JP4822315B2 - ハイブリッド式電子銃 - Google Patents
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具体的には、CL分光法は、通常数 kVから数10
kVに加速された電子ビームを使用する。例えば物質が半導体である場合、その物質のバンドギャップよりも十分に大きいエネルギーの電子ビームが入射されると、エネルギーの一部は価電子帯にある電子を伝導帯に励起するのに使われ、結晶内には過剰の電子−正孔対が生じる。電子−正孔対の生成領域は、物質内における電子の飛程によって表現すことができる。
上述した評価を実現するために、カソードルミネッセンス検出装置は、(1)電子ビーム照射系、(2)真空容器、(3)真空排気系、(4)試料を保持するためのステージ、(5)試料から放出されたカソードルミネッセンスを集光するための集光光学系、(6)集光された光を分光器へ転送する為の光転送系、(7)転送された光を分光するための分光系、(8)分光された光を検出するための検出系、(9)検出された信号を分析するための分析系から構成され、分光された光の波長に対する光の強度分布であるスペクトルもしくは電子ビームを走引させながらCLを取得することで画像(例えばCLマッピング)として視覚化し分析することができる。
また、電子顕微鏡には、電子ビーム励起電流法(EBIC)や電子プローブマイクロアナリシス(EPMA)等の組み込みが可能であり定量的な複合評価も可能である。
さらに、エミッタ材料として基体のそれぞれの場所にバナジウム或いはバナジウム化合物を配置し、少なくとも102cmの-2の平均密度で前記場所に複数の放出サイトを創り出す工程を含む方法が知られている(特許文献2)。
C L分光法は、物質中の固有の性質を反映する電子状態だけでなく、物質中の欠陥や不純物が作る電子状態を高い効率で電子ビーム励起(つまり、相対的に高い密度における電子−正孔対の生成)し微弱な発光をいかにして発生させ、それを捕らえるかが、カソードルミネッセンス装置の分析能力及び精度を決定する要素の一となる。特に、現在、半導体材料の体積が著しく縮小し高度化してゆく中で極微量の欠陥や不純物の重要性が増し、量子細線デバイスやナノデバイスの半導体分野の要請から、一段と信号強度の弱い多様な物質の単原子層あるいはサブモノレイヤの超薄膜や、ナノメートル領域の物質中に含まれる極微量の欠陥や不純物の信号検出が本質であり必要不可欠となっている。
本発明はこの関係に着目した。つまり、極微量の欠陥や不純物から、高い輝度のCL信号を得るためには、より大電流まで制御可能な電子ビームにより励起することが極めて有効となる。このとき電子−正孔対の生成量は単位面積あたりの電子ビーム量により決まるため、ビームスポット径の制御が必要になる。さらに、真空容器内の残留ガスは、電子ビームプローブと反応し、試料汚染の原因となる。これは、大電流のもとでは、非常に顕著になることが予測されるため、10-10 Torrよりも高真空な超高真空対応の電子ビーム照射系が必要となる。
また、本発明は、カソードルミネッセンス検出装置が、(1)電子ビーム照射系、(2)真空容器、(3)真空排気系、(4)試料を保持するためのステージ、(5)試料から放出されたカソードルミネッセンスを集光するための集光光学系、(6)集光された光を分光器へ転送するための光転送系、(7)転送された光を分光するための分光系、(8)分光された光を検出するための検出系、(9)検出された信号を分析するための分析系から構成されるカソードルミネッセンス検出装置において、当該カソードルミネッセンス検出装置のための電子銃を備えたカソードルミネッセンス検出装置である。
さらに、本発明は、カソードルミネッセンス検出装置が、(1)電子ビーム照射系、(2)真空容器、(3)真空排気系、(4)試料を保持するためのステージ、(5)試料から放出されたカソードルミネッセンスを集光するための集光光学系、(6)集光された光を分光器へ転送するための光転送系、(7)転送された光を分光するための分光系、(8)分光された光を検出するための検出系、(9)検出された信号を分析するための分析系から構成されるカソードルミネッセンス検出装置であって、(5')集光光学系を構成する集光ミラーに色収差と球面収差を同時に補正できるカセグレン式光学配置とし、電子ビームを試料に照射しながら、電子ビーム照射領域からのカソードルミネッセンス取得と同時に試料の高倍率の光学顕微鏡像をリアルタイムで取得することを特徴とするカソードルミネッセンス検出装置において、当該カソードルミネッセンス検出装置のための電子銃を備えたカソードルミネッセンス検出装置である。
また、本発明において、ハイブリッド接続できる離脱着機構が、真空容器の真空を維持しつつ電子銃の交換を行うことができるが、このとき、真空は、10−10Torrよりも高真空な超高真空とすることができる。
このように、本発明によれば、カソードルミネッセンス法の評価限界を超越し他の評価手法を凌駕する、物質の原子・分子レベルでの情報を与え、半導体結晶評価の分野にとどまらず、多様な分野でのカソードルミネッセンス法の応用の可能性を広げることに貢献するものと期待される。すなわち、本発明は、単原子層レベルあるいはサブモノレイヤレベルの半導体、金属、有機物などの超薄膜や、半導体を代表とする物質中の極微量の不純物や欠陥からのカソードルミネッセンススペクトル及び時間・波長分解されたカソードルミネッセンス像による定常的もしくは過渡的な物性評価や電子状態評価に極めて有効である。
さらに、ここで(5)集光光学系を構成する集光ミラーに色収差と球面収差を同時に補正できるカセグレン式光学配置とし、電子ビームを試料に照射しながら、電子ビーム照射領域からのカソードルミネッセンス取得と同時に試料の高倍率の光学顕微鏡像をリアルタイムで取得することを特徴とするカソードルミネッセンス検出装置を用いることができる。
本発明は、電子銃、電子レンズ、偏向・非点収差補正器から構成されるカソードルミネッセンス検出装置の電子ビーム照射系で使用される電子銃に関するものである。具体的には、本来性能及び仕様の異なるLaB6エミッタを有する熱電子銃とZrO/Wエミッタを有する熱電界放出電子銃の特徴を同時に活用するための混合接続(ハイブリッド式)を可能にする離脱着機構を導入し、真空容器の真空を維持しつつ電子銃の交換のみで、6桁のダイナミックレンジを持つ電子ビーム電流制御(6×10-7マイクロアンペア〜400 マイクロアンペア 以上)及び3桁のダイナミックレンジを有する電子ビームスポット径制御(0.016 マイクロメートル〜100 マイクロメートル 以上)を可能とする電子ビーム照射系を実現する。本ハイブリッド式電子銃を用いることで、カソードルミネッセンス検出装置は、従来の一般的なカソードルミネッセンス用電子ビーム照射系では到達できない高ダイナミックレンジにおける分析装置となる。
図5は、実際に本ハイブリッド電子源による電子ビーム照射系を使用した場合の一例を示す。ここでは、電子ビーム電流に対するAlN薄膜とダイヤモンド薄膜からのCL発光強度の関係を示し、AlN薄膜の厚さは1nm程度である。また、ダイヤモンド薄膜からのCL信号は235nmに発光ピークを示すエキシトン再結合による発光をプロットした。
Claims (4)
- カソードルミネッセンス検出装置の電子ビーム照射系で使用される電子銃であって、ZrO/Wエミッタ及びLaB6エミッタを有する複数の電子銃とを有し、それぞれの電子銃を切り替えて活用するための真空を維持しつつ電子銃を交換できるハイブリッド接続離脱着機構を具備し、電子ビーム電流制御が6桁のダイナミックレンジを持ち、かつ、電子ビームスポット径制御が3桁のダイナミックレンジを有することを特徴とするカソードルミネッセンス検出装置のための電子銃。
- カソードルミネッセンス検出装置が、(1)電子ビーム照射系、(2)真空容器、(3)真空排気系、(4)試料を保持するためのステージ、(5)試料から放出されたカソードルミネッセンスを集光するための集光光学系、(6)集光された光を分光器へ転送するための光転送系、(7)転送された光を分光するための分光系、(8)分光された光を検出するための検出系、(9)検出された信号を分析するための分析系から構成されるカソードルミネッセンス検出装置において請求項1に記載のカソードルミネッセンス検出装置のための電子銃を備えたカソードルミネッセンス検出装置。
- カソードルミネッセンス検出装置が、(1)電子ビーム照射系、(2)真空容器、(3)真空排気系、(4)試料を保持するためのステージ、(5)試料から放出されたカソードルミネッセンスを集光するための集光光学系、(6)集光された光を分光器へ転送するための光転送系、(7)転送された光を分光するための分光系、(8)分光された光を検出するための検出系、(9)検出された信号を分析するための分析系から構成されるカソードルミネッセンス検出装置であって、(5')集光光学系を構成する集光ミラーに色収差と球面収差を同時に補正できるカセグレン式光学配置とし、電子ビームを試料に照射しながら、電子ビーム照射領域からのカソードルミネッセンス取得と同時に試料の高倍率の光学顕微鏡像をリアルタイムで取得することを特徴とするカソードルミネッセンス検出装置において請求項1に記載のカソードルミネッセンス検出装置のための電子銃を備えたカソードルミネッセンス検出装置。
- 真空が、10−10Torrよりも高真空な超高真空である請求項1に記載のカソードルミネッセンス検出装置に用いるための電子銃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005257977A JP4822315B2 (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | ハイブリッド式電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005257977A JP4822315B2 (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | ハイブリッド式電子銃 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007073307A JP2007073307A (ja) | 2007-03-22 |
JP4822315B2 true JP4822315B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=37934600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005257977A Active JP4822315B2 (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | ハイブリッド式電子銃 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4822315B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62223957A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-01 | Hitachi Ltd | ハイブリツド荷電粒子光学系 |
JPS6445047A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-17 | Nippon Telegraph & Telephone | Measuring device for cathode luminesence |
JPH01213944A (ja) * | 1988-02-20 | 1989-08-28 | Shimadzu Corp | 電子線照射型分析装置 |
WO2001092956A1 (fr) * | 2000-05-30 | 2001-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Detecteur d'image |
JP2003014671A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Canon Inc | 固体表面観察装置と固体表面観察方法 |
JP2004047196A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-02-12 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡 |
US7176610B2 (en) * | 2004-02-10 | 2007-02-13 | Toshiba Machine America, Inc. | High brightness thermionic cathode |
-
2005
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007073307A (ja) | 2007-03-22 |
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