JP4867821B2 - Flexible substrate holder and method for manufacturing organic electroluminescence panel - Google Patents

Flexible substrate holder and method for manufacturing organic electroluminescence panel Download PDF

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Description

本発明は矩形状の可撓性基板の保持具及びこの保持具を使用した有機エレクトロルミネッセンスパネル(以下、有機ELパネルとも言う)の製造方法に関する。   The present invention relates to a rectangular flexible substrate holder and an organic electroluminescence panel (hereinafter also referred to as an organic EL panel) using the holder.

枚葉状の可撓性基板を使用し、この可撓性基板の上に順次機能層を積層していく代表的な製品として有機ELパネルが挙げられる。   An organic EL panel is a typical product in which a sheet-like flexible substrate is used and functional layers are sequentially laminated on the flexible substrate.

有機ELパネルは、基板上に形成された第1電極(陽極又は陰極)を含む陽極層(陰極層)と、その上に積層された有機発光物質を含有する有機化合物層(単層部又は多層部)すなわち発光層と、この発光層上に積層された第2電極(陰極又は陽極)を含む陰極層(陽極層)とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子とも言う)を接着剤層を介して少なくとも有機EL素子の表面を封止する封止部材により封止した薄膜型の構成を有している。従来、有機ELパネルの基板としては、ガラス基板が主に用いられているが、軽量化、薄型化及びコスト低減を図るべく、薄くて可撓性のあるフィルム基板が使用される様になっている。   The organic EL panel includes an anode layer (cathode layer) including a first electrode (anode or cathode) formed on a substrate, and an organic compound layer (single layer portion or multilayer) containing an organic light emitting material laminated thereon. Part), that is, an organic electroluminescent element (hereinafter also referred to as an organic EL element) having a light emitting layer and a cathode layer (anode layer) including a second electrode (cathode or anode) laminated on the light emitting layer. It has a thin film type structure sealed with a sealing member that seals at least the surface of the organic EL element via a layer. Conventionally, a glass substrate is mainly used as a substrate of an organic EL panel, but a thin and flexible film substrate has been used in order to reduce weight, thickness and cost. Yes.

有機ELパネルの製造工程には、基板洗浄、コーティング、パターニング及び乾燥等、各種処理工程があり、基板はこれらの工程内を順次搬送され、各種処理が行われることで基板上に各機能層が積層され有機ELパネルが製造されている。   The manufacturing process of the organic EL panel includes various processing steps such as substrate cleaning, coating, patterning, and drying, and the substrate is sequentially transported through these steps, and various processing is performed, so that each functional layer is formed on the substrate. A laminated organic EL panel is manufactured.

ガラス基板の場合は剛性が大きいので、ガラス基板単体で搬送及び各種処理を行っても、ガラス基板自体の剛性で平面状態を維持出来るため、ガラス基板上に安定した状態で陽極層と、有機化合物層と、陰極層等の各種機能層を安定して形成することが可能である。しかしフィルム基板の場合は剛性が低いため、フィルム基板自体の剛性により平面状態を維持することが難しい。特に、サイズが大きくなるに従って平面状態を維持することが難しくなる。   In the case of a glass substrate, since the rigidity is large, even if the glass substrate alone is transported and processed, the glass substrate itself can maintain a flat state with the rigidity of the glass substrate, so that the anode layer and the organic compound are stably on the glass substrate. It is possible to stably form a layer and various functional layers such as a cathode layer. However, since the rigidity of the film substrate is low, it is difficult to maintain a flat state due to the rigidity of the film substrate itself. In particular, it becomes difficult to maintain a planar state as the size increases.

このため、フィルム基板単体で搬送及び処理を行えば、湾曲、撓み又はしわが生じ易く、フィルム基板上に安定した状態で陽極層と、有機化合物層と、陰極層等の各種機能層を安定して形成することが困難になり、安定した製品の生産効率の低下の一因にもなっている。   For this reason, if the film substrate alone is transported and processed, bending, bending or wrinkling is likely to occur, and the anode layer, the organic compound layer, and the various functional layers such as the cathode layer are stably stabilized on the film substrate. This makes it difficult to form and contributes to a decrease in production efficiency of stable products.

これらの対策として、湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止したフィルム基板の保持方法が検討されてきた。例えば、矩形枠状に形成された保持具本体の内側四隅に係止ピンを立設し、一方フィルム基板には、四隅に取り付け孔を形成して、取り付け孔に係止ピンを挿入し、フィルム基板を固定するフィルム基板搬送搬送保持具が知られている(例えば、特許文献1を参照。)。   As a countermeasure for these, a method for holding a film substrate that prevents the occurrence of bending, bending, wrinkling, or the like has been studied. For example, locking pins are erected on the inner four corners of the holder body formed in the shape of a rectangular frame, while mounting holes are formed in the four corners of the film substrate, and the locking pins are inserted into the mounting holes. A film substrate transporting / holding fixture for fixing a substrate is known (for example, see Patent Document 1).

しかしながら、特許文献1に記載のフィルム基板搬送搬送保持具は、係止ピンとフィルム基板の取り付け孔とによる係止する方法であるため比較的容易に固定保持することが出来るのであるが、作業中にフィルム基板が係止ピンより抜ける危険がある。又、処理に伴う熱膨張でのフィルム基板へのダメージが懸念される。   However, since the film substrate transport / carrying holder described in Patent Document 1 is a method of locking by the locking pin and the mounting hole of the film substrate, it can be fixed and held relatively easily. There is a risk that the film substrate comes off from the locking pin. In addition, there is a concern about damage to the film substrate due to thermal expansion accompanying the processing.

フィルム基板搬送搬送保持具として、矩形枠状に形成された保持具本体の内側四隅に係止ピンを立設し、一方フィルム基板には、四隅に取り付け孔を形成して、取り付け孔の1つは、係止ピンに対してぴったり嵌合する基準取り付け孔とし、該基準取り付け孔と対角位置の取り付け孔は大径取り付け孔とし、残りの2つの取り付け孔は長円形取り付け孔とし、取り付け孔に係止ピンを挿入し、ワッシャで抜け止めするフィルム基板搬送搬送保持具が知られている(例えば、特許文献2を参照。)。   As a film substrate transporting / carrying holder, locking pins are erected at the inner four corners of a holder body formed in a rectangular frame shape, while one attachment hole is formed on the film substrate by forming attachment holes at the four corners. Is a reference mounting hole that fits snugly against the locking pin, the reference mounting hole and the diagonal mounting hole are large-diameter mounting holes, and the remaining two mounting holes are oblong mounting holes. There is known a film substrate transporting / holding tool in which a locking pin is inserted into the stopper and is prevented from coming off with a washer (for example, see Patent Document 2).

しかしながら、特許文献2に記載のフィルム基板搬送搬送保持具は、係止ピンとフィルム基板の取り付け孔とによる係止する方法であるため比較的容易に固定保持することが出来るのであるがガタなく固定することは困難である。又、ワッシャを使用して固定する方法は、作業の複雑化及び固定作業に伴うフィルム基板へのダメージも懸念される。   However, since the film substrate transport / carrying holder described in Patent Document 2 is a method of locking by the locking pin and the mounting hole of the film substrate, it can be fixed and held relatively easily, but is fixed without looseness. It is difficult. Moreover, the method of fixing using a washer has a concern that the work is complicated and the film substrate is damaged due to the fixing work.

矩形枠状に形成された保持具本体の内部に洗浄時のフィルム基板の撓み防止部材と、四隅に係止ピンを立設し、一方フィルム基板には、四隅に取り付け孔を形成して、取り付け孔に係止ピンを挿入し、フィルム基板を固定するフィルム基板搬送搬送保持具が知られている(例えば、特許文献3参照。)。   A film substrate flexure prevention member during cleaning and locking pins are erected at the four corners inside the holder body formed in a rectangular frame shape, while mounting holes are formed at the four corners of the film substrate. 2. Description of the Related Art A film substrate transporting / holding tool that inserts a locking pin into a hole and fixes a film substrate is known (for example, see Patent Document 3).

しかしながら、特許文献3に記載のフィルム基板搬送搬送保持具は、係止ピンとフィルム基板の取り付け孔とによる係止する方法であるため比較的容易に固定保持することが出来るのであるが、作業中にフィルム基板が係止ピンより抜ける危険がある。又、洗浄処理時にフィルム基板と撓み防止部材接触に伴うダメージが懸念される。   However, since the film substrate transport / carrying holder described in Patent Document 3 is a method of locking by the locking pin and the mounting hole of the film substrate, it can be fixed and held relatively easily. There is a risk that the film substrate comes off from the locking pin. In addition, there is a concern about damage due to contact between the film substrate and the deflection preventing member during the cleaning process.

この様な状況から、枚葉状の可撓性基板を、処理中に抜け落ちることなく湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止し、容易に固定出来る可撓性基板保持具の開発及びこの可撓性基板保持具を使用した有機ELパネルの製造方法の開発が望まれている。
特開2002−11736号公報 特開2002−14310号公報 特開2002−15983号公報
Under such circumstances, the development of a flexible substrate holder that can easily fix and prevent the occurrence of bending, bending or wrinkling of a sheet-like flexible substrate without falling off during processing, and this flexibility Development of the manufacturing method of the organic electroluminescent panel using a board | substrate holder is desired.
JP 2002-11736 A Japanese Patent Laid-Open No. 2002-14310 JP 2002-15983 A

本発明は上記状況に鑑みなされたものであり、その目的は枚葉状の可撓性基板を、処理中に抜け落ちることなく湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止し、容易に固定出来る可撓性基板保持具及びこの可撓性基板保持具を使用した有機ELパネルの製造方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to flexibly prevent the occurrence of bending, bending or wrinkling of a sheet-like flexible substrate without falling off during processing, and to easily fix it. The present invention provides a substrate holder and a method for producing an organic EL panel using the flexible substrate holder.

本発明の上記目的は、下記に示す構成により達成された。   The above object of the present invention has been achieved by the following constitutions.

1.矩形状の可撓性基板を平面状態に保持する可撓性基板保持具であって、前記可撓性基板は前記可撓性基板保持具への取り付け孔を有し、前記可撓性基板保持具は、矩形枠状の枠体と、前記枠体に取り付け部材を介し片持ち状態で一体に形成された梁構造の梁部とを有し、前記枠体の前記取り付け部材と対向する辺の2隅に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第1係止ピンと、前記梁部の両端に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第2係止ピンとを有することを特徴とする可撓性基板保持具。   1. A flexible substrate holder for holding a rectangular flexible substrate in a planar state, the flexible substrate having a mounting hole for the flexible substrate holder, and holding the flexible substrate The tool has a rectangular frame-shaped frame body and a beam portion of a beam structure formed integrally with the frame body in a cantilever manner via a mounting member, and the side of the frame body facing the mounting member A flexible substrate holder having first locking pins inserted into the mounting holes at two corners and second locking pins respectively inserted into the mounting holes at both ends of the beam portion.

2.前記第1係止ピンは、少なくとも1本は固定係止ピンであることを特徴とする前記1に記載の可撓性基板保持具。   2. 2. The flexible substrate holder according to 1, wherein at least one of the first locking pins is a fixed locking pin.

3.前記第2係止ピンは、梁部の両端に配設された係止ピンであり、該梁部は両端へ枠体方向に水平に押圧を掛けた時、該枠体方向に撓み、該押圧を解除することで元の形状に戻ることを特徴とする前記1又は2に記載の可撓性基板保持具。   3. The second locking pin is a locking pin disposed at both ends of the beam portion. When the beam portion is horizontally pressed toward the both ends in the frame body direction, the beam is bent in the frame body direction and the pressing 3. The flexible substrate holder according to 1 or 2 above, wherein the original shape is restored by releasing the.

4.前記枠体は位置決め用の孔が少なくとも一つ設置されていることを特徴とする前記1〜3の何れか1項に記載の可撓性基板保持具。   4). 4. The flexible substrate holder according to any one of 1 to 3, wherein the frame is provided with at least one positioning hole.

5.前記第1係止ピンは、上部の径が下部の径よりも大きく、取り付け面から上部に向けての側壁は少なくとも傾斜部を有し、該傾斜部と取り付け面とのなす角度が45°〜85°であることを特徴とする前記1〜4の何れか1項に記載の可撓性基板保持具。   5. The first locking pin has an upper diameter larger than a lower diameter, a side wall from the attachment surface toward the upper portion has at least an inclined portion, and an angle formed by the inclined portion and the attachment surface is 45 ° to 45 °. 5. The flexible substrate holder according to any one of 1 to 4, which is 85 °.

6.前記第1係止ピンと第2係止ピンに可撓性基板の取り付け孔を挿通させ、該可撓性基板を可撓性基板保持具に固定する時、該可撓性基板に掛けられる張力は10N/m〜100N/mであることを特徴とする前記1〜5の何れか1項に記載の可撓性基板保持具。   6). When the mounting hole of the flexible substrate is inserted through the first locking pin and the second locking pin and the flexible substrate is fixed to the flexible substrate holder, the tension applied to the flexible substrate is The flexible substrate holder according to any one of 1 to 5 above, which is 10 N / m to 100 N / m.

7.基板洗浄工程、第1電極形成工程、有機化合物層形成工程、第2電極形成工程、封止層形成工程とを有する製造装置で、枚葉状の可撓性基板の上に、少なくとも第1電極と、発光層を含む有機化合物層と、第2電極と、封止層とを順次形成する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、前記基板洗浄工程、前記第1電極形成工程、前記有機化合物層形成工程、前記第2電極形成工程、前記封止層形成工程の少なくとも一つ工程で、前記1〜6の何れか1項に記載の可撓性基板保持具を使用し、前記可撓性基板を保持し処理することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。   7). A manufacturing apparatus having a substrate cleaning step, a first electrode forming step, an organic compound layer forming step, a second electrode forming step, and a sealing layer forming step, wherein at least a first electrode is formed on a sheet-like flexible substrate In the method of manufacturing an organic electroluminescence panel in which an organic compound layer including a light emitting layer, a second electrode, and a sealing layer are sequentially formed, the substrate cleaning step, the first electrode forming step, and the organic compound layer forming step The flexible substrate holder according to any one of 1 to 6 above is used to hold the flexible substrate in at least one step of the second electrode forming step and the sealing layer forming step. And manufacturing the organic electroluminescence panel.

枚葉状の可撓性基板を、処理中に抜け落ちることなく湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止し、容易に固定出来る可撓性基板保持具及びこの可撓性基板保持具を使用した有機ELパネルの製造方法を提供することが出来、大サイズの枚葉状の可撓性基板を安定に保持することが可能となり、大型の画像表示装置への対応が可能となった。   A flexible substrate holder capable of preventing the occurrence of bending, bending, wrinkling, etc. without dropping a sheet-like flexible substrate during processing, and an organic EL using the flexible substrate holder A panel manufacturing method can be provided, a large-sized sheet-like flexible substrate can be stably held, and a large image display apparatus can be supported.

本発明の実施の形態を図1〜図14を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 14, but the present invention is not limited thereto.

図1は本発明の可撓性基板保持具に枚葉状の可撓性基板を固定した状態を示す概略図である。図1(a)は本発明の可撓性基板保持具に枚葉状の可撓性基板を固定した状態を示す概略斜視図である。図1(b)は図1(a)のA−A′に沿った拡大概略断面図である。   FIG. 1 is a schematic view showing a state in which a sheet-like flexible substrate is fixed to the flexible substrate holder of the present invention. Fig.1 (a) is a schematic perspective view which shows the state which fixed the sheet-like flexible board | substrate to the flexible board | substrate holder of this invention. FIG. 1B is an enlarged schematic cross-sectional view along AA ′ of FIG.

図中、1は可撓性基板保持具を示す。可撓性基板保持具1は、枠構成部材101a〜101dを有する矩形状の枠体101と梁部102とを有している。2は枚葉状の可撓性基板を示す。可撓性基板2は4隅に開けられた取り付け孔2a〜2dを可撓性基板保持具の4隅に配設された係止ピン104a1、104a2、104b1、104b2に挿通することで可撓性基板保持具1の表面に伏勢し、梁部102方向(図中の矢印方向)に張力が掛けられた状態で固定されている。103は梁部102の枠体101への取り付け部材を示す。   In the figure, 1 indicates a flexible substrate holder. The flexible substrate holder 1 includes a rectangular frame body 101 having frame constituent members 101 a to 101 d and a beam portion 102. Reference numeral 2 denotes a sheet-like flexible substrate. The flexible substrate 2 is flexible by inserting attachment holes 2a to 2d opened at four corners into locking pins 104a1, 104a2, 104b1, and 104b2 disposed at the four corners of the flexible substrate holder. The surface of the substrate holder 1 is biased and fixed in a state where tension is applied in the direction of the beam portion 102 (in the direction of the arrow in the figure). Reference numeral 103 denotes a member for attaching the beam portion 102 to the frame body 101.

101eは枠構成部材101cに配設された位置決め用の孔を示す。101fは枠構成部材101dに配設された位置決め用の孔を示す。位置決め用の孔の配設する位置は特に限定はなく、例えば、梁部102と枠構成部材101bに配設しても良い。但し、安定性の面から対向する位置に2つ配設することが好ましい。位置決め用の孔は貫通していても良いし、位置決め用の孔を設けた反対の面に同じような孔を配設しても構わない。本図は貫通している場合を示している。   Reference numeral 101e denotes a positioning hole disposed in the frame constituent member 101c. Reference numeral 101f denotes a positioning hole disposed in the frame constituent member 101d. There is no particular limitation on the position where the positioning hole is disposed, and for example, the hole may be disposed on the beam portion 102 and the frame constituent member 101b. However, it is preferable to arrange two at positions facing each other from the viewpoint of stability. The positioning hole may be penetrated, or a similar hole may be provided on the opposite surface provided with the positioning hole. This figure has shown the case where it has penetrated.

位置決め用の孔101e(101f)は、例えば図10に示される製造装置4に示される供給工程401と、固定工程402と、洗浄工程403と、第1反転工程404と、第1電極形成工程405と、正孔輸送層形成工程406と、発光層形成工程407と、電子注入層形成工程408と、第2電極形成工程409と、第2反転工程410と、シール剤塗設工程411と、可撓性封止部材貼合工程412と、脱離工程413等で可撓性基板保持具1を載置台、受け台等に載置し可撓性基板に対して加工する時、載置台、受け台等に配設された位置決め用ピンを挿入させ可撓性基板保持具1を固定するのに使用される。   For example, the positioning hole 101e (101f) has a supply process 401, a fixing process 402, a cleaning process 403, a first reversing process 404, and a first electrode forming process 405 shown in the manufacturing apparatus 4 shown in FIG. A hole transport layer forming step 406, a light emitting layer forming step 407, an electron injection layer forming step 408, a second electrode forming step 409, a second inversion step 410, a sealant coating step 411, When the flexible substrate holder 1 is mounted on a mounting table, a receiving table or the like and processed on the flexible substrate in the flexible sealing member bonding step 412 and the detaching step 413, the mounting table and the receiving table are received. It is used to fix the flexible substrate holder 1 by inserting positioning pins arranged on a table or the like.

図2は図1に示す可撓性基板保持具の概略図である。図2(a)は図1に示す可撓性基板保持具の概略斜視図である。図2(b)は図2(a)に示す可撓性基板保持具の概略平面図である。   FIG. 2 is a schematic view of the flexible substrate holder shown in FIG. FIG. 2A is a schematic perspective view of the flexible substrate holder shown in FIG. FIG. 2B is a schematic plan view of the flexible substrate holder shown in FIG.

図中、1は可撓性基板保持具を示す。可撓性基板保持具1は、枠構成部材101a〜101dを有する矩形状の枠体101と梁部102とを有している。梁部102は梁部102の中央部に取り付けられた取り付け部材103を介して枠構成部材101aの中央部に一体に取り付けられている。   In the figure, 1 indicates a flexible substrate holder. The flexible substrate holder 1 includes a rectangular frame body 101 having frame constituent members 101 a to 101 d and a beam portion 102. The beam portion 102 is integrally attached to the central portion of the frame constituting member 101 a via an attachment member 103 attached to the central portion of the beam portion 102.

梁部102は両端部を枠体101方向に水平に押圧を加えることで梁部102は枠体101方向に撓み(図中の点線で示される状態)、押圧を解除することで元の状態(図中の実線で示される状態)に戻る様になっている。梁部102が本図に示す様に撓むことで、可撓性基板を取り付ける時は、可撓性基板に配設された取り付け孔の位置に合わせ、梁部102の両端に押圧を掛け梁部102を撓ませ、取り付け後、押圧を解除することで梁部102が元の位置に戻る時に合わせ、第2係止ピン104bの位置が動く(第1係止ピン104aと第2係止ピン104bとの距離が広がる)ことで可撓性基板に張力が掛けられ可撓性基板保持具に固定される。又、処理が終了した後、押圧を掛け梁部102を撓ませることで第2係止ピン104bの位置が動く(第1係止ピン104aと第2係止ピン104bとの距離が狭くなる)ことで、可撓性基板への張力が解除されるので可撓性基板を可撓性基板保持具1から容易に外すことが可能となる。   The beam part 102 is bent in the direction of the frame body 101 by pressing both ends in the direction of the frame body 101 (the state shown by the dotted line in the figure), and the original state ( The state returns to the state indicated by the solid line in the figure. When the flexible substrate is attached by bending the beam portion 102 as shown in this figure, the beam portions 102 are pressed at both ends in accordance with the positions of the mounting holes provided in the flexible substrate. The position of the second locking pin 104b moves when the beam portion 102 returns to its original position by releasing the pressure after bending and attaching the second locking pin 104b (the first locking pin 104a and the second locking pin). As a result, the flexible substrate is tensioned and fixed to the flexible substrate holder. Further, after the processing is completed, the position of the second locking pin 104b is moved by applying pressure and bending the beam portion 102 (the distance between the first locking pin 104a and the second locking pin 104b is reduced). Thus, since the tension on the flexible substrate is released, the flexible substrate can be easily detached from the flexible substrate holder 1.

枠構成部材101bの両端部には第1係止ピン104aが配置されている。第1係止ピン104aは枠構成部材101bの端部に設けられた係止ピン104a1と、他方の端部に設けられた係止ピン104a2とを有している。第1係止ピン104a(係止ピン104a1及び係止ピン104a2)は枠構成部材101bに一体に固定となっている。   First locking pins 104a are arranged at both ends of the frame constituent member 101b. The first locking pin 104a has a locking pin 104a1 provided at the end of the frame constituent member 101b and a locking pin 104a2 provided at the other end. The first locking pins 104a (the locking pins 104a1 and the locking pins 104a2) are integrally fixed to the frame constituent member 101b.

梁部102の両端部には第2係止ピン104bが配置されている。第2係止ピン104bは梁部102の端部に設けられた係止ピン104b1と、他方の端部に設けられた係止ピン104b2とを有している。係止ピン104b1は係止ピン104a1と対向する位置にあり、係止ピン104b1と係止ピン104a1との中心は同一線上となるように配設されている。係止ピン104b2は係止ピン104a2と対向する位置にあり、係止ピン104b2と係止ピン104a2との中心は同一線上となるように配設されている。第2係止ピン104b(係止ピン104b1及び係止ピン104b2)は梁部102に一体に配設されており、梁部102の移動に伴い相対的に移動するようになっている。   Second locking pins 104b are arranged at both ends of the beam portion 102. The second locking pin 104b has a locking pin 104b1 provided at the end of the beam portion 102 and a locking pin 104b2 provided at the other end. The locking pin 104b1 is in a position facing the locking pin 104a1, and the centers of the locking pin 104b1 and the locking pin 104a1 are arranged on the same line. The locking pin 104b2 is at a position facing the locking pin 104a2, and the centers of the locking pin 104b2 and the locking pin 104a2 are arranged on the same line. The second locking pins 104b (the locking pins 104b1 and the locking pins 104b2) are disposed integrally with the beam portion 102, and relatively move as the beam portion 102 moves.

105は周囲を枠構成部材101a〜101dにより囲まれた開口部を示す。開口部105を設けることで可撓性基板の裏面の清掃が容易に行われること、及び可撓性基板を水洗する時、可撓性基板の裏面側の乾燥を早めるために有効である。   Reference numeral 105 denotes an opening surrounded by the frame constituent members 101a to 101d. By providing the opening 105, the back surface of the flexible substrate can be easily cleaned, and when the flexible substrate is washed with water, it is effective to accelerate the drying of the back surface side of the flexible substrate.

枠体101を構成する枠構成部材の融点は、各工程における熱安定性等を考慮し、200℃以上であることが好ましい。   The melting point of the frame constituting member constituting the frame 101 is preferably 200 ° C. or higher in consideration of thermal stability and the like in each step.

枠体101を構成する枠構成部材のASTM D570に準じて測定した24時間吸水率は、可撓性基板への影響、各工程への水分持ち込み抑制、アウトガス抑制等を考慮し、1%以下であることが好ましい。   The 24-hour water absorption measured according to ASTM D570 of the frame constituent members constituting the frame body 101 is 1% or less in consideration of the influence on the flexible substrate, the suppression of moisture introduction into each process, the suppression of outgas, etc. Preferably there is.

梁部は、可撓性基板保持具に可撓性基板を固定した時の張力は、平面性、可撓性基板の保持性、可撓性基板の取り付け孔の損傷等を考慮し、10N/m〜100N/mであることが好ましい。張力は、株式会社イマダ製プッシュプルゲージ(デジタルフォースゲージ ZPシリーズ)を使用し測定した値を示す。   As for the beam portion, the tension when the flexible substrate is fixed to the flexible substrate holder is 10 N / in consideration of flatness, the retention property of the flexible substrate, damage to the mounting hole of the flexible substrate, etc. It is preferable that it is m-100N / m. A tension | tensile_strength shows the value measured using the Imada Co., Ltd. push pull gauge (digital force gauge ZP series).

可撓性基板保持具1に使用する材料としては、熱、水分等により変形しない材料であれば特に限定はなく、例えば汎用エンジニアリングプラスチック、特殊エンジニアリングプラスチック、金属が挙げられる。汎用エンジニアリングプラスチックとしては、例えば、ポリアミド(PA)、ポリオキシメチレン(POM)、ポリカーボネート(PC)、変性ポリフェニレンエーテル(変性PPE)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、超高分子量ポリエチレン(UHMPE)等が挙げられる。特殊エンジニアリングプラスチックとしては、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ポリスルホン(PSU)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリアリレート(PAR)、オレフィンビニルアルコール共重合体(E/V)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)等が挙げられる。これらの材料の中で特に好ましい材料としてはポリテトラフルオロエチレン(PTFE)が挙げられる。   The material used for the flexible substrate holder 1 is not particularly limited as long as it is a material that is not deformed by heat, moisture, or the like, and examples thereof include general-purpose engineering plastics, special engineering plastics, and metals. General-purpose engineering plastics include, for example, polyamide (PA), polyoxymethylene (POM), polycarbonate (PC), modified polyphenylene ether (modified PPE), polybutylene terephthalate (PBT), polyethylene terephthalate (PET), and ultrahigh molecular weight polyethylene. (UHMPE) and the like. Special engineering plastics include polyphenylene sulfide (PPS), polysulfone (PSU), polyethersulfone (PES), polyetheretherketone (PEEK), polyarylate (PAR), olefin vinyl alcohol copolymer (E / V), Polyamideimide (PAI), polyetherimide (PEI), polytetrafluoroethylene (PTFE), etc. are mentioned. Among these materials, a particularly preferable material is polytetrafluoroethylene (PTFE).

又、枠体101と、取り付け部材103と、梁部102と、第1係止ピン104a、及び第2係止ピン104bは同じ材料であっても良いし異なっていても良い。例えば、枠体101と取り付け部材103とを鉄、アルミ、ステンレス等の金属とし、梁部102を汎用エンジニアリングプラスチックとしても構わない。   Further, the frame 101, the mounting member 103, the beam portion 102, the first locking pin 104a, and the second locking pin 104b may be made of the same material or different. For example, the frame body 101 and the attachment member 103 may be made of metal such as iron, aluminum, and stainless steel, and the beam portion 102 may be made of general-purpose engineering plastic.

本図に示す可撓性基板保持具1は材料が汎用エンジニアリングプラスチック、特殊エンジニアリングプラスチックの場合は、通常の射出成形法で作製することが可能である。又、金属の場合は切削加工で製造することが可能である。   The flexible substrate holder 1 shown in the figure can be manufactured by a normal injection molding method when the material is general-purpose engineering plastic or special engineering plastic. In the case of metal, it can be manufactured by cutting.

Hは可撓性基板保持具1の幅を示す。幅Hは、取り扱い性、枚葉状の可撓性基板の保護、位置決め用の孔の配置、葉状の可撓性基板の裏面接触による傷付き等を考慮し、枚葉状の可撓性基板2(図1を参照)の長さの100%〜120%であることが好ましい。   H indicates the width of the flexible substrate holder 1. The width H is determined in consideration of handleability, protection of a sheet-like flexible substrate, placement of positioning holes, scratches due to back contact of the leaf-like flexible substrate, and the like. The length is preferably 100% to 120% of the length (see FIG. 1).

Iは矩形状の枠体101の長さを示す。長さIは、取り扱い性、位置決め用の孔の配設、枚葉状の可撓性基板の保護、位置決め用の孔の配置、葉状の可撓性基板の裏面接触による傷付き等を考慮し、枚葉状の可撓性基板2(図1を参照)の幅の100%〜120%であることが好ましい。   I indicates the length of the rectangular frame 101. The length I takes into consideration handling, positioning of positioning holes, protection of a sheet-like flexible substrate, positioning of positioning holes, scratches due to back contact of the leaf-like flexible substrate, etc. The width is preferably 100% to 120% of the width of the sheet-like flexible substrate 2 (see FIG. 1).

Jは矩形状の枠体101の幅を示す。幅Jは、第1係止ピン104aの配設、可撓性基板の保持性、枚葉状の可撓性基板の裏面接触による傷つき、枚葉状の可撓性基板の乾燥性等を考慮し、可撓性基板保持具1の幅Hに対して50%〜90%であることが好ましい。   J indicates the width of the rectangular frame 101. The width J takes into account the disposition of the first locking pin 104a, the retention property of the flexible substrate, the damage due to the back surface contact of the sheet-like flexible substrate, the drying property of the sheet-like flexible substrate, The width is preferably 50% to 90% with respect to the width H of the flexible substrate holder 1.

Kは取り付け部材103の幅を示す。幅Kは、梁部の変形量を考慮し、極力小さくすることが好ましい。   K indicates the width of the attachment member 103. The width K is preferably as small as possible in consideration of the deformation amount of the beam portion.

Lは取り付け部材103の長さを示す。長さLは、梁部の撓み荷重(張力)による変形、等を考慮し、梁部102の長さMに対して100%〜1000%であることが好ましい。   L indicates the length of the attachment member 103. The length L is preferably 100% to 1000% with respect to the length M of the beam portion 102 in consideration of deformation caused by the bending load (tension) of the beam portion.

Mは梁部102の長さを示す。長さMは、取り扱い性、梁部の撓み荷重、等を考慮し、枚葉状の可撓性基板2(図1を参照)の長さの2%〜10%であることが好ましい。   M indicates the length of the beam portion 102. The length M is preferably 2% to 10% of the length of the sheet-like flexible substrate 2 (see FIG. 1) in consideration of handleability, bending load of the beam portion, and the like.

Nは梁部102の幅を示す。幅Nは、第2係止ピン104bの配設、梁部の撓み荷重、等を考慮し、可撓性基板保持具1の幅Hに対して10%〜80%であることが好ましい。   N indicates the width of the beam portion 102. The width N is preferably 10% to 80% with respect to the width H of the flexible substrate holder 1 in consideration of the arrangement of the second locking pins 104b, the bending load of the beam portion, and the like.

Oは開口部105の長さを示す。長さOは、枚葉状の可撓性基板の裏面接触による傷つき、枚葉状の可撓性基板の乾燥性等を考慮し、矩形状の枠体101の幅Iに対して50%〜95%であることが好ましい。   O indicates the length of the opening 105. The length O is 50% to 95% with respect to the width I of the rectangular frame 101 in consideration of damage due to the back surface contact of the sheet-like flexible substrate, drying characteristics of the sheet-like flexible substrate, and the like. It is preferable that

Pは開口部105の幅を示す。幅Pは、枚葉状の可撓性基板の裏面接触による傷つき、枚葉状の可撓性基板の乾燥性等を考慮し、矩形状の枠体101の長さJに対して50%〜90%であることが好ましい。   P indicates the width of the opening 105. The width P is 50% to 90% with respect to the length J of the rectangular frame 101 in consideration of damage due to the back surface contact of the sheet-like flexible substrate, drying of the sheet-like flexible substrate, and the like. It is preferable that

Qは係止ピン104a1の中心と、係止ピン104a2の中心との距離を示す。距離Qは矩形状の枠体101の大きさにより適宜変更が可能となっている。係止ピン104b1の中心と、係止ピン104b2の中心との距離も、距離Qと同じである。   Q indicates the distance between the center of the locking pin 104a1 and the center of the locking pin 104a2. The distance Q can be appropriately changed depending on the size of the rectangular frame 101. The distance between the center of the locking pin 104b1 and the center of the locking pin 104b2 is also the same as the distance Q.

Rは係止ピン104a1の中心と係止ピン104b1の中心とを結ぶ線と、係止ピン104a1の枠構成部材101cへの取り付け面の外側との交点と、係止ピン104b1の梁部102への取り付け面の外側との交点との距離を示す。距離Rは取り付ける可撓性基板に配設された取り付け孔2a(図6参照)の中心と、取り付け孔2c(図6参照)の中心とを結ぶ線の取り付け孔2a(図6参照)の外側との交点と取り付け孔2c(図6参照)の外側との交点との距離Y(図6参照)に対して可撓性基板への張力、可撓性基板の取り付け孔に対する損傷、可撓性基板の取り付け性、係止安定性等を考慮し、100%〜120%であることが好ましい。他の符号は図1と同義である。   R is the intersection of the line connecting the center of the locking pin 104a1 and the center of the locking pin 104b1, the outside of the mounting surface of the locking pin 104a1 to the frame constituent member 101c, and the beam portion 102 of the locking pin 104b1. The distance to the intersection with the outside of the mounting surface is shown. The distance R is the outside of the attachment hole 2a (see FIG. 6) that is a line connecting the center of the attachment hole 2a (see FIG. 6) disposed on the flexible substrate to be attached and the center of the attachment hole 2c (see FIG. 6). Tension to the flexible substrate, damage to the attachment hole of the flexible substrate, and flexibility with respect to the distance Y (see FIG. 6) between the intersection of the substrate and the outside of the attachment hole 2c (see FIG. 6) In consideration of the mounting property of the substrate, the locking stability, etc., it is preferably 100% to 120%. Other reference numerals are the same as those in FIG.

図3は図2(a)に示すB−B′に沿った概略断面図である。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view along the line BB ′ shown in FIG.

図中、Tは梁部102の高さを示す。高さTは、梁部の撓み、保持具の剛性、梁部の撓み荷重(張力)による変形、各工程での省スペース化、各工程での位置決め等を考慮し、1mm〜20mmが好ましい。枠体101を構成している枠構成部材101a〜101d及び取り付け部材103の高さも高さTと同じであり、枠構成部材101a〜101d、取り付け部材103、梁部102の面は同一面となっている。他の符号は図2と同義である。   In the figure, T indicates the height of the beam portion 102. The height T is preferably 1 mm to 20 mm in consideration of bending of the beam portion, rigidity of the holder, deformation due to the bending load (tension) of the beam portion, space saving in each step, positioning in each step, and the like. The heights of the frame constituent members 101a to 101d and the attachment member 103 constituting the frame 101 are also the same as the height T, and the surfaces of the frame constituent members 101a to 101d, the attachment member 103, and the beam portion 102 are the same surface. ing. Other symbols are the same as those in FIG.

図4は図2(a)のSで示される部分の拡大概略図である。図4(a)は図2(a)のSで示される部分の拡大概略斜視図である。図4(b)は図4(a)のC−C′に沿った概略断面図である。   FIG. 4 is an enlarged schematic view of a portion indicated by S in FIG. FIG. 4A is an enlarged schematic perspective view of a portion indicated by S in FIG. FIG. 4B is a schematic cross-sectional view along CC ′ of FIG.

図中、Uは係止ピン104a1の上部104a11の直径を示し、Vは枠体101に取り付けられている下部104a12の直径を示す。係止ピン104a1は本図に示す如く、上部104a11の直径が下部104a12の直径よりも大きく、側壁104a13を有する断面形状が逆円錐台の形状となっている。係止ピン104a1の上部104a11の直径及び下部104a12の直径は枠体101の大きさにより適宜変更されるため、一義的に決めることは困難である。θは係止ピン104a1の側壁104a13と、枠構成部材101cの取り付け面とのなす角度を示す。角度θは、可撓性基板の固定安定性、係止ピンの強度等を考慮し45°〜85°が好ましい。角度は、株式会社ミツトヨ製 投影機 PJ−A3000を使用し測定した値を示す。   In the figure, U indicates the diameter of the upper portion 104a11 of the locking pin 104a1, and V indicates the diameter of the lower portion 104a12 attached to the frame body 101. As shown in the figure, the locking pin 104a1 has a diameter of the upper part 104a11 larger than that of the lower part 104a12, and the cross-sectional shape having the side wall 104a13 has the shape of an inverted truncated cone. Since the diameter of the upper part 104a11 and the diameter of the lower part 104a12 of the locking pin 104a1 are appropriately changed depending on the size of the frame body 101, it is difficult to determine uniquely. θ represents an angle formed between the side wall 104a13 of the locking pin 104a1 and the attachment surface of the frame constituent member 101c. The angle θ is preferably 45 ° to 85 ° in consideration of the fixing stability of the flexible substrate, the strength of the locking pins, and the like. An angle shows the value measured using Mitutoyo Corporation projector PJ-A3000.

Wは係止ピン104a1の枠体101の取り付け面からの高さを示す。高さWは、可撓性基板2(図1を参照)の厚さに対して、取り扱い性、係止安定性等を考慮し、100%〜3000%が好ましい。他の符号は図2と同義である。   W indicates the height of the locking pin 104a1 from the mounting surface of the frame body 101. The height W is preferably 100% to 3000% with respect to the thickness of the flexible substrate 2 (see FIG. 1) in consideration of handleability, locking stability, and the like. Other symbols are the same as those in FIG.

図2に示される他の係止ピン104a2、係止ピン104b1、係止ピン104b2も本図に示される係止ピン104a1と同じ形状、寸法を有している。   The other locking pin 104a2, locking pin 104b1, and locking pin 104b2 shown in FIG. 2 have the same shape and dimensions as the locking pin 104a1 shown in this figure.

図5は図4で示される係止ピンの他の形状の拡大概略図である。図5(a)は図4で示される係止ピンの他の形状の拡大概略斜視図である。図5(b)は図5(a)のD−D′に沿った沿った概略断面図である。   FIG. 5 is an enlarged schematic view of another shape of the locking pin shown in FIG. FIG. 5A is an enlarged schematic perspective view of another shape of the locking pin shown in FIG. FIG.5 (b) is a schematic sectional drawing in alignment with DD 'of Fig.5 (a).

図中、U′は係止ピン104a′1の上部104a′11の直径を示し、V′は枠体101に取り付けられている下部104a′12の直径を示す。係止ピン104a′1は本図に示す如く、上部104a′11の直径が下部104a′12の直径よりも大きく、上部104a′11の直径と同じ側壁104a′13と、上部104a′11の直径よりも順次径が小さくなっている傾斜した側壁104a′14とを有する形状となっている。   In the figure, U ′ indicates the diameter of the upper part 104 a ′ 11 of the locking pin 104 a ′ 1, and V ′ indicates the diameter of the lower part 104 a ′ 12 attached to the frame body 101. As shown in the figure, the locking pin 104a'1 has a diameter of the upper part 104a'11 larger than that of the lower part 104a'12, the same diameter as that of the upper part 104a'11, and a diameter of the upper part 104a'11. It has the shape which has the inclined side wall 104a'14 in which a diameter becomes smaller gradually than.

係止ピン104a′1の上部104a′11の直径及び下部104a′12の直径は枠体101の大きさにより適宜変更されるため、一義的に決めることは困難である。θ′は係止ピン104a′1の側壁104a′14と、枠構成部材101cの取り付け面とのなす角度を示す。角度θ′は、可撓性基板の固定安定性、係止ピンの強度等を考慮し45°〜85°が好ましい。   Since the diameter of the upper part 104a′11 and the diameter of the lower part 104a′12 of the locking pin 104a′1 are appropriately changed according to the size of the frame body 101, it is difficult to determine uniquely. θ ′ represents an angle formed between the side wall 104a′14 of the locking pin 104a′1 and the mounting surface of the frame constituent member 101c. The angle θ ′ is preferably 45 ° to 85 ° in consideration of the fixing stability of the flexible substrate, the strength of the locking pins, and the like.

X′は側壁104a′13の高さを示す。高さX′は、係止ピン104a′1の高さW′に対して、係止ピンの強度等を考慮し、5%〜30%が好ましい。   X ′ indicates the height of the side wall 104a′13. The height X ′ is preferably 5% to 30% with respect to the height W ′ of the locking pin 104a′1 in consideration of the strength of the locking pin.

W′は係止ピン104a′1の枠体101の取り付け面からの高さを示す。高さW′は、可撓性基板2(図1を参照)の厚さに対して、取り扱い性、係止安定性等を考慮し、100%〜3000%が好ましい。   W ′ indicates the height of the locking pin 104a′1 from the mounting surface of the frame body 101. The height W ′ is preferably 100% to 3000% with respect to the thickness of the flexible substrate 2 (see FIG. 1) in consideration of handleability, locking stability, and the like.

図2に示される他の係止ピン104a2、係止ピン104b1、係止ピン104b2も本図に示される係止ピン104a′1と同じ形状、寸法を有している。他の符号は図2と同義である。   The other locking pin 104a2, locking pin 104b1, and locking pin 104b2 shown in FIG. 2 also have the same shape and size as the locking pin 104a′1 shown in this figure. Other symbols are the same as those in FIG.

図4、図5に本発明に係わる係止ピンの代表的な形状を示したが、本発明に係わる係止ピンの形状は、図6に示す可撓性基板に配設された取り付け孔と接触する係止ピンの側壁がRを有していれば特に限定はない。   4 and 5 show a typical shape of the locking pin according to the present invention. The shape of the locking pin according to the present invention is the same as that of the mounting hole disposed on the flexible substrate shown in FIG. If the side wall of the locking pin that comes into contact has R, there is no particular limitation.

図6は図1(a)に示される可撓性基板の拡大概略図である。図6(a)は図1(a)に示される可撓性基板の拡大概略斜視図である。図6(b)は図6(a)に示される可撓性基板の概略平面図である。   FIG. 6 is an enlarged schematic view of the flexible substrate shown in FIG. FIG. 6A is an enlarged schematic perspective view of the flexible substrate shown in FIG. FIG. 6B is a schematic plan view of the flexible substrate shown in FIG.

図中、Xは可撓性基板2の取り付け孔2bの直径を示す。直径Xは図4に示される係止ピンの直径U及び図5に示される係止ピンの直径U′に対して、可撓性基板の取り付け孔の挿通性、作業性、可撓性基板の固定安定性、可撓性基板のコスト等を考慮し110%〜200%が好ましい。他の取り付け孔2a、2c、2dは取り付け孔2bと全て同じ直径を有している。   In the figure, X indicates the diameter of the mounting hole 2b of the flexible substrate 2. The diameter X is equal to the diameter U of the locking pin shown in FIG. 4 and the diameter U ′ of the locking pin shown in FIG. 5. Considering the fixing stability, the cost of the flexible substrate, etc., 110% to 200% is preferable. The other mounting holes 2a, 2c and 2d all have the same diameter as the mounting hole 2b.

Yは取り付け孔2aの中心と、取り付け孔2cの中心とを結ぶ線の取り付け孔2aの外側との交点と取り付け孔2cの外側との交点との距離を示す。   Y indicates the distance between the intersection of the line connecting the center of the attachment hole 2a and the center of the attachment hole 2c with the outside of the attachment hole 2a and the intersection of the outside of the attachment hole 2c.

距離Yは、図2に示す係止ピン104a1の中心と係止ピン104b1の中心とを結ぶ線と、係止ピン104a1の枠構成部材101cへの取り付け面の外側との交点と、係止ピン104b1の梁部102への取り付け面の外側との交点との距離R(図2を参照)に対して、可撓性基板の取り付け孔の挿通性、作業性、可撓性基板の固定安定性等を考慮し、80%〜100%であることが好ましい。他の取り付け孔2bの中心と、取り付け孔2dの中心との距離も、距離Yと同じとなっている。   The distance Y is the intersection of the line connecting the center of the locking pin 104a1 and the center of the locking pin 104b1 shown in FIG. 2 and the outside of the mounting surface of the locking pin 104a1 on the frame constituent member 101c. With respect to the distance R (see FIG. 2) with the intersection of the mounting surface 104b1 to the beam portion 102 and the outside of the mounting surface, the insertion property of the mounting hole of the flexible substrate, workability, and fixing stability of the flexible substrate In view of the above, it is preferably 80% to 100%. The distance between the center of the other mounting hole 2b and the center of the mounting hole 2d is also the same as the distance Y.

Zは取り付け孔2cの中心と、取り付け孔2dの中心との距離を示す。距離Zは、図2に示される係止ピン104a1の中心と、係止ピン104a2の中心との距離Q(図2を参照)と同じである。取り付け孔2aの中心と、取り付け孔2bの中心との距離も、距離Zと同じである。   Z indicates the distance between the center of the mounting hole 2c and the center of the mounting hole 2d. The distance Z is the same as the distance Q (see FIG. 2) between the center of the locking pin 104a1 and the center of the locking pin 104a2 shown in FIG. The distance between the center of the mounting hole 2a and the center of the mounting hole 2b is also the same as the distance Z.

図7は図2に示される可撓性基板保持具へ、図6に示す可撓性基板を取り付ける迄を示す概略フロー図である。   FIG. 7 is a schematic flow diagram showing the process until the flexible substrate shown in FIG. 6 is attached to the flexible substrate holder shown in FIG.

Step1では、図1〜図4に示される構造と寸法を有する可撓性基板保持具1と、4隅に図6に示す寸法、取り付け位置で配置された取り付け孔2a〜2dを有する可撓性基板2が準備される。   In Step 1, the flexible substrate holder 1 having the structure and dimensions shown in FIGS. 1 to 4 and the flexible holes having the attachment holes 2a to 2d arranged at the four corners at the dimensions and attachment positions shown in FIG. A substrate 2 is prepared.

Step2では、可撓性基板保持具1の梁部102の両端部に枠体101に向けて(図中の矢印方向)押圧が掛けられることで、梁部102の両端部が枠体101に向けて撓んだ状態となる。   In Step 2, both ends of the beam 102 are directed toward the frame 101 by pressing both ends of the beam 102 of the flexible substrate holder 1 toward the frame 101 (in the direction of the arrow in the drawing). Will be bent.

Step3では、Step2に示される状態の枠体101の係止ピン104a1に可撓性基板2の取り付け孔2aと、係止ピン104a2に可撓性基板2の取り付け孔2bとを挿通させる。この時、取り付け孔2a、2bの直径は係止ピンの上部の直径より大きいため簡単に挿通させることが可能となっている。この後、枠体101の係止ピン104b1に可撓性基板2の取り付け孔2cと、係止ピン104b2に可撓性基板の取り付け孔2dとを挿通させる。この時、梁部102は撓んだ状態となっているため第1係止ピン104aと第2係止ピン104bとの距離が狭くなっていること、及び取り付け孔2c、2dの直径は係止ピンの上部の直径より大きいため簡単に挿通させることが可能となっている。   In Step 3, the attachment hole 2a of the flexible substrate 2 is inserted into the engagement pin 104a1 of the frame 101 in the state shown in Step 2, and the attachment hole 2b of the flexible substrate 2 is inserted into the engagement pin 104a2. At this time, since the diameters of the mounting holes 2a and 2b are larger than the diameter of the upper portion of the locking pin, it can be easily inserted. Thereafter, the attachment hole 2c of the flexible substrate 2 is inserted into the locking pin 104b1 of the frame 101, and the attachment hole 2d of the flexible substrate is inserted into the engagement pin 104b2. At this time, since the beam portion 102 is bent, the distance between the first locking pin 104a and the second locking pin 104b is reduced, and the diameters of the mounting holes 2c and 2d are locked. Since it is larger than the diameter of the upper part of the pin, it can be easily inserted.

Step4では、梁部102の両端部に枠体101に向けて(図中の矢印方向)掛けられていた押圧を解除することで梁部102はStep1に示される状態の元の位置に戻る。梁部102がStep1に示される状態の元の位置に戻ることで係止ピン104b1、係止ピン104b2も元の位置に戻る様に移動する。この時、係止ピン104a1の中心と係止ピン104b1の中心とを結ぶ線と、係止ピン104a1の枠構成部材101cへの取り付け面の外側との交点と、係止ピン104b1の梁部102への取り付け面の外側との交点との距離R(図2参照)と、可撓性基板2の取り付け孔2aの中心と、取り付け孔2cの中心とを結ぶ線の取り付け孔2aの外側との交点と取り付け孔2cの外側との交点との距離Yとの関係より、係止ピン104b1に挿通されていた取り付け孔2c、係止ピン104b2に挿通されていた取り付け孔2dを介して可撓性基板に張力が掛けられる。同時に係止ピン104b1、係止ピン104b2、係止ピン104b1、係止ピン104b2の側壁により枠体101の表面に向けて伏勢された状態で図1に示す様な可撓性基板保持具1への固定がなされる。   In Step 4, the beam part 102 returns to the original position shown in Step 1 by releasing the pressure applied to both ends of the beam part 102 toward the frame body 101 (in the arrow direction in the figure). When the beam portion 102 returns to the original position shown in Step 1, the locking pin 104b1 and the locking pin 104b2 also move so as to return to the original position. At this time, the intersection of the line connecting the center of the locking pin 104a1 and the center of the locking pin 104b1, the outside of the mounting surface of the locking pin 104a1 to the frame constituting member 101c, and the beam portion 102 of the locking pin 104b1. The distance R (see FIG. 2) between the intersection with the outside of the attachment surface to the outside and the outside of the attachment hole 2a of the line connecting the center of the attachment hole 2a of the flexible substrate 2 and the center of the attachment hole 2c Due to the relationship with the distance Y between the intersection and the intersection of the outside of the attachment hole 2c, it is flexible via the attachment hole 2c inserted into the locking pin 104b1 and the attachment hole 2d inserted into the locking pin 104b2. A tension is applied to the substrate. At the same time, the flexible substrate holder 1 as shown in FIG. 1 is biased toward the surface of the frame body 101 by the side walls of the locking pins 104b1, 104b2, 104b1, 104b2. Fixing to is made.

処理が終了し、可撓性基板保持具1から可撓性基板2を外す時は、Step2で示した様に、可撓性基板保持具1の梁部102の両端部に枠体101に向けて(図中の矢印方向)押圧を掛ける。押圧を掛けることで梁部102の両端部が枠体101に向けて撓んだ状態となり、枠体101に配設された第1係止ピン104aと、梁部102に配設された第2係止ピン104b間の距離が短くなり可撓性基板に掛けられていた張力が解除されることで可撓性基板保持具1から容易に可撓性基板2を外すことが可能となる。   When the processing is completed and the flexible substrate 2 is removed from the flexible substrate holder 1, as shown in Step 2, the both ends of the beam portion 102 of the flexible substrate holder 1 are directed toward the frame body 101. (In the direction of the arrow in the figure) By applying the pressure, both end portions of the beam portion 102 are bent toward the frame body 101, and the first locking pin 104 a disposed on the frame body 101 and the second portion disposed on the beam portion 102. Since the distance between the locking pins 104b is shortened and the tension applied to the flexible substrate is released, the flexible substrate 2 can be easily detached from the flexible substrate holder 1.

図8は図7に示すStep4の可撓性基板が可撓性基板保持具に固定される迄を示す概略フロー図である。   FIG. 8 is a schematic flowchart showing the steps until the flexible substrate of Step 4 shown in FIG. 7 is fixed to the flexible substrate holder.

(a)に示される状態に付き説明する。(a)は、梁部102の両端を押すことで梁部が撓んだ状態で可撓性基板2の取り付け孔2a(2b)に係止ピン104a1(104a2)を、可撓性基板2の取り付け孔2c(2d)に係止ピン104b1(104b2)を挿通させた状態を示す。取り付け孔2a(2b)は係止ピン104a1(104a2)の上部の直径よりも大きいため側壁104a13に接触しない状態となっている。又、取り付け孔2c(2d)も係止ピン104b1(104b2)の上部の直径よりも大きいため側壁104b13に接触しない状態となっている。   The state shown in (a) will be described. (A) shows that the locking pins 104 a 1 (104 a 2) are inserted into the mounting holes 2 a (2 b) of the flexible substrate 2 in a state where the beam portions are bent by pushing both ends of the beam portion 102. A state where the locking pin 104b1 (104b2) is inserted into the mounting hole 2c (2d) is shown. Since the attachment hole 2a (2b) is larger than the diameter of the upper portion of the locking pin 104a1 (104a2), the attachment hole 2a (2b) is not in contact with the side wall 104a13. Further, since the mounting hole 2c (2d) is also larger than the diameter of the upper portion of the locking pin 104b1 (104b2), it does not come into contact with the side wall 104b13.

(b)に示される状態に付き説明する。(b)は、梁部102に掛けられていた押圧を解除した初期の状態を示す。押圧を解除することで梁部102は元の状態に戻る様に移動(図中の矢印方向)する。梁部102の移動に伴い、梁部102に固定されている係止ピン104b1(104b2)も移動(図中の矢印方向)する。係止ピン104b1(104b2)が移動することで可撓性基板2の取り付け孔2c(2d)の外側と係止ピン104b1(104b2)の外側の側壁104b13とが当接する状態となり、更に係止ピン104b1(104b2)が移動することで可撓性基板2も移動(図中の矢印方向)する。   The state shown in (b) will be described. (B) shows an initial state in which the pressure applied to the beam portion 102 is released. By releasing the pressure, the beam portion 102 moves (in the direction of the arrow in the figure) so as to return to the original state. As the beam portion 102 moves, the locking pin 104b1 (104b2) fixed to the beam portion 102 also moves (in the direction of the arrow in the figure). When the locking pin 104b1 (104b2) moves, the outer side of the attachment hole 2c (2d) of the flexible substrate 2 and the outer side wall 104b13 of the locking pin 104b1 (104b2) come into contact with each other. By moving 104b1 (104b2), the flexible substrate 2 also moves (in the direction of the arrow in the figure).

(c)に示される状態に付き説明する。(c)は、(b)に示される状態から更に、梁部102が移動することで撓性基板2が移動し、取り付け孔2a(2b)の外側と係止ピン104a1(104a2)の外側の側壁とが当接する状態となり、梁部102の元の位置に戻る移動が止まり、更に元の位置に戻ろうとする梁部102により、可撓性基板2に張力が掛けられた状態で可撓性基板保持具に固定される。この時、係止ピン104a1(104a2)及び係止ピン104b1(104b2)の側壁が傾斜していることで合わせて係止ピンの側壁に沿って枠体101に伏勢された状態(図1に示される状態)となる。   The state shown in (c) will be described. (C) shows that the flexible substrate 2 is further moved by the movement of the beam portion 102 from the state shown in (b), and the outside of the attachment hole 2a (2b) and the outside of the locking pin 104a1 (104a2). The side wall comes into contact, the movement of the beam portion 102 returning to the original position is stopped, and the flexible substrate 2 is flexible in a state in which tension is applied by the beam portion 102 trying to return to the original position. Fixed to the substrate holder. At this time, since the side walls of the locking pins 104a1 (104a2) and the locking pins 104b1 (104b2) are inclined, the frame 101 is biased along the side walls of the locking pins (see FIG. 1). State shown).

(a)〜(c)に示される動きは、係止ピン104a1の中心と係止ピン104b1の中心とを結ぶ線と、係止ピン104a1の枠構成部材101cへの取り付け面の外側との交点と、係止ピン104b1の梁部102への取り付け面の外側との交点との距離R(図2参照)と、可撓性基板2の取り付け孔2aの中心と、取り付け孔2cの中心とを結ぶ線の取り付け孔2aの外側との交点と取り付け孔2cの外側との交点との距離Y(図6参照)との関係より成り立っている。   The movement shown in (a) to (c) is the intersection of the line connecting the center of the locking pin 104a1 and the center of the locking pin 104b1 and the outside of the attachment surface of the locking pin 104a1 to the frame constituent member 101c. And the distance R (see FIG. 2) between the intersection of the locking pin 104b1 and the outside of the attachment surface to the beam portion 102, the center of the attachment hole 2a of the flexible substrate 2, and the center of the attachment hole 2c. This is based on the relationship of the distance Y (see FIG. 6) between the intersection of the connecting line with the outside of the attachment hole 2a and the intersection of the attachment hole 2c with the outside.

本発明に係わる可撓性基板としては特に限定はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)或いはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等で作製した樹脂フィルムが挙げられる。   The flexible substrate according to the present invention is not particularly limited, and examples thereof include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, and cellulose acetate butyrate. , Cellulose acetates such as cellulose acetate propionate (CAP), cellulose acetate phthalate (TAC), cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin , Polymethylpentene, Polyetherketone, Polyimide, Polyethersulfone (PES), Polyphenylene Rufide, polysulfones, polyether imide, polyether ketone imide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethyl methacrylate, acrylic or polyarylates, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) A resin film made of a cycloolefin-based resin or the like can be given.

図1〜図5に示す可撓性基板保持具を使用し、図6に示す取り付け孔を有する枚葉状の可撓性基板を固定することで、次の効果が挙げられる。
1.可撓性基板保持具への枚葉状の可撓性基板の着脱が容易で、湾曲、撓み又はしわ等の発生がなく安定した取り付けが可能となった。
2.枚葉状の可撓性基板の処理中出の脱落がなく安定した処理が可能となった。
3.枠体の吸水率が低いため、水処理を行っても取り付けた可撓性基板への影響がなく、安定した製品の処理が可能となる。
4.枠体の融点が高いため、各工程における温度変化や熱処理に伴う枠体の変形がないため湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止し、安定した製品の処理が可能となる。
By using the flexible substrate holder shown in FIGS. 1 to 5 and fixing the sheet-like flexible substrate having the attachment holes shown in FIG. 6, the following effects can be obtained.
1. The sheet-like flexible substrate can be easily attached to and detached from the flexible substrate holder, and stable attachment is possible without the occurrence of bending, bending or wrinkling.
2. The sheet-like flexible substrate can be stably processed without dropping out during the processing.
3. Since the water absorption rate of the frame body is low, there is no influence on the attached flexible substrate even if water treatment is performed, and stable product processing is possible.
4). Since the melting point of the frame body is high, there is no deformation of the frame body due to temperature change or heat treatment in each step, so that the occurrence of bending, bending or wrinkle is prevented, and stable product processing is possible.

図9は有機ELパネルの一例を示す概略図である。図9(a)は有機ELパネルの一例を示す概略斜視図を示す。図9(b)は図9(a)のE−E′に沿った概略断面図である。図9(c)は図9(a)のF−F′に沿った概略断面図である。   FIG. 9 is a schematic view showing an example of an organic EL panel. FIG. 9A is a schematic perspective view showing an example of the organic EL panel. FIG. 9B is a schematic cross-sectional view taken along the line EE ′ of FIG. FIG. 9C is a schematic cross-sectional view taken along line FF ′ in FIG.

図中、3は有機ELパネルを示す。有機ELパネル3は、可撓性基板301上に順次、陽極(第1電極)302と、正孔輸送層303と、発光層304と、陰極バッファ層(電子注入層)305と、陰極(第2電極)306と、接着剤層307と、封止部材308とを有している。陽極(第1電極)302の取り出し電極302aと、陰極(第2電極)306の取り出し電極306aの端部を除いて接着剤層307により封止された密着封止構造となっている。陽極(第1電極)302と可撓性基材301との間にガスバリア膜(不図示)を設けても構わない。   In the figure, 3 indicates an organic EL panel. The organic EL panel 3 includes an anode (first electrode) 302, a hole transport layer 303, a light emitting layer 304, a cathode buffer layer (electron injection layer) 305, and a cathode (first electrode) in order on a flexible substrate 301. 2 electrodes) 306, an adhesive layer 307, and a sealing member 308. A close-sealing structure is formed by sealing with an adhesive layer 307 except for the ends of the extraction electrode 302a of the anode (first electrode) 302 and the extraction electrode 306a of the cathode (second electrode) 306. A gas barrier film (not shown) may be provided between the anode (first electrode) 302 and the flexible substrate 301.

本図に示す有機ELパネルの層構成は一例を示したものであるが、陽極(第1電極)と陰極(第2電極)との間の他の代表的な有機ELパネルの層構成としては次の構成が挙げられる。   The layer configuration of the organic EL panel shown in this figure is an example, but as another typical organic EL panel between the anode (first electrode) and the cathode (second electrode), The following configurations are listed.

(1)陽極(第1電極)/有機層(発光層)/陰極(第2電極)
(2)陽極(第1電極)/有機層(発光層)/電子輸送層/陰極(第2電極)
(3)陽極(第1電極)/正孔輸送層/有機層(発光層)/正孔阻止層/電子輸送層/陰極(第2電極)
(4)陽極(第1電極)/正孔輸送層(正孔注入層)/有機層(発光層)/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファ層(電子注入層)/陰極(第2電極)
(5)陽極(第1電極)/陽極バッファ層(正孔注入層)/正孔輸送層/有機層(発光層)/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファ層(電子注入層)/陰極(第2電極)
有機ELパネルを構成している各層については後に説明する。
(1) Anode (first electrode) / organic layer (light emitting layer) / cathode (second electrode)
(2) Anode (first electrode) / organic layer (light emitting layer) / electron transport layer / cathode (second electrode)
(3) Anode (first electrode) / hole transport layer / organic layer (light emitting layer) / hole blocking layer / electron transport layer / cathode (second electrode)
(4) Anode (first electrode) / hole transport layer (hole injection layer) / organic layer (light emitting layer) / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer (electron injection layer) / cathode (second electrode)
(5) Anode (first electrode) / anode buffer layer (hole injection layer) / hole transport layer / organic layer (light emitting layer) / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer (electron injection layer) / Cathode (second electrode)
Each layer constituting the organic EL panel will be described later.

図10は図9に示される有機ELパネルの製造方法の模式図である。   FIG. 10 is a schematic diagram of a method for manufacturing the organic EL panel shown in FIG.

図中、4は製造装置を示す。製造装置4は、供給工程401と、固定工程402と、洗浄工程403と、第1反転工程404と、第1電極形成工程405と、正孔輸送層形成工程406と、発光層形成工程407と、電子注入層形成工程408と、第2電極形成工程409と、第2反転工程410と、シール剤塗設工程411と、可撓性封止部材貼合工程412と、脱離工程413と、打ち抜き断裁・回収工程414と、第1搬送ロボット5aと、第2搬送ロボット5bとを有している。   In the figure, 4 indicates a manufacturing apparatus. The manufacturing apparatus 4 includes a supply process 401, a fixing process 402, a cleaning process 403, a first inversion process 404, a first electrode forming process 405, a hole transport layer forming process 406, and a light emitting layer forming process 407. , Electron injection layer forming step 408, second electrode forming step 409, second inversion step 410, sealing agent coating step 411, flexible sealing member bonding step 412, desorption step 413, It has a punching / cutting / collecting step 414, a first transfer robot 5a, and a second transfer robot 5b.

供給工程401では枚葉状の可撓性基板301(図9を参照)の工程への供給が行われる。固定工程402では枚葉状の可撓性基板301を可撓性基板保持具1(図2を参照)に図1(a)に示される状態に固定が行われる。洗浄工程403では、水洗工程403aと、乾燥工程403bと、表面処理工程403cとを有し、可撓性基板保持具1(図2を参照)に固定された枚葉状の可撓性基板301の表面への第1電極相の形成を容易するための洗浄が行われる。第1反転工程404では、枚葉状の可撓性基板301を取り付けた可撓性基板保持具1(図2を参照)を反転し枚葉状の可撓性基板301を下向きにすることが行われる。第1電極形成工程405では、可撓性基板保持具1(図2を参照)に固定された枚葉状の可撓性基板301の上に第1電極の形成が行われる。正孔輸送層形成工程406では、第1電極の上に正孔輸送層の形成が行われる。発光層形成工程407では、正孔輸送層の上に発光層の形成が行われる。電子注入層形成工程408では、発光層上に電子注入層の形成が行われる。第2電極形成工程409では、電子注入層の上に第2電極の形成が行われる。第2反転工程410では、第2電極が形成された枚葉状の可撓性基板を取り付けた可撓性基板保持具を反転し第2電極面側を上向きにすることが行われる。   In the supplying process 401, the sheet-like flexible substrate 301 (see FIG. 9) is supplied to the process. In the fixing step 402, the sheet-like flexible substrate 301 is fixed to the flexible substrate holder 1 (see FIG. 2) in the state shown in FIG. The cleaning step 403 includes a water-washing step 403a, a drying step 403b, and a surface treatment step 403c. The sheet-like flexible substrate 301 is fixed to the flexible substrate holder 1 (see FIG. 2). Cleaning for facilitating formation of the first electrode phase on the surface is performed. In the first inversion step 404, the flexible substrate holder 1 (see FIG. 2) to which the sheet-like flexible substrate 301 is attached is inverted to turn the sheet-like flexible substrate 301 downward. . In the first electrode forming step 405, the first electrode is formed on the sheet-like flexible substrate 301 fixed to the flexible substrate holder 1 (see FIG. 2). In the hole transport layer forming step 406, a hole transport layer is formed on the first electrode. In the light emitting layer forming step 407, a light emitting layer is formed on the hole transport layer. In the electron injection layer forming step 408, an electron injection layer is formed on the light emitting layer. In the second electrode formation step 409, the second electrode is formed on the electron injection layer. In the second reversing step 410, the flexible substrate holder to which the sheet-like flexible substrate on which the second electrode is formed is attached is reversed so that the second electrode surface side faces upward.

シール剤塗設工程411では、第2電極が形成された枚葉状の可撓性基板にシール剤の塗設が行われる。可撓性封止部材貼合工程412では、シール剤が塗設された領域に可撓性封止部材の貼合が行われる。可撓性封止部材としては、枚葉状の可撓性基板301(図9を参照)の大きさに合わせ枚葉状可撓性封止部材が使用される。脱離工程413では、可撓性基板保持具から可撓性封止部材を貼合した有機ELパネルが取り外すされる。打ち抜き断裁・回収工程414では、貼合した可撓性封止部材の不要部分を打ち抜き断裁・除去し、有機ELパネルの回収が行われる。   In the sealing agent coating step 411, the sealing agent is applied to the single-wafer flexible substrate on which the second electrode is formed. In the flexible sealing member bonding step 412, the flexible sealing member is bonded to the region where the sealing agent is applied. As the flexible sealing member, a sheet-like flexible sealing member is used according to the size of the sheet-like flexible substrate 301 (see FIG. 9). In the detaching step 413, the organic EL panel to which the flexible sealing member is bonded is removed from the flexible substrate holder. In the punching / cutting / recovering step 414, unnecessary portions of the bonded flexible sealing member are punched / cut / removed, and the organic EL panel is recovered.

第1搬送ロボット5aは、本体501と、前後に移動(図中の矢印方向)する軸502aと、軸502aの先端に取り付けられた2本の爪を持つ受け具502bとを有するアーム502とを有している。本体501は時計方向(図中の矢印方向)に回動可能に配設されており、各工程間の材料の移動を行うことが可能となっている。第2搬送ロボット5bは第1搬送ロボット5aと同じ構成で、同じ機能を有している。   The first transfer robot 5a includes a main body 501, an arm 502 having a shaft 502a that moves back and forth (in the direction of the arrow in the drawing), and a receiver 502b that has two claws attached to the tip of the shaft 502a. Have. The main body 501 is arranged to be rotatable in the clockwise direction (the arrow direction in the figure), and can move the material between the steps. The second transfer robot 5b has the same configuration and the same function as the first transfer robot 5a.

供給工程401には枚葉状の可撓性基板が取り出し可能に用意されており、一枚毎第1搬送ロボット5aにより取り出され、次工程の固定工程402に搬送される。   In the supply process 401, a sheet-like flexible substrate is prepared so that it can be taken out, and is taken out one by one by the first transport robot 5a and transported to the fixing process 402 of the next process.

固定工程402は可撓性基板保持具1(図2を参照)と、可撓性基板保持具1(図2を参照)への固定装置(不図示)とを有している。供給工程401から第1搬送ロボット5aにより送られてきた枚葉状の可撓性基板は、図7に示すStep1〜Step4に従って可撓性基板保持具1(図2を参照)に取り付けられ固定される。尚、可撓性基板保持具1(図2を参照)への枚葉状の可撓性基板301の固定は手動で行っても構わないし、装着装置(不図示)により行っても構わない。可撓性基板保持具1(図2を参照)への枚葉状の可撓性基板301の固定が終了した後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第1搬送ロボット5aにより取り出され、洗浄工程403の水洗工程403aに搬送される。   The fixing step 402 includes a flexible substrate holder 1 (see FIG. 2) and a fixing device (not shown) to the flexible substrate holder 1 (see FIG. 2). The sheet-like flexible substrate sent from the supply process 401 by the first transfer robot 5a is attached and fixed to the flexible substrate holder 1 (see FIG. 2) according to Step 1 to Step 4 shown in FIG. . The sheet-like flexible substrate 301 may be fixed to the flexible substrate holder 1 (see FIG. 2) manually or by a mounting device (not shown). After the sheet-like flexible substrate 301 is fixed to the flexible substrate holder 1 (see FIG. 2), the sheet-like flexible substrate 301 is taken out by the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing upward. Then, it is conveyed to the water washing step 403a of the washing step 403.

水洗工程403aでは固定工程402から供給された枚葉状の可撓性基板301の表面を水洗する水洗装置403a1を有している。水洗装置403a1としては、シャワーでも良いし、超音波装置を有した水洗槽でも良い。水洗処理が終了した後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第1搬送ロボット5aにより取り出され、乾燥工程403bに搬送される。乾燥工程403bは乾燥風の吹き付け装置403b1を有しており、可撓性基板保持具1(図2を参照)へ固定された状態の枚葉状の可撓性基板301の乾燥が行われる。乾燥が終了した後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第1搬送ロボット5aにより取り出され、表面処理工程403cに搬送される。表面処理工程403cは乾燥工程403bから搬送された枚葉状の可撓性基板301の表面に第1電極が蒸着される前に、蒸着性をよくするために枚葉状の可撓性基板301の表面を清掃するための表面処理装置403c1を有している。   The rinsing process 403 a includes a rinsing apparatus 403 a 1 for rinsing the surface of the sheet-like flexible substrate 301 supplied from the fixing process 402. The washing device 403a1 may be a shower or a washing tank having an ultrasonic device. After the water washing process is completed, the sheet is taken out by the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing upward and transferred to the drying step 403b. The drying step 403b includes a drying air blowing device 403b1, and the sheet-like flexible substrate 301 fixed to the flexible substrate holder 1 (see FIG. 2) is dried. After the drying is finished, the sheet is taken out by the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing up and transferred to the surface treatment step 403c. In the surface treatment process 403c, before the first electrode is deposited on the surface of the sheet-like flexible substrate 301 conveyed from the drying process 403b, the surface of the sheet-like flexible substrate 301 is improved in order to improve the deposition property. Has a surface treatment device 403c1 for cleaning.

表面処理装置403c1としては、低圧水銀ランプ、エキシマランプ、プラズマ洗浄装置等が挙げられる。低圧水銀ランプによる洗浄表面改質処理の条件としては、例えば、波長184.2nmの低圧水銀ランプを、照射強度5〜20mW/cm2で、距離5〜15mmで照射し洗浄表面改質処理を行う条件が挙げられる。プラズマ洗浄装置による洗浄表面改質処理の条件としては、例えば、大気圧プラズマが好適に使用される。洗浄条件としてはアルゴンガスに酸素1〜5体積%含有ガスを用い、周波数100kHz〜150MHz、電圧10V〜10kV、照射距離5〜20mmで洗浄表面改質処理を行う条件が挙げられる。本図に示される洗浄工程403の内、水洗工程403aと、乾燥工程403bとは場合によっては省略する時がある。 Examples of the surface treatment apparatus 403c1 include a low-pressure mercury lamp, an excimer lamp, and a plasma cleaning apparatus. As conditions for the cleaning surface modification treatment using a low-pressure mercury lamp, for example, a cleaning surface modification treatment is performed by irradiating a low-pressure mercury lamp with a wavelength of 184.2 nm at an irradiation intensity of 5 to 20 mW / cm 2 and a distance of 5 to 15 mm. Conditions are mentioned. For example, atmospheric pressure plasma is preferably used as the condition for the cleaning surface modification treatment by the plasma cleaning apparatus. Examples of the cleaning condition include conditions in which a gas containing oxygen of 1 to 5% by volume is used for argon gas, and the cleaning surface modification treatment is performed at a frequency of 100 kHz to 150 MHz, a voltage of 10 V to 10 kV, and an irradiation distance of 5 to 20 mm. Of the washing process 403 shown in this figure, the water washing process 403a and the drying process 403b may be omitted in some cases.

枚葉状の可撓性基板301の清掃が終了した後、枚葉状の可撓性基板301を上側にした状態で第1搬送ロボット5aにより取り出され、第1反転工程404に搬送される。   After the cleaning of the sheet-like flexible substrate 301 is completed, the sheet-like flexible substrate 301 is taken out by the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate 301 facing upward, and is transferred to the first reversing step 404.

第1反転工程404は、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第1搬送ロボット5aより、一旦、反転装置6(図12を参照)に受け取り、反転装置6(図11を参照)に枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具1を脱落しない様に固定する。この後、反転装置6(図12を参照)を180°回転させ、枚葉状の可撓性基板が下向きになる様にする。反転操作が終了した後、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第1搬送ロボット5aにより取り出され、第1電極形成工程405に搬送される。尚、第1搬送ロボット5aによる取り出しは、受け具502bの2本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。   In the first reversing step 404, the reversing device 6 (see FIG. 12) is temporarily received from the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing upward, and the reversing device 6 (see FIG. 11). The flexible substrate holder 1 to which the sheet-like flexible substrate is fixed is fixed so as not to drop off. Thereafter, the reversing device 6 (see FIG. 12) is rotated 180 ° so that the sheet-like flexible substrate faces downward. After the reversal operation is completed, the sheet is taken out by the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing down and transferred to the first electrode forming step 405. The removal by the first transfer robot 5a is performed in a state where the two claws of the receiving member 502b are not in contact with the sheet-like flexible substrate.

第1電極形成工程405は、蒸発源容器405bを有する蒸着装置405aを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板301上に第1電極を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第1搬送ロボット5aより蒸着装置405a内の受け取り装置(図13を参照)に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具1を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。第1電極が形成された後、受け取り装置(図13を参照)を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第1搬送ロボット5aにより取り出され、正孔輸送層形成工程406に搬送される。尚、第1搬送ロボット5aによる取り出しは、受け具502bの2本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。   The first electrode forming step 405 includes a vapor deposition apparatus 405a having an evaporation source container 405b, and forms a first electrode on a sheet-like flexible substrate 301 under a reduced pressure condition. A flexible substrate which is received by the receiving device (see FIG. 13) in the vapor deposition apparatus 405a from the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing down, and the sheet-like flexible substrate is fixed. Fix the holder 1 so that it does not fall off. Then, it moves to a vapor deposition position and vapor deposition is performed. After the first electrode is formed, the receiving device (see FIG. 13) is moved, the fixation is released, and the sheet is taken out by the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing downward. It is conveyed to the hole transport layer forming step 406. The removal by the first transfer robot 5a is performed in a state where the two claws of the receiving member 502b are not in contact with the sheet-like flexible substrate.

正孔輸送層形成工程406は、蒸発源容器406bを有する蒸着装置406aを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板301の上に形成された第1電極の外部電極となる一部を除いて第1電極の領域に正孔輸送層を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第1搬送ロボット5aより蒸着装置406a内の受け取り装置(図13を参照)に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具1を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。正孔輸送層が形成された後、受け取り装置(図13を参照)を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第1搬送ロボット5aにより取り出され、発光層形成工程407に搬送される。尚、第1搬送ロボット5aによる取り出しは、受け具502bの2本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。   The hole transport layer forming step 406 includes a vapor deposition apparatus 406a having an evaporation source container 406b, and is a part of an external electrode of the first electrode formed on the sheet-like flexible substrate 301 under reduced pressure conditions. A hole transport layer is formed in the region of the first electrode except for. A flexible substrate which is received by the receiving device (see FIG. 13) in the vapor deposition apparatus 406a from the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing down, and the sheet-like flexible substrate is fixed. Fix the holder 1 so that it does not fall off. Then, it moves to a vapor deposition position and vapor deposition is performed. After the hole transport layer is formed, the receiving device (see FIG. 13) is moved, the fixation is released, and the single wafer robot 5a is taken out by the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing down, It is conveyed to the light emitting layer forming step 407. The removal by the first transfer robot 5a is performed in a state where the two claws of the receiving member 502b are not in contact with the sheet-like flexible substrate.

発光層形成工程407は、蒸発源容器407bを有する蒸着装置407aを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板301の上に形成された正孔輸送層上に発光層を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第1搬送ロボット5aより蒸着装置407a内の受け取り装置(図13を参照)に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具1を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。発光層が形成された後、受け取り装置(図13を参照)を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第1搬送ロボット5aにより取り出され、電子注入層形成工程408に搬送される。尚、第1搬送ロボット5aによる取り出しは、受け具502bの2本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。   The light emitting layer forming step 407 includes a vapor deposition device 407a having an evaporation source container 407b, and forms a light emitting layer on the hole transport layer formed on the sheet-like flexible substrate 301 under reduced pressure conditions. It has become. A flexible substrate which is received by the receiving device (see FIG. 13) in the vapor deposition apparatus 407a from the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing down, and the sheet-like flexible substrate is fixed. Fix the holder 1 so that it does not fall off. Then, it moves to a vapor deposition position and vapor deposition is performed. After the light emitting layer is formed, the receiving device (see FIG. 13) is moved, the fixation is released, and it is taken out by the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing downward, and the electron injection It is conveyed to the layer forming step 408. The removal by the first transfer robot 5a is performed in a state where the two claws of the receiving member 502b are not in contact with the sheet-like flexible substrate.

電子注入層形成工程408は、蒸発源容器408bを有する蒸着装置408aを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板301の上に形成された発光層上に電子注入層を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第1搬送ロボット5aより蒸着装置(不図示)内の受け取り装置(図13を参照)に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具1を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。電子注入層が形成された後、受け取り装置(図13を参照)を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第1搬送ロボット5aにより取り出され、第2電極形成工程409に搬送される。尚、第1搬送ロボット5aによる取り出しは、受け具502bの2本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。   The electron injection layer forming step 408 includes a vapor deposition device 408a having an evaporation source container 408b, and forms an electron injection layer on the light emitting layer formed on the sheet-like flexible substrate 301 under reduced pressure conditions. It has become. The sheet-like flexible substrate may be received by the receiving device (see FIG. 13) in the vapor deposition apparatus (not shown) from the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing down. The flexible substrate holder 1 is fixed so as not to drop off. Then, it moves to a vapor deposition position and vapor deposition is performed. After the electron injection layer is formed, the receiving device (see FIG. 13) is moved, the fixation is released, and the sheet is taken out by the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing downward. It is conveyed to the two-electrode forming step 409. The removal by the first transfer robot 5a is performed in a state where the two claws of the receiving member 502b are not in contact with the sheet-like flexible substrate.

第2電極形成工程409は、蒸発源容器409bを有する蒸着装置409aを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板301の上に形成された電子注入層上に第1電極と直交する様に第2電極を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第1搬送ロボット5aより蒸着装置409a内の受け取り装置(図13を参照)に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具1を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。第2電極が形成された後、受け取り装置(図13を参照)を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第1搬送ロボット5aにより取り出され、第2反転工程410に搬送される。尚、第1搬送ロボット5aによる取り出しは、受け具502bの2本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。   The second electrode forming step 409 includes a vapor deposition apparatus 409a having an evaporation source container 409b, and is orthogonal to the first electrode on the electron injection layer formed on the single wafer-like flexible substrate 301 under reduced pressure conditions. In this manner, the second electrode is formed. A flexible substrate in which the sheet-like flexible substrate is received by the receiving device (see FIG. 13) in the vapor deposition apparatus 409a from the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing down. Fix the holder 1 so that it does not fall off. Then, it moves to a vapor deposition position and vapor deposition is performed. After the second electrode is formed, the receiving device (see FIG. 13) is moved, the fixation is released, and the sheet is taken out by the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing downward. It is conveyed to the 2 inversion process 410. The removal by the first transfer robot 5a is performed in a state where the two claws of the receiving member 502b are not in contact with the sheet-like flexible substrate.

第2反転工程410は、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第1搬送ロボット5aより、一旦反転装置(図12を参照)に受け取り、反転装置(図12を参照)に枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具1を脱落しない様に固定する。この後、反転装置(図12を参照)を180°回転させ、枚葉状の可撓性基板が上向きになる様にする。反転操作が終了した後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第2搬送ロボット5bにより取り出され、シール剤塗設工程411に搬送される。尚、第2搬送ロボット5bによる取り出しは、受け具502bの2本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。   In the second reversing step 410, the sheet-like flexible substrate is received by the reversing device (see FIG. 12) from the first transfer robot 5a with the sheet-like flexible substrate facing down, and the reversing device (see FIG. 12) receives the sheet. The flexible substrate holder 1 to which the leaf-like flexible substrate is fixed is fixed so as not to drop off. Thereafter, the reversing device (see FIG. 12) is rotated by 180 ° so that the sheet-like flexible substrate faces upward. After the reversal operation is completed, the sheet is taken out by the second transfer robot 5b with the sheet-like flexible substrate facing upward and transferred to the sealant coating step 411. The removal by the second transfer robot 5b is performed in a state where the two claws of the receiving member 502b do not contact the sheet-like flexible substrate.

シール剤塗設工程411は、枚葉状の可撓性基板301上に第1電極〜第2電極を順次積層して形成された少なくとも1つの有機EL素子の発光領域又は発光領域の周辺にシール剤を塗設するシール剤塗装置411aと、枚葉状の可撓性基板301を固定した可撓性基板保持具1(図2を参照)を載置する載置台411bとを有している。枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第2搬送ロボット5bより載置台411bの上に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具1を脱落しない様に固定する。可撓性基板保持具1の固定は、可撓性基板保持具1の枠構成部材に配設された位置決め用の孔と、載置台411bの上に配設された固定用ピン(不図示)とを合わせることにより行われる。   The sealing agent coating step 411 is a sealing agent on the light emitting region of the at least one organic EL element formed by sequentially laminating the first electrode to the second electrode on the sheet-like flexible substrate 301 or around the light emitting region. And a mounting table 411b on which a flexible substrate holder 1 (see FIG. 2) on which a sheet-like flexible substrate 301 is fixed is mounted. The sheet-like flexible substrate is received on the mounting table 411b from the second transfer robot 5b with the sheet-like flexible substrate facing upward, and the flexible substrate holder 1 to which the sheet-like flexible substrate is fixed is fixed so as not to drop off. To do. The flexible substrate holder 1 is fixed by a positioning hole provided in a frame component of the flexible substrate holder 1 and a fixing pin (not shown) provided on the mounting table 411b. It is done by combining.

この後、シール剤塗装置411aによりシール剤が塗設された後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第2搬送ロボット5bにより取り出され、可撓性封止部材貼合工程412に搬送される。尚、第2搬送ロボット5bによる取り出しは、受け具502bの2本の爪の上に可撓性基板保持具1を載せる状態で行われる。   Thereafter, after the sealant is applied by the sealant application device 411a, the sheet is taken out by the second transfer robot 5b with the sheet-like flexible substrate facing upward, and the flexible sealing member bonding step 412 is performed. It is conveyed to. The removal by the second transfer robot 5b is performed in a state where the flexible substrate holder 1 is placed on the two claws of the receiver 502b.

可撓性封止部材貼合工程412は、供給装置(不図示)から供給されてくる枚葉状可撓性封止部材をシール剤が塗設された面に積重する積重装置(不図示)と、積重された枚葉シート状可撓性封止部材を貼合する可撓性封止部材貼合装置412aとを有している。又、シール剤を硬化する硬化処理装置(不図示)を有していることが好ましく、必要に応じ硬化処理部(不図示)は裁断工程の前、又は裁断工程の後に配置することが好ましい。硬化処理部の硬化方式は使用するシール剤の種類(例えば熱硬化型シール剤、紫外線硬化型シール剤等)に合わせ適宜選択することが可能である。枚葉シート状可撓性封止部材が貼合されることで図8に示す層構成を有する有機ELパネルが出来上がる。   The flexible sealing member bonding step 412 is a stacking device (not shown) that stacks the sheet-like flexible sealing member supplied from a supply device (not shown) on the surface on which the sealing agent is applied. ) And a flexible sealing member laminating device 412a for laminating stacked sheet-like flexible sealing members. Moreover, it is preferable to have a curing processing apparatus (not shown) for curing the sealant, and it is preferable to arrange a curing processing unit (not shown) before the cutting process or after the cutting process as necessary. The curing method of the curing treatment unit can be appropriately selected according to the type of sealant used (for example, a thermosetting sealant, an ultraviolet curable sealant, etc.). An organic EL panel having the layer configuration shown in FIG. 8 is completed by laminating the sheet-like flexible sealing member.

枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第2搬送ロボット5bより積重装置(不図示)の上に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具1を脱落しない様に固定する。可撓性基板保持具1の固定は、可撓性基板保持具1の枠構成部材に配設された位置決め用の孔と、積重装置(不図示)の上に配設された固定用ピン(不図示)とを合わせることにより行われる。貼合方法は一般的に知られている各種の方法、例えばウェットラミネート法、ドライラミネート法、ホットメルトラミネート法、押出しラミネート法、熱ラミネート法を利用して作ることが可能である。   The sheet-like flexible substrate is received on the stacking device (not shown) from the second transfer robot 5b with the sheet-like flexible substrate facing upward, and the flexible substrate holder 1 to which the sheet-like flexible substrate is fixed is dropped. Fix it so that it does not. The flexible substrate holder 1 is fixed by a positioning hole provided in a frame constituting member of the flexible substrate holder 1 and a fixing pin provided on a stacking device (not shown). (Not shown). The laminating method can be made by using various generally known methods such as a wet laminating method, a dry laminating method, a hot melt laminating method, an extrusion laminating method, and a thermal laminating method.

この後、可撓性封止部材貼合装置412aにより可撓性封止部材が貼合される。この後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第2搬送ロボット5bにより取り出され、脱離工程413に搬送される。尚、第2搬送ロボット5bによる取り出しは、受け具502bの2本の爪の上に可撓性基板保持具1を載せる状態で行われる。   Then, a flexible sealing member is bonded by the flexible sealing member bonding apparatus 412a. Thereafter, the sheet is taken out by the second transfer robot 5b with the sheet-like flexible substrate facing upward and transferred to the detaching step 413. The removal by the second transfer robot 5b is performed in a state where the flexible substrate holder 1 is placed on the two claws of the receiver 502b.

脱離工程413は可撓性基板保持具に保持されている有機ELパネルを可撓性基板保持具から脱離する工程である。脱離は、可撓性基板保持具1を可撓性基板保持具1の枠構成部材に配設された位置決め用の孔と、載置台(不図示)の上に配設された固定用ピン(不図示)とを合わせることにより固定した後、可撓性基板保持具の梁部を枠体の方向に押圧を掛け撓ませることで容易に行うことが可能となっている。脱離は手動で行っても構わないし、脱離装置(不図示)により行っても構わない。脱離された有機ELパネルは第2搬送ロボット5bにより取り出され、打ち抜き断裁・回収工程414へ搬送される。又、有機ELパネルが脱離された可撓性基板保持具は第2搬送ロボット5bにより取り出され、一旦保管場所に保管される。   The detaching step 413 is a step of detaching the organic EL panel held by the flexible substrate holder from the flexible substrate holder. The detachment is performed by positioning the flexible substrate holder 1 on the frame constituting member of the flexible substrate holder 1 and a fixing pin disposed on a mounting table (not shown). After fixing by combining (not shown), the beam portion of the flexible substrate holder can be easily pressed and bent in the direction of the frame. Desorption may be performed manually or by a desorption device (not shown). The detached organic EL panel is taken out by the second transfer robot 5 b and transferred to the punching / cutting / collecting step 414. The flexible substrate holder from which the organic EL panel is detached is taken out by the second transfer robot 5b and temporarily stored in a storage location.

打ち抜き断裁・回収工程414は、打ち抜き断裁装置414aにより、貼合した枚葉状可撓性封止部材の不要部分を除去し、有機ELパネルを回収する様になっている。   In the punching / cutting / collecting step 414, an unnecessary portion of the bonded sheet-like flexible sealing member is removed by the punching / cutting device 414a, and the organic EL panel is recovered.

可撓性封止部材側を上側にした状態で第2搬送ロボット5bより打ち抜き断裁414a内に受け取り、有機ELパネルを固定(例えば、吸引方式)する。この後、打ち抜き断裁装置414aにより可撓性封止部材の不要部分が打ち抜かれ、有機ELパネルが回収される。尚、第2搬送ロボット5bによる搬送は、可撓性基板側を受け具502bの2本の爪で保持した状態で行われる。   The organic EL panel is fixed (for example, suction method) from the second transfer robot 5b with the flexible sealing member side up, and punched into the cut 414a. Thereafter, unnecessary portions of the flexible sealing member are punched out by the punching and cutting device 414a, and the organic EL panel is recovered. The transport by the second transport robot 5b is performed in a state where the flexible substrate side is held by the two claws of the receiver 502b.

本図に示される蒸着装置としては、特に限定はなく、例えばスパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法などを用いることが出来、必要に応じて選択して使用することが可能である。   The vapor deposition apparatus shown in the figure is not particularly limited, for example, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma polymerization method, A plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, and can be selected and used as necessary.

図11は図10に示される供給工程の概略斜視図である。   FIG. 11 is a schematic perspective view of the supplying step shown in FIG.

図中、401aは枚葉状の可撓性基板301の供給箱を示す。供給箱401aの内側は複数の棚で区切られており、一段毎に可撓性基板301が保管されている。第1搬送ロボット5aのアーム502は前後方向(図中の矢印方向)と、上下方向(図中の矢印方向)に移動が可能となっている。可撓性基板301の取り出しは、第1搬送ロボット5aのアーム502の軸502aの先端に取り付けられた2本の爪を持つ受け具502bを棚の間に差し込んだ後、上方向にアーム502を移動させることで、受け具502bの上に可撓性基板301が載置された状態となる。この後、アーム502を本体501側に移動することで供給箱401aから可撓性基板301の取り出しが終了する。この後、本体501が回動し、アーム502の操作により固定工程402(図10を参照)に可撓性基板301を搬送することが可能となっている。   In the figure, reference numeral 401a denotes a supply box for the sheet-like flexible substrate 301. The inside of the supply box 401a is divided by a plurality of shelves, and the flexible substrate 301 is stored for each stage. The arm 502 of the first transfer robot 5a can move in the front-rear direction (arrow direction in the figure) and in the vertical direction (arrow direction in the figure). The flexible substrate 301 is taken out by inserting a holder 502b having two claws attached to the tip of the shaft 502a of the arm 502 of the first transfer robot 5a between the shelves and then moving the arm 502 upward. By moving, the flexible substrate 301 is placed on the receiving member 502b. Thereafter, the removal of the flexible substrate 301 from the supply box 401a is completed by moving the arm 502 to the main body 501 side. Thereafter, the main body 501 is rotated, and the flexible substrate 301 can be transferred to the fixing step 402 (see FIG. 10) by operating the arm 502.

図12は図10に示される第1反転工程の反転装置の概略斜視図である。   FIG. 12 is a schematic perspective view of the reversing device in the first reversing step shown in FIG.

図中、6は図10に示される第1反転工程404の反転装置を示す。反転装置6は固定部601と駆動部602とを有している。固定部601は移動板601a1と受け板601a2とを有する固定部材601aと、移動板601b1と受け板601b2とを有する固定部材601bとを有している。601a3は移動板601a1を上下方向(図中の矢印方向)に移動させるシリンダーを示す。601b3は移動板601b1を上下方向(図中の矢印方向)に移動させるシリンダーを示す。シリンダー601a3(601b3)は取り付け部材601cで反転装置に配設されており、シリンダー601a3(601b3)を駆動させ移動板601a1(601b1)を下方向(図中の矢印方向)に移動させることで、受け板601a2(601b2)に載置された可撓性基板保持具1を固定する様になっている。602aはモーターを示し、回転軸602bを介して固定部601に繋がっており、固定部601を回転(図中の矢印方向)可能としている。   In the figure, reference numeral 6 denotes a reversing device of the first reversing step 404 shown in FIG. The reversing device 6 has a fixed part 601 and a drive part 602. The fixed portion 601 includes a fixed member 601a having a moving plate 601a1 and a receiving plate 601a2, and a fixing member 601b having a moving plate 601b1 and a receiving plate 601b2. Reference numeral 601a3 denotes a cylinder that moves the moving plate 601a1 in the vertical direction (the arrow direction in the drawing). Reference numeral 601b3 denotes a cylinder for moving the moving plate 601b1 in the vertical direction (the arrow direction in the figure). The cylinder 601a3 (601b3) is disposed in the reversing device by the attachment member 601c, and the cylinder 601a3 (601b3) is driven to move the moving plate 601a1 (601b1) downward (in the direction of the arrow in the figure). The flexible substrate holder 1 placed on the plate 601a2 (601b2) is fixed. Reference numeral 602a denotes a motor, which is connected to a fixed portion 601 via a rotation shaft 602b, and can rotate the fixed portion 601 (in the direction of the arrow in the figure).

601a4は受け板601a2に配設された位置決め用のピンを示す。601b4は受け板601b2に配設された位置決め用のピンを示す。可撓性基板保持具1を受け板601a2、受け板601b2に載置する時、可撓性基板保持具1の枠構成部材に配設された位置決め用の孔101f(図1を参照)と位置決め用のピン601a4とを、位置決め用の孔101e(図1を参照)と位置決め用のピン601a4とを合わせることで位置を決めることが可能となっている。本図に示される反転装置6を使用した操作を次に示す。   Reference numeral 601a4 denotes a positioning pin disposed on the receiving plate 601a2. Reference numeral 601b4 denotes a positioning pin disposed on the receiving plate 601b2. When the flexible substrate holder 1 is placed on the receiving plate 601a2 and the receiving plate 601b2, the positioning hole 101f (see FIG. 1) disposed in the frame component of the flexible substrate holder 1 is positioned. The position of the positioning pin 601a4 can be determined by combining the positioning hole 101e (see FIG. 1) and the positioning pin 601a4. The operation using the reversing device 6 shown in this figure is as follows.

Step1では、第1搬送ロボット5a(図10を参照、本図では本体を省略してある)の受け具502bに載せられた状態で洗浄工程403(図10を参照)から搬送されてくる可撓性基板保持具1に固定された可撓性基板301は受け板601a2と受け板601b2の上に第1搬送ロボット5a(図10を参照)のアーム502の操作で可撓性基板保持具1の枠構成部材に配設された置決め用の孔101f(図1を参照)と位置決め用のピン601a4とを、位置決め用の孔101e(図1を参照)と位置決め用のピン601a4とを合わせ載置される。載置した後、アーム502は後方(図中の矢印方向)に移動し待機する。   In Step 1, the flexible material that is transported from the cleaning step 403 (see FIG. 10) while being placed on the receiver 502 b of the first transport robot 5 a (see FIG. 10, the main body is omitted in this figure). The flexible substrate 301 fixed to the flexible substrate holder 1 is placed on the receiving plate 601a2 and the receiving plate 601b2 by operating the arm 502 of the first transfer robot 5a (see FIG. 10). The positioning hole 101f (see FIG. 1) and the positioning pin 601a4 disposed on the frame component member are combined with the positioning hole 101e (see FIG. 1) and the positioning pin 601a4. Placed. After mounting, the arm 502 moves backward (in the direction of the arrow in the figure) and stands by.

Step2では、シリンダー601a3(601b3)の駆動により移動板601a1(601b1)を下方向(図中の矢印方向)に移動させ、受け板601a2(601b2)に載置された可撓性基板保持具1を挟持し固定する。この状態では可撓性基板301は上向き状態となっている。   In Step 2, the movable plate 601a1 (601b1) is moved downward (in the direction of the arrow in the figure) by driving the cylinder 601a3 (601b3), and the flexible substrate holder 1 placed on the receiving plate 601a2 (601b2) is moved. Hold and fix. In this state, the flexible substrate 301 is in an upward state.

Step3では、モーター602aを駆動させ固定部601を180°回転させ、可撓性基板301を下向きの状態とする。この後、シリンダー601a3(601b3)の駆動により挟持を解除する。この状態では移動板601a1(601b1)の上に可撓性基板301を下向きの状態で可撓性基板保持具1が載置された状態となる。   In Step 3, the motor 602a is driven to rotate the fixing portion 601 by 180 degrees so that the flexible substrate 301 is in a downward state. Thereafter, the clamping is released by driving the cylinder 601a3 (601b3). In this state, the flexible substrate holder 1 is placed on the movable plate 601a1 (601b1) with the flexible substrate 301 facing downward.

Step4では、第1搬送ロボット5a(図10を参照)のアーム502の操作により、受け具502bに可撓性基板301を下向きの状態の可撓性基板保持具1を載せ反転装置から取り出す。この後、第1搬送ロボット5a(図10を参照)により第1電極形成工程405に可撓性基板301を下向きの状態の可撓性基板保持具1を搬送する。尚、図9に示す第2反転工程410も本図と同じ反転装置を有している。   In Step 4, by operating the arm 502 of the first transfer robot 5a (see FIG. 10), the flexible substrate holder 1 with the flexible substrate 301 facing down is placed on the receiving member 502b and taken out from the reversing device. Thereafter, the flexible substrate holder 1 is transported to the first electrode forming step 405 by the first transport robot 5a (see FIG. 10). Note that the second reversing step 410 shown in FIG.

図13は図10に示される第1電極形成工程の蒸着装置の受け取り装置の概略斜視図である。尚、本図は受け取り装置を示すため、蒸着装置の真空装置、加熱容器、蒸着用のマスク等蒸着に使用する他の部材は全て省略してある。   FIG. 13 is a schematic perspective view of the receiving device of the vapor deposition apparatus in the first electrode forming step shown in FIG. In addition, since this figure shows a receiving device, all other members used for vapor deposition, such as a vacuum device of a vapor deposition device, a heating container, and a vapor deposition mask, are omitted.

図中、7は図10に示される第1電極形成工程405の蒸着装置405aに配設された受け取り装置を示す。受け取り装置7は、載置板701aと、位置規制板701bと、駆動装置701cとを有している。   In the figure, reference numeral 7 denotes a receiving device disposed in the vapor deposition device 405a in the first electrode forming step 405 shown in FIG. The receiving device 7 includes a placement plate 701a, a position restriction plate 701b, and a drive device 701c.

載置板701aは、可撓性基板保持具1に固定された可撓性基板301との接触を避けるため、第1載置板701a1と第2載置板701a2とを有している。701a3は第2載置板701a2に配設された位置決め用のピンを示す。第1載置板701a1にも位置決め用のピン701a3に対向する位置に位置決め用のピン701a4(図14を参照)が配設されている。載置板701aへの可撓性基板301を固定した可撓性基板保持具1の載置は、可撓性基板301側を下向きにした状態で可撓性基板保持具1の枠構成部材に配設された置決め用の孔101fと位置決め用のピン701a3とを、位置決め用の孔101eと位置決め用のピン601a4(図14を参照)を合わせ載置される。   The mounting plate 701 a includes a first mounting plate 701 a 1 and a second mounting plate 701 a 2 in order to avoid contact with the flexible substrate 301 fixed to the flexible substrate holder 1. Reference numeral 701a3 denotes a positioning pin disposed on the second mounting plate 701a2. Positioning pins 701a4 (see FIG. 14) are also arranged on the first placement plate 701a1 at positions facing the positioning pins 701a3. The flexible substrate holder 1 with the flexible substrate 301 fixed on the mounting plate 701a is placed on the frame constituent member of the flexible substrate holder 1 with the flexible substrate 301 side facing downward. The positioning hole 101f and the positioning pin 701a3 are placed together with the positioning hole 101e and the positioning pin 601a4 (see FIG. 14).

位置規制板701bは第1載置板701a1に合わせ、蒸着装置405aの内部の上部に固定された第1位置規制板701b1と、第2載置板701a2に合わせ、蒸着装置405aの内部の上部に固定された第2位置規制板701b2とを有しており、位置規制板701bの高さにより蒸着位置が決めることが可能となっている。   The position restricting plate 701b is aligned with the first placement plate 701a1, and is aligned with the first position restricting plate 701b1 fixed to the upper portion inside the vapor deposition apparatus 405a and the second placement plate 701a2, and is disposed at the upper portion inside the vapor deposition apparatus 405a. The second position restriction plate 701b2 is fixed, and the deposition position can be determined by the height of the position restriction plate 701b.

駆動装置701cは第1載置板701a1を上下方向(図中の矢印方向)に移動させるための第1駆動装置701c1と、第2載置板701a2を上下方向(図中の矢印方向)に移動させるための第2駆動装置701c2とを有している。   The driving device 701c moves the first mounting plate 701a1 in the vertical direction (arrow direction in the drawing) and the second driving plate 701a2 in the vertical direction (arrow direction in the drawing). A second driving device 701c2 for causing the second driving device 701c2.

第1反転工程404(図10を参照)から、第1搬送ロボット5a(図10を参照)により搬送されてきた可撓性基板301が下向きの状態の可撓性基板保持具1を載置板701aに載置する。載置した後、駆動装置701cにより位置規制板701bに可撓性基板保持具が当接するまで、載置板701aを上方向に移動する。当接することで、位置規制板701bと載置板701aの間に可撓性基板保持具1が挟持された状態で蒸着位置で固定される。   From the first reversing step 404 (see FIG. 10), the flexible substrate holder 1 with the flexible substrate 301 transported by the first transport robot 5a (see FIG. 10) facing downward is placed. 701a. After mounting, the mounting plate 701a is moved upward by the driving device 701c until the flexible substrate holder comes into contact with the position regulating plate 701b. By contacting, the flexible substrate holder 1 is fixed at the deposition position with the flexible substrate holder 1 being sandwiched between the position regulating plate 701b and the placement plate 701a.

本図に示される受け取り装置7は図10に示される正孔輸送層形成工程406と、発光層形成工程407と、電子注入層形成工程408と、第2電極形成工程409とで使用されている。   The receiving device 7 shown in this figure is used in the hole transport layer forming step 406, the light emitting layer forming step 407, the electron injection layer forming step 408, and the second electrode forming step 409 shown in FIG. .

図14は図13に示す受け取り装置を使用した可撓性基板保持具の固定操作の概略フロー図である。   FIG. 14 is a schematic flowchart of the fixing operation of the flexible substrate holder using the receiving apparatus shown in FIG.

Step1では、可撓性基板保持具を載置する前の受け取り装置7の状態を示し、受け取り板701aは降りた状態となっている。701a4は第1受け取り板701a1に配設された位置決め用のピンを示す。   In Step 1, the state of the receiving device 7 before placing the flexible substrate holder is shown, and the receiving plate 701a is lowered. Reference numeral 701a4 denotes a positioning pin disposed on the first receiving plate 701a1.

Step2では、第1搬送ロボット5a(図10を参照)の受け具502bに載せられた状態で搬送されてくる可撓性基板301が下向きの状態の可撓性基板保持具1が第1搬送ロボット5a(図10を参照)のアーム502の操作で可撓性基板保持具1の枠構成部材に配設された置決め用の孔101fと位置決め用のピン701a3とを、位置決め用の孔101eと位置決め用のピン601a4(図14を参照)を合わせ受け取り板701aの上に載置される。載置した後、第1搬送ロボット5a(図10を参照)のアーム502は待機位置に後退する。載置した後、駆動装置701cを駆動させ、位置規制板701bに可撓性基板保持具1が当接するまで上方(図中の矢印方向)に移動する。   In Step 2, the flexible substrate holder 1 with the flexible substrate 301 transported in a state of being placed on the receiver 502 b of the first transport robot 5 a (see FIG. 10) is the first transport robot. The positioning hole 101f and the positioning pin 701a3 disposed in the frame constituting member of the flexible substrate holder 1 by the operation of the arm 502 of 5a (see FIG. 10), the positioning hole 101e, Positioning pins 601a4 (see FIG. 14) are aligned and placed on the receiving plate 701a. After the placement, the arm 502 of the first transfer robot 5a (see FIG. 10) moves backward to the standby position. After the placement, the driving device 701c is driven to move upward (in the direction of the arrow in the figure) until the flexible substrate holder 1 comes into contact with the position regulating plate 701b.

Step3では、位置規制板701bに可撓性基板保持具1が当接する位置で駆動装置701cの駆動が停止される。当接することで位置規制板701bと受け取り板701aとの間に可撓性基板保持具1が固定された状態となり蒸着が開始される。又、当接する位置が蒸着位置となっており、位置規制板701bの高さにより蒸着位置の調整が可能となっている。   In Step 3, the driving of the driving device 701c is stopped at a position where the flexible substrate holder 1 contacts the position regulating plate 701b. By contacting, the flexible substrate holder 1 is fixed between the position regulating plate 701b and the receiving plate 701a, and vapor deposition is started. Further, the contact position is a vapor deposition position, and the vapor deposition position can be adjusted by the height of the position regulating plate 701b.

蒸着が終了した後、駆動装置701cを駆動させ、受け取り板701aを蒸着装置の下部まで下げ、第1搬送ロボット5a(図10を参照)のアーム502の操作により、受け具502bに可撓性基板301を下向きの状態の可撓性基板保持具1を載せ蒸着装置から取り出す。この後、第1搬送ロボット5a(図10を参照)により発光層形成工程407に可撓性基板301を下向きの状態の可撓性基板保持具1を搬送する。本図に示すフローが図10に示す正孔輸送層形成工程406、発光層形成工程407、電子注入層形成工程408、第2電極形成工程409の各蒸着装置で行われている。他の符号は図13と同義である。   After the vapor deposition is completed, the driving device 701c is driven, the receiving plate 701a is lowered to the lower part of the vapor deposition device, and the arm 502 of the first transfer robot 5a (see FIG. 10) is operated so that the flexible substrate is attached to the receiving tool 502b. The flexible substrate holder 1 with 301 facing downward is placed and taken out from the vapor deposition apparatus. Thereafter, the flexible substrate holder 1 is transported to the light emitting layer forming step 407 by the first transport robot 5a (see FIG. 10). The flow shown in this figure is performed in each of the vapor deposition apparatuses of the hole transport layer forming step 406, the light emitting layer forming step 407, the electron injection layer forming step 408, and the second electrode forming step 409 shown in FIG. Other symbols are the same as those in FIG.

図1〜図5に示す可撓性基板保持具を使用し、図9に示す有機ELパネルを図10〜図14に示す製造装置で製造することで次の効果が挙げられる。
1.枚葉状の可撓性基板の湾曲、撓み又はしわ等の発生がなく安定した保持が可能となり、安定した性能の有機ELパネルの製造が可能となった。
2.枚葉状の可撓性基板の有機ELパネルの製造が可能となるのに伴い、軽量化、薄型化及びコスト低減が可能となった。
3.枚葉状の可撓性基板を可撓性基板保持具に取り付けた状態で各工程間を搬送出来るため、工程の可動率が向上し生産効率の向上が可能となった。
The following effects can be obtained by using the flexible substrate holder shown in FIGS. 1 to 5 and manufacturing the organic EL panel shown in FIG. 9 using the manufacturing apparatus shown in FIGS.
1. The sheet-like flexible substrate can be stably held without the occurrence of bending, bending or wrinkling, and the organic EL panel having stable performance can be manufactured.
2. Along with the production of a sheet-like flexible substrate organic EL panel, it has become possible to reduce weight, thickness and cost.
3. Since the sheet-like flexible substrate can be transferred between the steps with the flexible substrate holder attached to the flexible substrate holder, the movable rate of the steps is improved and the production efficiency can be improved.

以下、本発明に係る有機ELパネルを構成している可撓性基板、ガスバリア層、第1電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、第2電極に付き説明する。   Hereinafter, the flexible substrate, the gas barrier layer, the first electrode, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the second electrode constituting the organic EL panel according to the present invention will be described.

(可撓性基板)
可撓性基板として透明樹脂フィルムを使用する場合、樹脂フィルムの表面にはガスバリア膜が必要に応じて形成されることが好ましい。ガスバリア膜としては無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が挙げられる。ガスバリア膜の特性としては、水蒸気透過度が0.01g/m2/day以下であることが好ましい。更には、酸素透過度10-3ml/m2/day以下、水蒸気透過度10-5g/m2/day以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
(Flexible substrate)
When a transparent resin film is used as the flexible substrate, a gas barrier film is preferably formed on the surface of the resin film as necessary. Examples of the gas barrier film include an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both. As a characteristic of the gas barrier film, it is preferable that the water vapor permeability is 0.01 g / m 2 / day or less. Furthermore, a high barrier film having an oxygen permeability of 10 −3 ml / m 2 / day or less and a water vapor permeability of 10 −5 g / m 2 / day or less is preferable.

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることが出来る。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることが出来るが、特開2004−68143号に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。   As a material for forming the barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times. The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the molecular beam epitaxy method, the cluster ion beam method, the ion plating method, the plasma polymerization method, the atmospheric pressure plasma weighting. A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, and the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

(第1電極)
第1電極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。この様な電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。又、IDIXO(In23・ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、或いはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、又陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。
(First electrode)
As the first electrode, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such an electrode substance include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO. Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 .ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used. For the anode, these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when the pattern accuracy is not required (about 100 μm or more) ), A pattern may be formed through a mask having a desired shape when the electrode material is deposited or sputtered. When light emission is taken out from the anode, it is desirable that the transmittance is greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.

(正孔注入層(陽極バッファ層))
第1電極と発光層又は正孔輸送層の間、正孔注入層(陽極バッファ層)を存在させてもよい。正孔注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123−166頁)に詳細に記載されている。陽極バッファ層(正孔注入層)に使用する材料の一例としては、特開2000−160328号公報に記載されている材料が挙げられる。
(Hole injection layer (anode buffer layer))
A hole injection layer (anode buffer layer) may be present between the first electrode and the light emitting layer or the hole transport layer. The hole injection layer is a layer provided between the electrode and the organic layer in order to lower the driving voltage and improve the luminance of light emission. “The organic EL element and the forefront of industrialization (November 30, 1998, NTS) The details are described in the second volume, Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) of “The Company”. Examples of the material used for the anode buffer layer (hole injection layer) include materials described in JP-A No. 2000-160328.

正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることが出来る。正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性の何れかを有するものであり、有機物、無機物の何れであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、又導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers. The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.

正孔輸送材料としては上記のものを使用することが出来るが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。   The above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound. Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'- Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and also two of those described in US Pat. No. 5,061,569. Having a condensed aromatic ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-3086 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 8 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.

更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。又、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することが出来る。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.

又、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002)、p.139)に記載されているような所謂p型正孔輸送材料を用いることも出来る。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。   JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, it is preferable to use these materials because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.

正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種又は2種以上からなる一層構造であってもよい。又、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平4−297076号、特開2000−196140号、特開2001−102175号、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。この様なp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の有機EL素子を作製することが出来るため好ましい。   Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. This hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials. A hole transport layer having a high p property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like. It is preferable to use such a hole transport layer having a high p property because an organic EL element with lower power consumption can be produced.

(発光層)
本発明において、発光層とは青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を指す。発光層を積層する場合の積層順としては、特に制限はなく、又各発光層間に非発光性の中間層を有していてもよい。本発明においては、少なくとも1つの青発光層が、全発光層中最も陽極に近い位置に設けられていることが好ましい。又、発光層を4層以上設ける場合には、陽極に近い順から、例えば青色発光層/緑色発光層/赤色発光層/青色発光層、青色発光層/緑色発光層/赤色発光層/青色発光層/緑色発光層、青色発光層/緑色発光層/赤色発光層/青色発光層/緑色発光層/赤色発光層のように青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を順に積層することが、輝度安定性を高める上で好ましい。発光層を多層にすることで白色素子の作製が可能である。
(Light emitting layer)
In the present invention, the light emitting layer refers to a blue light emitting layer, a green light emitting layer, and a red light emitting layer. There is no restriction | limiting in particular as a lamination order in the case of laminating | stacking a light emitting layer, You may have a nonluminous intermediate | middle layer between each light emitting layer. In the present invention, it is preferable that at least one blue light emitting layer is provided at a position closest to the anode among all the light emitting layers. Also, when four or more light emitting layers are provided, for example, blue light emitting layer / green light emitting layer / red light emitting layer / blue light emitting layer, blue light emitting layer / green light emitting layer / red light emitting layer / blue light emitting from the order close to the anode. Layered / green light emitting layer, blue light emitting layer / green light emitting layer / red light emitting layer / blue light emitting layer / green light emitting layer / red light emitting layer, etc. It is preferable for improving luminance stability. A white element can be manufactured by forming a light emitting layer in multiple layers.

発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性、発光に必要な電圧等を考慮し、通常2nm〜5μm、好ましくは2〜200nmの範囲で選ばれる。更に10〜20nmの範囲にあるのが好ましい。膜厚を20nm以下にすると電圧面のみならず、駆動電流に対する発光色の安定性が向上する効果があり好ましい。個々の発光層の膜厚は、好ましくは2〜100nmの範囲で選ばれ、2〜20nmの範囲にあるのが更に好ましい。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はないが、3発光層中、青発光層(複数層ある場合はその総和)が最も厚いことが好ましい。   The total thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but is usually selected in the range of 2 nm to 5 μm, preferably 2 to 200 nm in consideration of the uniformity of the film and the voltage required for light emission. Furthermore, it is preferable that it exists in the range of 10-20 nm. A film thickness of 20 nm or less is preferable because it has the effect of improving the stability of the emission color with respect to the driving current as well as the voltage surface. The film thickness of each light emitting layer is preferably selected in the range of 2 to 100 nm, and more preferably in the range of 2 to 20 nm. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness relationship of each light emitting layer of blue, green, and red, It is preferable that the blue light emitting layer (the sum total when there are two or more layers) is the thickest among three light emitting layers.

発光層は発光極大波長が各々430〜480nm、510〜550nm、600〜640nmの範囲にある発光スペクトルの異なる少なくとも3層以上の層を含む。3層以上であれば、特に制限はない。4層より多い場合には、同一の発光スペクトルを有する層が複数層あってもよい。発光極大波長が430〜480nmにある層を青発光層、510〜550nmにある層を緑発光層、600〜640nmの範囲にある層を赤発光層と言う。又、前記の極大波長を維持する範囲において、各発光層には複数の発光性化合物を混合してもよい。例えば、青発光層に、極大波長430〜480nmの青発光性化合物と、同510〜550nmの緑発光性化合物を混合して用いてもよい。   The light emitting layer includes at least three layers having different emission spectra, each having an emission maximum wavelength in the range of 430 to 480 nm, 510 to 550 nm, and 600 to 640 nm. If it is three or more layers, there will be no restriction | limiting in particular. When there are more than four layers, there may be a plurality of layers having the same emission spectrum. A layer having an emission maximum wavelength in the range of 430 to 480 nm is referred to as a blue light emitting layer, a layer in the range of 510 to 550 nm is referred to as a green light emitting layer, and a layer in the range of 600 to 640 nm is referred to as a red light emitting layer. Moreover, in the range which maintains the said maximum wavelength, you may mix a several luminescent compound in each light emitting layer. For example, the blue light emitting layer may be used by mixing a blue light emitting compound having a maximum wavelength of 430 to 480 nm and a green light emitting compound having the same wavelength of 510 to 550 nm.

発光層の材料として使用する有機発光材料は、(a)電荷の注入機能、すなわち、電界印加時に陽極或いは正孔注入層から正孔を注入することが出来、陰極或いは電子注入層から電子を注入することが出来る機能、(b)輸送機能、すなわち、注入された正孔及び電子を電界の力で移動させる機能、及び(c)発光機能、すなわち、電子と正孔の再結合の場を提供し、これらを発光に繋げる機能、の3つの機能を併せもつものであれば特に限定はない。例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤や、スチリルベンゼン系化合物を用いることが出来る。上記の蛍光増白剤の具体例としては、ベンゾオキサゾール系では、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)−1,3,4−チアジアゾール、4,4′−ビス(5,7−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)スチルベン、4,4′−ビス[5,7−ジ−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾオリル]スチルベン、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、2,5−ビス[5−α,α−ジメチルベンジル−2−ベンゾオキサゾリル]チオフェン、2,5−ビス[5,7−ジ−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル]−3,4−ジフェニルチオフェン、2,5−ビス(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、4,4′−ビス(2−ベンゾオキサゾリル)ビフェニル、5−メチル−2−[2−[4−(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾオキサゾール、2−[2−(4−クロロフェニル)ビニル]ナフト[1,2−d]オキサゾール等が挙げられる。ベンゾチアゾール系では、2,2′−(p−フェニレンジビニレン)−ビスベンゾチアゾール等が挙げられ、ベンゾイミダゾール系では、2−[2−[4−(2−ベンゾイミダゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾイミダゾール、2−[2−(4−カルボキシフェニル)ビニル]ベンゾイミダゾール等が挙げられる。更に、他の有用な化合物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ(1971),第628〜637頁及び第640頁に列挙されている。   The organic light emitting material used as the material of the light emitting layer is (a) charge injection function, that is, holes can be injected from the anode or hole injection layer when an electric field is applied, and electrons are injected from the cathode or electron injection layer. (B) a transport function, that is, a function that moves injected holes and electrons by the force of an electric field, and (c) a light emission function, that is, a recombination field of electrons and holes. However, there is no particular limitation as long as it has the three functions of connecting these to light emission. For example, fluorescent whitening agents such as benzothiazole, benzimidazole, and benzoxazole, and styrylbenzene compounds can be used. Specific examples of the above-mentioned optical brightener include 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl) -1,3,4-thiadiazole in the benzoxazole series, 4 , 4'-bis (5,7-t-pentyl-2-benzoxazolyl) stilbene, 4,4'-bis [5,7-di- (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxa Zoolyl] stilbene, 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl) thiophene, 2,5-bis [5-α, α-dimethylbenzyl-2-benzoxazoli Ru] thiophene, 2,5-bis [5,7-di- (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl] -3,4-diphenylthiophene, 2,5-bis (5-methyl) -2-benzoxazolyl) thiophene, 4,4'-bis (2 -Benzoxazolyl) biphenyl, 5-methyl-2- [2- [4- (5-methyl-2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl] benzoxazole, 2- [2- (4-chlorophenyl) vinyl Naphtho [1,2-d] oxazole and the like. Examples of the benzothiazole type include 2,2 '-(p-phenylenedivinylene) -bisbenzothiazole, and examples of the benzimidazole type include 2- [2- [4- (2-benzimidazolyl) phenyl] vinyl] benzimidazole. 2- [2- (4-carboxyphenyl) vinyl] benzimidazole and the like. In addition, other useful compounds are listed in Chemistry of Synthetic Soybean (1971), pages 628-637 and 640.

又、上記のスチリルベンゼン系化合物の具体例としては、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(3−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(4−メチルスチリル)ベンゼン、ジスチリルベンゼン、1,4−ビス(2−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(3−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−メチルベンゼン、1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−エチルベンゼン等が挙げられる。   Specific examples of the styrylbenzene compound include 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl). ) Benzene, distyrylbenzene, 1,4-bis (2-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (2-methylstyryl) -2-methylbenzene, 1,4-bis (2-methylstyryl) -2-ethylbenzene and the like can be mentioned.

更に、上述した蛍光増白剤及びスチリルベンゼン系化合物以外にも、例えば、12−フタロペリノン、1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、1,1,4,4−テトラフェニル−1,3−ブタジエン、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、国際公開公報WO90/13148やAppl.Phys.Lett.,vol 58,18,P1982(1991)に記載されているような高分子化合物、芳香族ジメチリディン系化合物が挙げられる。芳香族ジメチリディン系化合物の具体例としては、1,4−フェニレンジメチリディン、4,4′−フェニレンジメチリディン、2,5−キシリレンジメチリディン、2,6−ナフチレンジメチリディン、1,4−ビフェニレンジメチリディン、1,4−p−テレフェニレンジメチリディン、4,4′−ビス(2,2−ジ−t−ブチルフェニルビニル)ビフェニル、4,4′−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル等、及びこれらの誘導体が挙げられる。又、上記一般式(I)で表される化合物の具体例としては、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(p−フェニルフェノラート)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(1−ナフトラート)アルミニウム(III)等が挙げられる。   Further, in addition to the above-described optical brightener and styrylbenzene compound, for example, 12-phthaloperinone, 1,4-diphenyl-1,3-butadiene, 1,1,4,4-tetraphenyl-1,3- Butadiene, naphthalimide derivatives, perylene derivatives, oxadiazole derivatives, aldazine derivatives, pyrazirine derivatives, cyclopentadiene derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, styrylamine derivatives, coumarin compounds, international publications WO 90/13148 and Appl. Phys. Lett. , Vol 58, 18, P1982 (1991), and aromatic dimethylidin compounds. Specific examples of the aromatic dimethylidin compounds include 1,4-phenylene dimethylidin, 4,4'-phenylene dimethylidin, 2,5-xylylene dimethylidin, 2,6-naphthylene dimethylidin, 1,4-biphenylenedimethylidin, 1,4-p-terephenylenedimethylidin, 4,4'-bis (2,2-di-t-butylphenylvinyl) biphenyl, 4,4'-bis (2 , 2-diphenylvinyl) biphenyl and the like, and derivatives thereof. Specific examples of the compound represented by the general formula (I) include bis (2-methyl-8-quinolinolato) (p-phenylphenolate) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato). ) (1-naphtholate) aluminum (III) and the like.

その他、上述した有機発光材料をホストとし、当該ホストに青色から緑色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系或いは前記ホストと同様の蛍光色素をドープした化合物も、有機発光材料として好適である。有機発光材料として前記の化合物を用いた場合には、青色から緑色の発光(発光色はドーパントの種類によって異なる)を高効率で得ることが出来る。前記化合物の材料であるホストの具体例としては、ジスチリルアリーレン骨格の有機発光材料(特に好ましくは、例えば、4,4′−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル)が挙げられ、前記化合物の材料であるドーパントの具体例としては、ジフェニルアミノビニルアリレーン(特に好ましくは、例えば、N,N−ジフェニルアミノビフェニルベンゼンや4,4′−ビス[2−[4−(N,N−ジ−p−トリル)フェニル]ビニル]ビフェニル)が挙げられる。   In addition, a compound in which the above-described organic light-emitting material is used as a host and the host is doped with a strong fluorescent dye from blue to green, for example, coumarin-based or the same fluorescent dye as the host, is also suitable as the organic light-emitting material. When the above-described compound is used as the organic light-emitting material, blue to green light emission (the emission color varies depending on the type of dopant) can be obtained with high efficiency. Specific examples of the host that is the material of the compound include organic light-emitting materials having a distyrylarylene skeleton (particularly preferably, for example, 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl). Specific examples of the dopant which is a material of diphenylaminovinylarylene (particularly preferably, for example, N, N-diphenylaminobiphenylbenzene and 4,4′-bis [2- [4- (N, N-di- -P-tolyl) phenyl] vinyl] biphenyl).

発光層には、発光層の発光効率を高くするために公知のホスト化合物と公知のリン光性化合物(リン光発光性化合物とも言う)を含有することが好ましい。ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が20%以上であり、且つ室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。ホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することが出来る。又、リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることが出来る。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用も出来る。   The light emitting layer preferably contains a known host compound and a known phosphorescent compound (also referred to as a phosphorescent compound) in order to increase the light emission efficiency of the light emitting layer. The host compound is a compound contained in the light-emitting layer, the mass ratio in the layer is 20% or more, and the phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission is 0.1 at room temperature (25 ° C.). Is defined as less than a compound. The phosphorescence quantum yield is preferably less than 0.01. A plurality of host compounds may be used in combination. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient. In addition, by using a plurality of phosphorescent compounds, it is possible to mix different light emission, thereby obtaining an arbitrary emission color. White light emission is possible by adjusting the kind of phosphorescent compound and the amount of doping, and can also be applied to illumination and backlight.

これらのホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、尚且つ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。公知のホスト化合物としては、例えば、特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等に記載の化合物が挙げられる。   As these host compounds, compounds having a hole transporting ability and an electron transporting ability, preventing emission light from being increased in wavelength, and having a high Tg (glass transition temperature) are preferable. Known host compounds include, for example, JP-A Nos. 2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, and 2002-334786. Gazette, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645 2002-338579, 2002-105445, 2002-343568, 2002-141173, 2002-352957, 2002-203683, 2002-363227 2002-231453, 2003-3165, 2002-234888, 2003-27048, 2002-255934, 2002-260861, 2002-280183, Examples thereof include compounds described in 2002-299060, 2002-302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837 and the like.

複数の発光層を有する場合、これら各層のホスト化合物の50質量%以上が同一の化合物であることが、有機層全体に渡って均質な膜性状を得やすいことから好ましく、更にはホスト化合物のリン光発光エネルギーが2.9eV以上であることが、ドーパントからのエネルギー移動を効率的に抑制し、高輝度を得る上で有利となることからより好ましい。リン光発光エネルギーとは、ホスト化合物を基板上に100nmの蒸着膜のフォトルミネッセンスを測定し、そのリン光発光の0−0バンドのピークエネルギーを言う。   In the case of having a plurality of light emitting layers, it is preferable that 50% by mass or more of the host compound in each layer is the same compound because it is easy to obtain a uniform film property over the entire organic layer. It is more preferable that the light emission energy is 2.9 eV or more because it is advantageous in efficiently suppressing energy transfer from the dopant and obtaining high luminance. Phosphorescence emission energy means the peak energy of the 0-0 band of phosphorescence emission when the photoluminescence of a deposited film of 100 nm is measured on a substrate with a host compound.

ホスト化合物は、有機EL素子の経時での劣化(輝度低下、膜性状の劣化)、光源としての市場ニーズ等を考慮し、リン光発光エネルギーが2.9eV以上且つTgが90℃以上のものであることが好ましい。すなわち、輝度と耐久性の両方を満足するためには、リン光発光エネルギーが2.9eV以上且つTgが90℃以上のものであることが好ましい。Tgは、更に好ましくは100℃以上である。   The host compound has a phosphorescence emission energy of 2.9 eV or more and a Tg of 90 ° C. or more in consideration of deterioration of the organic EL device over time (decrease in luminance and film properties), market needs as a light source, and the like. Preferably there is. That is, in order to satisfy both luminance and durability, it is preferable that phosphorescence emission energy is 2.9 eV or more and Tg is 90 ° C. or more. Tg is more preferably 100 ° C. or higher.

リン光性化合物(リン光発光性化合物)とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物である。先に説明したホスト化合物と合わせ使用することで、より発光効率の高い有機EL素子とすることが出来る。   A phosphorescent compound (phosphorescent compound) is a compound in which light emission from an excited triplet is observed, is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and has a phosphorescence quantum yield of 25. The compound is 0.01 or more at ° C. When used in combination with the host compound described above, an organic EL device with higher luminous efficiency can be obtained.

本発明に係るリン光性化合物は、リン光量子収率は好ましくは0.1以上である。上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定出来る。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定出来るが、本発明に用いられるリン光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記リン光量子収率が達成されればよい。   The phosphorescent compound according to the present invention preferably has a phosphorescence quantum yield of 0.1 or more. The phosphorescent quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 version, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, the phosphorescence quantum yield used in the present invention only needs to achieve the phosphorescence quantum yield in any solvent.

リン光性化合物の発光は原理としては2種挙げられ、1つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう1つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上でキャリアの再結合が起こりリン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、何れの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。   There are two types of light emission of the phosphorescent compound in principle. One is the recombination of the carrier on the host compound to which the carrier is transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the phosphorescent compound. The energy transfer type is to obtain light emission from the phosphorescent compound by moving to the phosphor, and the other is that the phosphorescent compound becomes a carrier trap, and carrier recombination occurs on the phosphorescent compound and the phosphorescent compound emits light. Although it is a carrier trap type in which light emission can be obtained, in any case, it is a condition that the excited state energy of the phosphorescent compound is lower than the excited state energy of the host compound.

リン光性化合物は、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることが出来る。リン光性化合物としては、好ましくは元素の周期表で8族−10族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   The phosphorescent compound can be appropriately selected from known compounds used for the light emitting layer of the organic EL device. The phosphorescent compound is preferably a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound, an osmium compound, or a platinum compound (platinum complex compound), rare earth Of these, iridium compounds are the most preferred.

本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、原理的には中心金属、配位子、配位子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化させることが出来る。   In the present invention, the phosphorescence emission maximum wavelength of the phosphorescent compound is not particularly limited, and can be obtained in principle by selecting a central metal, a ligand, a ligand substituent, and the like. The emission wavelength can be changed.

本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)で測定した結果をCIE色度座標に当て嵌めた時の色で決定される。   The light emission color of the organic EL device of the present invention and the compound according to the present invention is shown in FIG. 4.16 on page 108 of “New Color Science Handbook” (edited by the Japan Color Society, University of Tokyo Press, 1985). It is determined by the color when the result measured with the total CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) is applied to the CIE chromaticity coordinates.

本発明で言うところの白色素子とは、2°視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000cd/m2でのCIE1931 表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.07の領域内にあることを言う。 The white element referred to in the present invention means that when the front luminance at 2 ° viewing angle is measured by the above method, the chromaticity in the CIE1931 color system at 1000 cd / m 2 is X = 0.33 ± 0.07, It is in the region of Y = 0.33 ± 0.07.

(電子注入層)
電子注入層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり広い意味で電子輸送層に含まれる。電子注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されている。電子注入層(陰極バッファ層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファ層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファ層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファ層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファ層等が挙げられる。上記バッファ層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。
(Electron injection layer)
The electron injection layer is made of a material having a function of transporting electrons and is included in the electron transport layer in a broad sense. The electron injection layer is a layer provided between the electrode and the organic layer for lowering the driving voltage and improving the luminance of the light emission. “Organic EL element and its forefront of industrialization (NST 30, November 30, 1998) Issue) ”, Chapter 2, Chapter 2,“ Electrode Materials ”(pages 123-166). Details of the electron injection layer (cathode buffer layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. A metal buffer layer typified by lithium fluoride, an alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, an alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, an oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. . The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm although it depends on the material.

他に発光層側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることが出来、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来る。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。   In addition, as an electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for the electron transport layer adjacent to the light emitting layer side, it is sufficient if it has a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. As a material, any one of conventionally known compounds can be selected and used. For example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodisides. Examples include methane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives and the like. Furthermore, in the above oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and quinoxaline derivatives having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group can also be used as the electron transport material. Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

又、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることが出来る。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることが出来る。又、ジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来るし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、n型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることが出来る。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。電子輸送層は上記材料の1種又は2種以上からなる一層構造であってもよい。   Also, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum. Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material. In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material. Distyrylpyrazine derivatives can also be used as electron transport materials, and inorganic semiconductors such as n-type-Si and n-type-SiC are also used as electron transport materials in the same manner as the hole injection layer and hole transport layer. I can do it. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

又、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平4−297076号公報、特開平10−270172号公報、特開2000−196140号公報、特開2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。この様なn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することが出来るため好ましい。   An electron transport layer having a high n property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like. It is preferable to use such an electron transport layer having a high n property because an element with lower power consumption can be manufactured.

(第2電極)
第2電極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。この様な電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することが出来る。又、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機EL素子の第1電極(陽極)又は第2電極(陰極)の何れか一方が、透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
(Second electrode)
As the second electrode, a material having a work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, from the point of durability against electron injection and oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this, for example, a magnesium / silver mixture, Suitable are a magnesium / aluminum mixture, a magnesium / indium mixture, an aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, a lithium / aluminum mixture, aluminum and the like. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 to 200 nm. In order to transmit the emitted light, if either one of the first electrode (anode) or the second electrode (cathode) of the organic EL element is transparent or translucent, the emission luminance is advantageously improved.

又、第2電極に上記金属を1〜20nmの膜厚で作製した後に、第1電極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の第2電極(陰極)を作製することが出来、これを応用することで第1電極(陽極)と第2電極(陰極)の両方が透過性を有する素子を作製することが出来る。   Moreover, after producing the metal with a thickness of 1 to 20 nm on the second electrode, the conductive transparent material mentioned in the description of the first electrode is produced thereon, so that a transparent or translucent second electrode ( A cathode) can be manufactured, and by applying this, an element in which both the first electrode (anode) and the second electrode (cathode) are transmissive can be manufactured.

(シール剤)
本発明に係わる液状シール剤と熱可塑性樹脂とが挙げられる。液状シール剤としては、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型シール剤、2−シアノアクリル酸エステルなどの湿気硬化型等のシール剤、エポキシ系などの熱及び化学硬化型(二液混合)等のシール剤、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂シール剤等を挙げることが出来る。液状シール剤には必要に応じてフィラーを添加することが好ましい。フィラーの添加量としては、接着力を考慮し、5〜70体積%が好ましい。又、添加するフィラーの大きさは、接着力、貼合圧着後のシール剤厚み等を考慮し、1μm〜100μmが好ましい。添加するフィラーの種類としては特に限定はなく、例えばソーダガラス、無アルカリガラス或いはシリカ、二酸化チタン、酸化アンチモン、チタニア、アルミナ、ジルコニアや酸化タングステン等の金属酸化物等が挙げられる。
(Sealant)
The liquid sealing agent and thermoplastic resin concerning this invention are mentioned. Examples of liquid sealants include photo-curing and thermosetting sealing agents having reactive vinyl groups of acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, moisture-curing sealing agents such as 2-cyanoacrylic acid esters, epoxy-based, etc. And a heat- and chemical-curing type (two-component mixed) sealing agent, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin sealing agent, and the like. It is preferable to add a filler to the liquid sealant as necessary. The addition amount of the filler is preferably 5 to 70% by volume in consideration of adhesive strength. In addition, the size of the filler to be added is preferably 1 μm to 100 μm in consideration of the adhesive strength, the thickness of the sealant after bonding and bonding, and the like. The kind of filler to be added is not particularly limited, and examples thereof include soda glass, non-alkali glass, or silica, titanium dioxide, antimony oxide, titania, alumina, zirconia, tungsten oxide, and other metal oxides.

熱可塑性樹脂としては、JIS K 7210規定のメルトフローレートが5〜20g/10minである熱可塑性樹脂が好ましく、更に好ましくは、6〜15g/10min以下の熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。これは、メルトフローレートが5(g/10min)以下の樹脂を用いると、各電極の引き出し電極の段差により生じる隙間部を完全に埋めることが出来ず、20(g/10min)以上の樹脂を用いると引っ張り強さや耐ストレスクラッキング性、加工性などが低下するためである。これらの熱可塑性樹脂をフィルム状に成形し可撓性封止部材(帯状可撓性封止部材、枚葉シート状可撓性封止部材)に貼合して使用することが好ましい。貼合方法は一般的に知られている各種の方法、例えばウェットラミネート法、ドライラミネート法、ホットメルトラミネート法、押出しラミネート法、熱ラミネート法を利用して作ることが可能である。   As the thermoplastic resin, a thermoplastic resin having a melt flow rate of JIS K 7210 specified in a range of 5 to 20 g / 10 min is preferable, and a thermoplastic resin of 6 to 15 g / 10 min or less is more preferably used. This is because if a resin having a melt flow rate of 5 (g / 10 min) or less is used, the gap caused by the step of the lead electrode of each electrode cannot be completely filled, and a resin of 20 (g / 10 min) or more cannot be filled. This is because if used, the tensile strength, stress cracking resistance, workability and the like are lowered. These thermoplastic resins are preferably formed into a film and bonded to a flexible sealing member (a strip-shaped flexible sealing member or a single-sheet flexible sealing member). The laminating method can be made by using various generally known methods such as a wet laminating method, a dry laminating method, a hot melt laminating method, an extrusion laminating method, and a thermal laminating method.

熱可塑性樹脂は、上記数値を満たすものであれば特に限定されるものではないが、例えば機能性包装材料の新展開(株式会社東レリサーチセンター)に記載の高分子フィルムである低密度ポリエチレン(LDPE)、HDPE、線状低密度ポリエチレン(LLDPE)、中密度ポリエチレン、未延伸ポリプロピレン(CPP)、OPP、ONy、PET、セロファン、ポリビニルアルコール(PVA)、延伸ビニロン(OV)、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVOH)、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、塩化ビニリデン(PVDC)等の使用が可能である。これらの熱可塑性樹脂の中で特にLDPE、LLDPE及びメタロセン触媒を使用して製造したLDPE、LLDPE、又、LDPE、LLDPEとHDPEフィルムの混合使用した熱可塑性樹脂を使用することが好ましい。   The thermoplastic resin is not particularly limited as long as it satisfies the above numerical values. For example, low density polyethylene (LDPE) which is a polymer film described in the new development of functional packaging materials (Toray Research Center, Inc.). ), HDPE, linear low density polyethylene (LLDPE), medium density polyethylene, unstretched polypropylene (CPP), OPP, ONy, PET, cellophane, polyvinyl alcohol (PVA), stretched vinylon (OV), ethylene-vinyl acetate copolymer A combination (EVOH), ethylene-propylene copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-methacrylic acid copolymer, vinylidene chloride (PVDC), or the like can be used. Among these thermoplastic resins, LDPE, LLDPE produced using LDPE, LLDPE and a metallocene catalyst, or a thermoplastic resin using a mixture of LDPE, LLDPE and HDPE films is preferably used.

(可撓性封止部材)
可撓性封止部材としてはポリエチレンテレフタレート、ナイロンなどの可撓性樹脂フィルムからなる支持体へ蒸着法やコーティング法でバリア層を形成した材料又はバリア層として金属箔を用いた材料が挙げられる。バリア層としては例えばIn、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等の金属、MgO、SiO、SiO2、Al23、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe23、Y23、TiO2等の金属酸化物を蒸着した材料が挙げられる。又、金属箔の材料としては、例えばアルミニウム、銅、ニッケルなどの金属材料や、ステンレス、アルミニウム合金などの合金材料を用いることが出来るが、加工性やコストの面でアルミニウムが好ましい。膜厚は、1〜100μm程度、好ましくは10μm〜50μm程度が望ましい。又、製造時の取り扱いを容易にするために、ポリエチレンテレフタレート、ナイロンなどのフィルムを予めラミネートしておいてもよい。可撓性封止部材に樹脂フィルムを使用する場合、液状シール剤と接触する側に熱可塑性接着性樹脂層を有することが好ましい。
(Flexible sealing member)
Examples of the flexible sealing member include a material in which a barrier layer is formed on a support made of a flexible resin film such as polyethylene terephthalate or nylon by a vapor deposition method or a coating method, or a material using a metal foil as the barrier layer. Examples of the barrier layer include metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, and Ni, MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , GeO, NiO, CaO, BaO, and Fe 2 O 3. , Y 2 O 3 , TiO 2, and other metal oxide vapor deposited materials. Moreover, as a material of the metal foil, for example, a metal material such as aluminum, copper, or nickel, or an alloy material such as stainless steel or an aluminum alloy can be used, but aluminum is preferable in terms of workability and cost. The film thickness is about 1 to 100 μm, preferably about 10 to 50 μm. In order to facilitate handling during production, a film such as polyethylene terephthalate or nylon may be laminated in advance. When a resin film is used for the flexible sealing member, it is preferable to have a thermoplastic adhesive resin layer on the side in contact with the liquid sealing agent.

可撓性封止部材の水蒸気透過度は、0.01g/m2・day以下であることが好ましく、且つ酸素透過度は、0.01ml/m2・day・atm以下であることが好ましい。水蒸気透過度はJIS K7129B法(1992年)に準拠した方法で主としてMOCON法により測定した値であり、酸素透過度はJIS K7126B法(1987年)に準拠した方法で主としてMOCON法により測定した値である。可撓性封止部材のヤング率は、可撓性封止部材と第1圧着部材、第2圧着部材との密着性やシール剤の塗れ広がり防止等を考慮し、1×10-3GPa〜80GPaであり、厚みが10μm〜500μmであることが好ましい。 The water vapor permeability of the flexible sealing member is preferably 0.01 g / m 2 · day or less, and the oxygen permeability is preferably 0.01 ml / m 2 · day · atm or less. The water vapor permeability is a value measured mainly by the MOCON method by a method based on JIS K7129B method (1992), and the oxygen permeability is a value measured mainly by the MOCON method by a method based on JIS K7126B method (1987). is there. The Young's modulus of the flexible sealing member is 1 × 10 −3 GPa in consideration of adhesion between the flexible sealing member, the first pressure-bonding member, and the second pressure-bonding member and prevention of spreading of the sealing agent. It is 80 GPa and the thickness is preferably 10 μm to 500 μm.

本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上である。ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。   The external extraction efficiency at room temperature of light emission of the organic EL device of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 5% or more. Here, the external extraction quantum efficiency (%) = the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons sent to the organic EL element × 100.

又、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。   In addition, a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor may be used in combination. In the case of using a color conversion filter, the λmax of light emission of the organic EL element is preferably 480 nm or less.

本発明の有機EL素子は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために以下に示す方法を併用することが好ましい。有機EL素子は、空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光の内15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことが出来ないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。   The organic EL device of the present invention preferably uses the following method in combination in order to efficiently extract light generated in the light emitting layer. The organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than that of air (refractive index is about 1.7 to 2.1), and only about 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer can be extracted. It is generally said that there is no. This is because the light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be taken out of the element, or the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate This is because the light undergoes total reflection between them, the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the side surface of the device.

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(米国特許第4,774,435)。基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(特開昭63−314795号公報)。素子の側面等に反射面を形成する方法(特開平1−220394号公報)。基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特開昭62−172691号公報)。基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(特開2001−202827号公報)。基板、透明電極層や発光層の何れかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。   As a technique for improving the light extraction efficiency, for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate to prevent total reflection at the interface between the transparent substrate and the air (US Pat. No. 4,774,435). A method for improving efficiency by providing a substrate with a light condensing property (JP-A-63-314795). A method of forming a reflective surface on the side surface of an element (Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394). A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between a substrate and a light emitter (Japanese Patent Laid-Open No. 62-172691). A method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827). There is a method of forming a diffraction grating between any one of the substrate, the transparent electrode layer, and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) (Japanese Patent Laid-Open No. 11-283951).

本発明においては、これらの方法を有機EL素子と組合せて用いることが出来るが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、或いは基板、透明電極層や発光層の何れかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることが出来る。本発明においては、これらの手段を組合せることにより、更に高輝度或いは耐久性に優れた素子を得ることが出来る。   In the present invention, these methods can be used in combination with an organic EL element. However, a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate, a transparent electrode layer, A method of forming a diffraction grating between any layers of the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used. In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element having higher luminance or durability.

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。又、更に1.35以下であることが好ましい。低屈折率媒質の厚みは、媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面もしくは何れかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が1次の回折や、2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることが出来る性質を利用して、発光層から発生した光の内、層間での全反射等により外に出ることが出来ない光を、何れかの層間もしくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。   When a low refractive index medium is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness longer than the wavelength of light, the light extracted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower. . Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Further, it is preferably 1.35 or less. The thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate. The method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency. This method is generated from the light emitting layer by utilizing the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction and second-order diffraction. Of the light, the light that cannot go out due to total reflection between layers, etc. is diffracted by introducing a diffraction grating into any layer or medium (inside a transparent substrate or transparent electrode) , Trying to extract light out. The introduced diffraction grating desirably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. The light extraction efficiency does not increase so much. However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.

回折格子を導入する位置としては前述の通り、何れかの層間もしくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。この時、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。   As described above, the position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (in the transparent substrate or the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated. At this time, the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium. The arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated, such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.

更に、本発明の有機EL素子は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために、基板の光取り出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、或いは、所謂集光シートと組合せることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることが出来る。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大き過ぎると厚みが厚くなり好ましくない。   Furthermore, the organic EL device of the present invention is processed so as to provide, for example, a structure on the microlens array on the light extraction side of the substrate in order to efficiently extract light generated in the light emitting layer, or so-called condensing. By combining with the sheet, the luminance in the specific direction can be increased by collecting light in a specific direction, for example, in the front direction with respect to the element light emitting surface. As an example of the microlens array, quadrangular pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably 10 μm to 100 μm. If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate | occur | produce and color, and if too large, thickness will become thick and is not preferable.

集光シートとしては、例えば液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。この様なシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることが出来る。プリズムシートの形状としては、例えば基板に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。又、発光素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることが出来る。   As the condensing sheet, for example, a sheet that is put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used. As the shape of the prism sheet, for example, the substrate may be formed with a triangle stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm, or the vertex angle is rounded, and the pitch is randomly changed. The shape may be other shapes. Moreover, in order to control the light emission angle from a light emitting element, you may use a light-diffusion plate and a film together with a condensing sheet. For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.

以下、実施例を挙げて本発明の具体的な効果を示すが、本発明の態様はこれに限定されるものではない。   Hereinafter, although an example is given and the concrete effect of the present invention is shown, the mode of the present invention is not limited to this.

実施例1
図9に示す製造装置を使用し、図8に示す構成(可撓性基板/陽極(第1電極)/正孔輸送層/発光層/陰極バッファ層(電子注入層)/陰極(第2電極)/封止剤層/封止材の層構成)を有する面発光方式の有機ELパネルを作製した。
Example 1
Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 9, the structure shown in FIG. 8 (flexible substrate / anode (first electrode) / hole transport layer / light emitting layer / cathode buffer layer (electron injection layer) / cathode (second electrode) ) / Sealing agent layer / sealing material layer structure) was produced.

(可撓性基板保持具の準備)
図2に示す枠構成部材を有する矩形状の枠体と、取り付け部材を介して枠体に設けられた梁部とを有している下記に示す寸法を有する図2に示す可撓性基板保持具をPTFEを使用し、射出成形法で作製し準備した。尚、係止ピンは図4に示す形状とした。
(Preparation of flexible substrate holder)
The flexible substrate holding shown in FIG. 2 having the following dimensions, having a rectangular frame having the frame constituting member shown in FIG. 2 and a beam portion provided on the frame via an attachment member The tool was prepared and prepared by injection molding using PTFE. The locking pin has the shape shown in FIG.

可撓性基板保持具の長さは枚葉状の可撓性基板の長さの105%とした。矩形状の枠体の幅は枚葉状の可撓性基板の幅の110%とした。矩形状の枠体の長さは可撓性基板保持具の長さに対して80%とした。取り付け部材の長さは可撓性基板保持具の長さに対して5%とした。取り付け部材の幅は梁部の幅に対して300%とした。梁部の長さは可撓性基板保持具の長さに対して30%とした。梁部の幅は枚葉状の可撓性基板の幅の5%とした。開口部の幅は枠体の幅に対して80%とした。開口部の長さは枠体の長さに対して60%とした。枠体に配設されている2本の係止ピンの中心間の距離は50mmとした。梁部に配設されている2本の係止ピンの中心間の距離は50mmとした。枠体に配設されている2本の係止ピンの中心と、梁部に配設されている2本の係止ピンの中心とを結ぶ線と、枠体に配設されている2本の係止ピンの枠構成部材への取り付け面の外側との交点と、梁部に配設されている2本の係止ピンの梁部102への取り付け面の外側との交点との距離R(図2を参照)は70mmとした。枠体、梁部、取り付け部材の高さは同じとし、4mmとした。係止ピンの上部の直径は4mm、枠体との取り付け部の直径は3mm、取り付け面と側壁とのなす角度θは75°とした。角度は、株式会社ミツトヨ製 投影機 PJ−A3000を使用し測定した値を示す。係止ピンの枠体の取り付け面からの高さは、可撓性基板の厚さに対して1000%とした。給水率は0.02%であった。給水率はASTM A570に準じて測定した24時間の値を示す。   The length of the flexible substrate holder was 105% of the length of the sheet-like flexible substrate. The width of the rectangular frame was 110% of the width of the sheet-like flexible substrate. The length of the rectangular frame was 80% with respect to the length of the flexible substrate holder. The length of the attachment member was 5% with respect to the length of the flexible substrate holder. The width of the attachment member was 300% with respect to the width of the beam portion. The length of the beam portion was 30% with respect to the length of the flexible substrate holder. The width of the beam portion was 5% of the width of the sheet-like flexible substrate. The width of the opening was 80% with respect to the width of the frame. The length of the opening was 60% with respect to the length of the frame. The distance between the centers of the two locking pins arranged on the frame was 50 mm. The distance between the centers of the two locking pins arranged in the beam portion was 50 mm. A line connecting the center of the two locking pins disposed on the frame body and the center of the two locking pins disposed on the beam portion, and two lines disposed on the frame body Distance R between the intersection of the locking pin with the outside of the attachment surface to the frame component and the intersection of the two engagement pins disposed on the beam with the outside of the attachment surface of the beam 102 (See FIG. 2) was 70 mm. The frame body, the beam portion, and the mounting member had the same height and were 4 mm. The diameter of the upper part of the locking pin was 4 mm, the diameter of the attachment portion with the frame was 3 mm, and the angle θ between the attachment surface and the side wall was 75 °. An angle shows the value measured using Mitutoyo Corporation projector PJ-A3000. The height of the locking pin from the attachment surface of the frame was 1000% with respect to the thickness of the flexible substrate. The water supply rate was 0.02%. A water supply rate shows the value for 24 hours measured according to ASTM A570.

(可撓性基板の準備)
厚さ200μm、幅60mm、長さ80mmのポリエーテルサルフォンフィルム(住友ベークライト製、以下、PESと略記する)を準備し、4隅に取り付け孔を配設した。取り付け孔の直径は、係止ピンの上部の直径に対して125%とした。幅方向の取り付け孔の中心間の距離は50mmとした。長さ方向の2つの取り付け孔の中心とを結ぶ線の枠体側の取り付け孔の外側との交点と、梁部側の取り付け孔の外側との交点との距離Y(図6を参照)は71mmとした。
(Preparation of flexible substrate)
A polyethersulfone film (manufactured by Sumitomo Bakelite, hereinafter abbreviated as PES) having a thickness of 200 μm, a width of 60 mm, and a length of 80 mm was prepared, and mounting holes were provided at four corners. The diameter of the mounting hole was 125% with respect to the diameter of the upper part of the locking pin. The distance between the centers of the mounting holes in the width direction was 50 mm. The distance Y (see FIG. 6) between the intersection of the line connecting the centers of the two attachment holes in the length direction with the outside of the attachment hole on the frame body side and the outside of the attachment hole on the beam side is 71 mm. It was.

(可撓性基板保持具への可撓性基板の取り付け)
準備した可撓性基板を供給工程に用意し、第1搬送ロボットにより取り出し、固定工程に搬送し、可撓性基板保持具へ図6に示す方法で手作業により可撓性基板を取り付ける。取り付けが終了した後、第1搬送ロボットにより洗浄工程へ搬送する。枚葉状の可撓性基板に掛かる張力は42N/mであった。張力は、株式会社イマダ製プッシュプルゲージ(デジタルフォースゲージ ZPシリーズ)を使用し、以下に示す方法で測定した値を示す。
(Attaching the flexible substrate to the flexible substrate holder)
The prepared flexible substrate is prepared in the supply process, taken out by the first transport robot, transported to the fixing process, and the flexible substrate is attached to the flexible substrate holder manually by the method shown in FIG. After the attachment is completed, the first transfer robot transports the cleaning process. The tension applied to the sheet-like flexible substrate was 42 N / m. A tension | tensile_strength shows the value measured by the method shown below using the push pull gauge (digital force gauge ZP series) by an Imada corporation.

張力の測定方法
枚葉状の可撓性基板を可撓性基板保持具に固定した状態で、梁部の両端を枠体側に向けてプッシュプルゲージで同時に押し、梁部が撓み始めた時のプッシュプルゲージの値を読み取り、単位幅に換算した値を示す。
Tension measurement method With a single-wafer flexible substrate fixed to the flexible substrate holder, push both ends of the beam part toward the frame at the same time with a push-pull gauge. Reads the value of the pull gauge and indicates the value converted to the unit width.

(可撓性基板の清掃)
可撓性基板保持具へ固定された状態の可撓性基板の第1電極形成面を、大気圧プラズマ洗浄装置により以下に示す条件で行った。可撓性基板の清掃が終了した後、第1搬送ロボットにより第1反転工程へ搬送する。
(Cleaning the flexible substrate)
The 1st electrode formation surface of the flexible substrate of the state fixed to the flexible substrate holder was performed on the conditions shown below with an atmospheric pressure plasma cleaning apparatus. After the cleaning of the flexible substrate is completed, the flexible substrate is transferred to the first reversing step by the first transfer robot.

大気圧プラズマ洗浄条件
アルゴンガスに酸素1〜5体積%含有ガスを用い、周波数100kHz〜150MHz、電圧10V〜10kV、照射距離5〜20mm、時間1分間とした。
Atmospheric pressure plasma cleaning conditions A gas containing 1 to 5% by volume of oxygen was used as argon gas, the frequency was 100 kHz to 150 MHz, the voltage was 10 V to 10 kV, the irradiation distance was 5 to 20 mm, and the time was 1 minute.

(第1反転工程での反転)
第1搬送ロボットにより搬送されてきた可撓性基板保持具(固定された状態の可撓性基板が上側になっている)を図12に示す反転装置により、可撓性基板保持具に固定された状態の可撓性基板を下側になるように180°反転させた後、第1搬送ロボットにより取り出し第1電極形成工程へ搬送する。
(Inversion in the first inversion process)
The flexible substrate holder (the flexible substrate in a fixed state is on the upper side) conveyed by the first transfer robot is fixed to the flexible substrate holder by the reversing device shown in FIG. The bent flexible substrate is turned 180 ° so as to be on the lower side, and then taken out by the first transfer robot and transferred to the first electrode forming step.

(陽極(第1電極)の形成)
可撓性基板保持具に固定された状態の可撓性基板を下側の状態でスパッタリング成膜装置に第1搬送ロボットにより搬送されてきた可撓性基板保持具を図13に示す受け取り装置に受け固定した後、スパッタリング成膜装置に移動し固定する。この後、可撓性基板の上に減圧1Pa、温度80℃で厚さ120nmのITO(インジウムチンオキシド)をスパッタリング法により、幅2mm、長さ50mm、間隔2mm、厚さ150nm、10列のパターン化した陽極(第1電極)をマスク成膜し形成した。陽極(第1電極)を形成した後、第1搬送ロボットにより取り出し正孔輸送層形成工程へ搬送する。
(Formation of anode (first electrode))
The flexible substrate holder that has been transferred to the sputtering film forming apparatus by the first transfer robot with the flexible substrate fixed to the flexible substrate holder in the lower side is shown in FIG. After receiving and fixing, it is moved and fixed to the sputtering film forming apparatus. Thereafter, ITO (indium tin oxide) having a thickness of 1 nm under reduced pressure of 1 Pa and a temperature of 80 ° C. is formed on the flexible substrate by sputtering to have a width of 2 mm, a length of 50 mm, an interval of 2 mm, a thickness of 150 nm, and a pattern of 10 rows. The formed anode (first electrode) was formed by forming a mask. After forming the anode (first electrode), it is taken out by the first transfer robot and transferred to the hole transport layer forming step.

(正孔輸送層の形成)
陽極(第1電極)の形成方法と同じ様に受け取り装置に受け固定した後、蒸着位置に移動し固定し、形成された陽極(第1電極)の取り出し電極部分を除き、陽極(第1電極)の上に、減圧1×10-4Pa、可撓性基板温度60℃で厚さ30nmで、NPDを蒸着法で形成した。正孔輸送層を形成した後、第1搬送ロボットにより取り出し発光層形成工程へ搬送する。
(Formation of hole transport layer)
In the same manner as the formation method of the anode (first electrode), it is received and fixed to the receiving device, then moved to the deposition position and fixed, and the anode (first electrode) is removed except for the extraction electrode portion of the formed anode (first electrode). NPD was formed by vapor deposition at a reduced pressure of 1 × 10 −4 Pa, a flexible substrate temperature of 60 ° C. and a thickness of 30 nm. After forming the hole transport layer, it is taken out by the first transport robot and transported to the light emitting layer forming step.

(発光層の形成)
陽極(第1電極)の形成方法と同じ様に受け取り装置に受け固定した後、蒸着位置に移動し固定し、正孔輸送層の上に、減圧1×10-4Pa、可撓性基板温度60℃で厚さ30nmで、Alq3を蒸着法で形成した。発光層を形成した後、第1搬送ロボットにより取り出し電子注入層形成工程へ搬送する。
(Formation of light emitting layer)
After receiving and fixing to the receiving device in the same manner as the formation method of the anode (first electrode), it is moved to the deposition position and fixed, and the pressure is reduced to 1 × 10 −4 Pa and the flexible substrate temperature on the hole transport layer. Alq 3 was formed by vapor deposition at 60 ° C. and a thickness of 30 nm. After forming the light emitting layer, it is taken out by the first transfer robot and transferred to the electron injection layer forming step.

(電子注入層の形成)
陽極(第1電極)の形成方法と同じ様に受け取り装置に受け固定した後、蒸着位置に移動し固定し、発光層の上に、厚さ0.5nmのLiF層(陰極バッファ層(電子注入層))を5×10-4Paの真空条件で蒸着し、電子注入層を形成した後、第1搬送ロボットにより取り出し第2電極形成工程へ搬送する。
(Formation of electron injection layer)
After receiving and fixing to the receiving device in the same manner as the formation method of the anode (first electrode), it is moved to the deposition position and fixed, and a 0.5 nm thick LiF layer (cathode buffer layer (electron injection) is formed on the light emitting layer. Layer)) is deposited under a vacuum condition of 5 × 10 −4 Pa to form an electron injection layer, which is then taken out by the first transport robot and transported to the second electrode forming step.

(陰極(第2電極)の形成)
陽極(第1電極)の形成方法と同じ様に受け取り装置に受け固定した後、蒸着位置に移動し固定し、電子注入層の上に5×10-4Paの真空条件で、Alを蒸着法により厚さ100nmの陰極(第2電極)を形成した。尚、形成した第2電極は、幅2mm、長さ35mm、間隔2mm、厚さ150nm、7列のパターンとした。陰極(第2電極)を形成した後、第1搬送ロボットにより取り出し第2反転工程へ搬送する。
(Formation of cathode (second electrode))
In the same way as the formation method of the anode (first electrode), it is received and fixed to the receiving device, then moved to the deposition position and fixed, and Al was deposited on the electron injection layer under a vacuum condition of 5 × 10 −4 Pa. Thus, a cathode (second electrode) having a thickness of 100 nm was formed. The formed second electrode had a width of 2 mm, a length of 35 mm, an interval of 2 mm, a thickness of 150 nm, and a 7-row pattern. After forming the cathode (second electrode), it is taken out by the first transfer robot and transferred to the second reversing step.

(第2反転工程での反転)
第1搬送ロボットにより搬送されてきた可撓性基板保持具(固定された状態の可撓性基板が下側になっている)を図11に示す反転装置により、可撓性基板保持具に固定された状態の可撓性基板を上側になるように180°反転させた後、第2搬送ロボットにより取り出しシール剤塗設工程へ搬送する。
(Inversion in the second inversion process)
The flexible substrate holder carried by the first transfer robot (the fixed flexible substrate is on the lower side) is fixed to the flexible substrate holder by the reversing device shown in FIG. The flexible substrate in such a state is inverted 180 ° so as to be on the upper side, and then taken out by the second transfer robot and transferred to the sealant coating step.

(シール剤の塗設)
第2搬送ロボットにより取り出された陰極(第2電極)迄が形成された可撓性基板を取り付けた可撓性基板保持具を、可撓性基板を上側にして載置台に載置する。この後、シール剤塗装置で陽極(第1電極)及び陰極(第2電極)の取り出し電極部分を除き、シール剤として熱硬化型の液状接着剤(エポキシ樹脂系)を使用し、スクリーン印刷法にて厚さ30μmで発光領域に塗布した。シール剤を塗布した後、第2搬送ロボットにより取り出し可撓性封止部材貼合工程へ搬送する。
(Coating with sealant)
A flexible substrate holder to which a flexible substrate on which the cathode (second electrode) taken out by the second transfer robot is formed is mounted on the mounting table with the flexible substrate facing upward. After this, a screen printing method using a thermosetting liquid adhesive (epoxy resin system) as a sealant except for the extraction electrode part of the anode (first electrode) and the cathode (second electrode) with a sealant coating device. Was applied to the light emitting region with a thickness of 30 μm. After apply | coating a sealing compound, it takes out with a 2nd conveyance robot and conveys to a flexible sealing member bonding process.

(可撓性封止部材の貼合)
可撓性封止部材をシール剤までを塗設した可撓性基板の上に積重した後、2搬送ロボットにより可撓性封止部材を積重した可撓性基板を取り付けた可撓性基板保持具を、可撓性基板を上側にして可撓性封止部材貼合装置に載置し、1Paの真空環境下にて押圧力0.1MPaで圧着し、大気圧80℃の環境にて3時間放置し固着させた。可撓性封止部材を固着した後、第2搬送ロボットにより取り出し、有機ELパネルを製造し試料No.101とした。尚、可撓性基板保持具にガラス板を使用し、可撓性基板の固定をテープで行った他は全て同じ条件で有機ELパネルを製造し比較試料No.102とした。
(Lamination of flexible sealing member)
Flexibility in which a flexible sealing member is stacked on a flexible substrate coated with up to a sealing agent, and then a flexible substrate on which a flexible sealing member is stacked is attached by a two-transport robot. The substrate holder is placed on the flexible sealing member laminating apparatus with the flexible substrate facing upward, and is pressure-bonded with a pressing force of 0.1 MPa in a 1 Pa vacuum environment, so that the atmospheric pressure is 80 ° C. For 3 hours to fix. After fixing the flexible sealing member, the organic EL panel is manufactured by taking out the sample with the second transport robot, and the sample No. 101. The organic EL panel was manufactured under the same conditions except that a glass plate was used for the flexible substrate holder and the flexible substrate was fixed with a tape. 102.

評価
作製した試料No.101、102に付き、発光状態、基板保持状態を、以下に示す方法で試験し、以下に示す評価ランクに従って評価した結果を表1に示す。
Evaluation The produced sample No. Table 1 shows the results obtained by testing the light emitting state and the substrate holding state on 101 and 102 by the method shown below and evaluating according to the evaluation rank shown below.

発光状態の試験方法
低電圧電源を用いて、電圧5Vを印加し、発光するか目視観察した。70ドット(発光部)全てにおいて測定を行い、発光するドット(発光部)の割合を集計した。
Test method of light emission state Using a low-voltage power supply, a voltage of 5 V was applied, and the light emission was visually observed. The measurement was performed for all 70 dots (light emitting portions), and the ratio of the light emitting dots (light emitting portions) was tabulated.

発光評価の評価ランク
◎:全てのドットが発光する
○:9割以上、10割未満が発光する
△:5割以上、9割未満が発光する
×:5割未満しか発光していない
基板保持状態の試験方法
可撓性基板保持具に保持された有機ELパネルの保持状態を目視観察した。
Evaluation rank of light emission evaluation ◎: All dots emit light ○: 90% or more and less than 10% emit light △: 50% or more and less than 90% emit light ×: Less than 50% emit light Substrate holding state Test method of The organic EL panel held by the flexible substrate holder was visually observed.

基板保持状態の評価ランク
○:可撓性基板保持治具に有機ELパネルが保持されている
△:可撓性基板保持治具より有機ELパネルの一部分が脱落している
×:製造途中、可撓性基板保持治具より有機ELパネルが脱落した
Evaluation rank of substrate holding state ○: The organic EL panel is held by the flexible substrate holding jig. Δ: A part of the organic EL panel is dropped from the flexible substrate holding jig. The organic EL panel dropped out of the flexible substrate holding jig

Figure 0004867821
Figure 0004867821

本発明の有効性が確認された。   The effectiveness of the present invention was confirmed.

実施例2 (請求項5対応)
図10に示す製造装置を使用し、図9に示す構成(可撓性基板/陽極(第1電極)/正孔輸送層/発光層/陰極バッファ層(電子注入層)/陰極(第2電極)/封止剤層/封止材の層構成)を有する面発光方式の有機ELパネルを作製した。
Example 2 (corresponding to claim 5)
Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 10, the structure shown in FIG. 9 (flexible substrate / anode (first electrode) / hole transport layer / light emitting layer / cathode buffer layer (electron injection layer) / cathode (second electrode) ) / Sealing agent layer / sealing material layer structure) was produced.

(可撓性基板保持具の準備)
図2に示す可撓性基板保持具に配設する図4に示す形状の係止ピンの取り付け面と係止ピンの側壁とのなす角度θ(図4を参照)を表2に示す様に変えた以外は、全て実施例1と同じ形状、寸法の可撓性基板保持具を作製しNo.2−1〜2−6とした。角度は、実施例1と同じ方法で測定した値を示す。
(Preparation of flexible substrate holder)
As shown in Table 2, the angle θ (see FIG. 4) between the mounting surface of the locking pin having the shape shown in FIG. 4 disposed on the flexible substrate holder shown in FIG. Except for the change, a flexible substrate holder having the same shape and dimensions as in Example 1 was prepared. 2-1 to 2-6. The angle indicates a value measured by the same method as in Example 1.

Figure 0004867821
Figure 0004867821

(有機ELパネルの作製)
準備した可撓性基板保持具No.2−1〜2−6を使用した他は全て実施例1と同じ条件で有機ELパネルを作製し試料No.201〜206とした。
(Production of organic EL panel)
The prepared flexible substrate holder No. An organic EL panel was prepared under the same conditions as in Example 1 except that samples 2-1 to 2-6 were used. 201-206.

評価
作製した各試料No.201〜206に付き、発光状態、基板保持状態を実施例1と同じ方法で試験し、実施例1と同じ評価ランクで評価した結果を表3に示す。
Evaluation Each sample No. Table 3 shows the results obtained by testing the light emitting state and the substrate holding state by the same method as in Example 1 and evaluating with the same evaluation rank as in Example 1.

Figure 0004867821
Figure 0004867821

本発明の有効性が確認された。   The effectiveness of the present invention was confirmed.

実施例3 (請求項6対応)
図10に示す製造装置を使用し、図9に示す構成(可撓性基板/陽極(第1電極)/正孔輸送層/発光層/陰極バッファ層(電子注入層)/陰極(第2電極)/封止剤層/封止材の層構成)を有する面発光方式の有機ELパネルを作製した。
Example 3 (corresponding to claim 6)
Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 10, the structure shown in FIG. 9 (flexible substrate / anode (first electrode) / hole transport layer / light emitting layer / cathode buffer layer (electron injection layer) / cathode (second electrode) ) / Sealing agent layer / sealing material layer structure) was produced.

(可撓性基板保持具の準備)
実施例1と同じ形状、寸法の可撓性基板保持具を作製した。
(Preparation of flexible substrate holder)
A flexible substrate holder having the same shape and size as in Example 1 was produced.

(可撓性基板の準備)
厚さ200μm、幅200mm、長さ350mmのポリエーテルサルフォンフィルム(住友ベークライト製、以下、PESと略記する)を準備し、可撓性基板保持具への可撓性基板を取り付けたとき表4に示すように可撓性基板に掛かる張力を変えた可撓性基板を準備した。尚、張力の変化は、長さ方向の2つの取り付け孔の中心とを結ぶ線の枠体側の取り付け孔の外側との交点と、梁部側の取り付け孔の外側との交点との距離Y(図6を参照)の距離を変えることで調整した。張力は、実施例1と同じ方法で測定した値を示す。
(Preparation of flexible substrate)
When a polyethersulfone film (manufactured by Sumitomo Bakelite, hereinafter abbreviated as PES) having a thickness of 200 μm, a width of 200 mm, and a length of 350 mm was prepared and the flexible substrate was attached to the flexible substrate holder Table 4 The flexible board | substrate which changed the tension | tensile_strength applied to a flexible board | substrate as shown in FIG. The change in tension is determined by the distance Y () between the intersection of the line connecting the centers of the two attachment holes in the length direction with the outside of the attachment hole on the frame side and the outside of the attachment hole on the beam side. The distance was adjusted by changing the distance (see FIG. 6). A tension | tensile_strength shows the value measured by the same method as Example 1. FIG.

Figure 0004867821
Figure 0004867821

(有機ELパネルの作製)
準備した可撓性基板保持具No.3−1〜3−5を使用した他は全て実施例1と同じ条件で有機ELパネルを作製し試料No.301〜305とした。
(Production of organic EL panel)
The prepared flexible substrate holder No. An organic EL panel was prepared under the same conditions as in Example 1 except that samples 3-1 to 3-5 were used. 301 to 305.

評価
作製した各試料No.301〜305に付き、発光状態、基板保持状態を実施例1と同じ方法で試験し、実施例1と同じ評価ランクで評価した結果を表5に示す。
Evaluation Each sample No. Table 5 shows the results of the tests 301 to 305, the light emitting state and the substrate holding state being tested by the same method as in Example 1, and evaluated with the same evaluation rank as in Example 1.

Figure 0004867821
Figure 0004867821

本発明の有効性が確認された。   The effectiveness of the present invention was confirmed.

本発明の可撓性基板保持具に枚葉状の可撓性基板を固定した状態を示す概略図である。It is the schematic which shows the state which fixed the sheet-like flexible board | substrate to the flexible board | substrate holder of this invention. 図1に示す可撓性基板保持具の概略図である。It is the schematic of the flexible substrate holder shown in FIG. 図2(a)に示すB−B′に沿った概略断面図である。It is a schematic sectional drawing in alignment with BB 'shown to Fig.2 (a). 図2(a)のSで示される部分の拡大概略図である。It is the expansion schematic of the part shown by S of Fig.2 (a). 図4で示される係止ピンの他の形状の拡大概略図である。FIG. 5 is an enlarged schematic view of another shape of the locking pin shown in FIG. 4. 図1(a)に示される可撓性基板の拡大概略図である。FIG. 2 is an enlarged schematic view of the flexible substrate shown in FIG. 図2に示される可撓性基板保持具へ、図6に示す可撓性基を取り付ける迄を示す概略フロー図である。FIG. 7 is a schematic flow diagram showing the process until the flexible base shown in FIG. 6 is attached to the flexible substrate holder shown in FIG. 2. 図7に示すStep4の可撓性基板が可撓性基板保持具に固定される迄を示す概略フロー図である。It is a schematic flowchart which shows until the flexible substrate of Step4 shown in FIG. 7 is fixed to a flexible substrate holder. 有機ELパネルの一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of an organic electroluminescent panel. 図9に示される有機ELパネルの製造方法の模式図である。It is a schematic diagram of the manufacturing method of the organic electroluminescent panel shown by FIG. 図10に示される供給工程の概略斜視図である。It is a schematic perspective view of the supply process shown by FIG. 図10に示される第1反転工程の反転装置の概略斜視図である。It is a schematic perspective view of the inversion apparatus of the 1st inversion process shown by FIG. 図10に示される第1電極形成工程の蒸着装置の受け取り装置の概略斜視図である。It is a schematic perspective view of the receiver of the vapor deposition apparatus of the 1st electrode formation process shown by FIG. 図13に示す受け取り装置を使用した可撓性基板保持具の固定操作の概略フロー図である。FIG. 14 is a schematic flowchart of a fixing operation of the flexible substrate holder using the receiving device shown in FIG. 13.

符号の説明Explanation of symbols

1 可撓性基板保持具
101 枠体
101a〜101d 枠構成部材
102 梁部
103 取り付け部材
104a 第1係止ピン
104b 第2係止ピン
104a1、104a2、104b1、104b2 係止ピン
105 開口部
2、301 可撓性基板
2a〜2d 取り付け孔
3 有機ELパネル
4 製造装置
401 供給工程
402 固定工程
403 洗浄工程
404 第1反転工程
405 第1電極形成工程
406 正孔輸送層形成工程
407 発光層形成工程
408 電子注入層形成工程
409 第2電極形成工程
410 第2反転工程
411 シール剤塗設工程
412 可撓性封止部材貼合工程
413 脱離工程
414 打ち抜き断裁・回収工程
5a 第1搬送ロボット
5b 第2搬送ロボット
6 反転装置
601 固定部
602 駆動部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Flexible board | substrate holder 101 Frame body 101a-101d Frame structural member 102 Beam part 103 Attachment member 104a 1st locking pin 104b 2nd locking pin 104a1, 104a2, 104b1, 104b2 Locking pin 105 Opening part 2,301 Flexible substrate 2a to 2d Mounting hole 3 Organic EL panel 4 Manufacturing apparatus 401 Supply process 402 Fixing process 403 Cleaning process 404 First inversion process 405 First electrode forming process 406 Hole transport layer forming process 407 Light emitting layer forming process 408 Electron Injection layer forming step 409 Second electrode forming step 410 Second inversion step 411 Sealing agent coating step 412 Flexible sealing member bonding step 413 Desorption step 414 Punch cutting / recovering step 5a First transfer robot 5b Second transfer Robot 6 Reverse device 601 Fixed part 602 Drive part

Claims (7)

矩形状の可撓性基板を平面状態に保持する可撓性基板保持具であって、
前記可撓性基板は前記可撓性基板保持具への取り付け孔を有し、
前記可撓性基板保持具は、矩形枠状の枠体と、前記枠体に取り付け部材を介し片持ち状態で一体に形成された梁構造の梁部とを有し、
前記枠体の前記取り付け部材と対向する辺の2隅に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第1係止ピンと、
前記梁部の両端に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第2係止ピンとを有することを特徴とする可撓性基板保持具。
A flexible substrate holder for holding a rectangular flexible substrate in a planar state,
The flexible substrate has an attachment hole to the flexible substrate holder,
The flexible substrate holder includes a rectangular frame-shaped frame body and a beam portion of a beam structure integrally formed in a cantilever state via an attachment member on the frame body,
First locking pins respectively inserted into the mounting holes at two corners of the side of the frame opposite to the mounting member;
A flexible substrate holder having second locking pins respectively inserted into the mounting holes at both ends of the beam portion.
前記第1係止ピンは、少なくとも1本は固定係止ピンであることを特徴とする請求項1に記載の可撓性基板保持具。 The flexible substrate holder according to claim 1, wherein at least one of the first locking pins is a fixed locking pin. 前記第2係止ピンは、梁部の両端に配設された係止ピンであり、該梁部は両端へ枠体方向に水平に押圧を掛けた時、該枠体方向に撓み、該押圧を解除することで元の形状に戻ることを特徴とする請求項1又は2に記載の可撓性基板保持具。 The second locking pin is a locking pin disposed at both ends of the beam portion. When the beam portion is horizontally pressed toward the both ends in the frame body direction, the beam is bent in the frame body direction and the pressing The flexible substrate holder according to claim 1, wherein the flexible substrate holder is returned to its original shape by releasing. 前記枠体は位置決め用の孔が少なくとも一つ設置されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の可撓性基板保持具。 The flexible substrate holder according to any one of claims 1 to 3, wherein the frame is provided with at least one positioning hole. 前記第1係止ピンは、上部の径が下部の径よりも大きく、取り付け面から上部に向けての側壁は少なくとも傾斜部を有し、該傾斜部と取り付け面とのなす角度が45°〜85°であることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の可撓性基板保持具。 The first locking pin has an upper diameter larger than a lower diameter, a side wall from the attachment surface toward the upper portion has at least an inclined portion, and an angle formed by the inclined portion and the attachment surface is 45 ° to 45 °. It is 85 degrees, The flexible substrate holder of any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. 前記第1係止ピンと第2係止ピンに可撓性基板の取り付け孔を挿通させ、該可撓性基板を可撓性基板保持具に固定する時、該可撓性基板に掛けられる張力は10N/m〜100N/mであることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の可撓性基板保持具。 When the mounting hole of the flexible substrate is inserted through the first locking pin and the second locking pin and the flexible substrate is fixed to the flexible substrate holder, the tension applied to the flexible substrate is It is 10N / m-100N / m, The flexible substrate holder of any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned. 基板洗浄工程、第1電極形成工程、有機化合物層形成工程、第2電極形成工程、封止層形成工程とを有する製造装置で、枚葉状の可撓性基板の上に、少なくとも第1電極と、発光層を含む有機化合物層と、第2電極と、封止層とを順次形成する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
前記基板洗浄工程、前記第1電極形成工程、前記有機化合物層形成工程、前記第2電極形成工程、前記封止層形成工程の少なくとも一つ工程で、請求項1〜6の何れか1項に記載の可撓性基板保持具を使用し、前記可撓性基板を保持し処理することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
A manufacturing apparatus having a substrate cleaning step, a first electrode forming step, an organic compound layer forming step, a second electrode forming step, and a sealing layer forming step, wherein at least a first electrode is formed on a sheet-like flexible substrate In the method of manufacturing an organic electroluminescence panel in which an organic compound layer including a light emitting layer, a second electrode, and a sealing layer are sequentially formed,
7. The method according to claim 1, wherein at least one of the substrate cleaning step, the first electrode forming step, the organic compound layer forming step, the second electrode forming step, and the sealing layer forming step. A method for producing an organic electroluminescence panel, comprising using the flexible substrate holder described above, and holding and processing the flexible substrate.
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