JP4833987B2 - 光電気デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の有利な実施形態によれば、電磁石は、その上にスプールが置かれる円筒型領域を有するコアで組織され、コアの少なくとも一部分は、膜に固着された磁石のコアと同じ構成で編成されたハウジングを有するプレート内に格納されている。
膜は、磁石及び磁石のない周辺環状区域を備えた能動中心円盤状領域を有することが好ましい。
また、本発明は、外側反射面及びその上に複数の永久磁石が固定される内側表面を有する可変鏡からなる光電気デバイスを製造する方法に関し、その方法は膜の底面全体にわたって接着剤を堆積させる工程及び接着面の一部上に永久磁石を固定する工程を含むことを特徴とする。
本発明の具体的な実施形態によれば、永久磁石は、仮支持体上に配置され、次に接着面が、予め配置された磁石の表面の上方に移動される。
第二の変形例によれば、膜形成工程はプラズマエッチングによって実行される。
第四の変形例によれば、膜形成工程は化学エッチングによって実行される。
本発明は、添付図面に関連して作成された以下の記載を読むことによってより理解されよう。ここで、
図1は、本発明にかかる作動装置の断面図を示す。
可変鏡は、支持構造体を形成する環状区域(1)を有し、より薄い中心領域によって延出されたモノリシック構造のシリコン部分を含み、その部分が反射膜を構成する。
例として、反射膜は30ミリメートルの直径を有し、中心領域は15ミリメートルの直径を有する。
磁気可変鏡を製造する方法は以下の通りである:
1. 磁石の調製
100マイクロメートルの厚さを有する非接着材料、例えばKapton(商標)のシートが鉄の支持体上に配置される。
2. 膜の調製
SOI(シリコンインシュレータ)型のシリコンウエハ(総厚さ:500マイクロメートル)の選択エッチング。
この支持体は機械的インターフェイスとして作用する金属板との接着によって固定される。
接着剤が数分間の部分的乾燥を許容される。
接着膜が変形装置によって磁石の上に置かれる。
接触後、まだ極めて柔らかい状態の接着剤の中に磁石を部分的に沈めるために、50マイクロメートル分、変形が続く。
本発明は厳密に限定されない例として上述されている。
Claims (15)
- 外側反射面及びその上に複数の永久磁石が固定される内側表面を有する可変膜からなる光電気デバイスであって、前記デバイスは、前記永久磁石に電磁気力を及ぼして、可変膜の対応する領域を局所的に変位させるために、前記永久磁石(4)と対向して配置された複数の電磁石(6)を有する支持体(5)を備え、前記内側表面(7)の全体が接着剤の連続層で被覆され、その接着剤の連続層上に前記永久磁石が固定されていることを特徴とする光電気デバイス。
- 前記可変膜が電磁石の支持体(5)に機械的結合を提供する支持構造体(1)のより薄い領域からからなることを特徴とする請求項1に記載の光電気デバイス。
- 前記可変膜がシリコンから製造されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の光電気デバイス。
- 前記可変膜が5マイクロメートルと50マイクロメートルとの間の厚さを有することを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の光電気デバイス。
- 前記電磁石が、その上にスプールが置かれる円筒型領域を有するコアを備え、前記コアの少なくとも一部分は、可変膜に固着された永久磁石の部分と同じ構成で組織されたハウジングを有する平板内に格納されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の光電気デバイス。
- 前記永久磁石及び電磁石は、N×Nアレイを形成していることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の光電気デバイス。
- 前記可変膜は永久磁石を備えた能動中心円盤状領域と、永久磁石のない周辺環状区域とを有することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の光電気デバイス。
- 前記能動中心円盤状領域の直径は前記可変膜の外側直径の0.3倍と0.7倍との間であることを特徴とする請求項7に記載の光電気デバイス。
- 外側反射面及びその上に複数の永久磁石が固定される内側表面を有する可変膜からなる光電気デバイスを製造する方法であって、前記方法は、前記可変膜の内側表面の全体にわたって接着剤を堆積させる工程及び接着剤表面上に永久磁石を固定する工程を含むことを特徴とする方法。
- 前記接着剤を堆積させる前記工程は、前記可変膜の表面上に局所的に配置された接着剤の遠心分離によって実行されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記永久磁石は、仮支持体上に配置され、次に接着面が予め配置された永久磁石の表面の上方に移動させられることを特徴とする、請求項10に記載の方法。
- 前記可変膜は均質なブロックの円盤状領域を薄くすることによって形成されることを特徴とする請求項10又は11に記載の方法。
- 前記可変膜の形成はプラズマエッチングによって実行されることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記可変膜の形成はフォトリソグラフィーによって実行されることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記可変膜の形成は化学エッチングによって実行されることを特徴とする請求項12に記載の方法。
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