JP2014126503A - 静電容量型圧力センサ - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な構造で、低コストに、導入部からの液体（水）の侵入を防止し、零点シフトなどの不具合の発生を低減する。
【解決手段】バッフル７０を加熱するヒータ８０を設ける。ハウジング１０の外にヒータ８０のオン／オフを切り替える操作スイッチ９０を設ける。凍結乾燥装置でのＣＩＰ洗浄時、操作スイッチ９０を操作してヒータ８０をオンとし、バッフル７０を加熱する。これにより、バッフル７０を通過して侵入しようとする液体（水）が気化し、センサダイアフラム３２に到達する液体（水）の量が減少する。
【選択図】 図１

Description

この発明は、被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する静電容量型圧力センサに関するものである。

従来より、被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する静電容量型圧力センサは広く知られている。例えば、半導体製造装置などにおける製造プロセス中の真空状態を計測するために静電容量型圧力センサが利用されており、この真空状態を計測するための静電容量型圧力センサを隔膜真空計と呼んでいる。

この隔膜真空計は、被測定流体の導入部を有するハウジングを有し、このハウジングの導入部を通して導かれてくる被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する。この隔膜真空計において、導入部とダイアフラムとの間には、被測定流体の通過方向にその板面を直交させて、被測定流体に含まれる不要かつ支障のある物質（以下、この物質を汚染物質と呼ぶ）のダイアフラムへの堆積を防止するバッフルが設けられている。

図８に従来の隔膜真空計におけるバッフルの取付構造を示す。同図において、１００はハウジング、１００Ａはハウジング１００に設けられた被測定流体の導入部であり、この導入部１００Ａとダイアフラム（図示せず）との間に被測定流体の通過方向Ｆにその板面を直交させて円板状の１枚のバッフル１０１を設けている。

バッフル１０１には、その外周部に所定の角度間隔でタブ１０１ａが形成されており、このタブ１０１ａ間の隙間１０１ｂを被測定流体が通過して、ダイアフラムへと送られる。すなわち、導入部１００Ａを通して導かれてくる被測定流体がバッフル１０１の中央の板面に当たって迂回し、バッフル１０１のタブ１０１ａ間の隙間１０１ｂを通過して、ダイアフラムへと送られる。これにより、ダイアフラムに被測定流体が直接当たることがなく、被測定流体に含まれる汚染物質のダイアフラムへの堆積が防止される。

特開２０１１−１４９９４６号公報 特許第４６０７８８９号公報 特開２００２−１１１０１１号公報

このような隔膜真空計は、半導体製造装置の他、凍結乾燥装置などでも利用されている。しかしながら、凍結乾燥装置では、プロセス時の通常環境では被測定流体（気体）がバッフル１０１の隙間１０１ｂを通して導かれるが、ＣＩＰ洗浄と呼ばれる非プロセス時の特殊環境では、ＣＩＰ洗浄時（スプレー）の液体（水）がバッフル１０１の隙間１０１ｂを通して侵入し、ダイアフラムに到達する。このため、零点シフトなどの不具合が発生するという問題が生じていた。

なお、特許文献１には、導入部とダイアフラムとの間に、被測定流体の通過方向にその板面を直交させて、２枚のバッフルを対向配置した構成が示されている。すなわち、図９に示すように、バッフルを２段構成とし、１段目のバッフル１０２を被測定流体の通過方向Ｆの上流側に配置し、２段目のバッフル１０３を被測定流体の通過方向Ｆの下流側に配置するようにしている。

図１０に特許文献１に示された１段目のバッフル１０２の平面図を示す。図１１に特許文献１に示された２段目のバッフル１０３の平面図を示す。１段目のバッフル１０２は、導入口の直径より大きい直径を備える中央部分１０２ａと、この中央部分１０２ａの周囲に形成された多数の周辺開口部１０２ｂとを備えている。中央部分１０２ａには被測定流体が通過する開口は設けられていない。周辺開口部１０２ｂは、円周方向において等間隔の連続したセクタ（長細孔）として形成され、径方向に異なる直径ごとに配列されている。２段目のバッフル１０３は、図８に示したバッフル１０１と同様に、外周部に所定の角度間隔でタブ１０３ａが形成されており、このタブ１０３ａ間の隙間１０３ｂを被測定流体が通過する。

この特許文献１に示された２段構成のバッフルを図８に示した隔膜真空計に採用すると、導入部１００Ａからの液体（水）の侵入に対して有効であると考えられる。すなわち、１段目のバッフル１０２と２段目のバッフル１０３とで流体の通過位置が異なるため、気体に比べると流動性の低い液体（水）が通過しにくくなり、ダイアフラムに到達する液体（水）の量が減少するものと考えられる。

しかしながら、この特許文献１に示された２段構成のバッフルでは、導入部１００Ａからの液体（水）の侵入に対しては有効ではあるが、バッフルを２段構成としなければならず、また１段目のバッフル１０２の構造が複雑となり、高コストとなる。

なお、特許文献２には、導入部とダイアフラムとの間に、被測定流体の通過方向にその板面を直交させて、３枚のバッフルを対向配置した構成が示されている。この特許文献２に示された構成も、１段目と２段目のバッフルは特許文献１に示されたものと同じであって、この特許文献２に示された３段構成のバッフルを採用しても、特許文献１に示された２段構成のバッフルを採用した場合と同様の問題が生じる。

本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、簡単な構造で、低コストに、導入部からの液体（水）の侵入を防止し、零点シフトなどの不具合の発生を低減することが可能な静電容量型圧力センサを提供することにある。

このような目的を達成するために、本発明に係る静電容量型圧力センサは、被測定流体の導入部を有するハウジングと、導入部を通して導かれてくる被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出するセンサチップと、導入部とダイアフラムとの間に被測定流体の通過方向にその板面を直交させて配置され被測定流体に含まれる汚染物質のダイアフラムへの堆積を防止するバッフルと、バッフルを加熱するヒータとを備えることを特徴とするる。

この発明によれば、バッフルを加熱することによって、バッフルを通過して侵入しようとする液体（水）が気化し、ダイアフラムに到達する液体（水）の量が減少する。

本発明において、ヒータはバッフルを加熱することができればよく、バッフルに埋め込まれていてもよく、バッフルの表面や裏面に付設されていてもよく、バッフルの近傍に設けられていてもよい。すなわち、結果的にバッフルを加熱することができればよい。

また、本発明において、バッフルを２段構えの構成としてもよい。すなわち、被測定流体の通過方向にその板面を直交させて対向配置された第１のバッフルと第２のバッフルとの２段構成とするようにしてもよい。この場合、第１のバッフル（１段目のバッフル）を第２のバッフルよりも被測定流体の通過方向の上流側に配置し、その板面の中央部にのみ開口を有するものとし、第２のバッフル（２段目のバッフル）を、第１のバッフルよりも被測定流体の通過方向の下流側に配置し、その板面の周辺部に１つ以上の開口を有するものとするとよい。

このようにすると、１段目のバッフルと２段目のバッフルとで流体の通過位置が異なるものとなり、気体に比べると流動性の低い液体（水）が通過しにくくなる。また、１段目のバッフルの板面の周辺部に開口を設ける特許文献１の構造に比べ、１段目のバッフルと２段目のバッフルとの間の被測定流体の通過方向に直交する方向への流体の流れる経路が長くなり、流動性の低い液体（水）をさらに通過させにくくすることができるようになる。また、１段目のバッフルは、その板面の中央部にのみ開口を設ければよく、その構造が簡単となる。また、１段目のバッフルと２段目のバッフルの何れかを回転させても流体の通過位置の距離は変わらないので、製造も簡単となる。これにより、特許文献１の２段構成のバッフルよりも、導入部からの液体（水）の侵入をさらに低減するとともに、低コスト化を実現できるようになる。

本発明において、加熱による気化で処理きれない液体（水）の量が想定される場合には、バッフルを上述したような２段構えの構成とすることが好ましい。すなわち、１段目のバッフルを防水用のバッフル、２段目のバッフルを通常のバッフルとした場合、通常のバッフルの前段に防水用のバッフルを適宜補充することが好ましい。なお、言うまでもないが、本発明において、バッフルは２段構成であることは必須ではない。

本発明において、バッフルを２段構成とする場合、それぞれのバッフルに対してヒータを設けるようにしてもよく、バッフル全体に対して共通のヒータを設けるようにしてもよい。また、第２のバッフルに対してのみにヒータを設けるようにしてもよい。バッフル全体に対して共通のヒータを設ける場合、第１のバッフルと第２のバッフルとの間に挟むように共通のヒータを設けるようにするとよい。

また、本発明において、ヒータによってバッフルを常時加熱するようにしてもよいが、ハウジングの外に操作スイッチを設けるようにし、ヒータのオン／オフを外部から切り替えることができるようにしてもよい。例えば、凍結乾燥装置でのＣＩＰ洗浄時にはヒータをオンとし、測定時にはオフとするようにすると、ＣＩＰ洗浄時にはバッフルを加熱して液体（水）を気化し、ダイアフラムへ液体（水）が到達することを防止し、測定時にはバッフルを加熱しないようにして、気化した汚染物質がダイアフラムへ到達することを防止する（汚染物質をバッフルで捕捉する可能性を高める）ことが可能となる。

本発明によれば、バッフルを加熱するヒータを設けたので、バッフルを加熱することによって、バッフルを通過して侵入しようとする液体（水）が気化し、ダイアフラムに到達する液体（水）の量が減少するものとなり、簡単な構造で、低コストに、導入部からの液体（水）の侵入を防止し、零点シフトなどの不具合の発生を低減することが可能となる。

本発明に係る静電容量型圧力センサの一実施の形態（実施の形態１）の要部（隔膜真空計の要部）を示す縦断面図である。 実施の形態１の隔膜真空計に用いるバッフルの平面図である。 本発明に係る静電容量型圧力センサの他の実施の形態（実施の形態２）の要部（隔膜真空計の要部）を示す縦断面図である。 実施の形態２の隔膜真空計に用いる第１のバッフルの平面図である。 実施の形態２の隔膜真空計に用いる第２のバッフルの平面図である。 実施の形態２の隔膜真空計に用いる第２のバッフルの変形例を示す図である。 実施の形態２の隔膜真空計において１段目のバッフルと２段目のバッフルとの間に挟むようにして共通のヒータを設けるようにした例を示す図である。 従来の隔膜真空計におけるバッフルの取付構造を示す斜視図である。 特許文献１に示された２段構成のバッフルの配置状況を示す図である。 特許文献１に示された２段構成のバッフルの１段目のバッフルの平面図である。 特許文献１に示された２段構成のバッフルの２段目のバッフルの平面図である。

以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。

〔実施の形態１〕
図１はこの発明に係る静電容量型圧力センサの一実施の形態（実施の形態１）の要部（隔膜真空計の要部）を示す縦断面図である。この隔膜真空計１（１Ａ）は、パッケージ１０と、パッケージ１０内に収容された台座プレート２０と、同じくパッケージ１０内に収容され台座プレート２０に接合されたセンサチップ３０と、パッケージ１０に直接取付けられパッケージ１０内外を導通接続する電極リード部４０とを備えている。また、台座プレート２０は、第１の台座プレート２１と第２の台座プレート２２とから構成され、パッケージ１０に対して隔間しており、支持ダイアフラム５０のみを介してパッケージ１０に支持されている。

パッケージ１０は、ロアハウジング１１、アッパーハウジング１２、及びカバー１３から構成されている。なお、ロアハウジング１１、アッパーハウジング１２、及びカバー１３は、耐食性の金属であるインコネルからなり、それぞれ溶接により接合されている。

ロアハウジング１１は、径の異なる円筒体を連結した形状を備え、その大径部１１ａは支持ダイアフラム５０との接合部を有し、その小径部１１ｂは被測定流体が流入する導入部１０Ａをなしている。

アッパーハウジング１２は略円筒体形状を有し、カバー１３、支持ダイアフラム５０、台座プレート２０、及びセンサチップ３０を介してパッケージ１０内に独立した真空の基準真空室１０Ｂを形成している。なお、基準真空室１０Ｂにはいわゆるゲッター（図示せず）と呼ばれる気体吸着物質が備わり、真空度を維持している。

また、アッパーハウジング１２の支持ダイアフラム５０の取付け側には周方向適所にストッパ１２ａが突出形成されている。なお、このストッパ１２ａは、被測定流体の急激な圧力上昇により台座プレート２０が過度に変移するのを規制する役目を果たしている。

また、カバー１３は円形のプレートからなり、カバー１３の所定位置には電極リード挿通孔１３ａが形成されており、ハーメチックシール６０を介して電極リード部４０が埋め込まれ、この部分のシール性が確保されている。

一方、支持ダイアフラム５０はケーシング１０の形状に合わせた外形形状を有するインコネルの薄板からなり、第１の台座プレート２１と第２の台座プレート２２との間に挟まれた状態で、その外周部（周囲縁部）が上述したアッパーハウジング１１とロアハウジング１２の縁部に挟まれて溶接等により接合されている。なお、支持ダイアフラム５０の厚さは、例えば本実施形態の場合数十ミクロンであって、各台座プレート２１，２２より充分薄い厚さとなっている。また、台座プレート２０（２１，２２）および支持ダイアフラム５０の中央部分には、センサチップ３０に被測定流体を導くための導入孔５０ａが形成されている。

第１の台座プレート２１および第２の台座プレート２２は、酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアからなり、第１の台座プレート２１はケーシング１０の内面から離間させた状態で支持ダイアフラム５０の下面に接合され、第２の台座プレート２２はケーシング１０の内面から離間させた状態で支持ダイアフラム５０の上面に接合されている。

なお、各台座プレート２１，２２は、支持ダイアフラム５０の厚さに対して上述の通り十分に厚くなっており、かつ支持ダイアフラム５０を両台座プレート２１，２２でいわゆるサンドイッチ状に挟み込む構造を有している。これによって、支持ダイアフラム５０と台座プレート２０の熱膨張率の違いによって発生する熱応力でこの部分が反るのを防止している。

また、第２の台座プレート２２には酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアでできた上面視矩形状のセンサチップ３０が酸化アルミニウムベースの接合材を介して接合されている。なお、このセンサチップ３０の接合方法については、特許文献３に詳しく記載されているのでここでの説明は省略する。

センサチップ３０は上面視で１ｃｍ角以下の大きさを有し、四角角型の薄板からなるスペーサ３１と、スペーサ３１に接合されかつ圧力の印加に応じてひずみが生じるセンサダイアフラム３２と、センサダイアフラム３２に接合して真空の容量室（リファレンス室）３０Ａを形成するセンサ台座３３を有している。また、真空の容量室３０Ａと基準真空室１０Ｂとはセンサ台座３３の適所に穿設された図示しない連通孔を介して共に同一の真空度を保っている。

なお、スペーサ３１、センサダイアフラム３２、及びセンサ台座３３はいわゆる直接接合によって互いに接合され、一体化したセンサチップ３０を構成している。このセンサチップ３０の構成要素とされるセンサダイアフラム３２が本発明でいうダイアフラムに相当する。

また、センサチップ３０の容量室３０Ａには、センサ台座３３の凹部３３ａに金又は白金等の導体でできた固定電極３３ｂ，３３ｃが形成されているとともに、これと対向するセンサダイアフラム３２の表面上に金又は白金等の導体でできた可動電極３２ｂ，３２ｃが形成されている。また、センサチップ３０の上面には金又は白金からなるコンタクトパッド３５，３６が形成され、これらの固定電極３３ｂ，３３ｃと可動電極３２ｂ，３２ｃはコンタクトパッド３５，３６と図示しない配線によって接続されている。

一方、電極リード部４０は電極リードピン４１と金属製のシールド４２とを備え、電極リードピン４１は金属製のシールド４２にガラスなどの絶縁性材料からなるハーメチックシール４３によってその中央部分が埋設され、電極リードピン４１の両端部間で気密状態を保っている。そして、電極リードピン４１の一端はパッケージ１０の外部に露出して図示しない配線によって隔膜真空計１Ａの出力を外部の信号処理部に伝達するようになっている。なお、シールド４２とカバー１３との間にも上述の通りハーメチックシール６０が介在している。また、電極リードピン４１の他方の端部には導電性を有するコンタクトバネ４５，４６が接続されている。

コンタクトバネ４５，４６は、導入部１０Ａから被測定流体が急に流れ込むことで発生する急激な圧力上昇により支持ダイアフラム５０が若干変移しても、コンタクトバネ４５，４６の付勢力がセンサチップ３０の測定精度に影響を与えない程度の十分な柔らかさを有している。

この隔膜真空計１Ａにおいて、センサチップ３０のセンサダイアフラム３２と導入部１０Ａとの間には、導入部１０Ａからの被測定流体の出口に、被測定流体の通過方向Ｆにその板面を直交させて、インコネルからなるバッフル７０が配置されている。図２にバッフル７０の平面図を示す。バッフル７０には、その外周部に所定の角度間隔でタブ７０ａが形成されており、このタブ７０ａ間の隙間７０ｂを被測定流体が通過して、センサダイアフラム３２へと送られる。

この隔膜真空計１Ａにおいて、バッフル７０にはヒータ８０が埋め込まれており、このヒータ８０のオン／オフを切り替える操作スイッチ９０がハウジング１０の外に設けられている。

次に、この隔膜真空計１Ａの動作について説明する。なお、この実施の形態において、隔膜真空計１Ａは凍結乾燥装置の必要な場所に取付けられているものとする。

〔プロセス時の通常環境での被測定流体（気体）の微圧測定〕
凍結乾燥装置において、プロセス時の通常環境では、被測定流体（気体）が隔膜真空計１Ａの導入部１０Ａからバッフル７０を通り、導入孔５０ａを通って、センサダイアフラム３２に送られる。

この際、被測定流体（気体）が微圧であっても、センサチップ３０の容量室３０Ａ内は真空のため、センサダイアフラム３２が撓んで、センサチップ３０の固定電極３３ｂ，３３ｃと可動電極３２ｂ，３２ｃとの間隔が変化する。これによって、固定電極３３ｂ，３３ｃと可動電極３２ｂ，３２ｃとで構成されたコンデンサの容量値（静電容量）が変化する。この静電容量の変化を電極リード部４０によって隔膜真空計１Ａの外部に取り出すことで、被測定流体（気体）の微圧を測定することができる。

また、隔膜真空計１Ａの導入部１０Ａからの被測定流体（気体）は、バッフル７０の板面の中央に当たって迂回し、バッフル７０の周辺部の隙間７０ｂを通過して、導入孔５０ａを通って、センサダイアフラム３２に送られる。これにより、センサダイアフラム３２に被測定流体（気体）が直接当たることがなく、被測定流体（気体）に含まれる汚染物質のセンサダイアフラム３２への堆積が防止される。

〔ＣＩＰ洗浄（非プロセス時の特殊環境）〕
凍結乾燥装置において、ＣＩＰ洗浄（非プロセス時の特殊環境）時には、導入部１０Ａからの液体（水）が隔膜真空計１Ａの内部に侵入しようとする。すなわち、液体（水）がバッフル７０の周辺部の隙間７０ｂを通って侵入し、センサダイアフラム３２に到達しようとする。

これを防ぐため、この隔膜真空計１Ａでは、ＣＩＰ洗浄を行う場合、ハウジング１０の外に設けられている操作スイッチ９０を操作してヒータ８０をオンとし、バッフル７０を加熱する。これによって、バッフル７０を通過して侵入しようとする液体（水）が気化し、センサダイアフラム３２に到達する液体（水）の量が減少する。

このようにして、この実施の形態１の隔膜真空計１Ａでは、簡単な構造で、低コストに、導入部１０Ａからの液体（水）の侵入を防止し、零点シフトなどの不具合の発生を低減することができるようになる。

〔実施の形態２〕
図３は本発明に係る静電容量型圧力センサの他の実施の形態（実施の形態２）の要部（隔膜真空計の要部）を示す縦断面図である。同図において、図１と同一符号は図１を参照して説明した構成要素と同一或いは同等構成要素を示し、その説明は省略する。

この実施の形態２の隔膜真空計１（１Ｂ）では、センサハウジング１０の導入部１０Ａからの被測定流体の流入部に、被測定流体の通過方向Ｆにその板面を直交させて、第１のバッフル７１と第２のバッフル７２とを対向配置させている。すなわち、バッフルを２段構えの構成とし、第１のバッフル７１を被測定流体の通過方向Ｆの上流側に配置し、第２のバッフル７２を被測定流体の通過方向Ｆの下流側に配置している。

図４に第１のバッフル７１の平面図を示す。第１のバッフル７１は、円板状とされ、その板面の中央部にのみ、被測定流体の導通路（流路）として開口７１ａが形成されている。この開口７１ａは小さく絞った穴であり、小さいほど水の侵入は減らせるが、隔膜真空計１Ｂの応答速度のスペックを満足させる程度の径をもつこととする。

例えば、凍結乾燥装置におけるＣＩＰ洗浄においては、開口７１ａの径を０．５ｍｍ程度まで小さくすることが好ましい。なお、この例では、開口７１ａの径は、上限として１ｍｍ、下限は応答速度計算を実施して決定することにしている。

図５に第２のバッフル７２の平面図を示す。第２のバッフル７２も、円板状とされ、その板面の周辺部に、被測定流体の導通路（流路）として開口７２ａが形成されている。この例では、第２のバッフル７２の外周部に、１２０゜間隔で３つの切欠が開口７２ａとして形成されている。なお、第２のバッフル７２は、第１のバッフル７１よりもその径がやや大きくされている。

この隔膜真空計１Ａにおいて、第１のバッフル７１にはその上面（表面）にヒータ８１が付設されており、第２のバッフル７２にはその下面（裏面）にヒータ８２が付設されている。そして、このヒータ８１，８２のオン／オフを同時に切り替える操作スイッチ９１がハウジング１０の外に設けられている。

次に、この隔膜真空計１Ｂの動作について説明する。なお、この実施の形態においても、隔膜真空計１Ｂは凍結乾燥装置の必要な場所に取付けられているものとする。

〔プロセス時の通常環境での被測定流体（気体）の微圧測定〕
凍結乾燥装置において、プロセス時の通常環境では、被測定流体（気体）が隔膜真空計１Ｂの導入部１０Ａからバッフル７１，７２を通り、導入孔５０ａを通って、センサダイアフラム３２に送られる。

この際、被測定流体（気体）が微圧であっても、センサチップ３０の容量室３０Ａ内は真空のため、センサダイアフラム３２が撓んで、センサチップ３０の固定電極３３ｂ，３３ｃと可動電極３２ｂ，３２ｃとの間隔が変化する。これによって、固定電極３３ｂ，３３ｃと可動電極３２ｂ，３２ｃとで構成されたコンデンサの容量値（静電容量）が変化する。この静電容量の変化を電極リード部４０によって隔膜真空計１Ｂの外部に取り出すことで、被測定流体（気体）の微圧を測定することができる。

また、隔膜真空計１Ｂの導入部１０Ａからの被測定流体（気体）は、バッフル７１の板面の中央部に形成された７１ａを通り、バッフル７２の板面の中央に当たって迂回し、バッフル７２の周辺部の開口（切欠）７２ａを通過して、導入孔５０ａを通って、センサダイアフラム３２に送られる。これにより、センサダイアフラム３２に被測定流体（気体）が直接当たることがなく、被測定流体（気体）に含まれる汚染物質のセンサダイアフラム３２への堆積が防止される。

〔ＣＩＰ洗浄（非プロセス時の特殊環境）〕
凍結乾燥装置において、ＣＩＰ洗浄（非プロセス時の特殊環境）時には、導入部１０Ａからの液体（水）が隔膜真空計１Ｂの内部に侵入しようとする。

この場合、第１のバッフル（１段目のバッフル）７１は、その板面の中央部にのみ開口７１ａを有し、第２のバッフル（２段目のバッフル）７２は、その板面の周辺部に３つの開口７２ａを有している。これにより、第１のバッフル７１と第２のバッフル７２とで流体の通過位置が異なるものとなり、気体に比べると流動性の低い液体（水）が通過しにくくなり、センサダイアフラム３２に到達する液体（水）の量は実施の形態１の隔膜真空計１Ａと比べて格段に減少する。

特に、この実施の形態２の隔膜真空計１Ｂでは、１段目のバッフル７１の板面の中央部にのみ開口７１ａを有するものとしているため、１段目のバッフルの板面の周辺部に開口を設ける特許文献１の構造（図１０参照）に比べ、１段目のバッフル７１と２段目のバッフル７２との間の被測定流体の通過方向Ｆに直交する方向への流体の流れる経路が長くなり、流動性の低い液体（水）をさらに通過させにくくすることができる。また、１段目のバッフル７１は、その板面の中央部にのみ開口７１ａを設ければよく、その構造が簡単となる。また、１段目のバッフル７１と２段目のバッフル７２の何れかを回転させても流体の通過位置の距離は変わらないので、製造も簡単となる。これにより、特許文献１の２段構成のバッフルよりも、導入部１０Ａからの液体（水）の侵入をさらに低減するとともに、低コスト化が実現されるものとなる。

この隔膜真空計１Ｂにおいても、ＣＩＰ洗浄時、ハウジング１０の外に設けられている操作スイッチ９０を操作してヒータ８１および８２をオンとし、バッフル７１および７２を加熱するようにする。これによって、バッフル７１および７２を通過して侵入しようとする液体（水）が気化し、センサダイアフラム３２に到達する液体（水）の量がさらに減少する。

処理する液体（水）の量が少ないと想定される場合には、バッフル７１と７２の２段構えの構成でも十分であるが、処理する液体（水）の量が多いと想定される場合には、操作スイッチ９０を操作してヒータ８１および８２をオンとして、バッフル７１および７２を加熱するようにする。

このようにして、この実施の形態２の隔膜真空計１Ｂでも、簡単な構造で、低コストに、導入部１０Ａからの液体（水）の侵入を防止し、零点シフトなどの不具合の発生を低減することができるようになる。

なお、上述した隔膜真空計１Ｂでは、２段目のバッフル７２の外周部に１２０゜間隔で３つの切欠を開口７２ａとして形成するようにしたが、図５（ａ）に示すように、開口７２ａとして形成する切欠の数を変更してもよく、図５（ｂ）に示すように、切欠ではなく丸孔を開口７２ａとして形成したりしてもよい。

また、上述した隔膜真空計１Ｂでは、１段目のバッフル７１にヒータ８１を付設し、２段目のバッフル７２にヒータ８２を付設するようにしたが、図７に示す隔膜真空計１Ｃのように、１段目のバッフル７１と２段目のバッフル７２との間に挟むようにして、共通のヒータ８３を設けるようにしてもよい。これにより、１つのヒータ８３で、１段目のバッフル７１と２段目のバッフル７２の両方が加熱されるものとなる。また、１段目のバッフル７１は液体（水）によって温度が下げられるので、温度の下がりにくい２段目のバッフル７２にのみにヒータを設けるようにしてもよく、バッフル７１やバッフル７２の近傍にヒータを設けるようにしてもよい。

また、上述した隔膜真空計１Ｂでは、ハウジング１０の外に操作スイッチ９０を設け、ＣＩＰ洗浄時にのみヒータ８１，８２をオンとするようにしたが、操作スイッチ９０を設けずに、ヒータ８１，８２への通電を常時行うようにしてもよい。しかし、このようにすると、バッフル７１，７２が常時加熱されるため、測定時、バッフル７１，７２の温度上昇によって気化した汚染物質がセンサダイアフラム３２に到達してしまう虞がある。これに対し、操作スイッチ９０を操作してＣＩＰ洗浄時にのみヒータ８１，８２をオンとすれば、測定時、バッフル７１，７２を加熱しないようにして、気化した汚染物質がセンサダイアフラム３２に到達する虞をなくす（汚染物質をバッフル７１，７２で捕捉する可能性を高める）ことが可能となる。隔膜真空計１Ａ，１Ｃについても同様である。

〔実施の形態の拡張〕
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。

１（１Ａ，１Ｂ，１Ｃ）…隔膜真空計（静電容量型圧力センサ）、１０…パッケージ、１０Ａ…導入部、１１…ロアハウジング、１２…アッパーハウジング、１３…カバー、２０…台座プレート、２１…第１の台座プレート、２２…第２の台座プレート、３０…センサチップ、３１…スペーサ、３２…センサダイアフラム、３３…センサ台座、５０…支持ダイアフラム、５０ａ…導入孔、７０…バッフル、７１…第１のバッフル（１段目のバッフル）７１ａ…開口、７２…第２のバッフル（２段目のバッフル）、７２ａ…開口、８０，８１，８２…ヒータ、９０…操作スイッチ。

Claims (6)

1. 被測定流体の導入部を有するハウジングと、
   前記導入部を通して導かれてくる被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出するセンサチップと、
   前記導入部と前記ダイアフラムとの間に前記被測定流体の通過方向にその板面を直交させて配置され前記被測定流体に含まれる汚染物質の前記ダイアフラムへの堆積を防止するバッフルと、
   前記バッフルを加熱するヒータと
   を備えることを特徴とする静電容量型圧力センサ。
2. 請求項１に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
   前記バッフルは、
   前記被測定流体の通過方向にその板面を直交させて対向配置された第１のバッフルと第２のバッフルとの２段構成とされ、
   前記第１のバッフルは、
   前記第２のバッフルよりも前記被測定流体の通過方向の上流側に配置され、前記板面の中央部にのみ開口を有し、
   前記第２のバッフルは、
   前記第１のバッフルよりも前記被測定流体の通過方向の下流側に配置され、前記板面の周辺部に１つ以上の開口を有する
   ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
3. 請求項２に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
   前記ヒータは、
   前記第１のバッフルを加熱する第１のヒータと、
   前記第２のバッフルを加熱する第２のヒータとを備える
   ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
4. 請求項２に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
   前記ヒータは、
   前記第１のバッフルおよび第２のバッフルに対して設けられた共通のヒータである
   ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
5. 請求項２に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
   前記ヒータは、
   前記第１のバッフルに対してのみに設けられたヒータである
   ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
6. 請求項１〜５の何れか１項に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
   前記ヒータのオン／オフを切り替える操作スイッチが前記ハウジングの外に設けられている
   ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。