JP4822339B2 - Vacuum device equipped with power supply mechanism and power supply method - Google Patents

Vacuum device equipped with power supply mechanism and power supply method Download PDF

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Description

本発明は真空槽内の回転体に電力を供給する装置の給電機構に関し、特に成膜基板を搭載し双方向に回転自在に配置される基板ドームに高周波電力を供給する装置の給電機構に関する。   The present invention relates to a power supply mechanism for a device that supplies power to a rotating body in a vacuum chamber, and more particularly to a power supply mechanism for a device that mounts a film formation substrate and supplies high-frequency power to a substrate dome that is rotatably arranged in both directions.

真空蒸着法等において、真空槽内部へ導入したガスを電離させ、発生した陽イオンによって蒸着分子を基板へ押し付けることにより密着力が強く緻密な薄膜を形成する手法を一般的にIon Assisted Deposition (以下「IAD」という)と呼ぶ。   Ion Assisted Deposition (hereinafter referred to as “Ion Assisted Deposition”) is a method for forming a dense thin film with strong adhesion by ionizing the gas introduced into the vacuum chamber and pressing the deposited molecules against the substrate by the generated cations. Called "IAD").

図4はIAD法を用いた高周波電圧直接印加方式の光学薄膜用真空蒸着装置の概略図であり、以下同図に示す装置における薄膜形成の概要を説明する。
真空槽1には成膜基板5を搭載する基板ドーム2、基板ドーム2に高周波電圧を印加する給電機構300、基板ドーム回転機構4、坩堝に充填された蒸着材料6、蒸着材料6を蒸発温度まで加熱する電子銃8、蒸着完了時に閉じ蒸着材料を遮蔽するシャッター7、基板加熱用ヒーター9などが配置される。
FIG. 4 is a schematic diagram of a vacuum deposition apparatus for optical thin films of the high frequency voltage direct application method using the IAD method, and the outline of thin film formation in the apparatus shown in FIG.
The vacuum chamber 1 has a substrate dome 2 on which a film formation substrate 5 is mounted, a power feeding mechanism 300 for applying a high-frequency voltage to the substrate dome 2, a substrate dome rotation mechanism 4, a vapor deposition material 6 filled in a crucible, and a vapor deposition material 6 at an evaporation temperature. An electron gun 8 that heats the film, a shutter 7 that closes when the vapor deposition is completed and shields the vapor deposition material, and a heater 9 for heating the substrate are arranged.

同図に示す装置により蒸着を行なう場合は、まず基板ドーム2に成膜基板5を設置し、基板ドーム回転機構4により基板ドーム2を回転させ、基板加熱用ヒーター9用いて成膜基板5を加熱する。真空度および基板温度が目標値に到達した時点で電子銃8から電子ビームを蒸着材料6へ照射し、蒸着材料6を蒸発温度まで昇温させる。給電機構300を用いて基板ドーム2に高周波電圧を印加することにより、導入したガスをイオン化し、真空槽1内部にプラズマを発生させる。シャッター7を開くと蒸着材料6は真空槽内を飛散し、イオンにアシストされて成膜基板5上に堆積することで緻密な薄膜を形成する。膜厚が目標値に到達したらシャッター7を閉じ、電子銃8、基板加熱用ヒーター9、給電機構300などを停止させ、冷却後真空槽内に大気を導入した後薄膜が形成された成膜基板5を取り出す。
上記の真空蒸着装置は、例えば特許文献1などに開示される。
When vapor deposition is performed using the apparatus shown in the figure, the film formation substrate 5 is first installed on the substrate dome 2, the substrate dome 2 is rotated by the substrate dome rotation mechanism 4, and the film formation substrate 5 is removed using the substrate heating heater 9. Heat. When the degree of vacuum and the substrate temperature reach the target values, the electron gun 8 irradiates the deposition material 6 with an electron beam, and raises the deposition material 6 to the evaporation temperature. By applying a high frequency voltage to the substrate dome 2 using the power supply mechanism 300, the introduced gas is ionized and plasma is generated inside the vacuum chamber 1. When the shutter 7 is opened, the vapor deposition material 6 scatters in the vacuum chamber and is assisted by ions and deposited on the film formation substrate 5 to form a dense thin film. When the film thickness reaches the target value, the shutter 7 is closed, the electron gun 8, the substrate heating heater 9, the power feeding mechanism 300, etc. are stopped, and after cooling, the atmosphere is introduced into the vacuum chamber and the thin film substrate is formed. 5 is taken out.
Said vacuum evaporation apparatus is disclosed by patent document 1, etc., for example.

図6は給電機構300とその周辺機器の詳細概略図である。図5(b)に給電機構300の概略平面図を、図5(b)に図5(a)に示すZ-Z´線の概略断面図を示す。図5(b)に示す平面図は、真空槽内部に取付け配置された給電機構300を、底板方向から天板方向に見上げた図とする。以下、図5および図6を参照に、従来の給電機構300を説明する。   FIG. 6 is a detailed schematic diagram of the power feeding mechanism 300 and its peripheral devices. FIG. 5B is a schematic plan view of the power feeding mechanism 300, and FIG. 5B is a schematic cross-sectional view taken along the line Z-Z 'shown in FIG. The plan view shown in FIG. 5B is a view in which the power supply mechanism 300 mounted and arranged inside the vacuum chamber is looked up from the bottom plate direction to the top plate direction. Hereinafter, a conventional power feeding mechanism 300 will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

給電機構300は、真空槽1外部に設置した図示しない高周波電源から真空槽1とは電気的に絶縁された状態で銅板28により高周波電力が印加される円板形状のベース301、回転体に接触し電力を供給するための電極であるコンタクト302、コンタクト302を固定配置するコンタクトベース303、ベースに固定配置されコンタクトベースを保持する2本のピン307、ベース301からコンタクトベース303への高周波電力の供給を補助する給電薄板304、ベース301とコンタクトベース303との間に配置された2本のスプリング305により構成される。コンタクト302、コンタクトベース303、給電薄板304、スプリング305、ピン307、は1つのコンタクトユニットを形成し、ベース301には複数のコンタクトユニットが配置される。   The power feeding mechanism 300 is in contact with a disc-shaped base 301 to which a high frequency power is applied by a copper plate 28 from a high frequency power source (not shown) installed outside the vacuum chamber 1 and electrically insulated from the vacuum chamber 1, and a rotating body. A contact 302 that is an electrode for supplying electric power, a contact base 303 that fixes and arranges the contact 302, two pins 307 that are fixedly arranged on the base and hold the contact base, and high-frequency power from the base 301 to the contact base 303 The power supply thin plate 304 assists the supply, and includes two springs 305 disposed between the base 301 and the contact base 303. The contact 302, the contact base 303, the power feeding thin plate 304, the spring 305, and the pin 307 form one contact unit, and a plurality of contact units are arranged on the base 301.

基板ドーム2、ドームキャッチャー51、ドームアダプター50、給電プレート52により構成される回転体は、真空槽1内部に電気的絶縁状態かつ回転自在に配置され、一体となって回転する。給電プレート52はドームアダプター50の上方に固定配置され、給電プレート52の上方に給電機構300が配置される。図8に、給電プレート52にコンタクト302が接触する様子を概略的に示す。同図は給電プレート52を真空槽の天板方向から底板方向に見下ろした図面であり、コンタクトユニットは4つ配置され、コンタクト302のみを示すものとする。給電プレート52は中心部に同心円の孔を設けた円板形状により構成され、各ユニットのコンタクト302は長手方向が給電プレート52の回転中心から放射状に配列するよう取付けられる。
給電機構300は真空槽天板に絶縁碍子27を介して真空槽と電気的絶縁状態に配置される。電極であるコンタクト302は、給電プレート52に接触し、回転体に高周波電圧を印加する。回転体は碍子等を用いて真空槽内部に配置されるため、電力は給電機構に接触する回転体にのみ供給される。これにより回転体である基板ドーム2に高周波電圧を印加し、IADによる成膜が可能となる。
A rotating body constituted by the substrate dome 2, the dome catcher 51, the dome adapter 50, and the power feeding plate 52 is disposed in an electrically insulated state and freely rotatable inside the vacuum chamber 1, and rotates together. The power feeding plate 52 is fixedly disposed above the dome adapter 50, and the power feeding mechanism 300 is disposed above the power feeding plate 52. FIG. 8 schematically shows how the contact 302 contacts the power feeding plate 52. This figure is a view in which the power feeding plate 52 is looked down from the top plate direction to the bottom plate direction of the vacuum chamber. Four contact units are arranged and only the contacts 302 are shown. The power feeding plate 52 is formed in a disc shape having a concentric hole at the center, and the contacts 302 of each unit are attached so that the longitudinal direction is radially arranged from the rotation center of the power feeding plate 52.
The power feeding mechanism 300 is disposed on the vacuum chamber top plate in an electrically insulated state from the vacuum chamber via an insulator 27. The contact 302 as an electrode contacts the power feeding plate 52 and applies a high frequency voltage to the rotating body. Since the rotating body is disposed inside the vacuum chamber using an insulator or the like, electric power is supplied only to the rotating body that contacts the power feeding mechanism. As a result, a high frequency voltage is applied to the substrate dome 2 that is a rotating body, and film formation by IAD becomes possible.

コンタクトベース303に設けられた2つの貫通穴306には2本のピン307が挿通され、コンタクトベース303およびそれに固定されるコンタクト302は、ピン307に沿って移動可能に保持される。ピン307の外周にはスプリング305が配置され、スプリング305の弾性力によりコンタクトベース303を介してコンタクト302に給電プレート52を押圧する力を与えている。コンタクト302の断面は円弧形状とし、円弧曲面が給電プレート52に接触する。   Two pins 307 are inserted into the two through holes 306 provided in the contact base 303, and the contact base 303 and the contacts 302 fixed thereto are held movably along the pins 307. A spring 305 is disposed on the outer periphery of the pin 307, and a force for pressing the power feeding plate 52 is applied to the contact 302 via the contact base 303 by the elastic force of the spring 305. The contact 302 has a circular arc cross section, and the circular arc curved surface contacts the power feeding plate 52.

ところで、従来のコンタクトユニットは、回転体である給電プレートに対して垂直方向に配置された2本のピンに沿って往復動作しているが、これが動作不良の原因となっていた。図7を参照に、従来機構であるコンタクトに加えられる外力を説明する。コンタクト302にはコンタクトの自重や、バネの弾性力によりコンタクト302から給電プレート52に加える力に等しい力f4が給電プレート52から加えられる。更に、基板ドーム2が回転することにより、給電プレート52から回転の方向(同図矢印c方向)に力f5が加えられる。コンタクト302には、これらの力f4、f5を加算した総力f6が加えられるが、従来機構では、コンタクト302に加えられる総力f6の方向とコンタクト302の動作方向(同図矢印d方向)が一致していないため、動作不良の原因となっていた。また、従来機構では、コンタクト302の長手方向が回転の中心に対して放射状に配置されるため、コンタクト302と給電プレート52の接触位置によって回転方向の力f5が異なっていた。図8は従来のコンタクト302の各点に加えられる力の方向と大きさを概略的に示した図である。回転方向(同図矢印e方向)の力f5は速度に比例するため、速度の遅い中心側f5´と速度の速い外周側f5″では力の大きさが異なり、コンタクトにねじれるような力(同図矢印f)が発生してしまっていた。   By the way, the conventional contact unit reciprocates along two pins arranged in the vertical direction with respect to the power feeding plate which is a rotating body, which causes a malfunction. With reference to FIG. 7, the external force applied to the contact which is a conventional mechanism will be described. A force f4 equal to the force applied from the contact 302 to the power feeding plate 52 due to its own weight or the elastic force of the spring is applied to the contact 302 from the power feeding plate 52. Further, as the substrate dome 2 rotates, a force f5 is applied from the power supply plate 52 in the direction of rotation (the direction of arrow c in the figure). A total force f6 obtained by adding these forces f4 and f5 is applied to the contact 302. However, in the conventional mechanism, the direction of the total force f6 applied to the contact 302 and the operation direction of the contact 302 (direction of arrow d in the figure) match. This was the cause of malfunction. Further, in the conventional mechanism, the longitudinal direction of the contact 302 is arranged radially with respect to the center of rotation, so that the force f5 in the rotational direction differs depending on the contact position between the contact 302 and the power feeding plate 52. FIG. 8 is a diagram schematically showing the direction and magnitude of the force applied to each point of the conventional contact 302. Since the force f5 in the rotation direction (arrow e direction in the figure) is proportional to the speed, the magnitude of the force differs between the slow speed center side f5 ′ and the fast speed outer circumference side f5 ″, and the force that twists the contact (same as above). An arrow f) has occurred.

そこで、特許文献2では上記の問題に対処するため、コンタクトにねじれの力がかからないようにするとともに、コンタクトにかかる力方向にコンタクトが可動となるように工夫がなされている。
図9から図11に特許文献2の給電機構の実施例を説明するが、先に説明した図5から図8と同様の部分には同一符号を付して説明を省略する。図9は給電機構周辺の概略図であり、図10は給電機構とその周辺機構の概略図である。
Therefore, in order to cope with the above-described problem, Patent Document 2 has been devised so that a twisting force is not applied to the contact and the contact is movable in the direction of the force applied to the contact.
The embodiment of the power feeding mechanism disclosed in Patent Document 2 will be described with reference to FIGS. 9 to 11. However, the same parts as those in FIGS. FIG. 9 is a schematic diagram around the power feeding mechanism, and FIG. 10 is a schematic diagram of the power feeding mechanism and its peripheral mechanisms.

図9に示す給電機構350は、ユニットベース351、回転体に接触し電力を供給する電極であるコンタクト352、ユニットベース351に固定配置され凹部を有するスプリングベース354、ユニットベース351に配置され凹部を有するコンタクトベース353、ユニットベース351にコンタクトベース353を取付けるピン357、スプリングベース354の凹部とコンタクトベース353の凹部に嵌入されるスプリング355、ユニットベース351からコンタクト352に電力を供給する給電薄板356、給電薄板356の一端を挟み込んだ状態でコンタクト352とコンタクトベース353を固定する皿ビス358、給電薄板356の他端を挟み込んだ状態でスプリングベース354に固定する給電薄板押え360により構成される。図10は概略側面図を、図11は真空槽内部に取付け配置された給電機構350を、底板方向から天板方向に見上げた概略平面図を示す。   The power supply mechanism 350 shown in FIG. 9 includes a unit base 351, a contact 352 that is an electrode that contacts the rotating body and supplies power, a spring base 354 that is fixedly disposed on the unit base 351, and has a recess, and a recess that is disposed on the unit base 351. A contact base 353, a pin 357 for attaching the contact base 353 to the unit base 351, a spring 355 fitted into the recess of the spring base 354 and the recess of the contact base 353, a power supply thin plate 356 for supplying power from the unit base 351 to the contact 352, A plate screw 358 that fixes the contact 352 and the contact base 353 with one end of the power feeding thin plate 356 sandwiched therebetween, and a power feeding thin plate retainer 360 that is secured to the spring base 354 with the other end of the power feeding thin plate 356 sandwiched therebetween. It is. FIG. 10 is a schematic side view, and FIG. 11 is a schematic plan view of the power feeding mechanism 350 mounted and arranged inside the vacuum chamber as viewed from the bottom plate direction to the top plate direction.

図10に示す給電リング20、ドームアダプター21、基板ドーム2は回転体を構成し、真空槽内部に電気的絶縁状態で配置される。具体的には、回転機構4に絶縁碍子25を介して給電リング20を固定し、給電リング20にドームアダプター21を、ドームアダプター21に基板ドーム22を取付け固定する。回転体には周辺機構とは電気的絶縁状態に、給電機構350から電力が供給される。基板ドーム2には成膜基板5が搭載され、給電機構350から基板ドーム2に高周波電力を印加することによりIADによる緻密な薄膜を堆積させる動作は特許文献1のものと同様である。   The power feeding ring 20, the dome adapter 21, and the substrate dome 2 shown in FIG. 10 constitute a rotating body and are arranged in an electrically insulated state inside the vacuum chamber. Specifically, the power supply ring 20 is fixed to the rotation mechanism 4 via the insulator 25, and the dome adapter 21 is attached to the power supply ring 20 and the substrate dome 22 is fixed to the dome adapter 21. The rotating body is supplied with electric power from the power supply mechanism 350 in an electrically insulated state from the peripheral mechanism. The film forming substrate 5 is mounted on the substrate dome 2, and the operation of depositing a dense thin film by IAD by applying high-frequency power from the power supply mechanism 350 to the substrate dome 2 is the same as that of Patent Document 1.

給電機構350はベース31に取付けられ、ベース31は真空槽内部に電気的絶縁状態で固定配置される。実施例では、真空槽天板に碍子27を介して固定配置されるベース31下部に、下方からユニットベース351を取付ける。真空槽外部に配置される図示しない高周波電源に接続する銅板28によりベース31に印加された高周波電力は、ユニットベース351、スプリングベース354、給電薄板356、コンタクト352を介して給電リング20に供給され、ドームアダプター21を介して基板ドーム2に印加される。図10では真空槽内部においてRF(Radio Frequency、即ち、高周波)が印加される部分を色づけし、碍子を斜線で表した。   The power feeding mechanism 350 is attached to the base 31, and the base 31 is fixedly disposed in an electrically insulated state inside the vacuum chamber. In the embodiment, the unit base 351 is attached from below to the lower part of the base 31 fixedly arranged on the vacuum chamber top plate via the insulator 27. The high frequency power applied to the base 31 by the copper plate 28 connected to a high frequency power source (not shown) disposed outside the vacuum chamber is supplied to the power supply ring 20 via the unit base 351, the spring base 354, the power supply thin plate 356, and the contact 352. And applied to the substrate dome 2 through the dome adapter 21. In FIG. 10, the portion where RF (Radio Frequency, ie, high frequency) is applied inside the vacuum chamber is colored, and the insulator is represented by diagonal lines.

給電機構350から回転体への電力供給は、給電機構350のコンタクト352が、回転する給電リング20に接触することにより行われる。給電リング20は円筒形状とし、円筒の内壁面にコンタクト352を接触させる構成とした。コンタクト352は、給電リング20に面接触する形状とすることにより接触面積を増大させて給電を安定させている。   The power supply from the power supply mechanism 350 to the rotating body is performed when the contact 352 of the power supply mechanism 350 contacts the rotating power supply ring 20. The power feeding ring 20 was formed in a cylindrical shape, and the contact 352 was brought into contact with the inner wall surface of the cylinder. The contact 352 has a shape in surface contact with the power feeding ring 20, thereby increasing the contact area and stabilizing power feeding.

更に、円筒形状である給電リング20の壁面にコンタクト352を接触させることにより、コンタクト352に図8の構成のようにねじれの力が発生することはなく、動作不良を削減させることが可能となる。これは、給電リング20とコンタクト352との各接触面において、給電リング20からコンタクト352に加えられる回転方向の力が等しいことに起因する。   Further, by bringing the contact 352 into contact with the cylindrical wall surface of the power supply ring 20, no twisting force is generated in the contact 352 as in the configuration of FIG. 8, and malfunctions can be reduced. . This is because the rotational force applied from the power supply ring 20 to the contact 352 is equal at each contact surface between the power supply ring 20 and the contact 352.

図9(e)は図9(b)に示すY-Y´線の概略断面図を示す。スプリングベース354はユニットベース351にビス留め等により固定し、コンタクトベース353はユニットベース351に自由度を持って取付ける。具体的には、コンタクトベース353に貫通孔363を形成し、貫通孔363にピン357を挿通してユニットベース351に取付けることによりピン357を支点に回転動作可能に取付ける。図9(d)は図9(b)に示すX-X´線の概略断面図を示す。スプリング355は収縮し弾性力を保持した状態で凹部に嵌入することにより、給電リング20に対してコンタクト352を押圧させる構成とする。   FIG. 9E shows a schematic cross-sectional view taken along the line YY ′ shown in FIG. The spring base 354 is fixed to the unit base 351 with screws or the like, and the contact base 353 is attached to the unit base 351 with flexibility. Specifically, a through hole 363 is formed in the contact base 353, and a pin 357 is inserted into the through hole 363 and attached to the unit base 351, so that the pin 357 is attached to the fulcrum so as to be rotatable. FIG. 9D is a schematic cross-sectional view taken along line XX ′ shown in FIG. The spring 355 is configured to press the contact 352 against the power supply ring 20 by being fitted into the recess while contracting and holding the elastic force.

図11を参照にコンタクト352に加えられる外力を説明する。
コンタクト352はスプリング355により給電リング20に押圧されるため、コンタクト352には給電リング20から押し返される方向の力f1が加えられる。また、基板ドーム2が回転を始めると、コンタクト352には給電リング20から回転方向(同図矢印a方向)の力f2が加えられる。コンタクト352にはこれらf1とf2を加算した総力f3が加えられることになる。これに対し、実施例のコンタクト352の可動方向(同図矢印b方向)は、コンタクト352に加えられる総力f3方向と略一致するため、回転に対して常に安定した動作が可能となる。
特開2001−073136号公報 特開2006−31952号公報
The external force applied to the contact 352 will be described with reference to FIG.
Since the contact 352 is pressed against the power feeding ring 20 by the spring 355, a force f1 in a direction in which the contact 352 is pushed back from the power feeding ring 20 is applied. Further, when the substrate dome 2 starts to rotate, a force f <b> 2 in the rotational direction (direction of arrow “a”) is applied from the power supply ring 20 to the contact 352. A total force f3 obtained by adding these f1 and f2 is applied to the contact 352. In contrast, the movable direction of the contact 352 according to the embodiment (the direction of arrow b in the figure) substantially coincides with the direction of the total force f3 applied to the contact 352, so that a stable operation with respect to the rotation is always possible.
JP 2001-073136 A JP 2006-31952 A

特許文献2の構成は従来のコンタクト機構の欠点を補うものではあるが、回転電極が1方向のみに回転する場合にしか対応していない。即ち、図11に示した(f1)と(f2)との合力方向にコンタクトが可動となるように構成されているが、回転電極が逆方向に回転した場合に加わる(f1)と(−f2)との合力方向にはコンタクトは可動ではない。
ここで、図1のように3個以上の蒸着源を用いた混合蒸着を考えると、回転によって蒸着材料の堆積に順序ができるが、特許文献2では基板ドームの回転方向は一定なので、一定の順序でしか形成することができない。例えば、図1の蒸着材料6A、6B及び6Cに対して、1つの成膜基板5に対して、・・・→6A→6B→6C→6A→6B→・・・のような混合蒸着膜を容易に形成することはできても、・・・→6A→6C→6B→6A→6C→・・・のような混合蒸着膜を形成することはできない。
Although the configuration of Patent Document 2 compensates for the drawbacks of the conventional contact mechanism, it only supports the case where the rotating electrode rotates in only one direction. In other words, the contact is movable in the resultant direction of (f1) and (f2) shown in FIG. 11, but added when the rotating electrode rotates in the opposite direction (f1) and (−f2). The contact is not movable in the resultant force direction.
Here, when considering mixed vapor deposition using three or more vapor deposition sources as shown in FIG. 1, the deposition material can be deposited in order by rotation. However, in Patent Document 2, the rotation direction of the substrate dome is constant. Can only be formed in order. For example, for the vapor deposition materials 6A, 6B and 6C in FIG. 1, a mixed vapor deposition film such as... → 6A → 6B → 6C → 6A → 6B →. Even though it can be formed easily, it is impossible to form a mixed vapor deposition film such as... → 6A → 6C → 6B → 6A → 6C →.

従って、3つ以上の蒸着源を用いて自在に混合蒸着膜を形成するために、基板ドーム、即ち、回転電極を双方向に回転させてもコンタクトにかかる力を適切に制御できる機構が必要となる。
また、上述してきたように、給電機構は基板ドームの中心付近の限られたスペースに収まる構成でなければない。しかも、高い信頼性を得るために少ない部品点数で簡素な構成とすることが望ましい。
Therefore, in order to freely form a mixed vapor deposition film using three or more vapor deposition sources, a mechanism capable of appropriately controlling the force applied to the contact even when the substrate dome, that is, the rotating electrode is rotated in both directions, is required. Become.
Further, as described above, the power feeding mechanism must be configured to fit in a limited space near the center of the substrate dome. Moreover, it is desirable to have a simple configuration with a small number of parts in order to obtain high reliability.

本発明の第1の側面は、真空槽、真空槽内部に配置された回転電極、及び回転電極に接触して電力を供給する給電機構からなる真空装置であって、回転電極が第1の回転方向及び第1の回転方向とは逆の第2の回転方向に水平回転するように構成され、給電機構が回転電極との接触部を構成する少なくとも1つのコンタクトを備え、接触部における回転電極に対する法線方向又は垂線方向であってコンタクトがある方向と、接触部の接線方向であって第1の回転方向が向く方向と、の狭角方向及びその反対方向を第1の方向と定義し、接触部における回転電極に対する法線方向又は垂線方向であってコンタクトがある方向と、接触部の接線方向であって第2の回転方向が向く方向と、の狭角方向及びその反対方向を第2の方向と定義した場合、コンタクトが、給電機構上の第1の支点を中心に第1の方向に可動であり、かつ、給電機構上の第2の支点を中心に第2の方向に可動となるように構成した真空装置である。   A first aspect of the present invention is a vacuum apparatus including a vacuum chamber, a rotating electrode disposed inside the vacuum chamber, and a power feeding mechanism that supplies power in contact with the rotating electrode. And a second rotation direction opposite to the first rotation direction and the second rotation direction. The power supply mechanism includes at least one contact that forms a contact portion with the rotation electrode. The first direction is defined as the narrow direction and the opposite direction between the normal direction or the normal direction and the direction in which the contact is present, and the tangential direction of the contact portion and the first rotation direction. A narrow-angle direction and a direction opposite to the second direction are a normal direction or a perpendicular direction to the rotating electrode in the contact portion and a direction in which the contact is present, and a tangential direction of the contact portion and a direction in which the second rotation direction faces. When defined as the direction of A vacuum device configured such that the contact is movable in a first direction around a first fulcrum on the power feeding mechanism and movable in a second direction around a second fulcrum on the power feeding mechanism. It is.

ここで、真空槽に対して直接又は間接に固定されたベース、第1の支点によってベースに回転可能に支持された第1のコンタクトベース、及び第2の支点によって第1のコンタクトベースに回転可能に支持された第2のコンタクトベースを備え、コンタクトが第2のコンタクトベースに保持されるようにした。さらに、回転電極に対してコンタクトを押圧する少なくとも1つの弾性体を設けた。また、回転電極を環形状として、さらに、接触部を回転電極の内側面に配置した。   Here, the base fixed directly or indirectly to the vacuum chamber, the first contact base rotatably supported on the base by the first fulcrum, and the first contact base rotatable by the second fulcrum And a second contact base supported by the second contact base so that the contact is held by the second contact base. Furthermore, at least one elastic body that presses the contact against the rotating electrode is provided. Moreover, the rotating electrode was made into a ring shape, and the contact portion was further arranged on the inner surface of the rotating electrode.

またさらに、回転電極を、成膜基板が搭載される基板ドーム及びコンタクトと接触部を形成する回転筒または回転平板で構成し、真空装置が、さらに、蒸着材料を蒸発させる少なくとも3つの蒸発源を基板ドームに対向する位置に備え、その少なくとも3つの蒸発源が基板ドームの回転軸に対して同心円状に配置されるようにした。   Furthermore, the rotating electrode is composed of a substrate dome on which the film formation substrate is mounted and a rotating cylinder or a rotating plate that forms a contact portion with the contact, and the vacuum device further includes at least three evaporation sources for evaporating the vapor deposition material. In preparation for the position facing the substrate dome, at least three evaporation sources are arranged concentrically with respect to the rotation axis of the substrate dome.

本発明により、小型で簡素な構成により、双方向に回転する回転体へ安定した電力を供給することが可能となり、複数の蒸着材料を用いて所望の順序の膜を形成できる真空装置を提供することが可能となった。   According to the present invention, it is possible to supply a stable power to a rotating body that rotates in both directions with a small and simple configuration, and to provide a vacuum apparatus that can form a film in a desired order using a plurality of vapor deposition materials. It became possible.

実施例1.
図1乃至図3を参照に本発明に係る給電機構の実施例を説明するが、従来技術を説明する図4から図11と同様の部分には同一符号を付して説明を省略する。
Example 1.
An embodiment of the power feeding mechanism according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3, but the same reference numerals are given to the same parts as those in FIGS.

図1は本発明の光学薄膜用真空蒸着装置の概略図である。図4との違いは、蒸着材料6が複数配置されていることである。具体的には、図1(a)の底面部分を見下ろす図である図1(b)に示すように、蒸着材料6A、6B及び6Cが真空槽1の底面にほぼ同心円状に配置されている。そして、図2に示すように、回転機構4によって基板ドーム2は2方向に回転される。即ち、図2の左側矢印の方向に基板ドーム2を回転すれば、1つの成膜基板5について、蒸着の順序は・・・→6A→6B→6C→6A→・・・となり、右側矢印の方向に回転すれば、・・・→6C→6B→6A→6C→・・・となるが、回転方向を適宜反転することにより、任意の順序で成膜することができる。そして、このような双方向の回転に対しても好適な構成を以下に説明する。   FIG. 1 is a schematic view of a vacuum deposition apparatus for an optical thin film according to the present invention. The difference from FIG. 4 is that a plurality of vapor deposition materials 6 are arranged. Specifically, vapor deposition materials 6A, 6B, and 6C are arranged substantially concentrically on the bottom surface of the vacuum chamber 1, as shown in FIG. . Then, as shown in FIG. 2, the substrate dome 2 is rotated in two directions by the rotation mechanism 4. That is, if the substrate dome 2 is rotated in the direction of the left arrow in FIG. 2, the order of vapor deposition is as follows: → 6A → 6B → 6C → 6A →. When rotating in the direction, the order becomes .fwdarw.6C.fwdarw.6B.fwdarw.6A.fwdarw.6C.fwdarw .. However, the film can be formed in any order by appropriately reversing the direction of rotation. A configuration suitable for such bidirectional rotation will be described below.

図2(a)は給電機構3付近の概略図であり、図2(b)は給電リング20と給電機構3との関係を底面方向から見上げる方向で示す図である。図9との違いは各コンタクトユニットの構成にある。
図3に示すように、各コンタクトユニットは、ベース31に第1のリンク軸34を支点として回転可能に支持される第1のコンタクトベース32、第1のコンタクトベース32に第2のリンク軸35を支点として回転可能に支持される第2のコンタクトベース33、第2のコンタクトベース33に固定されたコンタクト30からなり、さらに、ベース31と第2のコンタクトベース33に両端を固定され、第1のコンタクトベース32を貫通して設けられたコイルスプリング36を備える。そして、ベース31とコンタクト30との間に給電薄板37が接続され、ベース31からコンタクト30に電力を供給する。給電薄板37はある程度の屈曲が可能な状態で接続される。なお、上記高周波電力の印加経路を構成する部品は、例えば銅などの導電性の高い材質により構成することが望ましい。また、コイルスプリング36には、例えばインコネルなど耐熱性および耐食性の高い金属を用いればよい。
FIG. 2A is a schematic view of the vicinity of the power feeding mechanism 3, and FIG. 2B is a diagram showing the relationship between the power feeding ring 20 and the power feeding mechanism 3 in a direction looking up from the bottom surface direction. The difference from FIG. 9 is the configuration of each contact unit.
As shown in FIG. 3, each contact unit includes a first contact base 32 that is rotatably supported by a base 31 with a first link shaft 34 as a fulcrum, and a second link shaft 35 that is supported by the first contact base 32. And a contact 30 fixed to the second contact base 33, and both ends thereof are fixed to the base 31 and the second contact base 33. The coil spring 36 is provided through the contact base 32. A power feeding thin plate 37 is connected between the base 31 and the contact 30, and power is supplied from the base 31 to the contact 30. The feeding thin plate 37 is connected in a state where it can be bent to some extent. It is desirable that the components constituting the high-frequency power application path be made of a highly conductive material such as copper. The coil spring 36 may be made of a metal having high heat resistance and corrosion resistance, such as Inconel.

次に、コンタクトユニットの動作について説明する。
図3(a)に示すように、給電リング20が図における反時計回りに回転する場合、コンタクト30が受ける力の総力は図11と同様に、コンタクト30と給電リング20との接触部を基点として給電リングの法線中心向き方向の力(f1)と接線反時計回り方向の力(f2)の合力(以下、「合力(f1+f2)」という)となる。
合力(f1+f2)に対しては、第1のコンタクトベース32がベース31に対して第1のリンク軸34を支点として回転可能となっているので、コンタクト30は合力(f1+f2)の方向にほぼ一致する方向に移動することができる。
Next, the operation of the contact unit will be described.
As shown in FIG. 3A, when the feed ring 20 rotates counterclockwise in the figure, the total force received by the contact 30 is based on the contact portion between the contact 30 and the feed ring 20 as in FIG. As a resultant force of the force (f1) in the direction toward the normal center of the feed ring and the force (f2) in the tangential counterclockwise direction (hereinafter referred to as “the resultant force (f1 + f2)”).
For the resultant force (f1 + f2), since the first contact base 32 can rotate with respect to the base 31 with the first link shaft 34 as a fulcrum, the contact 30 substantially coincides with the direction of the resultant force (f1 + f2). You can move in the direction you want.

また、コンタクト30が可動となる方向については、厳密に合力(f1+f2)の方向に一致していなくても本発明の効果を得ることができる。図3(c)は給電リング20が反時計回りに回転する場合の接触部における可動方向を説明する図である。なお、図3(c)は接触部を局部的に示すために給電リング20を直線的に示している。図示するように、コンタクト30は、少なくとも(f1)の方向と(f2)の方向とに挟まれる狭角α方向とその反対(対角)方向、即ち、±A方向に可動であればよい。   The effect of the present invention can be obtained even if the direction in which the contact 30 is movable does not exactly coincide with the direction of the resultant force (f1 + f2). FIG. 3C is a diagram for explaining the movable direction of the contact portion when the feed ring 20 rotates counterclockwise. In FIG. 3C, the feed ring 20 is shown linearly to show the contact portion locally. As shown in the figure, the contact 30 only needs to be movable in at least the narrow angle α direction sandwiched between the (f1) direction and the (f2) direction and the opposite (diagonal) direction, that is, the ± A direction.

一方、図3(b)に示すように、給電リング20が図における時計回りに回転する場合、コンタクト30が受ける力の総力は、コンタクト30と給電リング20との接触部を基点として給電リングの法線中心向き方向の力(f1)と接線時計回り方向の力(−f2)の合力(以下、「合力(f1−f2)」という)となる。
合力(f1−f2)に対しては、第2のコンタクトベース33が第1のコンタクトベース32に対して第2のリンク軸35を支点として回転可能となっているので、コンタクト30は合力(f1−f2)の方向にほぼ一致する方向に移動することができる。
On the other hand, as shown in FIG. 3B, when the feed ring 20 rotates clockwise in the figure, the total force received by the contact 30 is based on the contact portion between the contact 30 and the feed ring 20. The resultant force is a resultant force (hereinafter referred to as “the resultant force (f1-f2)”) of the force (f1) in the direction of the normal center and the force (−f2) in the tangential clockwise direction.
With respect to the resultant force (f1-f2), the second contact base 33 can rotate with respect to the first contact base 32 using the second link shaft 35 as a fulcrum, so that the contact 30 has a resultant force (f1). It can move in a direction substantially coincident with the direction of -f2).

なお、給電リング20の回転方向が反時計回りの場合と同様に時計回りの場合も、厳密に合力(f1−f2)の方向に一致していなくても本発明の効果を得ることができる。即ち、図3(d)に示すように、コンタクト30は少なくとも(f1)の方向と(−f2)の方向とに挟まれる狭角β方向とその反対(対角)方向、即ち、±B方向に可動であればよい。   Note that the effect of the present invention can be obtained even when the rotation direction of the feed ring 20 is clockwise as in the case of counterclockwise, even if it does not exactly coincide with the direction of the resultant force (f1-f2). That is, as shown in FIG. 3D, the contact 30 has a narrow angle β direction sandwiched between at least the direction (f1) and the direction (−f2) and the opposite (diagonal) direction, that is, ± B direction. It may be movable.

これにより、給電リンク20とコンタクト30、即ち、基板ドーム2と給電機構3との相対的な回転方向が時計回り/反時計回りいずれの場合であっても、コンタクト30が、給電リング20から受ける合力方向に適切に移動することができる。   Accordingly, the contact 30 receives from the power supply ring 20 regardless of whether the relative rotation direction of the power supply link 20 and the contact 30, that is, the substrate dome 2 and the power supply mechanism 3, is clockwise or counterclockwise. It can move appropriately in the resultant force direction.

なお、図2(b)に示すように、ベース31にはコンタクトユニットが6個設けられているが、コンタクトユニットの数は適宜変更可能である。また、図2(b)では6個のコンタクトユニットがいずれも同じ向きで設けられているが、例えば、1つおきに反転構造のコンタクトユニット(ベース31の中心から見て第1のリンク軸34が第2のリング軸35に対して左側にあるもの)を設けてもよい。これにより、給電リング20と給電機構3との間の力学的及び電気的作用関係がいずれの回転方向に対してもより均等化される。   As shown in FIG. 2B, the base 31 is provided with six contact units, but the number of contact units can be changed as appropriate. In FIG. 2B, all six contact units are provided in the same direction. For example, every other contact unit having an inverted structure (first link shaft 34 as viewed from the center of the base 31). May be provided on the left side with respect to the second ring shaft 35). Thereby, the mechanical and electrical action relationship between the power feeding ring 20 and the power feeding mechanism 3 is made more uniform in any rotation direction.

なお、実施例では、コンタクト30の水平断面形状について、図3に示すように、半円状のものとしているが、図9に示したような、長方形の一部を円弧状にしたような断面のものであってもよい。いずれの場合でも、コンタクト30と給電リング20との接触面積を増やせるので、インピーダンスを低くすることができるとともに、電力の安定供給、放電の安定性の向上、供給電源への負担の低減に貢献する。   In the embodiment, the horizontal cross-sectional shape of the contact 30 is a semicircular shape as shown in FIG. 3, but the cross-section in which a part of the rectangle is arcuate as shown in FIG. It may be. In any case, since the contact area between the contact 30 and the power supply ring 20 can be increased, the impedance can be lowered, and it contributes to stable power supply, improved discharge stability, and reduced burden on the power supply. .

コンタクト30の材質に、リン青銅を用いれば耐熱性が高く、また、新品時にコンタクト30の形状が給電リング20と完全に一致していなくとも、突出部は急激に削れるのですぐに面接触となる。また、ステンレスにテフロン(登録商標)無電解ニッケルもしくは無電解ニッケルの表面処理を施した材料を用いれば、電気伝導率を高く維持し、すべり抵抗を低減することができる。もしくは表面硬度を上げるのに真空窒化処理を用いてもよい。給電リング20においても、ステンレスにテフロン(登録商標)無電解ニッケルもしくは無電解ニッケルの表面処理を施した材料を用いれば、同様に、電気抵抗や摩擦抵抗の減少、耐熱性や耐熱磨耗性の向上に貢献することができる。実施例では、コンタクト30と比して部品が大きく値段も高価となる給電リング20に真空窒化処理を施したステンレスを用いて耐磨耗性を上げ、コンタクト30にリン青銅を用いてこれを消耗品とした。   If phosphor bronze is used as the material of the contact 30, the heat resistance is high, and even if the shape of the contact 30 does not completely coincide with the power supply ring 20 when it is new, the protruding portion is abruptly scraped so that surface contact is immediately made. . Further, if Teflon (registered trademark) electroless nickel or a material subjected to electroless nickel surface treatment is used for stainless steel, the electrical conductivity can be maintained high and the slip resistance can be reduced. Alternatively, vacuum nitriding may be used to increase the surface hardness. Similarly, if the Teflon (registered trademark) electroless nickel or electroless nickel surface treatment is used for the power supply ring 20, the electric resistance and the frictional resistance are reduced, and the heat resistance and the heat resistance are improved. Can contribute. In the embodiment, wear resistance is increased by using stainless steel subjected to vacuum nitriding treatment for the power supply ring 20, which is larger in parts and expensive than the contact 30, and is consumed by using phosphor bronze for the contact 30. It was a product.

上記実施例では真空装置内における高周波電力給電用として使用しているが、直流電力給電用として使用してもよい。また、コンタクトや給電リングの材質や表面処理は前述のもの以外でも同様の特性を持つものであればよい。   In the above-described embodiment, it is used for high-frequency power supply in the vacuum apparatus, but may be used for DC power supply. Further, the material and surface treatment of the contact and the power supply ring may be other than those described above as long as they have similar characteristics.

また、本実施例では、給電リング20の内側面にコンタクト30を接触させたが、外側面に接触させる構成も可能である。
また、上述のように給電リング20を用いた場合、ベース31が、コンタクト30、第1のコンタクトベース32、第2のコンタクトベース33、スプリング36など(以下、「電極ユニット」という)を水平方向に保持する構成としたが、環状の給電リング20の代わりに平板の給電プレート(例えば、給電プレート52)を用いて、ベース31が電極ユニットを鉛直方向に保持するようにしてもよい。この場合、コンタクト30は、給電プレートとの接触部において、その垂線方向であってコンタクト30がある側と、給電プレートの回転方向と、で挟まれる角度方向及びその反対方向に可動となる。これにより、回転電極が給電リング20からなる場合と同様に、コンタクト30を回転電極から受ける力の合力方向に略一致する方向に可動とすることができる。
Further, in the present embodiment, the contact 30 is brought into contact with the inner side surface of the power supply ring 20, but a configuration in which the contact 30 is brought into contact with the outer side surface is also possible.
Further, when the feed ring 20 is used as described above, the base 31 moves the contact 30, the first contact base 32, the second contact base 33, the spring 36, etc. (hereinafter referred to as “electrode unit”) in the horizontal direction. However, the base 31 may hold the electrode unit in the vertical direction by using a flat power supply plate (for example, the power supply plate 52) instead of the annular power supply ring 20. In this case, the contact 30 is movable in the direction perpendicular to the contact portion with the power supply plate and in the angle direction sandwiched between the side where the contact 30 is present and the rotation direction of the power supply plate, and in the opposite direction. As a result, the contact 30 can be made movable in a direction substantially coinciding with the resultant force direction of the force received from the rotating electrode, as in the case where the rotating electrode includes the power supply ring 20.

上記には真空装置内に回転自在に配置された基板ドームに電力を供給する実施例を記載したが、本発明給電機構は真空装置内に配置される回転電極に電力を供給するものであれば上記実施例に限られず適用可能である。例えば、スパッタを利用する成膜方法等において回転する成膜材料に電圧を印加する場合には、成膜材料を配置する容器等を回転電極とし、本発明給電機構により電力を供給すればよい。   In the above, the embodiment in which power is supplied to the substrate dome that is rotatably arranged in the vacuum apparatus has been described. However, the power supply mechanism of the present invention is not limited as long as it supplies power to the rotating electrode disposed in the vacuum apparatus. The present invention is not limited to the above embodiment and can be applied. For example, in the case of applying a voltage to a rotating film forming material in a film forming method using sputtering, a container or the like in which the film forming material is disposed may be a rotating electrode and power may be supplied by the power feeding mechanism of the present invention.

真空装置概略図Vacuum device schematic 本発明給電機構概略図Schematic diagram of power feeding mechanism of the present invention 本発明給電機構および周辺機構概略図Schematic diagram of power feeding mechanism and peripheral mechanism of the present invention 本発明給電機構および周辺機構概略図Schematic diagram of power feeding mechanism and peripheral mechanism of the present invention 本発明給電機構および周辺機構概略図Schematic diagram of power feeding mechanism and peripheral mechanism of the present invention 本発明給電機構および周辺機構概略図Schematic diagram of power feeding mechanism and peripheral mechanism of the present invention 真空装置概略図Vacuum device schematic 従来の給電機構概略図Schematic diagram of conventional power supply mechanism 従来の給電機構および周辺機構概略図Schematic diagram of conventional power supply mechanism and peripheral mechanism 従来の給電機構を説明する図The figure explaining the conventional electric power feeding mechanism 従来の給電機構を説明する図The figure explaining the conventional electric power feeding mechanism 従来の給電機構概略Overview of conventional power supply mechanism 従来の給電機構および周辺機構概略図Schematic diagram of conventional power supply mechanism and peripheral mechanism 従来の給電機構を説明する図The figure explaining the conventional electric power feeding mechanism

符号の説明Explanation of symbols

1.真空槽
2.基板ドーム
3.給電機構
4.回転機構
5.成膜基板
6.蒸着材料
7.シャッター
8.電子銃
9.基板加熱用ヒーター
20.給電リング
21.ドームアダプター
25、27.碍子
28.銅板
30.コンタクト
31.ベース
32.第1のコンタクトベース
33.第2のコンタクトベース
34.第1のリンク軸
35.第2のリンク軸
36.コイルスプリング
37.給電板
50.ドームアダプター
51.ドームキャッチャー
52.給電プレート
300.給電機構
301.ベース
302.コンタクト
303.コンタクトベース
304.給電薄板
305.スプリング
306.貫通穴
307.ピン
350.給電機構
351.ユニットベース
352.コンタクト
353.コンタクトベース
354.スプリングベース
355.スプリング
356.給電薄板
357.ピン
358.皿ビス
360.給電薄板押え
363.貫通孔
1. Vacuum chamber 2. 2. Substrate dome 3. Power feeding mechanism 4. Rotating mechanism Deposition substrate 6. 6. Vapor deposition material Shutter 8. Electron gun 9. Substrate heating heater 20. Feeding ring 21. Dome adapter 25, 27. Isogo 28. Copper plate 30. Contact 31. Base 32. First contact base 33. Second contact base 34. First link shaft 35. Second link shaft 36. Coil spring 37. Power supply plate 50. Dome adapter 51. Dome catcher 52. Feeding plate 300. Power supply mechanism 301. Base 302. Contact 303. Contact base 304. Feeding thin plate 305. Spring 306. Through hole 307. Pin 350. Power supply mechanism 351. Unit base 352. Contact 353. Contact base 354. Spring base 355. Spring 356. Feeding thin plate 357. Pin 358. Countersunk screw 360. Feed plate holder 363. Through hole

Claims (6)

真空槽、該真空槽内部に配置された回転電極、及び該回転電極に接触して電力を供給する給電機構からなる真空装置であって、
該回転電極が第1の回転方向及び該第1の回転方向とは逆の第2の回転方向に水平回転するように構成され、
該給電機構が該回転電極との接触部を構成する少なくとも1つのコンタクトを備え、
該接触部における該回転電極に対する法線方向又は垂線方向であって該コンタクトがある方向と、該接触部の接線方向であって該第1の回転方向が向く方向と、の狭角方向及びその反対方向を第1の方向と定義し、
該接触部における該回転電極に対する法線方向又は垂線方向であって該コンタクトがある方向と、該接触部の接線方向であって該第2の回転方向が向く方向と、の狭角方向及びその反対方向を第2の方向と定義した場合、
該コンタクトが、該給電機構上の第1の支点を中心に該第1の方向に可動であり、かつ、該給電機構上の第2の支点を中心に該第2の方向に可動となるように構成された真空装置。
A vacuum apparatus comprising a vacuum chamber, a rotating electrode disposed inside the vacuum chamber, and a power feeding mechanism that supplies power in contact with the rotating electrode,
The rotating electrode is configured to horizontally rotate in a first rotation direction and a second rotation direction opposite to the first rotation direction;
The power supply mechanism includes at least one contact that forms a contact portion with the rotating electrode;
A narrow-angle direction between a normal direction or a perpendicular direction to the rotating electrode in the contact portion and a direction in which the contact is present, and a tangential direction of the contact portion and a direction in which the first rotation direction faces and Define the opposite direction as the first direction,
A narrow-angle direction between a direction normal to or perpendicular to the rotating electrode at the contact portion and the direction in which the contact is present, and a direction tangential to the contact portion and the second rotation direction is directed, and If we define the opposite direction as the second direction,
The contact is movable in the first direction about the first fulcrum on the power supply mechanism, and is movable in the second direction about the second fulcrum on the power supply mechanism. A vacuum device configured to.
請求項1記載の真空装置において、
前記給電機構が、さらに、前記真空槽に対して直接又は間接に固定されたベース、前記第1の支点によって該ベースに回転可能に支持された第1のコンタクトベース、及び前記第2の支点によって該第1のコンタクトベースに回転可能に支持された第2のコンタクトベースを備え、
前記コンタクトが該第2のコンタクトベースに保持された真空装置。
The vacuum apparatus according to claim 1, wherein
The power supply mechanism further includes a base fixed directly or indirectly to the vacuum chamber, a first contact base rotatably supported on the base by the first fulcrum, and the second fulcrum. A second contact base rotatably supported by the first contact base;
A vacuum apparatus in which the contact is held by the second contact base.
請求項2記載の真空装置において、
前記給電機構が、さらに、前記回転電極に対して前記コンタクトを押圧する少なくとも1つのスプリングを有する真空装置。
The vacuum apparatus according to claim 2, wherein
The vacuum apparatus, wherein the power supply mechanism further includes at least one spring that presses the contact against the rotating electrode.
請求項1から3いずれか一項記載の真空装置において、前記回転電極が環形状を有する真空装置。   4. The vacuum apparatus according to claim 1, wherein the rotating electrode has a ring shape. 5. 請求項4記載の真空装置において、
前記接触部が前記回転電極の内側面にある真空装置。
The vacuum apparatus according to claim 4, wherein
The vacuum apparatus which has the said contact part in the inner surface of the said rotating electrode.
請求項1から請求項5いずれか一項記載の真空装置において、
前記回転電極が、成膜基板が搭載される基板ドーム及び前記コンタクトと接触部を形成する回転筒もしくは回転平板からなり、
前記真空装置が、さらに、蒸着材料を蒸発させる少なくとも3つの蒸発源を該基板ドームに対向する位置に備え、該少なくとも3つの蒸発源が該基板ドームの回転軸に対して同心円状に配置された真空装置。
The vacuum apparatus according to any one of claims 1 to 5,
The rotating electrode comprises a substrate dome on which a film forming substrate is mounted and a rotating cylinder or a rotating plate that forms a contact portion with the contact,
The vacuum apparatus further includes at least three evaporation sources for evaporating the vapor deposition material at positions facing the substrate dome, and the at least three evaporation sources are arranged concentrically with respect to the rotation axis of the substrate dome. Vacuum device.
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JP4408354B2 (en) * 2003-07-18 2010-02-03 新明和工業株式会社 Ion processing equipment
JP4022627B2 (en) * 2004-07-12 2007-12-19 株式会社昭和真空 Vacuum device equipped with power supply mechanism and power supply method
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