JP4889407B2 - 液晶表示素子の駆動方法及び装置 - Google Patents

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Description

本発明は液晶表示素子に関するもので、特に液晶の温度が異なる際に最適の応答時間を自動的に選択する液晶の応答時間の測定方法及び装置に関するものである。また、本発明は前記液晶の応答時間の測定方法及び装置により導出された最適の応答時間を基礎として液晶表示素子の使用温度が変化する際に発生する画質の低下を最小にすることができる液晶表示素子の駆動方法及び装置に関する。
液晶表示素子はビデオ信号により、液晶セルの光透過率を調節して画像を表示する。液晶セル毎にスイッチング素子が形成されたアクティブ・マトリックスタイプの液晶表示素子は動画像を表示するのに好適である。アクティブ・マトリックスタイプの液晶表示素子に使用されるスイッチング素子としては主に薄膜トランジスタ(以下、“TFT”という)が利用されている。
液晶表示素子は下記の数式1及び2で示されるように、液晶の固有な粘性と弾性の特性に起因して応答時間が遅いという短所がある。
Figure 0004889407
ここで、τは液晶に電圧が印加される際のライジング・タイムを、Vは印加電圧を、Vは液晶分子が傾斜運動を始めるフレデリック遷移電圧を、dは液晶セルのセル・ギャップを、ガンマは液晶分子の回転粘度をそれぞれ意味する。
Figure 0004889407
ここで、τは液晶に印加された電圧がオフされた後、液晶が弾性復元力により、元の位置に復元するフォーリング・タイムを、Kは液晶の固有の弾性係数をそれぞれ意味する。
現在まで液晶表示素子でもっとも一般的に使用されてきた液晶モードであるTNモードの液晶応答時間は液晶材料の物性とセル・ギャップによるが、通常、ライジング・タイムが20〜80msであり、フォーリング・タイムが20〜30msである。このような液晶の応答時間は1フレーム期間(NTSC、16.67ms)より長いために図1のように液晶セルに充電される電圧が所定の電圧に到達する前に次のフレームに移行するために動画像の場合に画面が不明瞭になるモーション・ブラーリング現象が現れる。
図1を参照すると、従来の液晶表示素子は遅い応答時間により、1つのレベルから異なるレベルへデータVDが変化する際に、それに対応する表示輝度BLが所定の輝度に到達せず、所定の色と輝度を表現できなくなる。その結果、液晶表示素子は動画像でモーション・ブラーリング現象が現れ、明暗比の低下によって画質が劣化する。
このような液晶表示素子の応答時間が遅い問題を解決するために、アメリカ特許第5,495,265号とPCT国際公開WO99/05567にはルックアップ・テーブルを利用してデータの変化有無により、データを変調する方法(以下、“高速駆動”という)が提案されている。この高速駆動方法は図2のような原理でデータを変調する。
図2に示したように、従来の高速駆動方法は入力データVDを変調して変調データMVDを液晶セルに印加して所定の輝度MBLを得る。この高速駆動方法は一フレーム期間の間に入力データの輝度値に対応して所定の輝度が得られるようにデータの変化の有無を基礎として数式1で、
Figure 0004889407
を大きくする。従って、高速駆動方法を利用する液晶表示素子は液晶の遅い応答時間をデータ値の変調で補償して動画像でモーション・ブラーリング現象を緩和させ、所定の色と輝度からなる画像を表示する。
換言すれば、高速駆動方法は以前のフレームFn−1と現在のフレームFnのそれぞれの最上位ビット・データMSBを比較して最上位ビット・データMSBの間の変化があると、ルックアップ・テーブルで当たる変調データMdataを選択して図3のように変調する。このような高速駆動方法はハードウエアとして実現する際にメモリの容量の負担を減らすために、上位の数のビットだけを変調する。このように実現された高速駆動装置は図4のようになる。
図4に示すように、従来の高速駆動装置は上位ビット・バスライン42に接続されたフレーム・メモリ43と、上位ビット・バスライン42とフレーム・メモリ43の出力端子に共通で接続されたルックアップ・テーブル44とを具備する。
フレーム・メモリ43は最上位ビット・データMSBを1フレーム期間の間に格納して格納されたデータをルックアップ・テーブル44に供給する。ここで、最上位ビット・データMSBは8ビットのソース・データ(RGB Data In)の中で上位4ビットで設定される。
ルックアップ・テーブル44は上位ビット・バスライン42から入力される現在のフレームFnの最上位ビット・データMSBとフレーム・メモリ43から入力される以前のフレームFn−1の最上位ビット・データMSBを下の表1のように比較してその比較結果に対応する変調データMdataを選択する。変調データMdataは下位ビット・バスライン41からの下位ビット・データLSBと加算されて液晶表示素子に供給される。表1は以前のフレームFn−1の最上位4ビット24、25、26、27と現在のフレームFnの最上位4ビット24、25、26、27を比較してその比較結果に対応する変調データMdataを選択するルックアップ・テーブル44の一例を示す。
最上位ビット・データMSBを4ビットで限定した場合に、高速駆動方法のルックアップ・テーブル44は下の表1及び表2のように具現される。
Figure 0004889407
Figure 0004889407
表1及び表2において、最左側の列は以前のフレームFn−1のデータ電圧VDn-1であり、最右側の列は現在のフレームFnのデータ電圧VDnである。表1は最上位4ビット2、2、2、2を10進数で表現したルックアップ・テーブル情報である。表2は8ビットのデータの中の最上位4ビットの加重値2、2、2、2を表1のデータに適用した場合のルックアップ・テーブル情報である。
しかし高速駆動方法は液晶表示素子の使用温度により、その効果が異なってくる問題点がある。このような問題点は本願出願人により、製作されて市販されている解像度1280×768の30”液晶表示モジュールに対して行った実験によって確認されている。
表3は0°Cで前記液晶表示モジュールを図1のような正常な駆動方法で駆動させた場合に、グレー・スケール0(G0)、63(G63)、127(G127)、191(G191)、255(G255)のそれぞれでのライジング・タイムとフォーリング・タイムでの応答時間(ms)を示す。
Figure 0004889407
表4は0°Cで前記液晶表示モジュールを駆動した場合の、グレー・スケール0(G0)、63(G63)、127(G127)、191(G191)、255(G255)のそれぞれでのライジング・タイムとフォーリング・タイムでの応答時間(ms)を示す。
Figure 0004889407
表3及び表4が示すように、0°Cの使用環境で前記液晶表示モジュールを図1のような正常駆動方法で駆動させた場合に、液晶セルのライジング・タイムはほとんど差がない。換言すれば、高速駆動方法で液晶表示素子を駆動するとしても低温環境で応答時間を早くするのに難しさがある。
表5は25°Cで前記液晶表示モジュールを駆動した場合に、グレー・スケール0(G0)、63(G63)、127(G127)、191(G191)、255(G255)のそれぞれに対応するライジング・タイムとフォーリング・タイム応答時間(ms)を示す。
Figure 0004889407
表4及び表5に示されているように、液晶表示素子を高速駆動して液晶の応答時間を早くさせることを意図した場合にもその液晶表示素子の使用環境が低温(0°C)であると、液晶の応答時間が著しく遅くなり、画質が劣る。結果的に、従来の液晶表示素子は図1のような正常駆動方法か高速駆動方法で駆動されても使用温度が変わると液晶の応答時間が異なり、画質が変化する。
アメリカ特許第5,495,265号公報 国際公開公報WO99/05567
従って、本発明の目的は、液晶の温度が異なる際に最適の応答時間を自動的に検出する液晶の応答時間の測定方法及び装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、液晶の応答時間の測定方法及び装置により導き出された最適の応答時間に基づいて液晶表示素子の使用温度が変化する際に発生する画質の低下を最小にすることができる液晶表示素子の駆動方法及び装置を提供することである。
前記目的を達成するために、本発明の実施例に係る液晶の応答時間の測定方法はターゲット電圧レベルと液晶表示パネルの応答特性により変化する可変電圧レベルを有する液晶駆動信号を発生する第1段階と、前記液晶駆動信号を前記液晶表示パネルに供給する第2段階と、前記液晶駆動信号に応答する前記液晶表示パネルの応答特性を検出する第3段階と、前記応答特性が所定の水準に達するように前記可変電圧レベルを調整する第4段階と、前記応答特性が所定の水準に達するように前記可変電圧レベルを変調データに設定する第5段階と、前記液晶表示パネルの温度を変化させて前記第1ないし第5段階を繰り返して各温度別に変調データを検出する第6段階と、を含む。
前記第3段階は、前記液晶表示パネルの輝度を検出する段階と、前記検出された輝度に対応する電圧信号を発生する段階と、2つの時刻の間で前記電圧信号の差を検出する段階と、前記電圧信号の差を所定の臨界値と比較してその結果により、前記応答特性の所定の水準に到達したか否かを判断する段階と、を含む。
本発明の実施例に係る液晶の応答時間の測定装置は液晶表示パネルの温度を調節するための温度調節器と、ターゲット電圧レベルと液晶表示パネルの応答特性により変化する可変電圧レベルを有する液晶駆動信号を発生して前記液晶駆動信号を前記液晶表示パネルに供給する信号発生器と、前記液晶駆動信号に応答する前記液晶表示パネルの応答特性を検出する光検出器と、前記応答特性の所定の水準に達するように前記可変電圧レベルを調整して前記応答特性の所定の水準に達するように前記可変電圧レベルを変調データに設定するレベル調整器と、を具備する。
この液晶の応答時間の測定装置は前記温度調節器を制御することで前記液晶表示パネルの温度を変化させて各温度別に変調データを検出することを特徴とする。
本発明の実施例に係る液晶の応答時間の測定装置は、前記液晶表示パネルがロードされる温度調節チャンバーと、前記液晶表示パネルの温度を感知するための温度センサーと、前記温度調節器の制御の下に前記温度調節チャンバー内の温度を変化させるための冷却/加熱器と、を更に具備するものであっても良い。
本発明の実施例に係る液晶の応答時間の測定装置は、前記温度センサーからの温度感知信号に応答して前記信号発生器と前記レベル調整器を制御して前記温度調節器を制御する制御器を更に具備するものであっても良い。
前記レベル調整器は2つの時刻の間で前記電圧信号の差を検出して、前記電圧信号の差を所定の臨界値と比較してその比較結果により、前記応答特性の所定の水準に到達したか否かを判断して前記可変電圧レベルの調整可否を決定することを特徴とする。
前記液晶駆動信号は前記ターゲット電圧レベルと前記電圧レベルを含んで電圧レベルが少なくとも3以上であることを特徴とする。
本発明の実施例に係る液晶表示素子の駆動方法は液晶表示パネルの温度別に設定された変調データを格納する段階と、前記液晶表示パネルの温度を感知する段階と、前記液晶表示パネルの温度により前記変調データを選択して選択された変調データを利用してソースデータを変調する段階と、を含む。
前記変調データは、前記温度を変化させながらターゲット電圧レベルと液晶表示パネルの応答特性により変化する可変電圧レベルを有する液晶駆動信号に前記液晶表示パネルを駆動する際に検出される前記液晶表示パネルの応答特性の所定の水準に達するように電圧レベルで設定されることを特徴とする。
前記変調データは、40°C〜70°Cの高温である際に設定される高温変調データと、15°C〜35°Cの常温に対応して設定される常温変調データと、−20°C〜10°Cの温度に対応して設定される低温変調データと、を含む。
前記液晶表示パネルの温度により前記高温変調データ、前記常温変調データ及び前記低温変調データの中のいずれか1つが選択されることを特徴とする。
本発明の実施例に係る液晶表示素子の駆動装置は液晶表示パネルの温度を感知する温度センサーと、前記液晶表示パネルの温度別に設定された変調データが格納されて前記温度センサーからの温度感知信号に応答して前記変調データを選択して選択された変調データを利用してソースデータを変調する変調器と、を具備する。
前記変調器は、入力ラインからのソース・データを格納するためのフレーム・メモリと、40°C〜70°Cの温度に対応して設定される高温変調データを含む第1ルックアップ・テーブルと、15°C〜35°Cの常温に対応して設定される常温変調データを含む第2ルックアップ・テーブルと、−20°C〜10°Cの温度に対応して設定される低温変調データを含む第3ルックアップ・テーブルと、前記温度センサーからの温度感知信号に応答してデータと前記フレーム・メモリからのソース・データを供給するための選択装置と、を具備する。
本発明に係る液晶の応答時間の測定方法及び装置は3レベル信号を利用して液晶表示パネルの周辺温度を変えながら各グレー・スケールの最適変調データを自動的に検出することで、各温度別に液晶の応答時間を早くするための最適の変調データを自動的に抜き出すことができる。
また、本発明に係る液晶の応答時間の測定方法及び装置は前記液晶の応答時間の測定方法及び装置により導き出された温度別の最適変調データをルックアップ・テーブルで構成して温度センサーを通して感知された液晶表示パネルの温度に適合の最適の変調データを前記ルックアップ・テーブルで選択してソース・データを変調することで液晶表示素子の使用温度が変化する際に発生する画質の低下を最小化することができる。
以下、図5乃至図13を参照して本発明の好ましい実施例について説明する。
図5を参照すると、本発明に係る液晶の応答時間の測定装置は液晶表示パネル・サンプル52がロードされる温度調節チャンバー59と、温度調節チャンバー59の温度を調節するための冷却/加熱器60と、液晶表示パネル・サンプル52の周囲の温度を検出するための温度センサー57と、温度センサー57と冷却/加熱器60に接続された温度調節器58と、液晶表示パネル・サンプル52に3レベル信号を供給するためのシステム51と、液晶表示パネル・サンプル52の上に表示された画像の光強さを検出するための光検出器53と、光検出器53とシステム51の間に接続された信号増幅器55及びデータ収集カード56と、を具備する。
温度調節チャンバー59の内では光検出器53、図示しないステージ(Stage)、冷却/加熱器60が設置される。ステージの上には液晶表示パネル・サンプル52が置かれる。この温度調節チャンバー59の内の温度は冷却/加熱器60から発生する冷気か熱気によって調節される。
冷却/加熱器60は信号線60aを経由して温度調節器58から供給される電流、電圧の電気的な信号によって発熱または吸熱して熱気か冷気を温度調節チャンバー59の内に供給する。
温度センサー57は公知の温度センサーで具現されて温度調節チャンバー59の内に設置されて温度調節チャンバー59の内の温度を電流、電圧の電気的な信号に感知して温度を支持する温度感知信号を信号線57aを経由してシステム51に供給する。温度感知信号は図示しないアナログ/デジタル変換機(以下、“ADC”という)によりデジタル信号へ変換されてシステム51に入力される。
温度調節器58はシステム51の冷却/加熱器60を制御する。この温度調節器58はシステムの内に内蔵することができる。
システム51は液晶表示パネル・サンプル52のデータ・ラインに供給される3レベル信号を生成して液晶表示パネル・サンプル52に供給する。このシステム51はモニターとその駆動回路を含んで温度調節器58とデータ収集カード56から供給されるデータをモニターの上に表示すると共に図6のようなパターン制御回路とプログラムを含んで検査運用者の制御の下にまたは前もってプログラムされた制御手順によって自動的に液晶の応答特性により、3レベル信号を調整する。また、システム51は温度調節器58からの温度感知信号をモニターの上に表示することで検査の運用者に温度調節チャンバー59の温度を実時間に監視することができるようにして検査の運用者からの命令を実行する。
液晶表示パネル・サンプル52は二枚のガラス基板の間に液晶が注入されて、その下部のガラス基板の上にデータ・ラインとゲート・ラインが相互に直交になるように形成される。データ・ラインとゲート・ラインの交差部にはTFTが形成される。TFTはスキャニングパルスに応答してデータ・ラインの上のデータを液晶セルに供給する。この液晶表示パネル・サンプル52はシステム51から入力される3レベル信号によってサンプル画像を表示する。
光検出器53は液晶表示パネル・サンプル52の画素に対向するように温度調節チャンバー59の内に位置して温度調節チャンバー59を通して連結される信号線54を経由して信号増幅器55に接続される。この光検出器53は液晶表示パネル・サンプル52の上に表示されたサンプル画像から入射される光を光電変換する。光検出器53から出力される電流は光強さに比例する。この光検出器53は光ダイオード(Photo Diode)かフォトマルチプライアーチューブ(Photo−Multiplier Tube;PMT)で具現される。
信号増幅器55は光検出器53からの光検出信号をシステム51が認識することができるデジタル形態に変換してシステム51に供給する。
図6はシステム51のパターン制御回路を示す。
図6に示されているように、システム51は3レベル信号3LPを発生するための信号発生器62と、入力ライン65と遅延機64を経由してデータ収集カード56に接続された減算機63と、換算機63と信号発生器62との間に接続されたレベル調整器61と、レベル調整器61に接続されたメモリ67と、システム51を制御するための制御器68と、を具備する。
信号発生器62は制御器68とレベル調整器61の制御の下に図7A及び図7Bのような正極性/負極性の3レベル信号3LP、−3LPを発生する。3レベル正極性の信号3LPは図7Aのように基底レベルL1とそれより高い正極性ターゲット・レベル(Target Level)L2と、ライジング・タイムから1フレーム期間1Fまで維持される正極性の可変レベルVL3を含む。ここで、基底レベルL1と正極性ターゲット・レベルL2は固定されるのに反して、正極性可変レベルVL3はレベル調整器61の制御の下に正極性ターゲットレベルL2より高い特定の電位からそれより高い最上位の正極性電位MLの間で可変になる。同じく、負極性の3レベル信号−3LPは図7Bのように基底レベルL1とそれより低い負極性のターゲットレベル−L2と、フォーリング・タイムから1フレーム期間1Fまで維持される負極性の可変レベル−VL3と、を含む。基底レベルL1と負極性のターゲットレベル−L2は固定されるのに反して、極性の可変レベル−VL3はレベル調整器61の制御の下に負極性のターゲットレベルL2より低い特定の電位からそれより低い最下位の負極性の電位−LLの間で可変になる。
可変レベルVL3、−VL3が維持される1フレーム期間1fは表示素子の駆動の周波数によって調整することができる。例えば、1フレーム期間1fは50Hzの駆動の周波数で20.00msに、60Hzの駆動の周波数で16.67msに、70Hzの駆動周波数で14.29msに、80Hzの駆動の周波数で12.50msにそれぞれ設定することができる。
信号発生器62が発生した3レベル信号3LP、−3LPは図5の液晶表示パネル・サンプル52のデータ・ラインに供給される。
遅延機64はPMT54から入力される信号を1フレーム期間の間に遅延させた後、遅延された信号Vf(t’)を減算機63に供給する。
減算機63は入力ライン65から供給される遅延されていない信号Vf(t’+1f)と遅延機64によって遅延された信号Vf(t’)を減算して、その減算の結果生成された差電圧Vsbtをレベル調整器61に供給する。
レベル調整器61にはすでに設定された臨界値Lthが格納されている。このレベル調整器61は制御器68の制御の下に減算機63から差電圧Vsbtと臨界値Lthを比較して、その比較結果により、減算機63の差電圧Vsbtが臨界値Lthより大きい際に可変レベルVL3、−VL3が調整されるように信号発生器62を制御する。また、レベル調整器61は減算機63からの差電圧Vsbtと臨界値Lthを比較して、その比較結果により、減算機63の差電圧Vsbtが臨界値Lth以下であると、その時の可変レベルVL3、−VL3を変調データ電圧としてメモリ67に格納する。
制御器68はレベル調整器61を制御して温度感知データ、変調データ、メニュ・データをモニターに供給する。そして、制御器68は特定の温度で各グレー・スケールの最適の変調データが検出された後には温度調節器58を制御して温度調節チャンバー59の内の温度を変化させた後、レベル調節器61を制御して変化させた温度で最適の変調データをまた検出する。
図8は本発明に係る液晶の応答時間の測定装置を利用して変調データを生成する過程を段階的に示す流れ図である。
図8を参照すると、信号発生器62から3レベル信号3LP、−3LPが発生すると、この3レベル信号3LP、−3LPに応答して液晶表示パネル・サンプル52にはサンプル画像が表示される。(S81及びS82段階)このサンプル画像の輝度は光検出機53により検出されて、光検出機53から出力される信号は信号増幅機55により増幅されて、データ収集カード56によりデジタル形態の電圧信号に変換になる。(S83及びS84段階)減算機63は一フレームの終了時点t’に検出される可変レベル信号Vf(t’)とその次のフレーム終了時点で検出される可変レベル信号Vf(t’+1f)を減算してその差電圧Vsbtの絶対値をレベル調整器61に供給する。(S85段階)
レベル調整器61は減算機63からの差電圧Vsbtと臨界値Lthを比較する。(S86段階)その比較の結果、差電圧Vsbtが臨界値Lthより大きい際に、レベル調整器61の制御により可変レベルVL3、−VL3が調整されて(S87段階)、S81乃至S86段階が繰り返される。これと異なり、差電圧Vsbtが臨界値Lth以下である際に、レベル調整器61の制御により、その時の可変レベルVL3、−VL3がメモリ67に格納する。このようにメモリ67に格納された可変レベル電圧は変調データ電圧に設定される。(S88段階)
S81乃至S88段階を繰り返し、遂行して各グレー・スケール地(G0乃至G255)に対するすべての変調データ電圧が検出されると(S89段階)、システム51は検査運用者かプログラムを制御して温度調節器58を操作して温度調節チャンバー59内の温度を変更してS81乃至S89段階を再遂行する。(S90段階)
S90段階の温度変更は低温(−20°C〜10°C)から常温(15°C〜35°C)、常温(15°C〜35°C)から高温(40°C〜70°C)、あるいは高温(40°C〜70°C)から低温(−20°C〜10°C)で実施される。
図8のアルゴリズムはグラフィック・ユーザ・インターペースを基盤とするプログラムに具現されてシステム内のROMに格納される。このプログラムは検査運営者の制御の下でシステムのマイクロ・プロセッサーにより呼び出されて実行される。
S86乃至S88段階の変調データの設定課程を図9A乃至図10Bを参照して詳細に説明する。
図9A及び図9Bを参照すると、3レベル信号3LPにより液晶応答特性(輝度または液晶セルの電圧)が変化する際に、可変レベルにより1フレームの終了時点t’から応答特性が異なってくる。可変レベルVL3の所定の水準より大きいか小さいと、その際の液晶応答特性NG1、NG2は最適の応答特性Optより大きいか小さくなる。最適の応答特性Optは一フレームの終了時点t’とその次のフレームt’+1fとの間に変化する応答特性の臨界値Lth以下である際に、即ち、最適の応答特性Optである際の可変レベル電圧である。
このように各温度別に設定された最適の変調データはルックアップ・テーブル(Look−up table)に格納される。低温で最適に設定された変調データは低温ルックアップ・テーブルに、常温で最適に設定された変調データは常温ルックアップ・テーブルにそして高温で最適に設定された変調データは高温のルックアップ・テーブルに登載されてそれぞれのルックアップ・テーブルはメモリに格納される。
図11は本発明の実施例に係る液晶表示装置を示す。
図11を参照すると、本発明に係る液晶表示装置はデータ・ライン115とゲート・ライン116が交差になり、その交差部に液晶セルClcを駆動するためのTFTが形成された液晶表示パネル117と、液晶表示パネル117の温度を感知するための温度センサー118と、液晶表示パネル117のデータ・ライン115にデータを供給するためのデータ駆動部113と、液晶表示パネル117のゲート・ライン116にスキャン・パルスを供給するためのゲート駆動部114と、温度別にデータRGBを変調するための温度別のデータ変調器112と、を具備する。
液晶表示パネル117は二枚のガラス基板の間に液晶が注入されて、その下部ガラス基板の上にデータ・ライン115とゲート・ライン116が相互直交に形成される。データ・ライン115とゲート・ライン116の交差部に形成されたTFTはゲート・ライン116からのスキャン・パルスに応答してデータ・ライン115の上にデータを液晶セルClcに供給する。このために、TFTのゲート電極はゲート・ライン116に接続されて、ソース電極はデータ・ライン115に接続される。そしてTFTのドレーン電極は液晶セルClcの画素電極に接続される。また、液晶表示パネル117の下部ガラス基板の上には液晶セルClcの電圧を維持するためのストレージ・キャパシタ(Storage Capacitor;Cst)が形成される。このストレージ・キャパシタはk(ただ、kは任意の陽の正数)番目のゲート・ライン116に接続された液晶セルClcとk−1番目の前段ゲート・ライン116との間に形成することも可能で、k番目のゲート・ライン116に接続された液晶セルClcと別途の共通ラインとの間に形成することもできる。
温度センサー118は液晶表示パネル117の周辺に設置されるか、液晶表示パネル117の基板の上に実際に載せられて液晶表示パネル117とその周辺の使用温度を感知してその温度を支持する温度感知信号を発生する。温度感知信号は感度を高めるための信号増幅器及びADC119を通して増幅されてデジタル・データへ変換されて温度別のデータ変調器112に供給される。
データ駆動部113はデータ制御信号DDCのドットクロックをサンプリングするためのシフトレジスタとデータを一時格納するためのレジスタ、シフトレジスタからのクロック信号に応答してデータを1ライン分ずつ格納して格納された1ライン分のデータを同時に出力するためのラッチ、ラッチからのデジタル・データ値に対応して正極性/負極性のガンマ電圧を選択するためのデジタル/アナログ変換機、正極性/負極性のガンマ電圧により、変換されたアナログ・データが供給されるデータ・ライン115を選択するためのマルチプレックサー及びマルチプレックサーとデータ・ラインとの間に接続された出力バッファで構成される。このデータ駆動部113は温度別のデータ変調器112から出力される変調データMRGB(St)を入力され、その変調データMRGB(St)をタイミング・コントローラー111の制御の下で液晶表示パネル117のデータ・ライン115に供給する。
ゲート駆動部114はタイミング・コントローラー111からのゲート制御信号GDCに応答してスキャンパルスを順次的に発生するシフト・レジスタ、スキャンパルスの電圧を液晶セルClcの駆動に適合のレベルにシフトさせるためのレベル・シフト、出力バッファで構成される。このゲート駆動部114はスキャンパルスをゲート・ライン116に供給することでそのゲートライン116に接続されたTFTをターン・オン(Turn−on)させ、1水平ラインの液晶セルClcを選択する。データ駆動部113から発生するデータはスキャンパルスに同期されることで選択された1水平ラインの液晶セルClcに供給される。
タイミング・コントローラー111は垂直/水平の同期信号V、HとクロックCLKを利用してゲート駆動部114を制御するためのゲート制御信号GDCとデータ駆動部113を制御するためのデータ制御信号DDCを発生する。そしてタイミング・コントローラー111は温度別のデータ変調器112にデジタル・ビデオ・データRGBを供給して温度別のデータ変調器112の動作タイミングを制御する。
温度別のデータ変調器112には図8の温度別の最適のデータ検出アルゴリズムに検出された温度別の変調データが前もって格納されている。この温度別のデータ変調器112は温度センサー118により、感知された液晶表示パネル117の温度により、その温度に対応する最適の変調データを選択して選択された最適の変調データをデータ駆動部113に供給する。
温度別のデータ変調器112にルックアップ・テーブル形態で格納された変調データは温度によりその値が異なるが、温度に関係なく、下記の式3乃至5を満足する。
式3 VDn<VDn−1 → MVDn<VDn
式4 VDn=VDn−1 → MVDn=VDn
式5 VDn>VDn−1 → MVDn>VDn
式3乃至5において、VDn−1は以前のフレームFnのデータ電圧、VDnは現在のフレームFn−1のデータ電圧、そしてMVDnは変調データ電圧をそれぞれ示す。
図12は温度別のデータ変調器112を詳細に示す。
図12を参照すると、温度別のデータ変調器112は最下位ビットのデータRGB(LSB)をバイパスさせるための下位ビット・バスライン121と、上位ビット・バスライン122に接続されたフレーム・メモリ123と、上位ビット・バスライン122とフレーム・メモリ123に接続された選択装置125と、選択装置125上位ビット出力ライン126との間に接続された第1乃至第3ルックアップ・テーブル124a、124b、124cと、を具備する。
下位ビット・バスライン121を通してバイパスされる下位ビットのデータRGB(MSB)はソース・データが8ビットである際に下位4ビットを含むことができる。
フレーム・メモリ123は上位ビットMSBを1フレーム期間の間に格納して格納されたデータを選択装置125に供給することで上位ビットMSBを1フレーム期間の間に遅延させ、選択装置125に供給する。上位ビットMSBはソースデータが8ビットである際に上位ビットを含むことができる。
選択装置125は温度感知信号Stに応答して上位ビット・バスライン122を経由して入力される現在のフレームFnの上位ビットデータRGB(MSB)とフレーム・メモリ123から入力される以前のフレームFn−1の上位ビットデータRGB(MSB)を第1乃至第3ルックアップ・テーブル124a、124b、124cの中のいずれか1つに供給する。液晶表示パネル117の現在の温度が高温(40°C〜70°C)であると、選択装置125は高温の温度感知信号Stに応答して現在のフレームFnの上位ビットデータRGB(MSB)と以前のフレームFn−1の上位ビットデータRGB(MSB)を第1ルックアップ・テーブル124aに供給する。液晶表示パネル117の現在の温度が常温(15°C〜35°C)であると、選択装置125は常温の温度感知信号Stに応答して現在のフレームFnの上位ビットデータRGB(MSB)と以前のフレームFn−1の上位ビットデータRGB(MSB)を第2ルックアップ・テーブル124bに供給する。そして、液晶表示パネル117の現在の温度が低温(−20°C〜10°C)であると、選択装置125は低温の温度感知信号Stに応答して現在のフレームFnの上位ビットデータRGB(MSB)と以前のフレームFn−1の上位ビットデータRGB(MSB)を第3ルックアップ・テーブル124cに供給する。
第1ルックアップ・テーブル124aには高温(40°C〜70°C)で実施される図8のような温度別の最適データ検出のアルゴリズムで検出された高温の最適変調データが格納される。この第1ルックアップ・テーブル124aは液晶表示パネル117の現在の温度が高温(40°C〜70°C)であると、現在のフレームFnの上位ビットデータRGB(MSB)と以前のフレームFn−1の上位ビットデータRGB(MSB)を比較してその比較結果により、前もって格納されていた高温の最適変調データを選択する。
第2ルックアップ・テーブル124bには常温(15°C〜35°C)で実施される図8のような温度別の最適データ検出のアルゴリズムで検出された常温の最適変調データが格納される。この第2ルックアップ・テーブル124bは液晶表示パネル117の現在の温度が常温(15°C〜35°C)であると、現在のフレームFnの上位ビットデータRGB(MSB)と以前のフレームFn−1の上位ビットデータRGB(MSB)を比較してその比較結果により前もって格納されていた常温の最適変調データを選択して出力する。この第2ルックアップ・テーブル124bに格納された変調データを利用して常温、例えば、25°Cでソース・データを変調データMRGBに変調してデータ駆動部113に供給すると、液晶の応答時間は表5のようである。
第3ルックアップ・テーブル124cには低温(−20°C〜10°C)で実施される図8のような温度別の最適データ検出のアルゴリズムで検出された低温の最適変調データが格納される。この第3ルックアップ・テーブル124cは液晶表示パネル117の現在の温度が低温(−20°C〜10°C)であると、現在のフレームFnの上位ビットデータRGB(MSB)と以前のフレームFn−1の上位ビットデータRGB(MSB)を比較してその比較結果により前もって格納されていた低温の最適変調データを選択して出力する。この第3ルックアップ・テーブル124cに格納された変調データを利用して低温、例えば、0°Cでソース・データを変調データMRGBに変調してデータ駆動部113に供給すると、液晶の応答時間は表6のようである。表6は0°Cで図8のような温度別の最適のデータ検出アルゴリズムで検出された低温の最適変調データを利用して本願出願人によって製作されて市販されている解像度1280×768の30”液晶表示モジュールを駆動した際に、グレー・スケール0(G0)、63(G63)、127(G127)、191(G191)、255(G255)それぞれでのライジング・タイムとフォーリング・タイムでの液晶応答時間(ms)を示す。
Figure 0004889407
表4及び表6が示すように、本発明に係る液晶表示素子は低温でも応答時間が早くなる。また、本発明に係る液晶表示素子は図8のような温度別の最適データ検出のアルゴリズムを利用して高温、常温、低温の温度別に最適の変調データを検出してルックアップ・テーブルで構成して液晶表示パネル117の温度により、ルックアップ・テーブルで温度別の最適変調データを選択してソース・データを変調する。その結果、本発明に係る液晶表示素子は液晶表示パネル117の使用温度が変わっても最適の画質を維持することができる。
図12のようにソース・データで上位ビットデータRGB(MSB)だけを変調すると、ルックアップ・テーブル124a、124b、124cの大きさとそのルックアップ・テーブル124a、124b、124cが格納されるメモリの容量を減らすことができる。
図13は温度別のデータ変調器112の異なる実施例を示す。
この実施例の温度別のデータ変調器112はソース・データをプールビットで変調して画質をさらに高めることができる。
図13を参照すると、温度別のデータ変調器112はプールビットのソース・データ・バスライン131に接続されたフレーム・メモリ133と、プールビットのソース・データ・バスライン131とフレーム・メモリ133に接続された選択装置135と、選択装置135と変調データ出力ライン136との間に接続された第1乃至第3ルックアップ・テーブル134a、134b、134cと、を具備する。
フレーム・メモリ133は8ビットのソース・データRGBを1フレーム期間の間に格納して格納されたデータを選択装置125に供給することでソース・データRGBを1フレーム期間の間に遅延させ、選択装置125に供給する。
選択装置135は温度感知信号Stに応答してソース・データ・バスライン131を経由して入力される現在のフレームFnのソース・データRGBとフレーム・メモリ133から入力される以前のフレームFn−1のソース・データRGBを第1乃至第3ルックアップ・テーブル134a、134b、134cの中のいずれか1つに供給する。液晶表示パネル117の現在の温度が高温(40°C〜70°C)であると、選択装置135は高温の温度感知信号Stに応答して現在のフレームFnのソース・データRGBと以前のフレームFn−1のソース・データRGBを第1ルックアップ・テーブル134aに供給する。液晶表示パネル117の現在の温度が常温(15°C〜35°C)であると、選択装置135は常温の温度感知信号Stに応答して現在のフレームFnのと以前のフレームFn−1のソース・データRGBを第2ルックアップ・テーブル134bに供給する。そして、液晶表示パネル117の現在の温度が低温(−20°C〜10°C)であると、選択装置135は低温の温度感知信号Stに応答して現在のフレームFnのソース・データRGBと以前のフレームFn−1のソース・データRGBを第3ルックアップ・テーブル124cに供給する。
第1ルックアップ・テーブル134aは液晶パネル117の現在の温度が高温(40°C〜70°C)である際に、選択装置135から入力される現在のフレームFnと以前のフレームFn−1のソース・データRGBを比較してその比較結果により前もって格納されていた高温の最適変調データを選択する。
第2ルックアップ・テーブル134bの現在の温度が常温(15°C〜35°C)である際に、選択装置135から入力される現在のフレームFnと以前のフレームFn−1のソース・データRGBを比較してその比較結果により前もって格納されていた常温の最適変調データを選択する。
第3ルックアップ・テーブル134bの現在の温度が低温(−20°C〜10°C)である際に、選択装置135から入力される現在のフレームFnと以前のフレームFn−1のソース・データRGBを比較してその比較結果により前もって格納されていた低温の最適変調データを選択する
上述したように、本発明の実施例に係る液晶の応答時間の測定方法及び装置は3レベル信号を利用して液晶表示パネルの周辺温度を変えながら各グレー・スケールの最適変調データを自動的に検出することで、各温度別に液晶の応答時間を早くするための最適の変調データを自動的に抜き出すことができる。
また、本発明に係る液晶の応答時間の測定方法及び装置は前記液晶の応答時間の測定方法及び装置により導き出された温度別の最適変調データをルックアップ・テーブルで構成して温度センサーを通して感知された液晶表示パネルの温度に適合の最適の変調データを前記ルックアップ・テーブルで選択してソース・データを変調することで液晶表示素子の使用温度が変化する際に発生する画質の低下を最小化することができる。
以上説明した内容を通して当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様な変更及び修正の可能なことを理解するはずである。従って、本発明の技術的な範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限らず特許請求の範囲により定めなければならない。
通常の液晶表示装置においてデータによる輝度変化を示す波形図である。 従来の高速駆動方法においてデータ変調による輝度変化の一例を示す波形図である。 8ビットのデータで従来の高速駆動方法の一例を示す図面である。 従来の高速駆動装置を示すブロック図である。 本発明の実施例に係る応答時間を示すブロック図である。 図5に図示されたシステムを詳細に示すブロック図である。 本発明に係る応答時間の測定装置で利用される3レベル信号を示す図面である。 本発明の実施例に係る応答速度の測定方法を段階的に示す流れ図である。 3レベル信号とそれによる液晶の応答特性を示す波形図である。 正極性(A)および負極性(B)の変調データの電圧の設定の際に最適の応答特性と臨界値の関係を示す波形図である。 本発明の実施例に係る液晶表示素子の駆動装置を示すブロック図である。 図11に図示された温度別の変調器の第1実施例を示すブロック図である。 図11に図示された温度別の変調器の第1実施例を示すブロック図である。
符号の説明
51…システム 52…液晶表示パネル・サンプル 53…光検出器 55…信号増幅器 56…データ収集カード 57、118…温度センサー 58…温度調節器 59…温度調節チャンバー 60…冷却/加熱器 61…レベル調整器 62…信号発生器 63…減算機 64…遅延機 67…メモリ 68…制御器 111…タイミング・コントローラ 112…温度別のデータ変調器 113…データ駆動部 114…ゲート駆動部 115…データ・ライン 116…ゲート・ライン 117…液晶表示パネル 119…信号増幅器/DAC 43、123、133…フレーム・メモリ 44、124a乃至124c、134a乃至134c…ルックアップ・テーブル 125、135…選択装置

Claims (3)

  1. ーゲット電圧レベルと液晶表示パネルの応答特性により変化する可変電圧レベルを有する液晶駆動信号を発生する第1段階と、
    前記液晶駆動信号を前記液晶表示パネルに供給する第2段階と、
    前記液晶駆動信号により駆動する前記液晶表示パネルの輝度を検出した後、前記検出された輝度に対応する電圧信号を連続するフレームの各終了時点で検出する第3段階と、
    前記応答特性が所定の電圧レベルに達するまで前記検出された電圧信号の差信号を所定の臨界値と比較しつつ前記可変電圧レベルを調整する第4段階と、
    前記応答特性が所定の電圧レベルに達する際の可変電圧レベルを温度別に設定されたルックアップテーブルに変調データとして設定する第5段階と、
    前記液晶表示パネルの温度を変化させて前記第1ないし第5段階を繰り返して各温度別に設定された変調データを検索する第6段階と、
    前記検索された変調データを格納する第7段階と、
    前記液晶表示パネルの温度を感知する第8段階と、
    前記液晶表示パネルの温度により前記変調データを選択して選択された変調データを利用してソースデータを変調する第9段階と、を含むことを特徴とする液晶表示素子の駆動方法。
  2. 前記変調データは、前記温度を変化させながらターゲット電圧レベルと液晶表示パネルの応答特性により変化する可変電圧レベルを有する液晶駆動信号に前記液晶表示パネルを駆動する際に検出される前記液晶表示パネルの応答特性が所定の水準に達するような電圧レベルに設定されることを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子の駆動方法。
  3. 液晶表示パネルの温度を調節するための温度調節器と、ターゲット電圧レベルと液晶表示パネルの応答特性により可変する可変電圧レベルを有する液晶駆動信号を前記液晶表示パネルに供給する信号発生器と、前記液晶駆動信号により駆動する前記液晶表示パネルの輝度を検出した後、前記検出された輝度に対応する電圧信号を連続するフレームの各終了時点で検出する光検出器と、前記応答特性が所定の電圧レベルに達するまで前記電圧信号の差信号を所定の臨界値と比較しつつ前記可変電圧レベルを調整し、前記応答特性が所定の電圧レベルに達する際の可変電圧レベルを温度別に設定されたルックアップテーブルに変調データとして設定するレベル調整器とを備え、前記温度調節器を制御することで前記液晶表示パネルの温度を変化させて各温度別に設定された変調データを検索する液晶の応答時間の測定装置と、
    前記液晶表示パネルの温度を感知する温度センサーと、
    前記液晶の応答時間の測定装置によって検索された変調データが格納されて前記温度センサーからの温度感知信号に応答して前記変調データを選択して選択された変調データを利用してソースデータを変調する変調器と、を具備することを特徴とする液晶表示素子の駆動装置。
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