JP4845897B2 - サンプルステージ - Google Patents

Description

本発明は、サンプルステージに関する。

半導体デバイスの製造工程中および製造完了後の各種試験によって、不良と判定された製品の不良解析を行い、製造歩留り、品質の向上が図られている（例えば、特許文献１参照。）。
特許文献１に開示された半導体ウェーハの試験解析装置は、ウェーハチャックに半導体ウェーハを取り付け、金属針を設けたＸＹＺ軸に可動なプローブカードにより、半導体ウェーハの表面の各電極パッドにテスト用パルス信号を供給すると共に、半導体ウェーハで発生した電流を電極パッドから検出し、光の照射、この照射した光の反射光の検出、さらには半導体ウェーハで発生した光の検出等の光学的解析は光学顕微鏡鏡体により半導体ウェーハの裏面側から行うようにし、半導体ウェーハを実際の動作状態にしてＯＢＩＣ解析および発光解析等の不良箇所の解析を行なっている。

然しながら、ウェーハレベルでの解析装置であり、ウェーハチャックには、パッケージに収納された半導体装置の故障解析のために、パッケージから取り出された半導体チップを取り付けることができない問題がある。

これに対して、半導体チップをウェーハ状の透明基板に貼り付けて検査する検査装置が知られている（例えば、特許文献２参照。）。
特許文献２に開示された検査装置は、透明基板の表面に配列された複数の撮像素子の電気的特性検査を行う検査装置であって、透明基板を保持する保持体と、この保持体を反転させて透明基板の裏面を上向きにする反転機構と、この反転機構を介して反転した透明基板の裏面へ光を照射する光源と、この光源から光が照射されている状態で撮像素子の電気的特性を検査する検査手段とを備えている。

然しながら、特許文献２に開示された検査装置は、半導体チップの裏面から発光解析を行う場合、透明基板があるため光学部品を半導体チップの裏面に近接または密着させて発光解析を行うことができないので、高い分解能での光学画像の観察ができないという問題がある。

更に、透明基板がガラスの場合、ガラスは熱伝導率が低いので、半導体チップの熱放散が十分行えず、通電試験に支障をきたす恐れがある。
特開平７−１４８９８号公報 特開２００３−２０９８６２号公報

本発明は、半導体チップの裏面から発光解析が可能なサンプルステージを提供することを目的とする。

本発明の一態様のサンプルステージは、半導体チップを、前記半導体チップの第１の面に形成された電極パッドにプロービングして内部回路に通電可能にするとともに、前記第１の面と対向する第２の面に光学部品を近接または密着させて前記内部回路からの光を検出可能に載置するサンプルステージであって、サイズが前記半導体チップより小さく、且つ前記内部回路からの光を検出する領域より大きい開口と、前記開口の周りに前記半導体チップとのオーバラップ部を有し、前記オーバラップ部に前記半導体チップの前記電極パッドを形成可能とすることを特徴としている。

本発明によれば、半導体チップの裏面から発光解析が可能なサンプルステージが得られる。

以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。

本発明の実施例１に係るサンプルステージについて図１乃至図５を用いて説明する。図１はサンプルステージを示す図で、図１（ａ）その平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿切断し、矢印方向に眺めた断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿切断し、矢印方向に眺めた断面図、図２はサンプルステージの要部を示す斜視図、図３はサンプルステージの組み立て方を示す図、図４はサンプルステージに半導体チップを載置した状態を比較例と対比して示す図で図４（ａ）が本実施例を示す図、図４（ｂ）が比較例を示す図、図５は開口サイズを可変したサンプルステージを示す図である。

図１に示すように、本実施例のサンプルステージ１０は、第１の側面と、第１の側面に隣接して直交する第２の側面とを有する長方形状（多辺形状）の第１乃至第４プレート１１、１２、１３、１４を具備している。

第１乃至第４プレート１１、１２、１３、１４の第１の側面に、別のプレートの第２の側面を交互に当接することにより、矩形状の開口１５を形成し、第１の側面と第２の側面とが当接する位置をスライドさせることにより、開口１５のサイズを可変することができる。

具体的には、第１プレート１１は、第１の側面１１ａと、第１の側面１１ａに隣接して直交する第２の側面１１ｂとを有している。第２プレート１２は、第１の側面１２ａと、第１の側面１２ａに隣接して直交する第２の側面１２ｂとを有している。
第３プレート１３は、第１の側面１３ａと、第１の側面１３ａに隣接して直交する第２の側面１３ｂとを有している。第４プレート１４は、第１の側面１４ａと、第１の側面１４ａに隣接して直交する第２の側面１４ｂとを有している。

第１のプレート１１の第１の側面１１ａと第２プレート１２の第２の側面１２ｂとが当接している。第２のプレート１２の第１の側面１２ａと第３プレート１３の第２の側面１３ｂとが当接している。
第３のプレート１３の第１の側面１３ａと第４プレート１４の第２の側面１４ｂとが当接している。第４のプレート１４の第１の側面１４ａと第１プレート１１の第２の側面１１ｂとが当接している。

図２に示すように、第１プレート１１には、第１の側面１１ａに第２の側面１１ｂと反対側の端部１８が開放されたガイド溝１６が形成され、第２の側面１１ｂにガイド溝１６に嵌合する凸部１７が形成されている。
ガイド溝１６および凸部１７は、例えばその断面がともに矩形状である。同様に、第２乃至第４プレート１２、１３、１４にも、同じガイド溝１６および凸部１７が形成されている。

第１乃至第４プレート１１、１２、１３、１４は、熱伝導率の良い金属で、例えば研削加工により、厚さ３ｍｍ程度の銅板に幅１ｍｍ程度のガイド溝１６および幅０．９ｍｍ程度の凸部１７を形成した後、例えば厚さ１０μｍ程度のニッケル・クロム（ＮｉＣｒ）を電解メッキすることにより形成される。

図３に示すように、第１プレート１１のガイド溝１６に、第２プレート１２の凸部１７を対向させ、押し込んで嵌合させることにより、第１のプレート１１の第１の側面１１ａと第２プレート１２の第２の側面１２ｂとが当接する。
第２プレート１２のガイド溝１６に、第３プレート１３の凸部１７を対向させ、押し込んで嵌合させることにより、第２プレート１２の第１の側面１２ａと第３プレート１３の第１の側面１３ｂとが当接する。

第３プレート１３のガイド溝１６に、第４プレート１４の凸部１７を対向させ、押し込んで嵌合させることにより、第３プレート１３の第１の側面１３ａと第４プレート１４の第２の側面１４ｂとが当接する。
第４プレート１４のガイド溝１６に、第１プレート１１の凸部１７を対向させ、押し込んで嵌合させることにより、第４プレート１４の第１の側面１４ａと第１プレート１１の第２の側面１１ｂとが当接する。

なお、第１乃至第４プレート１１、１２、１３、１４を当接させるに当たって、所定の開口１５が得られるように、凸部１７をガイド溝１６に沿って相対的に適宜スライドさせながら行う。

図４はサンプルステージ１０に半導体チップを載置した状態を、比較例と対比して示す図で、図４（ａ）が本実施例を示す図、図４（ｂ）が比較例を示す図である。
ここで比較例とは、サンプルステージが開口１５を有せず、開口１５に対応する位置に赤外光に対して透明な基板、例えばガラス板を有する場合を意味している。始めに、比較例について説明する。

比較例のサンプルステージ３０は、中央部に半導体チップ３１よりサイズの大きいガラス板３２を具備している。
半導体チップ３１はサンプルステージ３０のガラス板３２上に載置され、半導体チップ３１とサンプルステージ３０の間にはアンダーフィル（図示せず）が充填され、アンダーフィルを介して半導体チップ３１がガラス板３２に密着している。
サンプルステージ３０は、サンプルステージチャック（図示せず）により下向きに固定されている。

これにより、半導体チップ３１は、半導体チップ３１の電極面（第１の面）３１ａ側から、電極面３１ａに形成された電極パッド（図示せず）にプロービングして内部回路（図示せず）に通電可能に載置されるとともに、半導体チップ３１の裏面（第２の面）３１ｂ側から、通電による半導体チップ３１の内部からの発光を、ガラス板３２を通して検出可能に配置されている。

電極パッドへのプロービングは、プローブカード３３に取り付けられたプローブ３４により行い、通電による半導体チップ３１の内部からの発光はガラス板３２を通して対物レンズ３５により観察される。

ガラス板３２は、金属に比べて熱伝導率が低いので、通電による半導体チップ３１の発熱が大きい場合、熱を放散するのが難しくなる。
放熱３６が不十分の場合は、発熱を抑える動作条件を選ばざるを得ないので、ａｔ ｓｐｅｅｄで故障を再現させることができず、故障解析が難しくなる。

ガラス板３２は、プロービングの荷重に耐えられるだけの厚みが必要であり、半導体チップ３１の裏面３１ｂと対物レンズ３５との距離であるワーキングディスタンスＷＤが制限される。
そのため、開口数（ＮＡ）の大きな対物レンズ３５を使用することが難しくなり、分解能および集光効率が不足して、検出画像の画質が低下し、故障解析の感度、精度が低下する。

一方、本実施例のサンプルステージ１０は、熱伝導率の良い銅製であり、中央部にサイズが半導体チップ３１より小さく、且つ内部回路からの発光を検出する領域（図示せず）より大きい開口１５を有している。

半導体チップ３１はサンプルステージ１０の開口１５を跨ぐように、オーバラップして載置され、半導体チップ３１の周りにはカーボンワックス（図示せず）が塗布され、カーボンワックスを介して半導体チップ３１がサンプルステージ１０に密着している。

これにより、半導体チップ３１は、半導体チップ３１の電極面（第１の面）３１ａ側から、電極面３１ａに形成された電極パッド（図示せず）にプロービングして内部回路（図示せず）に通電可能に載置されるとともに、半導体チップ３１の裏面（第２の面）３１ｂ側から、通電による半導体チップ３１の内部からの発光を、半導体チップ３１の裏面３１ｂに光学部品３７を近接または密着させて検出可能に載置されている。

サンプルステージ１０は、ガラス板３２に比べて熱伝導率が高いので、半導体チップ３１とのオーバラップ部３８を通して、通電による半導体チップ３１の熱を放散するのが容易である。放熱３９が十分行われるので、故障の再現性に支障は無く、十分な故障解析を行なうことができる。

サンプルステージ１０は、開口１５を通して半導体チップ３１の裏面３１ｂに光学部品３７、例えばＳＩＬ（Solid Immersion Lens）と呼ばれるシリコン製のドームレンズを高屈折率のオイルを介して密着させることができる。
光学部品３７により、半導体チップ３１の裏面３１ｂでの全反射を抑え、光の取出し効率が向上するので、十分な集光効率と高い分解能を得ることができる。

半導体チップ３１の電極面３１ａの電極パッドを、オーバラップ部３８に形成できるので、プロービングによる荷重を問題なく支えることができる。

図５は第１乃至第４プレート１１、１２、１３、１４を相互にスライドさせて開口のサイズを可変する場合を示す図である。
図５に示すように、例えば第１プレート１１を矢印５１のように−Ｙ方向にδ１だけスライドさせ、第２プレート１２を矢印５２のように−Ｘ方向にδ２だけスライドさせる。第３プレート１３を矢印５３のように＋Ｙ方向にδ３だけスライドさせ、第４プレート１４を矢印５４のように＋Ｘ方向にδ４だけスライドさせる。

これにより、サンプルステージ１０の開口１５よりサイズの小さい矩形状の開口５５を有するサンプルステージ５０が得られる。

ここでは、スライド量δ１〜δ４は、第１乃至第４プレート１１、１２、１３、１４が互いに当接する範囲内であれば任意であり、互いに等しくても、異なっていても構わない。スライド量δ１〜δ４が互いに等しい場合に、開口１０と相似の開口５５が得られる。またスライドする方向を反対にすることにより、サンプルステージ１０の開口１５よりサイズの大きい開口が得られる。

以上説明したように、本実施例のサンプルステージ１０は、第１乃至第４プレート１１、１２、１３、１４を有し、第１の側面に第２の側面を交互に当接することにより、中央部にサイズが半導体チップ３１より小さく、且つ内部回路からの発光を検出する領域より大きい開口１５を具備している。

その結果、半導体チップ３１を、半導体チップ３１の電極面３１ａに形成された電極パッドにプロービングして内部回路に通電可能に載置するとともに、電極面３１ａと対向する裏面３１ｂに光学部品３７を近接または密着させて内部回路からの光を検出可能に載置することができる。
従って、半導体チップ３１の裏面３１ｂから発光解析が可能なサンプルステージ１０が得られる。
また、第１の側面と第２の側面とが当接する位置をスライドさせることにより、開口１５のサイズを可変することができる。

ここでは、第１乃至第４プレート１１、１２、１３、１４が長方形状である場合について説明したが、別の多辺形状であっても構わない。
図６は別の多辺形状のプレートを有するサンプルステージを示す平面図で、図７は要部を示す斜視図である。

図６に示すように、サンプルステージ６０は第１の側面と、第１の側面に隣接して直交する第２の側面とを有する直角三角形状の第１乃至第４プレート６１、６２、６３、６４を具備している。
図７に示すように、第１プレート６１は第１の側面６１ａと、第１の側面６１ａに隣接して直交する第２の側面６１ｂとを有し、第１の側面６１ａに端部６８が開放されたガイド溝６６が形成され、第２の側面６１ｂにガイド溝６６と嵌合する凸部６７が形成されている。第２乃至第４プレート６２、６３、６４についても同様であり、その説明は省略する。

これにより、開口１５と同じサイズの開口６５を有し、サンプルステージ１０よりサイズの小さいサンプルステージ６０が得られる利点がある。

また、ガイド溝１６および凸部１７の形状が、矩形状である場合について説明したが、互いに嵌合する形状であればよく、特に限定されない。
例えば、図８に示すように、第１プレート１１は、第１の側面１１ａから内側に向かって末広がり状のガイド溝１６ａと、第２の側面１１ｂから外側に向かって末広がり状の凸部１７ａとを有していても構わない。

ガイド溝１６ａと凸部１７ａを嵌合させると、互いに噛み合って抜け難くなり、サンプルステージ１０が一体化される利点がある。

本発明の実施例２に係るサンプルステージについて、図９および図１０を用いて説明する。図９は本実施例のサンプルステージを示す図で、図９（ａ）はその平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図９（ｃ）は図９（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図１０はサンプルステージの要部を示す斜視図である。

本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
本実施例が実施例１と異なる点は、サンプルステージの開口のサイズを一方向にのみ可変できるようにしたことにある。

即ち、図９に示すように、本実施例のサンプルステージ７０は、第１の側面７１ａと、第１の側面７１ａに平行、且つ対向しない第２の側面７１ｂとを有するＬ字状の第１プレート７１と、第１の側面７２ａと、第１の側面７２ａに平行、且つ対向しない第２の側面７２ｂとを有するＬ字状の第２プレート７２とを具備している。

第１プレート７１の第１の側面７１ａに第２プレート７２の第２の側面７２ｂを当接し、第２プレート７２の第１の側面７２ａに第１プレート７１の第２の側面７１ｂを当接することにより、矩形状の開口７３が形成される。
第１の側面７１ａと第２の側面７２ｂとが当接する位置、および第１の側面７２ａと第２の側面７１ｂが当接する位置をスライドさせることにより、開口７３のサイズをスライド方向（第１の側面に対して平行な方向）に可変することができる。

図１０に示すように、第１プレート７１には、第１の側面７１ａに第２の側面７１ｂと反対側の端部７６が開放されたガイド溝７４が形成され、第２の側面７１ｂにガイド溝７４に嵌合する凸部７５が形成されている。
ガイド溝７４および凸部７５は、例えばその断面がともに矩形状である。同様に、第２プレート７２にも、同じガイド溝７４および凸部７５が形成されている。

図１１は第１および第２プレート７１、７２を相互にスライドさせて開口のサイズを可変する場合を示す図である。
図１１に示すように、例えば第１プレート７１を矢印８１のように＋Ｘ方向にδ５だけスライドさせ、第２プレート７２を矢印８２のように−Ｘ方向にδ６だけスライドさせる。これにより、サンプルステージ７０の開口７３よりスライド方向のサイズの小さい矩形状の開口８３を有するサンプルステージ８０が得られる。

スライド量δ５、δ６は、第１および第２プレート７１、７２が互いに当接する範囲内であれば任意であり、互いに等しくても、異なっていても構わない。
また、スライドする方向を反対にすることにより、サンプルステージ７０の開口７３よりスライド方向のサイズの大きい開口が得られる。

以上説明したように、本実施例のサンプルステージ７０は、スライド方向（第１の側面に対して平行な方向）のサイズが可変できる開口７３を有している。

その結果、例えばメモリチップのような対向する２辺側にのみボンディングパットを有する半導体チップを、半導体チップの電極面に形成された電極パッドにプロービングして内部回路に通電可能に載置するとともに、電極面と対向する裏面に光学部品３７を近接または密着させて内部回路からの光を検出可能に載置するのに適している。

本発明の実施例３に係るサンプルステージについて、図１２乃至図１４を用いて説明する。図１２は本実施例のサンプルステージを示す図で、図１２（ａ）はその平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＥ−Ｅ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図１２（ｃ）は図１２（ａ）のＦ−Ｆ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図１３はサンプルステージの要部を示す斜視図、図１４はサンプルステージに半導体チップを載置した状態を示す図である。

本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
本実施例が実施例１と異なる点は、サンプルステージの開口の周りの半導体チップとオーバラップする領域に、内部回路からの光に対して透明な部材が配置され、透明な部材の周りに透明な部材より熱伝導率の高い部材が配置されていることにある。

即ち、図１２に示すように、本実施例のサンプルステージ９０の第１乃至第４プレート９１、９２、９３、９４は、第１の側面と、第１の側面に隣接して直行する第２の側面とにより形成されるコーナ部に赤外光に対して透明な透明部材９５、９６、９７、９８が嵌め込まれている。

第１乃至第４プレート９１、９２、９３、９４の第１の側面と第２の側面を交互に当接させることにより、周囲が透明部材９５、９６、９７、９８で囲まれた開口９９を有するサンプルステージ９０が得られる。

半導体チップ３１をサンプルステージ９０に載置すると、半導体チップ３１の外周部が透明部材９５、９６、９７、９８とオーバラップするので、半導体チップ３１の裏面側から半導体チップ３１の電極面のパッドとプローブ３４との位置合わせを行うことが可能である。

図１３に示すように、第１プレート９１には、第１の側面９１ａに第２の側面９１ｂと反対側の端部１００が開放されたガイド溝１０１が形成され、第２の側面９１ｂにガイド溝１００に嵌合する凸部１０２が形成されている。ガイド溝１０１および凸部１０２は、例えばその断面がともに矩形状である。

透明部材９５は赤外光に対して透明で、第１の側面９５ａと、第１の側面９５ａに隣接して直交する第２の側面９５ｂとを有し、厚さが１ｍｍ程度の矩形状のガラス板である。

第１プレート９１は、第１の側面９１ａと第１の側面９１ａに隣接して直交する第２の側面９１ｂとにより構成されるコーナ部に、凸部１０２に至らない深さの凹部１０３が形成されるとともに、凹部１０３の第１の側面９１ａ側が切り欠きされ、第１の側面９１ａに平行な側面９１ｃが露出している。

凹部１０３に、透明部材９５の第１の側面９５ａと第１プレート９１の第１の側面９１ａとが同一平面上にあり、透明部材９５の第２の側面９５ｂと第１プレート９１の第２の側面９１ｂとが同一平面上にあるように、透明部材９５が嵌め込まれている。

透明部材９５は第１の側面９５ａと第１の側面９５ａに隣接して直行する第２の側面９５ｂとにより構成されるコーナ部が、第１プレート９１の第１の側面９１ａと平行な側面９１ｃより突出している。
第２乃至第４プレート９２、９３、９４についても同様であり、その説明は省略する。

図１４はサンプルステージ９０に、半導体チップ３１を載置した状態を示す図である。図１４に示すように、半導体チップ３１はサンプルステージ９０の透明部材９５、９６、９７、９８にオーバラップして載置されている。

半導体チップ３１と透明部材９５、９６、９７、９８の間には、赤外光に対して透明なアンダーフィル（図示せず）が充填され、アンダーフィルを介して半導体チップ３１が透明部材９５、９６、９７、９８に密着している。
サンプルステージ９０は、サンプルステージチャック（図示せず）により下向きに固定されている。

半導体チップ３１の裏面３１ｂ側から入射した赤外光１０５は、透明部材９６および半導体チップ３１を透過し、電極面３１ａに形成されたパッド１０６で反射して戻ってくる。これにより、赤外顕微鏡を用いて、半導体チップ３１の裏面３１ｂ側から半導体チップ３１の電極面３１ａの電極パッド１０６とプローブ３４との位置合わせを行うことが可能である。

以上説明したように、本実施例のサンプルステージ９０は、周囲が透明部材９５、９６、９７、９８で囲まれた開口９９を有し、透明部材９５、９６、９７、９８にオーバラップして、半導体チップ３１を載置することができる。

これにより、赤外顕微鏡を用いて、半導体チップ３１の裏面３１ｂ側から半導体チップ３１の電極面３１ａの電極パッド１０６とプローブ３４との位置合わせを行うことができる利点がある。

反射鏡と可視光顕微鏡を用いて、半導体チップ３１の電極面３１ａ側から半導体チップ３１の電極面３１ａの電極パッド１０６とプローブ３４との位置合わせを行う場合に比べて、光学系が簡単になる利点がある。

ここでは、透明部材９５、９６、９７、９８がガラスである場合について説明したが、ガラス（〜１．６Ｗ／ｍＫ）は銅（〜４００Ｗ／ｍＫ）に比べて熱伝導率が低く、半導体チップ３１の熱放散が悪化するので、透明部材９５、９６、９７、９８のサイズを最小限に留めることが望ましい。

更に、透明部材９５、９６、９７、９８として、石英ガラスより熱伝導性の良い、サファイア（〜３７Ｗ／ｍＫ）、ＭｇＯ（〜５５Ｗ／ｍＫ）、ＳｉＣ（〜３５０Ｗ／ｍＫ）などを用いることが望ましい。究極的にはダイヤモンド（〜２０００Ｗ／ｍＫ）が最適であることは言うまでも無い。

図６に示すサンプルステージ６０、図９に示すサンプルステージ７０、後述する図１５に示すサンプルステージ１１０にも、同様に実施することができる。

上述した実施例においては、サンプルステージが複数のプレートを具備し、プレートを交互に当接させることにより矩形状の開口を形成し、当接する位置をスライドさせることにより、開口のサイズを可変する場合について説明したが、予め所定の開口が形成された単一のプレートで合っても構わない。

図１５は予め所定の開口が形成された単一のプレートを有するサンプルステージを示す図である。
図１５に示すように、サンプルステージ１１０は、中央部にサイズが半導体チップ３１より小さく、且つ内部からの光を検出する領域より大きい開口１１１を有している。

観察の対象となる半導体チップ３１の大きさが幾つかに絞られる場合、あるいは内部からの光を検出する領域が半導体チップ３１の周辺に無い場合には、サイズが異なる開口１１１を有する複数のサンプルステージ１１０を用意しておくことで対応できる利点がある。

本発明の実施例１に係るサンプルステージを示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図。 本発明の実施例１に係るサンプルステージの要部を示す斜視図。 本発明の実施例１に係るサンプルステージの組み合わせ方を示す平面図。 本発明の実施例１に係るサンプルステージに半導体チップを載置した状態を、比較例と対比して示す図で、図４（ａ）が本実施例を示す図、図４（ｂ）が比較例を示す図。 本発明の実施例１に係るサンプルステージの開口のサイズを可変する状態を示す平面図。 本発明の実施例１に係る別のサンプルステージを示す平面図。 本発明の実施例１に係る別のサンプルステージの要部を示す斜視図。 本発明の実施例１に係る別のサンプルステージの要部を示す断面図。 本発明の実施例２に係るサンプルステージを示す図で、図９（ａ）はその平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図、図９（ｃ）は図９（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図。 本発明の実施例２に係るサンプルステージの要部を示す斜視図。 本発明の実施例２に係るサンプルステージの開口のサイズを可変する状態を示す平面図。 本発明の実施例３に係るサンプルステージを示す図で、図１２（ａ）はその平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＥ−Ｅ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図、図１２（ｃ）は図１２（ａ）のＦ−Ｆ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図。 本発明の実施例３に係るサンプルステージの要部を示す斜視図。 本発明の実施例３に係るサンプルステージに半導体チップを載置した状態を示す図。 本発明に係る別のサンプルステージを示す平面図。

符号の説明

１０、３０、５０、６０、７０、８０、９０、１１０ サンプルステージ
１１、６１、７１、９１ 第１プレート
１１ａ、１２ａ、１３ａ、１４ａ、６１ａ、６２ａ、６３ａ、６４ａ 第１の側面
１２、６２、７２、９２ 第２プレート
１１ｂ、１２ｂ、１３ｂ、１４ｂ、６１ｂ、６２ｂ、６３ｂ、６４ｂ 第２の側面
１３、６３、９３ 第３プレート
１４、６４、９４ 第４プレート
１５、５５、６５、７３、８３、９９、１１１ 開口
１６、１６ａ、６６、７４、１０１ ガイド溝
１７、１７ａ、６７、７５、１０２ 凸部
１８、６８、７６、１００ 端部
３１ 半導体チップ
３１ａ 電極面（第１の面）
３１ｂ 裏面（第２の面）
３２ ガラス板
３３ プローブカード
３４ プローブ
３５、４０ 対物レンズ
３６、３９ 放熱
３７ 光学部品
３８ オーバラップ部
５１、５２、５３、５４、８１、８２ スライド方向
δ１〜δ６ スライド量
９５、９６、９７、９８ 透明部材
１０３ 凹部
１０５ 光
１０６ 電極パッド

Claims (5)

1. 半導体チップを、前記半導体チップの第１の面に形成された電極パッドにプロービングして内部回路に通電可能にするとともに、前記第１の面と対向する第２の面に光学部品を近接または密着させて前記内部回路からの光を検出可能に載置するサンプルステージであって、
   サイズが前記半導体チップより小さく、且つ前記内部回路からの光を検出する領域より大きい開口と、前記開口の周りに前記半導体チップとのオーバラップ部を有し、前記オーバラップ部に前記半導体チップの前記電極パッドを形成可能とすることを特徴とするサンプルステージ。
2. 第１の側面と、前記第１の側面に隣接して直交する第２の側面とを有する多辺形状の第１乃至第４プレートを具備し、
   前記第１プレートの前記第１の側面に前記第２プレートの前記第２の側面を当接し、前記第２プレートの前記第１の側面に前記第３プレートの前記第２の側面を当接し、前記第３プレートの前記第１の側面に前記第４プレートの前記第２の側面を当接し、前記第４プレートの前記第１の側面に前記第１プレートの前記第２の側面を当接することにより、矩形状の前記開口を形成し、前記第１の側面と前記第２の側面とが当接する位置をスライドさせることにより、前記開口のサイズを可変することを特徴とする請求項１に記載のサンプルステージ。
3. 第１の側面と、前記第１の側面に平行、且つ対向しない第２の側面とを有するＬ字状の第１および第２プレートを具備し、
   前記第１プレートの前記第１の側面に前記第２プレートの前記第２の側面を当接し、前記第２プレートの前記第１の側面に前記第１プレートの前記第２の側面を当接することにより、矩形状の前記開口を形成し、前記第１の側面と前記第２の側面とが当接する位置をスライドさせることにより、前記開口のサイズを可変することを特徴とする請求項１に記載のサンプルステージ。
4. 前記プレートは、前記第１の側面に形成されたガイド溝と、前記第２の側面に形成され、前記ガイド溝に嵌合する凸部とを具備することを特徴とする請求項２または請求項３に記載のサンプルステージ。
5. 前記開口の周りの前記半導体チップとオーバラップする領域に前記内部回路からの光に対して透明な部材が配置され、前記透明な部材の周りに前記透明な部材より熱伝導率の高い部材が配置されていることを特徴とする請求項１に記載のサンプルステージ。

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