体集積回路設計方法 - Google Patents
半導体集積回路および半導体集積回路設計方法 Download PDFInfo
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1)大規模な半導体集積回路を設計する場合、既存のIPマクロ(例えば他社から購入したブラックボックスになっているマクロブロック)を組み込む場合など、半導体集積回路を階層化して下層ブロックと、その下層ブロックを結線する上層のTOPレベルに分けて設計することが普通である。この場合、各下層ブロック内のFFに到達するクロック遅延を可能な限り等しくし、半導体集積回路内の全FF間のクロックスキューをできるだけ小さくすることが行われている。半導体集積回路全体のクロックスキューをできるだけ小さく設計するために、まずブロック内の物理設計を行い、ブロック内部のクロック遅延を決定し、それをTOPレベルのクロック配線遅延にフィードバックするといった手法が取られている(例えば、下記特許文献1参照。)。
半導体集積回路は、複数の下位ブロックとそれら複数の下位ブロックを包含する上位レベルのブロックとにより構成し、下位ブロック間のインターフェース信号をソースシンクロナスタイプとして設計する。すなわち、送信側ブロックは送信側ブロックのクロックと共に制御信号/データを送り、受信側ブロックは受信したクロックで一旦受信データをラッチしてから受信側ブロック内部クロックの位相をあわせてブロック内部に送出するための受信回路を持つ。
(半導体集積回路の構成)
図1は、本発明の実施の形態による半導体集積回路の構成例を示す図である。図1に示す半導体集積回路10は、内部に複数の下位ブロックBLK1〜BLK5(11−1〜11−5)とクロック生成回路14を含み、クロック生成回路14は、クロックを各下位ブロック(11−1〜11−5)に配っている。各下位ブロック(11−1〜11−5)は、内部にコア論理(12−1〜12−5)と、クロックツリー(13−1〜13−5)を含んでおり、各クロックツリー(13−1〜13−5)は、クロック生成回路14から伝達されたクロックを、各ブロック内のコア論理(12−1〜12−5)内に存在するFF群(図1中では省略)に対して低スキューで伝達する機能を有する。
以下、図1に示した半導体集積回路に設けられる送信器および受信器の各構成例について説明する。図2は、本発明の送信器/受信器の一例を示す構成図である。図2においては、送信クロックを反転する場合(データが安定してからクロックの立ち上がりエッジが受信側ブロックに到着する)の例を示してある。
図3は、本発明の送信器/受信器の一例を示す構成図である。図3の構成は、図2とほぼ同じであるが、送信側ブロック31が出力するクロックのポジティブエッジがデータの変化点と同じ(送信クロックを反転させない)例である。
図4は、本発明の受信器の一例を示す構成図である。上記の図2、図3の構成例は、送信側ブロックと、受信側ブロック間でクロックの位相が全く保証されていない場合の回路であったことに対して、図4の構成は、送信側ブロック(省略)と、受信側ブロック41の2つのクロックの位相関係がある程度限定されてわかっている場合の例である。
図5は、本発明の受信器の一例を示す構成図である。図5の構成も、送信側ブロック(省略)と、受信側ブロック51の2つのクロックの位相関係がある程度限定されてわかっている場合の例である。受信側ブロック51内のクロックは、受信FF群2(55−2)と、クロック位相検出器53に供給される。図4が受信FF群1(45−1)に与えるクロックを受信側ブロック41のクロックから生成していたのに対して、図5の構成では、送信側ブロックからのCLKを受信器52内のVDL54で遅らせて受信FF群1(55−1)用のクロックを作っている点が異なる。
図6−1は、本発明の送信器/受信器の一例を示す構成図である。図6−1に示す構成では、上述した構成と同様にブロック間インターフェースとしてソースシンクロナスインターフェースを使うが、ブロック間クロックのポジティブエッジとネガティブエッジの両エッジを使って転送を行うDDR(Double−Data−Rate)を使う場合の例である。
図7は、本発明の送信器/受信器の一例を示す構成図である。図7に示す構成は、図6−1と同じDDRを使うブロック間インターフェースであり、図6−1と同じ構成部には同じ符号を付してある。図7において、図6−1と異なる点は、送信側ブロック71の送信器73には、送出クロック90°位相シフター76−1が設けられており、出力するクロックがすでに90°位相がずれているため、ブロック間インターフェース60上のデータウィンドウの中心にブロック間クロックのUp/Downのエッジがくることである。そのため、受信側ブロック72内の受信器74では、受信したブロック間クロックをそのまま受信FF群even1(69−0−1)に使用しており、さらに受信したブロック間クロックを反転したクロックを受信FF群odd1(69−1−1)のクロックとして使用している。図6−1と、図7の構成では、このクロック構造だけが異なる。
図8−1は、本発明の送信器/受信器の一例を示す構成図である。また、図8−2は、図8−1の構成によるデータ転送のタイムチャートである。図8−1に示す構成は、1クロックで4つ分のデータを送るQuad−Data−Rate(QDR)の場合の例である。送信側ブロック81は、送信器83を有し、その中には送信側FF群0〜3(85−0〜85−3)が設けられ、その出力先に4:1のマルチプレクサ86−2が設けられる。このマルチプレクサ86−2は、マルチプレクサ用選択信号生成回路86−3によって制御されている。
図9は、本発明の送信器/受信器の一例を示す構成図である。図9に示す構成は、上述したようなクロックとデータを同時に送信するソースシンクロナスとは異なるクロックデータリカバリ(CDR)の例である。QDRよりさらに高速にデータを送りたい場合などは、回路的にクロック信号とデータ信号の関係を正しく保つことが難しくなる。そこで、データの中にクロック信号を埋め込むクロックデータリカバリの手法が用いられる。
図10は、本発明の受信器の一例を示す構成図である。半導体集積回路内でソースシンクロナスのインターフェースを作る場合に、できるだけクロックとデータを並べて同じドライブ能力、同じ配線長/配線層とし、その伝播遅延誤差を小さくすることが行われている。しかし、それができず、ビットによってタイミングずれが発生してしまう場合に、そのずれを解消する回路の例である。受信側ブロック100には、上記の各構成例として説明したいずれかの受信器101が配置される。そして、図10に示すように、受信側ブロック100内には、受信器101のすぐ内側にビットアライメントブロック102を追加する。
図11は、本発明の半導体集積回路内のブロック毎にクロックを制御する構成図である。上述した各構成により、半導体集積回路111の下位ブロックであるBLK0〜BLK9(116−0〜116−9)のクロックを任意にずらせるようになった場合に、どのようにクロックをずらすかを図11に示す。クロックに任意に遅延を与える方法としては、クロック生成回路112の中のPLL114や、DLL/VDL115によって意図的な遅延を付加させる。あるいは、クロック生成回路112の内部に遅延素子113−1、あるいは下位ブロックBLK1(116−1)の上位ブロックとして遅延素子113−2を配置する。
図12は、本発明の半導体集積回路内のブロック毎にクロックを制御する構成図である。この図12の構成では、下位ブロックのクロック制御方法例と電源ノイズ削減においてインテリジェンス機能を持たせて行う場合の例である。半導体集積回路121内には、複数の電源ノイズ測定回路1〜5(125−1〜125−5)を配置する。そして、クロック生成回路122内のVDL123−1〜123−4によって遅延をつけたクロックで複数の下位ブロックBLK1〜BLK4(126−1〜126−4)を動作させたときに、電源ノイズ測定回路1〜5(125−1〜125−5)によって検出される電源ノイズが小さくなるように、クロック遅延制御回路124でVDL123−1〜123−4を制御する。
受信側の前記ブロックには、所定のトレーニングパターンによりビットずれを修正するビットアライメント手段を備えたことを特徴とする付記1に記載の半導体集積回路。
11−1〜11−5 下位ブロック(BLK1〜BLK5)
12−1〜12−5 コア論理
13−1〜13−5 クロックツリー
14 クロック生成回路
15−1−5,15−5−1,15−5−3,15−3−5 ソースシンクロナス受信器
16−1−5,16−5−1,16−5−3,16−3−5 ソースシンクロナス送信器
17 同期ブロック間インターフェース
Claims (5)
- 階層化されたブロック間のインターフェースを、クロックとデータを同時に送るソースシンクロナスタイプとし、
受信側の前記ブロックには、所定のトレーニングパターンを用いて受信したデータビット間のクロックサイクルずれを検出し、クロックサイクルずれが検出されたビットの出力タイミングを修正するビットアライメント手段を備えたことを特徴とする半導体集積回路。 - 受信側の前記ブロックにメソクロナスタイプの同期化回路を備え、前記インターフェースのデータをセットアップ/ホールド違反なしに受信し、受信側の前記ブロックの内部回路に転送することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記ブロック間の前記インターフェースに、前記クロックに同期したDDR、あるいはQDRを用い、当該ブロック間インターフェース信号数を少なくしたことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記ブロックをそれぞれ独立のクロックで動作させ、当該ブロックにそれぞれ位相の異なるクロックを与える遅延手段を備え、回路全体の1クロック内の消費電力の差を平坦化させることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体集積回路。
- 階層化されたブロック間のインターフェースを、クロックとデータを同時に送るソースシンクロナスタイプとして設計し、受信側の前記ブロックにおいて、所定のトレーニングパターンを用いて、受信したデータビット間のクロックサイクルずれを検出し、クロックサイクルずれが検出されたビットの出力タイミングを修正することを特徴とする半導体集積回路設計方法。
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