JP2015094605A - 静電容量型圧力センサ - Google Patents

Abstract

【課題】センサ部の冷却履歴に影響を与えることなく、ハウジングの内部への液体の侵入を防止し、零点シフトなどの不具合の発生を低減する。
【解決手段】導入管１４の管路の途中にバッフル構造体７０を設ける。バッフル構造体７０を第１のバッフル７１と第２のバッフル７２とから構成する。第１のバッフル７１は、第２のバッフル７２よりも被測定流体の通過方向Ｆの上流側に配置し、第２のバッフル７２は、第１のバッフル７１よりも被測定流体Ｆの通過方向の下流側に配置する。第１のバッフル７１の径を導入管１４の内径よりも小さくし、導入管１４の管路の内壁面との間に、環状の隙間（開口）７１ｂを生じさせる。第２のバッフル７２には、その板面の中央部にのみ、開口７２ｂを形成する。
【選択図】 図１

Description

この発明は、被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する静電容量型圧力センサに関するものである。

従来より、被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する静電容量型圧力センサは広く知られている。例えば、半導体製造装置などにおける製造プロセス中の真空状態を計測するために静電容量型圧力センサが利用されており、この真空状態を計測するための静電容量型圧力センサを隔膜真空計と呼んでいる。

この隔膜真空計は、被測定流体の導入孔を有するハウジングと、このハウジングの導入孔に被測定流体を導く導入管とを有し、導入管を経由し導入孔を通ってハウジングの内部（センサ室）に導かれてくる被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する。この隔膜真空計において、ハウジングの導入孔には、被測定流体の通過方向にその板面を直交させて、被測定流体に含まれる不要かつ支障のある物質（以下、この物質を汚染物質と呼ぶ）のダイアフラムへの堆積を防止するバッフルが設けられている。

図４に従来の隔膜真空計におけるバッフルの取付構造を示す。同図において、１００はハウジングを構成する下側のハウジング（ロアハウジング）、１００Ａはハウジングの導入孔、１００Ｂは導入孔１００Ａに被測定流体を導く導入管であり、導入孔１００Ａに被測定流体の通過方向Ｆにその板面を直交させて円板状の１枚のバッフル１０１を設けている。なお、図４において、ハウジングを構成する上側のハウジング（アッパーハウジング）は省略している。

バッフル１０１には、その外周部に所定の角度間隔でタブ１０１ａが形成されており、このタブ１０１ａ間の隙間１０１ｂを被測定流体が通過して、ダイアフラム（図示せず）へと送られる。すなわち、導入管１００Ｂに入り導入孔１００Ａを通して導かれてくる被測定流体がバッフル１０１の中央の板面に当たって迂回し、バッフル１０１のタブ１０１ａ間の隙間１０１ｂを通過して、ダイアフラムへと送られる。これにより、ダイアフラムに被測定流体が直接当たることがなく、被測定流体に含まれる汚染物質のダイアフラムへの堆積が防止される。

なお、図示してはいないが、ハウジングの周囲にはヒータが設置されている。このヒータによって、ハウジングの内部（センサ室）の温度を高温度とし、被測定流体に含まれる汚染物質が析出しないようにする。

特開２０１１−１４９９４６号公報 特許第４６０７８８９号公報 特開２００２−１１１０１１号公報

このような隔膜真空計は、半導体製造装置の他、凍結乾燥装置などでも利用されている。しかしながら、凍結乾燥装置では、プロセス時の通常環境では被測定流体（気体）がバッフル１０１の隙間１０１ｂを通して導かれるが、ＣＩＰと呼ばれる非プロセス時の特殊環境では、ＣＩＰ時（スプレー）の液体（水）がバッフル１０１の隙間１０１ｂを通して侵入し、ダイアフラムに到達する。ＣＩＰは製造プロセスとは異なり、液体（水）の量が通常の圧力計測時に比べて極端に多い。このため、センサ部の冷却履歴に影響を与え、受圧部内の残留応力に影響が現れ、零点シフトなどの不具合が発生するという問題が生じていた。

なお、特許文献１には、ハウジングの導入孔に、被測定流体の通過方向にその板面を直交させて、２枚のバッフルを対向配置した構成が示されている。すなわち、図５に示すように、バッフルを２段構成とし、１段目のバッフル１０２を被測定流体の通過方向Ｆの上流側に配置し、２段目のバッフル１０３を被測定流体の通過方向Ｆの下流側に配置するようにしている。

図６に特許文献１に示された１段目のバッフル１０２の平面図を示す。図７に特許文献１に示された２段目のバッフル１０３の平面図を示す。１段目のバッフル１０２は、導入口の直径より大きい直径を備える中央部分１０２ａと、この中央部分１０２ａの周囲に形成された多数の周辺開口部１０２ｂとを備えている。中央部分１０２ａには被測定流体が通過する開口は設けられていない。周辺開口部１０２ｂは、円周方向において等間隔の連続したセクタ（長細孔）として形成され、径方向に異なる直径ごとに配列されている。２段目のバッフル１０３は、図４に示したバッフル１０１と同様に、外周部に所定の角度間隔でタブ１０３ａが形成されており、このタブ１０３ａ間の隙間１０３ｂを被測定流体が通過する。

この特許文献１に示された２段構成のバッフルを図４に示した隔膜真空計に採用すると、導入孔１００Ａからの液体（水）の侵入に対して有効であると考えられる。すなわち、１段目のバッフル１０２と２段目のバッフル１０３とで流体の通過位置が異なるため、気体に比べると流動性の低い液体（水）が通過しにくくなり、ダイアフラムに到達する液体（水）の量が減少するものと考えられる。

しかしながら、この特許文献１に示された２段構成のバッフルでは、ハウジングの内部（センサ室）への液体（水）の侵入に対しては有効ではあるが、センサ室に近い位置で液体（水）の侵入が防がれるので、センサ室に近い位置まで到達する液体（水）によってセンサ室内の温度が低下し、すなわちハウジングの周囲に設置されているヒータの熱が奪われてセンサ室内の温度が低下し、センサ部の冷却履歴に影響を与える虞があった。

なお、特許文献２には、ハウジングの導入孔に、被測定流体の通過方向にその板面を直交させて、３枚のバッフルを対向配置した構成が示されている。この特許文献２に示された構成も、１段目と２段目のバッフルは特許文献１に示されたものと同じであって、この特許文献２に示された３段構成のバッフルを採用しても、特許文献１に示された２段構成のバッフルを採用した場合と同様の問題が生じる。

本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、センサ部の冷却履歴に影響を与えることなく、ハウジングの内部への液体の侵入を防止し、零点シフトなどの不具合の発生を低減することが可能な静電容量型圧力センサを提供することにある。

このような目的を達成するために、本発明に係る静電容量型圧力センサは、被測定流体の導入孔を有するハウジングと、導入孔に被測定流体を導く導入管と、導入管を経由し導入孔を通ってハウジングの内部に導かれてくる被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出するセンサチップとを備えた静電容量型圧力センサにおいて、導入管の管路の途中にハウジングの内部への液体の侵入を防止するバッフル構造体を設けたことを特徴とする。

この発明によれば、導入管の管路の途中に設けられたバッフル構造体により、ハウジングの内部への液体の侵入が防止される。すなわち、ハウジングの導入孔よりも離れた位置で、ハウジングの内部（センサ室）への液体の侵入が防止され、センサ室内の温度低下が防がれる。

本発明では、バッフル構造体として、例えば、板状の第１のバッフルと第２のバッフルとを被測定流体の通過方向にその板面を直交させて対向配置する。この場合、第１のバッフル（１段目のバッフル）は、板面の周辺部に１つ以上の開口を有するものとし、第２のバッフルよりも被測定流体の通過方向の上流側に配置する。第２のバッフル（２段目のバッフル）は、板面の中央部にのみ開口を有するものとし、第１のバッフルよりも被測定流体の通過方向の下流側に配置するものとする。

特許文献１でも、バッフルを１枚目と２枚目という２段構えとし、１段目のバッフルと２段目のバッフルとで流体通過位置が異なるようにすることで、気体に比べると流動性が低い液体を通過しにくくしている。この場合、特許文献１では、半導体製造プロセスの特殊物質を想定していたため、１段目のバッフルの中央部分の周囲に多数の周辺開口部を設け、１段目のバッフルの中央部分に当てて迂回させた被測定流体を１段目のバッフルの周辺開口部を通過させて２段目のバッフルに送り、２段目のバッフルの周辺部を通過させることにより、半導体製造プロセスの特殊物質の侵入を防いでいる。この構造が結果的に侵入防止対象物質（ＣＩＰであれば水）を通過しにくくし、２段目のバッフルに侵入防止対象物質を接触させにくくし、ダイアフラムへの侵入防止対象物質の到達を低減させている。この半導体製造プロセスの特殊物質を想定した構造がバッフル構造体を複雑化する要因であることに発明者は着眼した。

そして、ＣＩＰの用途であれば、２段目のバッフルに侵入防止対象物質である水が接触すること自体は問題ないので、この設計上の制約の差異に基づき構造を簡易化できることに、発明者は想到した。具体的には、１段目のバッフルの被測定流体の通過位置を周辺にして、２段目のバッフルの被測定流体の通過位置を中央部にする。これにより、特許文献１の構造に比べ、簡易な構造になる。また、１段目のバッフルと２段目のバッフルの何れかを回転させても流体の通過位置の距離は変わらないので、製造も簡単となる。これにより、低コスト化を実現できるようになる。

なお、本発明では、導入管の管路の途中にハウジングの内部への液体の侵入を防止するバッフル構造体を設けるので、例えばＣＩＰを行う場合、バッフル構造体の設置位置からハウジングまでの導入管の管路内の洗浄を行うことができない。このため、その導入管の管路内に、菌が発生する虞がある。すなわち、ハウジングの周囲に設置されているヒータ（既存のヒータ）だけでは導入管の管路内の温度を所定温度以上（例えば、１２１℃以上）とすることができず、導入管の管路内に菌が発生する虞がある。このような虞をなくすため、補助ヒータを設け、少なくともバッフル構造体の設置位置からハウジングの導入孔までの間の導入管の外周部を加熱し、導入管の管路内の温度を所定温度以上（例えば、１２１℃以上）に維持（滅菌保障を維持）するようにしてもよい。

本発明によれば、導入管の管路の途中にハウジングの内部への液体の侵入を防止するバッフル構造体を設けるようにしたので、センサ部の冷却履歴に影響を与えることなく、ハウジングの内部への液体の侵入を防止し、零点シフトなどの不具合の発生を低減することが可能となる

本発明に係る静電容量型圧力センサの一実施の形態（隔膜真空計）の要部を示す縦断面図である。 導入管の管路内におけるバッフル構造体の取付構造を示す図である。 ハウジングの導入孔に設置されている第３のバッフルの平面図である。 従来の隔膜真空計におけるバッフルの取付構造を示す斜視図である。 特許文献１に示された２段構成のバッフルの配置状況を示す図である。 特許文献１に示された２段構成のバッフルの１段目のバッフルの平面図である。 特許文献１に示された２段構成のバッフルの２段目のバッフルの平面図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１はこの発明に係る静電容量型圧力センサの一実施の形態（隔膜真空計）の要部を示す縦断面図である。

この隔膜真空計１は、ハウジング１０と、ハウジング１０内に収容された台座プレート２０と、同じくハウジング１０内に収容され台座プレート２０に接合されたセンサチップ３０と、ハウジング１０に直接取付けられハウジング１０内外を導通接続する電極リード部４０とを備えている。また、台座プレート２０は、第１の台座プレート２１と第２の台座プレート２２とから構成され、ハウジング１０に対して隔間しており、支持ダイアフラム５０のみを介してハウジング１０に支持されている。

ハウジング１０は、ロアハウジング１１、アッパーハウジング１２、及びカバー１３から構成されている。なお、ロアハウジング１１、アッパーハウジング１２、及びカバー１３は、耐食性の金属であるニッケル合金からなり、それぞれ溶接により接合されている。

ロアハウジング１１は、円筒体形状とされ、底部に被測定流体の導入孔１１ａを有している。また、ロアハウジング１１の底部には、導入孔１１ａに被測定流体を導く導入管１４が一体的に形成されている。導入管１４の下端１４ａは取り付け部材１５を介して被測定流体の導入部に取り付けられている。

アッパーハウジング１２は略円筒体形状を有し、カバー１３、支持ダイアフラム５０、台座プレート２０、及びセンサチップ３０を介してハウジング１０内に独立した真空の基準真空室１０Ａを形成している。なお、基準真空室１０Ａにはいわゆるゲッター（図示せず）と呼ばれる気体吸着物質が備わり、真空度を維持している。

また、アッパーハウジング１２の支持ダイアフラム５０の取付け側には周方向適所にストッパ１２ａが突出形成されている。なお、このストッパ１２ａは、被測定流体の急激な圧力上昇により台座プレート２０が過度に変移するのを規制する役目を果たしている。

また、カバー１３は円形のプレートからなり、カバー１３の所定位置には電極リード挿通孔１３ａが形成されており、ハーメチックシール６０を介して電極リード部４０が埋め込まれ、この部分のシール性が確保されている。

一方、支持ダイアフラム５０はケーシング１０の形状に合わせた外形形状を有するニッケル合金の薄板からなり、第１の台座プレート２１と第２の台座プレート２２との間に挟まれた状態で、その外周部（周囲縁部）が上述したアッパーハウジング１１とロアハウジング１２の縁部に挟まれて溶接等により接合されている。なお、支持ダイアフラム５０の厚さは、例えば本実施の形態の場合数十ミクロンであって、各台座プレート２１，２２より充分薄い厚さとなっている。また、台座プレート２０（２１，２２）および支持ダイアフラム５０の中央部分には、センサチップ３０に被測定流体を導くための導入孔５０ａが形成されている。

第１の台座プレート２１および第２の台座プレート２２は、酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアからなり、第１の台座プレート２１はケーシング１０の内面から離間させた状態で支持ダイアフラム５０の下面に接合され、第２の台座プレート２２はケーシング１０の内面から離間させた状態で支持ダイアフラム５０の上面に接合されている。

なお、各台座プレート２１，２２は、支持ダイアフラム５０の厚さに対して上述の通り十分に厚くなっており、かつ支持ダイアフラム５０を両台座プレート２１，２２でいわゆるサンドイッチ状に挟み込む構造を有している。これによって、支持ダイアフラム５０と台座プレート２０の熱膨張率の違いによって発生する熱応力でこの部分が反るのを防止している。

また、第２の台座プレート２２には酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアでできた上面視矩形状のセンサチップ３０が酸化アルミニウムベースの接合材を介して接合されている。なお、このセンサチップ３０の接合方法については、特許文献３に詳しく記載されているのでここでの説明は省略する。

センサチップ３０は上面視で１ｃｍ角以下の大きさを有し、四角角型の薄板からなるスペーサ３１と、スペーサ３１に接合されかつ圧力の印加に応じてひずみが生じるセンサダイアフラム３２と、センサダイアフラム３２に接合して真空の容量室（リファレンス室）３０Ａを形成するセンサ台座３３を有している。また、真空の容量室３０Ａと基準真空室１０Ａとはセンサ台座３３の適所に穿設された図示しない連通孔を介して共に同一の真空度を保っている。

なお、スペーサ３１、センサダイアフラム３２、及びセンサ台座３３はいわゆる直接接合によって互いに接合され、一体化したセンサチップ３０を構成している。このセンサチップ３０の構成要素とされるセンサダイアフラム３２が本発明でいうダイアフラムに相当する。

また、センサチップ３０の容量室３０Ａには、センサ台座３３の凹部３３ａに金又は白金等の導体でできた固定電極が形成されているとともに、これと対向するセンサダイアフラム３２の表面上に金又は白金等の導体でできた可動電極が形成されている。また、センサチップ３０の上面には金又は白金からなるコンタクトパッド３５，３６が形成され、これらの固定電極と可動電極はコンタクトパッド３５，３６と図示しない配線によって接続されている。

一方、電極リード部４０は電極リードピン４１と金属製のシールド４２とを備え、電極リードピン４１は金属製のシールド４２にガラスなどの絶縁性材料からなるハーメチックシール４３によってその中央部分が埋設され、電極リードピン４１の両端部間で気密状態を保っている。そして、電極リードピン４１の一端はハウジング１０の外部に露出して図示しない配線によって隔膜真空計１の出力を外部の信号処理部に伝達するようになっている。なお、シールド４２とカバー１３との間にも上述の通りハーメチックシール６０が介在している。また、電極リードピン４１の他方の端部には導電性を有するコンタクトバネ４５，４６が接続されている。

コンタクトバネ４５，４６は、ハウジング１０内に被測定流体が急に流れ込むことで発生する急激な圧力上昇により支持ダイアフラム５０が若干変移しても、コンタクトバネ４５，４６の付勢力がセンサチップ３０の測定精度に影響を与えない程度の十分な柔らかさを有している。

この隔膜真空計１において、導入管１４の管路の途中には、ハウジング１０の内部への液体（水）の侵入を防止するバッフル構造体７０が設けられている。バッフル構造体７０は、被測定流体の通過方向Ｆにその板面を直交させて対向配置されたニッケル合金からなる第１のバッフル７１と第２のバッフル７２とから構成されている。

図２に導入管１４の管路内におけるバッフル構造体７０の取付構造を示す。第１のバッフル７１は、第２のバッフル７２よりも被測定流体の通過方向Ｆの上流側に配置されており、第２のバッフル７２は、第１のバッフル７１よりも被測定流体Ｆの通過方向の下流側に配置されている。すなわち、バッフルを２段構えの構成とし、第１のバッフル（１段目のバッフル）７１を被測定流体の通過方向Ｆの上流側に配置し、第２のバッフル（２段目のバッフル）７２を被測定流体の通過方向Ｆの下流側に配置している。

また、第１のバッフル７１は、導入管１４の内径よりも小径の円板状のバッフルとされており、第２のバッフル７２は、導入管１４の内径とほゞ同径の円板状のバッフルとされている。第１のバッフル７１には、その外周縁面の数カ所に断面Ｌ字状の折曲片７１ａが形成されており、この折曲片７１ａを第２のバッフル７２の対向面に接合することによって第１のバッフル７１と第２のバッフル７２とが一体化されている。また、第２のバッフル７２には、その外周縁面の数カ所に立上片７２ａが形成されており、この立上片７２ａを導入管１４の管路の内壁面に接合することによって、第１のバッフル７１と第２のバッフル７２とからなるバッフル構造体７０が導入管１４の管路内に設置されている。

第１のバッフル７１の径は導入管１４の内径よりも小さいので、第１のバッフル７１の外周縁面と導入管１４の管路の内壁面との間に、環状の隙間７１ｂが生じている。この隙間７１ｂが本発明でいう「第１のバッフルが有する板面の周辺部の１つ以上の開口」（被測定流体の導通路（流路））に相当する。なお、第１のバッフル７１の径を導入管１４の内径とほゞ等しくし、その外周縁面を所定の角度間隔で切り欠いて、その板面の周辺部に開口を形成するようにしてもよい（後述する第３のバッフル７３の形状参照（図３））。

第２のバッフル７２には、その板面の中央部にのみ、被測定流体の導通路（流路）として開口７２ｂが形成されている。この開口７２ｂは小さく絞った穴であり、小さいほど水の侵入は減らせるが、隔膜真空計１の応答速度の仕様を満足させる程度の径をもつこととする。なお、第２のバッフル７２の径が導入管１４の内径とほゞ同径とされていることから、第２のバッフル７２の外周縁面と導入管１４の管路の内壁面との間には隙間は生じていない。

なお、本実施の形態において、導入管１４の下端１４ａからロアハウジング１１の底面までの距離Ｌ１は４５ｍｍ、導入管１４の下端１４ａから第１のバッフル７１の板面までの距離Ｌ２は３０〜３５ｍｍとされている。

また、この隔膜真空計１において、ロアハウジング１１の導入孔１１ａには、第３のバッフル７３が設けられている。図３に第３のバッフル７３の平面図を示す。第３のバッフル７３も、円板状とされ、その板面の周辺部に、被測定流体の導通路（流路）として開口７３ａが形成されている。この例では、第２のバッフル７２の外周部に、９０゜間隔で４つの切欠が開口７３ａとして形成されている。

また、この隔膜真空計１において、ハウジング１０の周囲にはハウジング１０の内部（センサ室）の温度を高温度に維持するためのヒータ（主ヒータ）８１が設置されており、バッフル構造体７０の設置位置を含む導入管１４の外周部にはヒータ（補助ヒータ）８２が設置されている。主ヒータ８１の周囲は断熱材９１により覆われており、補助ヒータ８２の周囲は断熱材９２により覆われている。

次に、この隔膜真空計１の動作について説明する。なお、この実施の形態において、隔膜真空計１は凍結乾燥装置の必要な場所に取付けられているものとする。

〔プロセス時の通常環境での被測定流体（気体）の微圧測定〕
凍結乾燥装置において、プロセス時の通常環境では、被測定流体（気体）が隔膜真空計１の導入管１４を経由し、導入孔１１ａを通って、センサダイアフラム３２に送られる。

この際、被測定流体（気体）が微圧であっても、センサチップ３０の容量室３０Ａ内は真空のため、センサダイアフラム３２が撓んで、センサチップ３０の固定電極と可動電極との間隔が変化する。これによって、固定電極と可動電極とで構成されたコンデンサの容量値（静電容量）が変化する。この静電容量の変化を電極リード部４０によって隔膜真空計１の外部に取り出すことで、被測定流体（気体）の微圧を測定することができる。

また、被測定流体（気体）は、センサダイアフラム３２に送られてくる際、導入管１４の管路内に設置されているバッフル構造体７０、すなわち第１のバッフル７１と第２のバッフル７２とを通る。また、導入孔１１ａに設置されている第３のバッフル７３を通る。

バッフル構造体７０を通る際、被測定流体（気体）は、第１のバッフル７１の板面に当たり、その周辺部の隙間（開口）７１ｂを通過して、第２のバッフル７２の板面に当たる。そして、この第２のバッフル７２の板面の中央部に形成されている開口７２ｂを通って、導入孔１１ａへ向かう。導入孔１１ａには第３のバッフル７３が設置されている。被測定流体（気体）は、この第３のバッフル７３の板面に当たり、その周辺部の開口７３ａを通過し、導入孔５０ａを通って、センサダイアフラム３２に送られる。これにより、センサダイアフラム３２に被測定流体（気体）が直接当たることがなく、被測定流体（気体）に含まれる汚染物質のセンサダイアフラム３２への堆積が防止される。

〔ＣＩＰ（非プロセス時の特殊環境）〕
凍結乾燥装置において、ＣＩＰ（非プロセス時の特殊環境）時には、導圧管１４からの液体（水）がハウジング１０の内部（センサ室）に侵入しようとする。

この場合、本実施の形態では、導圧管１４の管路の途中に設けられているバッフル構造体７０によって、ハウジング１０の内部（センサ室）への液体（水）の侵入が防止される。すなわち、バッフル構造体７０において、第１のバッフル（１段目のバッフル）７１は、その板面の周辺部に隙間（開口）７１ｂを有し、第２のバッフル（２段目のバッフル）７２は、その板面の中央部にのみ開口７２ｂを有している。これにより、第１のバッフル７１と第２のバッフル７２とで流体の通過位置が異なるものとなり、気体に比べると流動性の低い液体（水）が通過しにくくなり、センサダイアフラム３２に到達する液体（水）の量が減少する。

本実施の形態では、導入管１４の管路の途中に設けられたバッフル構造体７０によってハウジング１０の内部への液体（水）の侵入が防止されるので、すなわち導入孔１１ａよりも離れた位置でハウジング１０の内部（センサ室）への液体（水）の侵入が防止されので、センサ室内の温度低下が防がれるものとなる。これにより、センサ部の冷却履歴に影響を与えることなく、ハウジング１０の内部への液体（水）の侵入を防止し、零点シフトなどの不具合の発生を低減することができるようになる。

また、本実施の形態では、特許文献１の構造（図５参照）と比べ、１段目のバッフル７１は円板状としその板面の周辺部に隙間（開口）７１ｂが生じるようにするのみでよく、また２段目のバッフル７２は、その板面の中央部にのみ開口７２ｂを設ければよく、その構造が簡単となる。また、１段目のバッフル７１と２段目のバッフル７２の何れかを回転させても流体の通過位置の距離は変わらないので、製造も簡単となる。これにより、特許文献１の２段構成のバッフルよりも、低コスト化が実現されるものとなる。

なお、本実施の形態では、導入管１４の管路の途中にバッフル構造体７０を設けるので、ＣＩＰを行う場合、バッフル構造体７０の設置位置からハウジング１０までの導入管１４の管路内の洗浄を行うことができない。このため、その導入管１４の管路内に、菌が発生する虞がある。すなわち、ハウジング１０の周囲に設置されている主ヒータ８１だけでは導入管１４の管路内の温度を所定温度以上（例えば、１２１℃以上）とすることができず、導入管１４の管路内に菌が発生する虞がある。このような虞をなくすため、本実施の形態では、補助ヒータ８２を設け、少なくともバッフル構造体７０の設置位置からハウジング１０の導入孔１１ａまでの間の導入管１４の外周部を加熱し、導入管１４の管路内の温度を所定温度（例えば、１２１℃以上）以上に維持（滅菌保障を維持）するようにしている。

なお、上述した実施の形態では、導入孔１１ａに第３のバッフル７３を設けるようにしたが、第３のバッフル７３は省略するようにしてもよい。すなわち、導入管１４の管路の途中のバッフル構造体７０のみとしてもよい。また、上述した実施の形態では、ヒータを主ヒータ８１と補助ヒータ８２とに分けるようにしたが、主ヒータ８１と補助ヒータ８２とを一体化し、１つのヒータで主ヒータ８１と補助ヒータ８２との役割を果たすようにしてもよい。

また、上述した実施の形態では、第１のバッフル７１を１段目のバッフルとして被測定流体の通過方向Ｆの上流側に配置し、第２のバッフル７２を２段目のバッフルとして被測定流体の通過方向Ｆの下流側に配置するようにしたが、第２のバッフル７２を１段目のバッフルとして被測定流体の通過方向Ｆの上流側に配置し、第１のバッフル７１を２段目のバッフルとして被測定流体の通過方向Ｆの下流側に配置するようにしてもよい。

〔実施の形態の拡張〕
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。

１…隔膜真空計（静電容量型圧力センサ）、１０…ハウジング、１１…ロアハウジング、１１ａ…導入孔、１２…アッパーハウジング、１３…カバー、１４…導入管、２０…台座プレート、２１…第１の台座プレート、２２…第２の台座プレート、３０…センサチップ、３１…スペーサ、３２…センサダイアフラム、３３…センサ台座、５０…支持ダイアフラム、７０…バッフル構造体、７１…第１のバッフル（１段目のバッフル）、７１ｂ…隙間（開口）、７２…第２のバッフル（２段目のバッフル）、７２ｂ…開口、７３…第３のバッフル、７３ａ…開口、８１…ヒータ（主ヒータ）、８２…ヒータ（補助ヒータ）。

Claims (3)

1. 被測定流体の導入孔を有するハウジングと、
   前記導入孔に前記被測定流体を導く導入管と、
   前記導入管を経由し前記導入孔を通って前記ハウジングの内部に導かれてくる被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出するセンサチップとを備えた静電容量型圧力センサにおいて、
   前記導入管の管路の途中に前記ハウジングの内部への液体の侵入を防止するバッフル構造体が設けられている
   ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
2. 請求項１に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
   前記バッフル構造体は、
   前記被測定流体の通過方向にその板面を直交させて対向配置された板状の第１および第２のバッフルを備え、
   前記第１のバッフルは、
   前記第２のバッフルよりも前記被測定流体の通過方向の上流側に配置され、前記板面の周辺部に１つ以上の開口を有し、
   前記第２のバッフルは、
   前記第１のバッフルよりも前記被測定流体の通過方向の下流側に配置され、前記板面の中央部にのみ開口を有する
   ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
3. 請求項１又は２に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
   少なくとも前記バッフル構造体の設置位置から前記ハウジングの導入孔までの間の前記導入管の外周部を加熱するヒータ
   を備えることを特徴とする静電容量型圧力センサ。

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