JP4880681B2 - 損傷した神経系を機能回復させるための手段 - Google Patents
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Description
本発明は、一般的に、例えばヒト患者の損傷した神経系を部分的にまたは完全に機能回復させることに適している方法およびデバイスに関する。該損傷は、中枢または末梢神経組織における空洞であってもよい。また、本発明は、より好ましくは、例えば空洞内での、神経シグナル伝達を修復することに適しているシステムおよび方法に関する。また、本発明は、マイクロ電極の素子、より好ましくは刺激用マイクロ電極および記録用マイクロ電極に関する。本発明は、空洞(例えば、安定組織病変)により遮断されている、第1興奮性細胞と第1興奮性細胞から離れている第2興奮性細胞との相互連結を回復させること、および、第1興奮性細胞から離れている第2興奮性細胞の活動に比例して、第2興奮性細胞から離れている第1興奮性細胞を電気刺激することに、特に適している。
中枢神経系の病変は、本発明を用いた治療に適切な疾患である。脳病変および脊髄病変によって、軽症または重症の病的状態が引き起こされる。それらの病変のいくつか考えられる原因には、外傷性傷害(道路交通事故、墜落、喧嘩、中枢神経系における外科的行為、および、外傷性障害による病変の多くの他の例が存在している)、自発性出血(脳内出血、髄内出血、小脳および脳幹出血、脳卒中後の出血など)、脳卒中、以前に部分的にまたは完全に治療されたあるいは自発的に治癒した腫瘍および感染、ならびに、脳性麻痺の一般的な原因となる周産期病変がある。
本発明は、一般的に、興奮性細胞の組織における空洞、例えば中枢または末梢神経組織における空洞にブリッジングをすることにより、損傷した神経系の一部または全てを機能回復させる方法およびデバイスに関する。より好ましくは、本発明は、マイクロ電極の素子(より好ましくは刺激用マイクロ電極および記録用マイクロ電極)を用いて空洞をブリッジングすることにより、神経シグナル伝達を修復するためのシステムおよび方法に関する。ブリッジングデバイスは、空洞(例えば、安定組織病変)により遮断されている、第1興奮性細胞と第1興奮性細胞から離れている第2興奮性細胞の間の相互連結を回復させることに、および、第1興奮性細胞から離れている第2細胞の活動に比例して第2興奮性細胞から離れている第1興奮性細胞を電気刺激をすることに特に適している。従って、本発明は、遮断された興奮性細胞の間、または、離れている興奮性細胞の間に、電気刺激の情報伝達をブリッジングすることに、特に適している。
本出願において生物は、生命の個々の形態、すなわち臓器、細胞器官または生命の様々な処理を共に行う他の部分から構成されている体という意味である。生物としては、例えば、動物または植物が挙げられる。一方、臓器、特定の機能を実行する生物の区別される部分、例えば、目、心臓、脳、肝臓、または葉である。
本発明は、下記の本明細書に記載の詳細な説明、および、説明のためだけに用いられている添付の図面から、より十分に理解が深まるであろう。ただし、それらは本発明を制限していない。
本発明は、特定の図面を参照して特定の実施の形態に関して記載されているが、本発明は、それらに制限されず、また特許請求の範囲のみに制限される。記載された図面は、概略図のみであり、本発明を制限するものではない。前記図面では、いくつかの要素の大きさは、誇張されていてもよく、目的を説明するために縮尺どおりに描かれていなくてもよい。寸法および相対的な寸法は、本発明を実施するための実際の縮図に一致していない。
病変空洞に正確に適合するか、または、興奮性細胞に接触する電気刺激部位もしくは記録部位を少なくとも備えている本発明のデバイス(磁気共画像撮影デバイス(MRI)と一緒に用いることができるか、もしくは用いることができない)は、構造が規則的または不規則的な神経系の空洞の壁にぴったりと適合するように設計されている。
バルーンまたはバルーン様構造体は、液体で満たされたときに液体を漏らさないように液密性の薄片を備えていてもよい。この液体は、生理食塩水であってもよく、好ましくは、シリコン(例えば、ダウコーニング(Dow Corning)732シリコン)であってもよい。本発明のもう1つ別の実施の形態では、バルーンまたはバルーン様構造体は、ハード材料で満たされる。この場合、集合体は、バルーンまたはバルーン様構造体と呼ぶことはほとんどできないが、病変の3次元の寸法を有しているハード要素(hard piece)は、本発明の目的に適切である。デバイスの直径と少なくとも同じ直径を有しているカニューレを用いて、デバイスは、病変における空洞(病変空洞)に挿入される。また、この挿入は、デバイスが挿入される方向にも依存する。図3に、このことが説明されている。つまり、カニューレが病変に到達する方向は、病変の3次元構造によって決定されるだけではなく、周囲の脳構造および血管によっても決定される。カニューレを、より重要ではない脳の領域を経て接近させることができるが、機能の優れた脳の領域を通過させることは不可能である。一般的に、重要な血管を含んでいる領域を通過させることは不可能である。
実施例2で説明するバルーンは、実施例1で示したバルーンと形状において同じである。また、実施例2で説明するバルーンの外部には、2つの異なる電極が実施例1で示した数と同程度設けられている。該バルーンは、カテーテルに接続されている。なお、デバイスを挿入する間にカニューレが通過した跡に、該カテーテルを敷設することができる。このカテーテルを、単純な経皮的穿刺によって満たされることができるデバイス(type Omcana reservoirまたはAccu-Flo(登録商標) CSF reservoir 14 mm, ref 82-6100, Codman))に接続することができる。上記カテーテルとしては、例えば、20cmの切り取り可能な心室用カテーテル(Integra Neurosciences Implants S. A., 2905 Route des Dolines, 06921 Sophia Antipolis, Cedex. フランス)、または、心室用カテーテル(Codman, Johnson & Johnson, Raynham, MA, 02767-0350 アメリカ)を挙げることができる。埋め込まれたデバイスからの漏れのために、該デバイスの体積が減少する場合、または、電極と脳組織との接触が不十分である場合、上記デバイスは孔をあけられ、バルーンまたはバルーン様構造体の中に液体が加えられる。デバイスが、脳をあまりにも強く圧迫する場合、皮下の孔からいくらかの液体を吸引することができる。このことは、次の図4において説明されている。病変空洞の3次元構造に似ているバルーンまたはバルーン様構造体は、(i)カテーテル、および、(ii)バルーンまたはバルーン様構造体を満たすか、あるいは、バルーンまたはバルーン様構造体を吸引するためのデバイスに連結することができる。カテーテルおよびバルーンを吸引するためのデバイスは、本段落に記載されているように技術的に利用可能である。さらに、カテーテルおよびバルーンを吸引するためのデバイスは、脳室‐外部シャント(ventriculo-external shunt)のためのカテーテル、および、貯水器(reservior)であってもよい。これらカテーテルおよび貯水器は、単純な金属の連結部材およびMersileneの2の縫合糸または他の非吸収性で且つ生体適合性材料を用いて、バルーンまたはバルーン様構造体に連結している。このことは、脳室シャントおよび髄腔内化学療法の分野に従事している脳外科医の間で公知である。上記カテーテルの直径は、バルーンまたはバルーン様構造体の挿入に用いられたカテーテルの直径よりも小さい任意の大きさであってもよい。孔を開けるためのデバイスを、バーホールに配置することができるし、または、皮下に配置するこができる。後者の場合、脳室内カテーテルは、90°の角度になる。この種の機器は既に存在している。バルーンまたはバルーン様構造体を、図3に示されたカテーテルの直径よりも小さい直径のカテーテルを用いて挿入することができる。というのも、該カテーテルを通してデバイスを挿入した後に、バルーンまたはバルーン様構造体をより大きくすることができるからである。
病変空洞が大きく、不規則である場合、該病変空洞の3次元構造に似ているバルーンまたはバルーン様構造体の特定の部分を、内側から外側へ押すことが必要になり得る。これにより、バルーンまたはバルーン様構造体の外壁(すなわち電極が配置されている外壁)と、神経組織とを良好に接触させることができる。したがって、手術されている患者の病変の解剖学的構造に基づいて設計された、所定の弾力を有している1以上のまっすぐな探り針もしくは屈曲した探り針(あるいは、他の任意の堅いまたは柔軟な材料もしくはプラスチックからできている探り針)を用いて押すことを、役立たせることができる。これによれば、空洞壁に正確に適合するような様式で、バルーンまたはバルーン様構造体を、極端な角に正確に適合させることができる。上記探り針がまっすぐではない場合、該探り針がまっすぐなカニューレの中に存在する限り、該探り針がまっすぐになることができるような材料で、探り針を作製することができる。しかしながら、バルーンまたはバルーン様構造体を所定の位置に配置するために、該探り針をカニューレから押し出すとすぐに、該探り針は、コンピューターによって計画されたような方向に屈曲する。屈曲する方向を、探り針のグリップにつけられた小さな印(例えば前方を示す印)によって示すことができる。
‐神経系の解剖学的構造の視覚化‐
開始するに当たって実行可能な戦略は、MRI技術の1つである拡散テンソルイメージング技術(DTI)を用いることであると考えられる。空洞の境界において、DTIにより1以上の繊維束が示されれば、空洞の端における繊維束と3つの隣接するマーカーとの間の距離を、MRI画像上または定位脳手術のためのソフトウェア・プログラム(Brainlabから提供されているようなもの)により、測定することによって、どの電極が該繊維束と非常に近いかおおよそ知ることができる。DTIを用いることにより、どこから該繊維が来るかを検出することができるため、該繊維の起源に関する解剖学的情報を得ることもできる。しかし、DTIは、デバイスを機能させるための必要条件ではない。また、経路の情報も、古典的なMRI技術(T1およびT2強調画像など)およびCTスキャン、ならびに単純な解剖学的地図から得ることができる。なお、上記情報がなくとも、デバイスを機能させることができると考えられる。しかし、細胞および繊維(軸索および樹状突起)の解剖学的構造に関するいくつかの情報を用いることにより、目的(神経系の機能を回復させること)を達成することをより簡便にすることができる。
損傷した繊維では、スパイクを検出することできない。しかし、それらの損傷した軸索の近くに存在し、損傷したニューロンの無傷の部分と接触することができる神経細胞体に、これらの細胞(細胞体、軸索、または樹上突起)を興奮させることによって、影響を与えることができる。また、死んでいるニューロンとほとんど同じ機能をするいくつかの健康なニューロンに由来する活動を検出することができる。研究に基づく経路(運動経路、知覚経路、視覚経路、味覚経路など)に依存して、それらの領域においてスパイクを産生することが有望な外的刺激を誘発することができる。例えば、運動経路が遮断されているが、運動野に存在する細胞体が無傷である場合、運動野に存在する細胞体と空洞の壁との間に存在する軸索は、生存し且つ機能性を保っていることがある。しかし、もはや細胞体に接続していない軸索は、ウォラー変性により死んでいると考えられる。病変のために患者が実行することができない動作について考えるように、患者に頼むことによって、病変の部位(すなわち、空洞の壁)において検出され得るスパイクを誘導することができる。その後、特定の運動活動を実施することを考える過程によって影響されるシグナルを検出することができる全ての記録用電極の配置図(map)を、単純な検出コンピュータープログラムによって作製することができる。一回考えて、一回記録するということでは、不十分であると考えられる。この過程は、特定の運動活動を実行することを考える過程と明確な関連性が、シグナルにあることが確実に示されるまで、繰り返され、且つ、患者が休息している(すなわち、特定の運動活動を実行することを考えていない)ときの状態と比較されることが必要である。コンピューターソフトウェアは、いくつかの試行(例えば、10、20、100またはそれ以上の試行)の結果を考慮に入れるために設計される。それから、課せられた刺激に関連したシグナルを最も高い頻度で記録する記録用マイクロ電極を用いて続けることができる。
次のステップでは、Medtronic、ANSまたはBion neurostimulatorsのいずれかにおいて産生されたブロックパルス波と同様のブロックパルス波を有する、異なる振幅、パルス幅、および周波数でもって、1以上の刺激用電極または刺激用電極のいくつかのグループを刺激することができ、そして、最終的に臨床結果(例えば、運動収縮)を検出すことができる。なお、記録用電極に関する同じ技術を用いて、刺激用電極の3次元座標を、容易に決定することができる。また、異なる刺激パラメータを用いることができる。該刺激パラメーターとしては、例えば、(a)Prof. Tass (Peter A Tass, Nonlinear phenomena in complex systems, 2002, Vol.5, No.4, pp.470-478)に記載の刺激、あるいは、(b)(i)あるマイクロ電極に由来する記録されたシグナル、または(ii)別のマイクロ電極に記録されたシグナル、と同じ振幅および/またはパルス幅および/または周波数を用いるシグナルの投与、あるいは、(c)関連性のある記録されたシグナルのいくつかもしくは全てを数学的に計算したものの投与、が挙げられる。他の実施可能なものとしては、生物シグナルに似ているランダムなシグナルを与えることである。
次の工程は、関連性のある記録用電極でのスパイクの受信に応じて(例えば、運動収縮を考えることに応じたスパイクを記録すること)関連性のある刺激用電極を活性化させること(例えば、運動反応を産生すること)から成る。それから、関連性のある刺激用電極は、ブロックされたパルスを産生することができる。なお、このパルスは、Medtronic、ANSまたはBion neurostimulatorsにおいて産生されたものと同様である。また、関連性のある記録用電極において記録される受信シグナルと同じ刺激パターンを用いて、関連性のある刺激用電極を刺激することもできる。この方式では、天然のシグナルと似ているシグナルが、刺激されるニューロンに与えられる。
運動経路を回復させる例が、単純な例としてのみ提示されていたが、神経系の任意の経路または異なる経路の組み合わせを同時に回復させる、あるいは、複雑なネットワークでさえも回復させるという可能性を持っているということは明白である。このことは、実験状態の脳シグナルもしくは脳機能の一連の記録と、対照状態(休憩中の状態)の一連の記録とを比較することによって達成される。実験状態として、例えば、動作について考えること、何かを思い出そうとすること、見ようとすること、何を感じているか考えること、集中しようとすること、笑おうとすること、話そうとすること、計算しようとすることなどが挙げられる。これらの状態は、ランダムな順番または擬似ランダムで行われることが好ましいが、必須ではない。上記記録用電極は、実験状態と対照状態との間で異なるシグナルを確実に産生する。そして、上記記録用電極は、刺激用電極を操作する刺激を提供することができ、これにより、最後の作用が誘発される(動作、思い出すこと、何かを見ること、感じること、集中すること、笑うこと、話すこと、計算することなど)。記録用電極と刺激用電極との間の接続は、刺激用機器/コンピューターによって単純に形成されている。
本実施例のデバイスは、多数の(数百の)刺激用電極および記録用電極が両面に設けられているプレートである。該デバイスを、ヒト以外の動物の神経系(一般的には脳であるが、神経系の任意の部位であってもよい)に挿入することができる。上記ヒト以外の動物としては、マウス、ラットなどや、サルまでの大型動物が挙げられる。該デバイスを神経系に挿入することによって、該デバイスは神経構造に損傷を与え、軸索と樹状突起とを遮断し、神経系の細胞体に損傷を与える。最も明らかな最初のアプローチは、そのようなプレート電極を脳の灰白質および白質に挿入することである。それから、記録および刺激を、「本発明に記載されている機能を回復させるための異なるデバイスの実用的な機能」の表題の下において検討されているようにテストすることができる。デバイスが神経系に挿入される場所に依存して、異なるシステムまたは複数のシステムの組み合わせを、テストすることができる。例えば、運動システムの再接続を試みたい場合、運動システムのどこかに電極を挿入する。全てのマイクロ電極を介して、どのシグナルが課せられた刺激と関連しているかを検出することができる。動作の実行について考えることを動物に求めることは、不可能である。しかし、例えば、ベルの音に反応して、右前足を特定の物体に移動させるということを、電極を挿入する前に訓練することができる。電極が右前足の運動経路に挿入されたときは、このためにこの経路が破壊されている。このとき、ベルを鳴らして、動物が前足を持ち上げようとしている(しかし持ち上がらない)間に、シグナルが記録用マイクロ電極に記録されることを良好に行うことができる。もちろん、この企画に、対照状態を加えることができる。
上記3次元体積構造体は、ハード(メチルメタクリレートなど)またはより柔軟(シリコンなど)である。バルーンまたはバルーン様構造体を構築している間と同様に、病変空洞の3次元構造体の体積を、イメージングによって知ることができ、3次元構造体を、利用可能な技術(Materialise、MedicimおよびNobelbiocare)を用いて再構築する。脳脊髄液で満たされている病変の体積をハード構造体に置き換えるという発想である。該ハード構造体は1つの要素からなることができる。しかし、一般的には、ハード構造体の3次元体積を2以上の要素に分解することが必要になるであろう。なお、図6a〜gには、4つの要素が示されているが、パズルは最大で20の要素を含むことができるし、それ以上の要素を含むことができる。外科的干渉の前に、3次元構造を知ることができるので、パズルの要素に1つずつ番号をつけることができる(図では、要素に1、2、3および4がつけられている)。これにより、外科医が上記要素を正しい順番で病変空洞に配置することが容易になる。また、探り針はmmまたはcmでの印を有することができると共に、例えば前方向を示すための印を有することができる。これにより要素を3次元的に正しい方向に合わせることができる。3次元パズルの要素の横径(図6g)は、挿入カニューレ(図ではチューブと記載されている)の横径よりも大きくすることはできない。一方、深さ(図6g)を、チューブの横径よりも大きくすることができる。神経系における病変空洞の壁は、図6aに示されている。
本発明のこの実施の形態の詳細な記載は、添付の図面に参照されている。
検討した全てのデバイスにおいて、Medtronicにおいて設計された導線(lead)またはANSにおいて設計された導線という古典的なコンタクトを追加することができる。これらのコンタクトにより、刺激用マイクロ電極を用いた場合よりも、神経細胞の活動を調節することができる範囲を、広くすることができる。したがって、上述した全ての設計物を、記録用マイクロ電極および刺激用マイクロ電極の組み合わせか、または、記録用マイクロ電極および刺激用マイクロ電極と刺激用マイクロ電極との組み合わせのどちらかとして、製造することができる。これらの電気的なコンタクトは、MedtronicおよびANSのような会社により製造されたコンタクトとほどんど同じであってもよいが、大きさおよび形状の点で異なっていてもよい。特に、有益なコンタクトは、図8に記載されているコンタクトであると考えられる。
3次元の形状を有する電子回路を実現するための別のアプローチがある:
‐柔軟な基板上での平面製造(planar fabrication)(従来のリソグラフィーを利用すること)
‐既に形成された3次元基板上での「湾曲」製造(「curved」 fabrication)(球状リソグラフィーを利用すること)。
各ピクセルが、刺激変換器および記録変換器を備えているアレイを、高い空間分解能と高いシグナル対ノイズ比とにより、神経の電気的な活動を記録するために用いることができるし、3次元の電場分布を制御するために用いることができる。そのようなアレイは、集積回路(IC)技術を用いて、生体適合性で且つ柔軟性な基板(例えばポリイミド、ポリウレタン、パリレン、ポリシロキサンなど)、または、古典的なシリコンウエハー上に直接的に製造することができる。後者のアプローチでは、処理の後、シリコンウエハーは柔軟な基板上に取り付けられており、その後、数μmまたは十分の1μmに薄くされる。
病変の正確な形状を有している型(例えば金属型)を製造する(図13を参照のこと)。電極を備えている薄片を、型に対して押しつける。そして熱処理を行い、プラスチック薄片を変形させる。さらに、型を薄片から剥がす。容易に剥がすために、溶解するかもしくはエッチングされる「犠牲的な」剥離層で、型を最終的に覆うことができる。そのような犠牲的な剥離層として、金属の薄層(例えば、蒸発もしくはスパッタリングにより型上に直接沈着されるアルミニウム)を用いることができる。熱処理の後、この層を適切な金属エチャント(例えばアルミニウム・エッチング溶液(aluminium etch solutions)により溶解する。
型(例えば金属型)は、生体適合性高分子で等角に(conformally)覆う。このとき、上記生体適合分子がパリレンであれば、真空昇華が用いられ、ポリイミドであれば、スプレイコーティングが用いられる。次に、「接着」層(glue layer)を、生体適合性の層上に等角に分散させる。該接着層として、高分子材料またはエポキシ材料(例えば光電流エポキシもしくは熱硬化性エポキシ)を用いることができる。接着層を、浸せきまたはスプレイコーティングを用いて型上に設けることができる。電子機器を備えている薄片を接触させて、被覆された型に対して押し付ける。接着後、薄片を型から剥がす。なお、容易に剥離するために、犠牲的な剥離層を用いることができる。
近年、1mmの直径の球形のシリコン基板上において半導体デバイスおよびセンサーを製造する方法が実証された([Takeda, Adv. Pack. Materials, 2001](図14を参照のこと)。Ball Semiconductor Inc.は、球形の基板を処理するために適切な、特別なマスクレスの球形リソグラフィー技術(special mask-less spherical lithographic technique)およびレイアウトを設計するツールを開発した。この技術では、800×600マイクロミラー(micro-mirror)のアレイにより、平坦な焦点面の代わりに、球形の焦点面が作製される。マイクロミラーアレイを用いたパターンの生成は、電気的に制御される。
1‐病変の型を産生する工程(上記型は中枢神経系における病変が模られている)、
2‐上記型を、犠牲的な剥離層で始めに等角的に被覆し、次いで生体適合性の埋め込み用材料(例えば、ポリイミド、パリレン、ポリウレタンなど)で等角的に被覆する工程、
3‐上記型を、電子ビームレジストまたはフォトレジスト(例えばポリメチルメタクリレート)で被覆する工程、
4‐Bell Semiconductorsのマスクレスアプローチまたは電子ビームリソグラフィーを用いて、被覆の表面をパターニング(好ましくはフォトレジストをパターニング)する工程(このようにして、電極パターンを基板上に設ける)、
5‐金属蒸着またはスパッタリングを用いて電極材料(例えば、Pt、Ir、Pt/Ir、Au、活性化酸化インジウム)を沈着させる工程、
6‐ストリップをレジストする工程
7‐電極が設けられれば、剥離層を溶解して型を除去する工程。
Claims (16)
- ニューロンの電気記録および電気刺激のためのデバイスであって、
上記デバイスは、中枢神経系(CNS)における第1ニューロンと、中枢神経系における第1ニューロンから離れている第2ニューロンとの間の電気刺激の伝達の回復、または、電気シグナル接続の作製のためのブリッジングデバイス(5、40、(P1、P2および/またはP3))であり、
上記第1ニューロンと上記第2ニューロンとの間の相互接続が、空洞によって遮断されており、
上記ブリッジングデバイスは、
中枢神経系における第1ニューロンの電気的な記録活動のための記録手段を備えているピクセルを具備している第1アレイと、
中枢神経系における第2ニューロンを電気刺激するための刺激手段を備えているピクセルを具備している第2アレイと、
を備えているブリッジングデバイスにおいて、
上記記録手段と刺激手段とは、該記録手段による関連性のある記録によって、該刺激手段による関連性のある刺激が誘導されて、第1ニューロンと第2ニューロンとの間の電気シグナルの相互連結を遮断している隙間をブリッジングすることができるように、電気的に接続されていることを特徴とする、ブリッジングデバイス。 - 上記第1アレイの各ピクセルは記録手段を備えており、第2アレイの各ピクセルは刺激手段を備えている、請求項1に記載のブリッジングデバイス。
- ピクセルを備えている上記第1アレイおよびピクセルを備えている上記第2アレイが、ダイ(53)上に配置されている、請求項1または2に記載のブリッジングデバイス。
- 上記ダイが基板(55)上に配置されている、請求項3に記載のブリッジングデバイス。
- 上記ブリッジングデバイスの形状および寸法が、中枢神経系における標的空洞の壁に、上記ピクセルを適合するようにカスタマイズされている、請求項1〜4の何れか1項に記載のブリッジングデバイス。
- 上記ブリッジングデバイスは、標的空洞の形状および寸法にカスタマイズされている形状および寸法を有しているパズルデバイス(40、(P1、P2および/またはP3))、またはバルーン様構造体(5)であることをさらに特徴とする請求項5に記載のブリッジングデバイス。
- 上記基板(55)が、柔軟な基板である、請求項5または6に記載のブリッジングデバイス。
- 上記基板(55)が、第1領域と、第2領域を有しているダイ(53)とを備えており、該第1領域は該第2領域よりも広い、請求項5〜7の何れか1項に記載のブリッジングデバイス。
- 上記空洞によって遮断されている、中枢神経系における第1ニューロンと該第1ニューロンから離れている第2ニューロンとの間の相互連結を回復させるための、請求項1〜8の何れか1項に記載のブリッジングデバイス。
- 中枢神経系における第1ニューロンと中枢神経系における空洞によって第1ニューロンから離れている第2ニューロンとの間の電気刺激の伝達の回復、または、電気シグナル接続の作製のためのブリッジングデバイス(5、40、(P1、P2および/またはP3))を製造するための方法であって、
(a)ピクセル(51)を備えているアレイを提供する工程(ここで、各ピクセル(51)は、少なくとも1つの刺激手段および/または少なくとも1つの記録手段を、ダイ(53)上に備えている)、
(b)ピクセル(51)を備えているアレイを具備しているダイ(53)を、基板(55)上に接着させる工程、および、
(c)上記基板(55)を、上記基板が空洞の端にピクセルを存在させるように、中枢神経系における空洞の形状および寸法にカスタマイズされた形状および寸法に形作る工程、を含んでいる方法。 - 上記デバイスを、その後、上記空洞へ導入するための適切な寸法になるようにより小さなユニットに分割する工程を含んでいる、請求項10に記載の方法。
- 上記ピクセル(51)を備えているアレイを具備しているダイ(53)を薄くする工程をさらに含んでいる、請求項10に記載の方法。
- 上記ピクセルを備えているアレイは、平坦な基板上に作製され、その後、標的空洞の形状および寸法へカスタマイズされたバルーン様構造体(5)に形作られ、
上記形状および寸法は、空洞の2次元から3次元へのデジタルイメージング、および、バルーン様デバイス(5、40)もしくはその基板(55)を3次元の型においてバルーン様構造体へと形作るための3次元の型をラピッドプロトタイプするというコンピューター化された方法によって得られる、請求項10〜12の何れか1項に記載の方法。 - 上記ピクセルを備えているアレイが、3次元の基板上に直接作製される、請求項12に記載の方法。
- バルーン様構造体が、外型上に基板をキャスティングするか、または噴霧することによって、あるいは、内型に基板を吹込成形することによって得られる、請求項10に記載の方法。
- 上記基板は、硬い基板であり、
該硬い基板の形状および寸法が、2次元から3次元へのデジタルイメージ技術、および、上記基板のラピッドプロトタイピングというコンピューター化された方法によって、標的空洞の形状および寸法になるようにカスタマイズされる、請求項15に記載の方法。
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