JP4863896B2 - 固体電解コンデンサ素子およびその製造方法 - Google Patents
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また、本発明は、アルミニウム箔の両面をエッチングし、表面に化成皮膜を形成する第1工程と、このアルミニウム箔の表面に、電解質層と陰極層との積層部分を設ける第2工程と、このアルミニウム箔の片面または両面に銅、鉄、亜鉛、ニッケル、またはそれらの合金の接続端子用金属箔を重ねる部分を設け、一方の前記接続端子用金属箔の表面に、台形状の凹凸高さがアルミニウム箔厚の0.5から1.5倍のアンビル面をまた、他方面を、前記接続端子用金属箔の厚さよりも小凹凸の溶接チップで押さえて、超音波溶接により接続させた前記接続端子用金属箔からなる外部陽極端子部分を設ける第3工程を有する固体電解コンデンサ素子の製造方法を提供することである。
特徴とする。
また、接続部分以外のアルミニウム箔と接続端子用金属箔の重なった部分において、アルミニウム箔には表面に化成皮膜があるので、接続端子用金属箔との間のすきま腐食が起きにくく、結果として接続部分の耐食性が向上するという利点がある。
例えば、10Vの定格に対して、20Vの電圧をかけ、できた被膜の厚さは300Å(オングストローム)程度である。
本発明に述べる接続端子用金属箔は、銅、鉄、亜鉛、ニッケル、またはそれらの合金で、それらにニッケル、亜鉛、錫などをメッキしてもかまわない。合金の例としては真鍮、42アロイなど、メッキ例としてはトタン、ブリキなども含まれる。いずれの金属も延性展性等の加工性に富み、かつ、はんだや錫等のめっき性、導電ペーストとの接続性が良好なものが選択できる。
本発明に述べるアンビルは、超音波溶接の際に用いられる溶接片を乗せる台で、その先端面上で溶接片は、溶接される。
本発明に述べる溶接チップは、超音波溶接の際に用いられ、アンビルとは反対面から溶接片を押さえ、超音波振動を溶接片に与えるものである。
図1は、本発明に係る固体電解コンデンサ素子の概略図を示している。図1(a)は上面を、図1(b)は断面を、図1(c)は背面の概略図を示している。
1は、陽極側電極で、膜厚が20μmから200μm程度のアルミニウム箔をエッチングして、拡面化し、化成処理したものである。エッチングは、塩酸などのエッチング水溶液で無電解または電解エッチングを行う。そして、化成処理により陽極酸化して、表面に酸化アルミニウム(Al2O3)の皮膜を形成する。陽極酸化には、例えばアジピン酸や、クエン酸や、リン酸などのアンモニウム塩の水溶液を化成液に用い、コンデンサとして必要な電圧の1.5〜3.0倍程度の電圧をかける。膜厚は90〜1125Å(オングストローム)程度である。
2は、固体電解質で、上記化成皮膜の表面に設けたもので、材質として、二酸化マンガンや導電性高分子を用いることができる。導電性高分子には、チオフェンモノマーを化学酸化重合させて得たポリチオフェンのほか、例えばポリピロール或いはポリアニリンなどを用いることもできる。また、形成方法についても、化学酸化重合に限らず、電解酸化重合によって形成することもできる。
3は、陰極側電極で、固体電解質の表面に形成し、グラファイトの層とその上層に銀ペーストの層を一般的に積層する。
4は、外部陽極端子で、膜厚が5μmから100μm程度の銅箔からなる。外部陽極端子4の場所は、固体電解質2とその表面の陰極側電極3に接しない陽極側電極面であればよく、陽極側電極1の表面または背面の片面または両面に設ける。
5は、アンビルで、その表面にアルミニウム箔厚の0.5倍から1.5倍の好ましくは0.7倍から1.2倍の高さの台形状の凹凸を設ける。凸部間のピッチは、アルミニウム箔厚の0.7倍から8倍、好ましくは2から6倍で設ける。上記の数値にすることにより、超音波発振器から発せられた振動を直接受けていなくとも、アンビル側のアルミニウム箔表面の化成膜を飛散させ直接金属同士の接合ができる。逆に、凹凸が大きすぎると、アルミニウム箔に亀裂等の不具合が発生してしまう場合がある。また、この凹凸はアルミニウム箔を大きく変形させるため、アルミニウム箔が直接アンビルと向き合う場合には容易に食い込んでしまう。
6は、溶接チップで、その表面にアルミニウム箔厚の0.02倍から0.2倍の好ましくは0.04倍から0.1倍の高さのなし地状もしくは波状の凹凸を設ける。溶接チップ6は、超音波発振器から発せられた振動を、トランスデューサー7から受け取って溶接部分に与えている。
溶接チップおよびアンビル表面に凹凸をもうけると溶接の際のアルミ箔と銅箔の超音波振動の伝わりがよく、溶接強度が増すとともに、それと向き合って銅箔表面にも凹凸ができるので、その後、そのコンデンサを外部とはんだや接着剤等で接続する際にその凹凸部のアンカー効果により溶接強度が増す効果もある。
8は、化成皮膜で、陽極側電極1であるアルミニウム箔の表面に設けたものである。接続部分以外のアルミニウム箔と銅箔の重なったすきま部分9において、アルミニウム箔には表面に化成皮膜があるので、銅箔との間のすきま腐食が起きにくく、結果として接続部分の耐食性が向上するという利点がある。
次いで、上記陽極酸化アルミニウム皮膜の上に、固体電解質としての導電性高分子の層を形成し、更にその上に厚さ約10μmグラファイトの層と厚さ約20μm銀ペーストの層とを積層して、エッチドアルミニウム箔を陽極側電極とし、酸化アルミニウム皮膜を誘電体とし、導電性高分子層とグラファイト層と銀ペースと層とを陰極側電極とする固体電解コンデンサ素子を得る。本実施例においては、導電性高分子にチオフェンモノマーを化学酸化重合させて得たポリチオフェンを使用する。本実施例においては、導電性高分子層の形成に先立って、容量発現領域の隣りの部分(この例の場合は、ポリチオフェン層などが形成されている部分の左側)に、後に外部陽極端子を取り付けるだけの分を設けておいた。
その後、アルミニウム箔の上記外部陽極端子取付けのために空けておいた部分の両面に、外部陽極端子を取り付ける。外部陽極端子は、本実施例においては、厚さ18μmの銅箔を用いた。
超音波溶接の際に溶接機のアンビルの表面に高さ約70μmの台形状の凹凸で凸部間のピッチは、約250μmのものを設ける。また、他方面の溶接チップホーンに平均厚さ約5μmのなし地状凹凸を設ける。バワーは5.0J(ジュール)、時間0.05s、押し圧0.1MPa(メガパスカル)とした。
Claims (1)
- アルミニウム箔の両面をエッチングし、表面に化成皮膜を形成する第1工程と、このアルミニウム箔の表面に、電解質層と陰極層との積層部分を設ける第2工程と、このアルミニウム箔の片面または両面に銅、鉄、亜鉛、ニッケル、またはそれらの合金の接続端子用金属箔を重ねる部分を設け、一方の前記接続端子用金属箔の表面に、台形状の凹凸高さがアルミニウム箔厚の0.5から1.5倍のアンビル面をまた、他方面を、前記接続端子用金属箔の厚さよりも小凹凸の溶接チップで押さえて、超音波溶接により接続させた前記接続端子用金属箔からなる外部陽極端子部分を設ける第3工程を有する固体電解コンデンサ素子の製造方法。
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