JP4828360B2 - ガスセンサー - Google Patents

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本発明は、雰囲気中のガス濃度を測定するガスセンサーに係り、特に、ガス検知素子の周囲を気密に保持して特定のガスだけを測定するガス圧入式のセンサーに関する。
雰囲気中のガス濃度を測定するガスセンサーとして、半導体ガスセンサー及び固体電解質ガスセンサーが知られている。
半導体ガスセンサーは、半導体の表面に被検ガスが吸着すると導電率が変化することを利用してガスを検出するセンサーである。
また、固体電解質ガスセンサーには、起電力式と限界電流式などの測定方式がある。
起電力式の固体電解質ガスセンサーは、固体電解質基板の一方の面に設けられた電極(基準極)を大気に接触させ、他方の面に設けられた電極(検知極)を被検ガス雰囲気中に接触させたときに両電極間に発生する起電力を測定するセンサーである。
限界電流式の固体電解質ガスセンサーは、固体電解質基板の両面に設けられた電極間に外部電圧を印加して被検ガスをイオン化し、その電流を検知するセンサーである。
図9に示すように、一般的に、上述したガスセンサー100は、ステム101と、電極ピン102と、ガス検知素子103と、金属メッシュカバー105とで略構成されている。
図9(b)に示すように、略円板状に形成されたステム101には、複数の電極ピン102が上下に貫通して設けられている。各電極ピン102は、その上端部102aがステム101の上面101aから突出するとともに、下端部102bがステム101の下面101bから突出している。ガス検知素子103は、複数の電極ピン102と同数のリード線104を有し、これらリード線104の端部がそれぞれ各電極ピン102の上端部102aに接続され、ステム101から浮いた状態に支持されている。金属メッシュカバー105は、ガス検知素子103を覆うようにステム101に取り付けられ、ステム101の外周に設けられる固定枠106によって固定されている。
なお、このようなガスセンサーの構成は、下記特許文献1などに開示されている。
また、例えば、病院や在宅医療、又は工業用途向けに普及している高酸素濃度のガスを発生する圧力変動吸着型(PSA(Pressure Swing Adsorption )型)酸素濃縮器などのガス出力部には、ガス(窒素)吸着性能の低下を監視するために、出力ガス中の酸素濃度を検出するガスセンサーが設けられている。この場合のガスセンサーには、被検ガス以外のガスの混入を防ぐためにガス検知素子の周囲が気密に保持されたガス圧入式のものが用いられる。
図10に示すように、一般的なガス圧入式のセンサー200は、上述したガスセンサー100(図9参照)の固定枠106にガス導入部201が取り付けられたものである。ガス導入部201は、略気密に構成され、金属メッシュカバー105の径より更に大径な略ドーム状に形成されている。また、このガス導入部201には、酸素濃縮器などのガス出力部から気密部内にガスを流入させるガス流入部202と、気密部内からガスを流出させるガス流出部203とが設けられている。なお、ガス流入部202は、酸素濃縮器などのガス出力部と樹脂又は金属製チューブからなるガス流入管(不図示)を介して接続されている。また、ガス流出部203には、同じく樹脂又は金属製チューブからなるガス流出管(不図示)が接続される。
特開2000−193634号公報
しかしながら、図10に示すような従来のガス圧入式のセンサー200では、金属メッシュカバー105より大径に形成されたガス導入部201が、ガスセンサー100(図9参照)の上半部を覆うように取り付けられた構成であるため、センサー自体が大型化していた。また、近年のガス測定分野において、小流量でガスを測定したいという要望があり、図10に示す従来のガス圧入式のセンサー200のように気密部内の容積が大きいと、ガス流量を少なくしたときにガス置換に時間を要してしまい、センサーの応答速度が低下するという問題があった。
そこで本発明は、上記状況に鑑みてなされたもので、気密部内の容積を小さくすることが可能となり、センサー自体を小型化できるとともに、速やかにガス置換でき、応答速度を低下させず、この結果、小流量でガス測定を行うことを可能としたガスセンサーを提供することを目的としている。
次に、上記の課題を解決するための手段を、実施の形態に対応する図面を参照して説明する。
本発明の請求項1記載のガスセンサー1は、上下両面に突出するように貫通して設けられた複数の電極端子3を有するステム2と、
複数のリード線14を有し、前記複数のリード線14の各端部が前記ステム2の前記上面2aに突出した前記複数の電極端子3にそれぞれ接続され前記ステム2から浮いた状態に支持されるガス検知素子13と、
前記ステム2に取り付けられ、前記ステム2の前記上面2aを底面とする気密部17を形成して前記ガス検知素子13の周囲を気密に保持する気密キャップ15と、
前記気密部17外から該気密部17内に通じる流入路6が設けられ、前記流入路6を流れるガスを前記気密部17内に流入させるガス流入口5と、
前記気密部17内から該気密部17外に通じる流出路12が設けられ、前記流出路12へガスを前記気密部17内から流出させるガス流出口11と、を具備するとともに、
前記ガス流入口5に前記流入路6の径が拡がって形成されたキャビティ8が設けられ更に、前記キャビティ8内にフィルター9が配設されることを特徴としている。
請求項2記載のガスセンサー1は、前記ガス流入口5の近傍に、前記流入路6が屈曲したオフセット部7が設けられることを特徴としている。
本発明によるガスセンサーによれば、これまでガス検知素子の周囲を気密に保持していたガス導入部が不要となることに加え、ステムの上面が気密部の底面を形成していることにより、従来のガス圧入式のセンサーに比べて気密部内の容積を小さくすることが可能となる。これにより、センサーを小型化できるとともに、気密部内において速やかにガス置換でき、応答速度を低下させずにガス測定を行うことが可能となる。この結果、小流量でガス測定を行うことができるようになる。
また、ガス流入口にキャビティが設けられ、このキャビティ内にフィルターが配設されることにより、フィルターが塵や埃などを吸着し、気密部内にガス以外の不純物が入り込むことを防止できる。さらに、気密部内に流入される前にガスがフィルターを通ることで拡散され、ガス流入口におけるガスの流速が緩和される。これにより、高温のガス検知素子に直接冷たいガスが吹きかかることで該素子が損傷することを防止できる。
また、ガス流入口の近傍に、流入路が屈曲したオフセット部が設けられていることにより、流入路を流れるガスが屈曲部(オフセット部)によって向きを変え、ガス流入口におけるガスの流れる方向が変わる。これにより、上記同様にガス検知素子に直接ガスが吹きかかることを防止できる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して具体的に説明する。
図1は本発明によるガスセンサーの一実施の形態を示す断面図、図2は図1におけるA−A矢視図(一部断面図)、図3は同底面図である。
図1に示すように、この実施の形態のガスセンサー1は、複数の電極端子3を有するステム2と、ガス検知素子13と、気密キャップ15と、固定枠18とで略構成されている。
図1〜3に示すように、略円板状に形成されたステム2には、略円柱状に形成された複数の電極端子3が上下に貫通して設けられている。また、電極端子3の上端部3aは他より大径に形成されている。なお、この実施の形態では、4本の電極端子3を有している。各電極端子3は、上端部3aがステム2の上面2aから突出するとともに、下端部3bがステム2の下面2bから突出している。また、ステム2の側周面には、後述する気密キャップ15のフランジ16が載せられる載置台4が設けられている。
ステム2の上面2aには、略矩形のガス流入口5及びガス流出口11が設けられている。ガス流入口5は、ステム2の上面2aから下面2bにかけて貫通する流入路6に通じている。流入路6には、ステム2の上面2a(ガス流入口5)近傍において、流入路6が略直角に屈曲されたオフセット部7が設けられている。さらに、流入路6には、オフセット部7がステム2の上面2aに向けて再度屈曲されるとともに、流入路6の径が拡がって形成された略矩形空間(キャビティ8)が設けられている。キャビティ8内にはフィルター9が配設されている。この場合、キャビティ8内に高密度のセラミックウール又はグラスウールが詰め込まれフィルター9を形成している。流入路6は、ステム2の下面2bから更に下方に延出し、下面2bから下向きに突出する突出部10を形成している。
ガス流出口11は、ステム2の上面2aから下面2bにかけて貫通する流出路12に通じている。また、流出路12は、下方に向かって徐々に小径となって設けられている。
図1に示すように、ガス検知素子13は、電極端子3に対応した複数のリード線14を有している。なお、この実施の形態では、4本のリード線14を有している。各リード線14の端部は、電極端子3の上端部3aにそれぞれ接続され、ガス検知素子13をステム2から浮いた状態に支持している。このガス検知素子13は、安定化ジルコニアを用いて構成されている。
図1に示すように、前述した気密キャップ15は、気密に構成された略ドーム状に形成されている。気密キャップ15の開口縁にはフランジ16が設けられている。なお、この気密キャップ15の開口径は15mm程度である。また、気密キャップ15がステム2に取り付けられたときに、ステム2の上面2aを底面とする気密空間(気密部17)を形成している。
図1,3に示すように、固定枠18は、ステム2の最大外径(載置台4の外径)より僅かに大きい内径を有する略円筒形状に形成され、ステム2が嵌入可能な構成となっている。さらに、固定枠18の上端部が中心に向けて略直角に屈曲されることで抜止部19が形成されている。
この実施の形態のガスセンサー1を組み立てる際には、まず、気密キャップ15を上からステム2に被せてフランジ16を載置台4に載置する。そして、ステム2を下から固定枠18内に嵌入する。このとき、フランジ16が載置台4と抜止部19との間に挟まれることで気密キャップ15の脱落が防止される。
この実施の形態のガスセンサー1では、突出部10が、酸素濃縮器などのガス出力部に樹脂又は金属製チューブなどを介して接続される。
図1に示すように、流入路6を流れる被検ガスが、オフセット部7及びキャビティ8内のフィルター9を通過してガス流入口5から気密部17内に流入される。そして、気密部17内にガスが充満すると、被検ガスは気密部17内のガス圧に押されてガス流出口11から流出路12を流れて気密部17外に流出される。
また、図4は気密部内におけるガス流量とガス検知素子の90%応答時間の関係を示すグラフである。
図4に示すように、この実施の形態のガスセンサーでは、被検ガスの流量が少なくてもガス検知素子の応答時間が従来のガスセンサーと略同等である。つまり、このガスセンサーでは、小流量のガスで従来のガスセンサーと略同等の応答性能を確保できる。
この実施の形態によれば、気密キャップ15によってガス検知素子13の周囲を気密に保持することにより、これまでガス検知素子の周囲を気密に保持していたガス導入部が不要となることに加え、ステム2の上面2aが気密部17の底面を形成していることにより、従来のガス圧入式のセンサーに比べて気密部17内の容積を小さくすることが可能となる。これにより、センサーを小型化できるとともに、気密部17内において速やかにガス置換でき、応答速度を低下させずにガス測定を行うことが可能となる。
また、キャビティ8内に高密度のセラミックウール又はグラスウールが詰め込まれることでフィルター9を形成し、気密部17内に被検ガス以外の不純物が入り込むことを防止できる。さらに、気密部17内に流入される前にガスがフィルター9を通ることで拡散され、ガス流入口5における被検ガスの流速が緩和される。
また、ガス流入口5の近傍に、流入路6が屈曲されたオフセット部7が設けられることにより、流入路6を流れる被検ガスがオフセット部7によって向きを変え、ガス流入口5における被検ガスの流れる方向が変わる。
なお、上述した実施の形態では、ステム2の上面2a近傍にキャビティ8が設けられ、キャビティ8内にフィルター9が配設される構成としたが、図5に示すように、内部に活性炭フィルター23が配されたハウジング22を有するフィルターユニット21が前記突出部10に接続される構成としてもよい。このフィルターユニット21には、ハウジング22の上下面に略円筒が設けられている。ハウジング22上面の略円筒24は、突出部10の外径より僅かに大きい内径を有し、突出部10が挿通可能に形成されている。また、内面にはネジ部25が設けられ、突出部10に設けられたネジ部26と螺合することで着脱自在に接続される。また、ハウジング22下面の略円筒27は、前記流入路6と略同等の径に形成され、フィルターユニット21が接続されたときに流入路6となる。
このような構成によれば、フィルターユニット21が着脱自在に構成されていることから、このフィルターユニット21を必要に応じて取り付けることが可能となる。その場合、上記同様に気密部17内に被検ガス以外の不純物が入り込むことを防止できるとともに、フィルター23が汚れたり損傷した場合に容易に取り換えられる。
また、図6〜8に示すガスセンサーは、ガス流入口(流入路)及びガス流出口(流出路)が上述した実施の形態と異なる位置に設けられたものである。
なお、以下で説明するガスセンサーにおいて、上述した実施の形態と同等或いは同一箇所には同一の符号を付し、その説明を省略する。
図6は、ガス流入口31がステム2に設けられ、ガス流出口33が気密キャップ15に設けられているガスセンサー30a,30bの断面図である。
図6(a)に示すガスセンサー30aには、ガス流入口31が、上述した実施の形態と同様にステム2の上面2aに設けられ、ガス流出口33が、気密キャップ15の上部に設けられている。なお、ガス流入口31は、ステム2の上面2aから下面2bにかけて貫通する流入路32に通じ、ガス流出口33は、気密キャップ15から上向きに延出する流出路34に通じている。
図6(b)に示すガスセンサー30bには、ガス流入口31が、上述した実施の形態と同様にステム2の上面2aに設けられ、ガス流出口33が、気密キャップ15の側部に設けられている。なお、ガス流入口31は、ステム2の上面2aから下面2bにかけて貫通する流入路32に通じ、ガス流出口33は、気密キャップ15から横向きに延出する流出路34に通じている。
図7は、ガス流入口41及びガス流出口43が共に気密キャップ15に設けられているガスセンサー40a,40bの断面図である。
図7(a)に示すガスセンサー40aには、ガス流入口41が、気密キャップ15の上部に設けられ、ガス流出口43が、気密キャップ15の側部に設けられている。なお、ガス流入口41は、気密キャップ15から上向きに延出する流入路42に通じている。また、ガス流出口43は、気密キャップ15から横向きに延出する流出路44に通じている。
図7(b)に示すガスセンサー40bには、ガス流入口41が、気密キャップ15の側部(図中右方)に設けられ、ガス流出口43が、気密キャップ15の反対側の側部(図中左方)に設けられている。なお、ガス流入口41及びガス流出口43は、気密キャップ15からそれぞれ横向きに延出する流入路42及び流出路44に通じている。
図8は、ガス流入口51が、気密キャップ15に設けられ、ガス流出口53が、上述した実施の形態と同様に、ステム2に設けられているガスセンサー50a,50bの断面図である。
図8(a)に示すガスセンサー50aには、ガス流入口51が、気密キャップ15の側部に設けられ、ガス流出口53が、上述した実施の形態と同様にステム2の上面2aに設けられている。なお、ガス流入口51は、気密キャップ15から横向きに延出する流入路52に通じ、ガス流出口53は、ステム2の上面2aから下面2bにかけて貫通する流出路54に通じている。
図8(b)に示すガスセンサー50bには、ガス流入口51が、気密キャップ15の上部に設けられ、ガス流出口53が、上述した実施の形態と同様にステム2の上面2aに設けられている。なお、ガス流入口51は、気密キャップ15から上向きに延出する流入路52に通じ、ガス流出口53は、ステム2の上面2aから下面3aにかけて貫通する流出路54に通じている。
以上説明した図6〜8に示すガスセンサー30a,30b,40a,40b,50a,50bによれば、上述した実施の形態と同様に、気密キャップ15によってガス検知素子13の周囲を気密に保持し、これまで必要であったガス導入部が不要となることに加え、ステム2の上面2aが気密部17の底面を形成していることにより、従来のガス圧入式のセンサーに比べて気密部17内の容積を小さくすることが可能となる。この結果、センサーを小型化できるとともに、気密部17内において速やかにガス置換して応答速度を低下させずにガス測定が可能になるという効果が得られる。
本発明によるガスセンサーの一実施の形態を示す断面図である。 図1におけるA−A矢視図(一部断面)である。 同底面図である。 ガス流量とガス検知素子の応答時間の関係を示すグラフである。 他の実施の形態を示す断面図である。 (a),(b)他の実施の形態を示す断面図である。 (a),(b)他の実施の形態を示す断面図である。 (a),(b)他の実施の形態を示す断面図である。 (a),(b)従来のガスセンサーを示す断面図である。 従来のガスセンサー(ガス圧入式)を示す断面図である。
符号の説明
1…ガスセンサー
2…ステム
3…電極端子
5…ガス流入口
6…流入路
7…オフセット部
8…キャビティ
9…フィルター
11…ガス流出口
12…流出路
13…ガス検知素子
14…リード線
15…気密キャップ
17…気密部
23…フィルター

Claims (2)

  1. 上下両面に突出するように貫通して設けられた複数の電極端子を有するステムと、
    複数のリード線を有し、前記複数のリード線の各端部が前記ステムの前記上面に突出した前記複数の電極端子にそれぞれ接続され前記ステムから浮いた状態に支持されるガス検知素子と、
    前記ステムに取り付けられ、前記ステムの前記上面を底面とする気密部を形成して前記ガス検知素子の周囲を気密に保持する気密キャップと、
    前記気密部外から該気密部内に通じる流入路が設けられ、前記流入路を流れるガスを前記気密部内に流入させるガス流入口と、
    前記気密部内から該気密部外に通じる流出路が設けられ、前記流出路へガスを前記気密部内から流出させるガス流出口と、を具備するとともに、
    前記ガス流入口に前記流入路の径が拡がって形成されたキャビティが設けられ、更に、前記キャビティ内にフィルターが配設されることを特徴とするガスセンサー。
  2. 前記ガス流入口の近傍に、前記流入路が屈曲したオフセット部が設けられることを特徴とする請求項1記載のガスセンサー。
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