JP4814195B2 - 薄膜パターン層を有する基板構造とその製造方法 - Google Patents

薄膜パターン層を有する基板構造とその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、薄膜パターン層を有する基板構造とその製造方法に関する。
現在、薄膜パターン層の製造方法は、主にフォトリソグラフィー法(Photolithography technique)と、インクジェット法(Ink jet process)とがある。
フォトリソグラフィー法:所望の薄膜を塗布しようとする基板構造の上に、フォトレジスト層を塗布した後、所望のパターンを有するフォトマスクを介して、前記フォトレジスト層に露光と現像を実施する。すると、前記基板構造の上に所望のパターンを有する薄膜パターン層が形成される。しかし、前記フォトリソグラフィー法は、真空装置などの大型設備或いは複雑な製造プロセスを必要し、材料の使用効率が低く、製造コストが高い欠点がある。
インクジェット法:複数のノズルを有するインクジェット装置を用いて、インクを基板構造の所定の位置に吐出し、且つ前記インクを固化させて、薄膜パターン層を形成する。基板構造の面積がノズルに覆われる面積より大きいから、前記インクジェット装置のノズルを移動させながら、インクを吐出する必要があるので、製造の過程が複雑になる。
従来インクジェット法によって形成される薄膜パターン層においては、同じ行に位置し、且つ同じ材料からなる薄膜パターン層を同一ノズルで吐出するので、前記薄膜パターン層の厚さが同じになる。従って、該行において、同じ材料からなる薄膜パターン層の均一性が高くなる。しかし、異なる行に位置し、同じ材料からなる薄膜パターン層を異なるノズルで吐出するので、該薄膜パターン層の厚さが不同になる。従って、異なる行に位置し、且つ同じ材料からなる薄膜パターン層の厚さが異なる場合、光線が前記薄膜パターン層を透過する時に、異なる行に位置する異なる厚さの薄膜パターン層が見られやすいので、線状ムラ(Mura Defects)が生ずる可能性がある。
本発明の目的は、前記課題を解決し、線状ムラが生ずることを防ぐことができる薄膜パターン層を有する基板構造とその製造方法を提供することである。
前記目的を達成するため、本発明の薄膜パターン層を有する基板構造は、基板と、該基板の上に形成される複数の隔壁と、を含み、該複数の隔壁によって行と列に沿って配列する複数の収容空間が形成され、該複数の収容空間内に形成される複数の薄膜パターン層をさらに含む基板構造であって、各々の行の収容空間は、体積の大きさの分布が不規則的であり、各々の行に位置する複数の薄膜パターン層は、厚さの分布が不規則的である。
本発明の薄膜パターン層を有する基板構造の製造方法は、基板に複数の隔壁が形成され、該複数の隔壁によって、行と列に沿って配列され、且つ体積の大きさの分布が不規則的な複数の収容空間が形成される基板を提供する工程と、体積の大きさの分布が不規則的な複数の収容空間内に、同じ材料からなる等量のインクを吐出する工程と、前記複数の収容空間内のインクを固化させて、各々の行の収容空間に、同じ材料からなり、且つ厚さの分布が不規則的な薄膜パターン層を形成する工程と、を含む。
従来技術と比べて、本発明に係る基板構造においては、各々の行の収容空間は、体積の大きさの分布が不規則的であり、且つ各々の行に位置する複数の薄膜パターン層は、厚さの分布が不規則的である。従って、光線が該薄膜パターン層を透過する時、該薄膜パターン層の線状ムラが生ずることを防ぐことができる。
本発明に係る薄膜パターン層を有する基板構造の製造方法によって、同じ材料からなる前記薄膜パターン層を収容する各々の行の収容空間は、体積の大きさの分布が不規則的であり、且つ該各々の行の収容空間に吐出するインクが等量であるから、該行に位置し、且つ同じ材料からなる薄膜パターン層は、厚さの分布が不規則的になる。従って、光線が該薄膜パターン層を透過する時、該薄膜パターン層の線状ムラが生ずることを防ぐことができる。
次に、本発明の薄膜パターン層を有する基板構造を詳しく説明する。
図1〜図2は、本発明の第一実施形態の薄膜パターン層を有する基板構造100を示す図である。該基板構造100は、基板102と、該基板102の上に形成される複数の隔壁104と、複数の薄膜パターン層106と、を含む。
基板102の材料としては、ガラス、石英ガラス、シリコン・ウエハー(siliconwafer)、金属またはプラスチックから選択される。前記複数の隔壁104によって、前記基板102の上に複数の収容空間107が形成される。前記収容空間107は、行と列に沿って前記基板102の上に配列される。同じ材料からなる薄膜パターン層を収容する各々の行の収容空間は、体積の大きさの分布が不規則的である。
図1〜2を参照すると、前記複数の薄膜パターン層106は、複数の第一薄膜パターン層106R、複数の第二薄膜パターン層106G及び複数の第三薄膜パターン層106Bを含む。該複数の第一薄膜パターン層106R、複数の第二薄膜パターン層106G及び複数の第三薄膜パターン層106Bは、それぞれ前記複数の収容空間107内に形成されている。同じ材料からなる薄膜パターン層を収容する各々の行の収容空間は、体積の大きさの分布が不規則的である。前記収容空間107の体積が変化する範囲は、参考標準体積または平均体積の80%〜120%にする。該参考標準体積の大きさは、従来の薄膜パターン層の製造方法で薄膜パターン層を製造する時に形成され、大きさが変化しない収容空間の大きさを指す。各収容空間107の体積の大きさは、該収容空間の底面面積と隔壁104の厚さ(高さ)の積である。該隔壁104の厚さが同じなので、同じ材料からなる薄膜パターン層を収容する各々の行の収容空間は、体積の大きさの分布が不規則的である。且つ同じ材料からなる薄膜パターン層を収容する各々の行の収容空間の底面積の分布も不規則的である。
次に、第一薄膜パターン層106Rを例として、本実施例を詳しく説明する。第一薄膜パターン層106Rを収容する各々の行の収容空間107は、体積の大きさの分布が不規則的である。即ち、同じ行において、第一薄膜パターン層106Rを収容する収容空間107の体積の大きさと、隣接した第一薄膜パターン層106Rを収容する収容空間107の体積の大きさとは、互いに異なる可能性がある。従って、該行の第一薄膜パターン層106Rを収容する収容空間107の体積の大きさの分布が不規則的であるから、各々の行における第一薄膜パターン層106Rの厚さの分布も不規則的である。即ち、第一薄膜パターン層106Rの厚さが不規則に形成されている。従って、光線が前記薄膜パターン層106Rを透過する時、前記薄膜パターン層106Rの線状ムラが生ずることを防ぐことができる。第二薄膜パターン層106G及び第三薄膜パターン層106Bは、第一薄膜パターン層106Rと類似するから、再度説明しない。
図3は、本発明の第二実施形態の薄膜パターン層を有する基板構造100aを示す図である。本実施形態の基板構造100aは、前記第一実施形態の基板構造100と類似する。異なる点は、本実施形態において、前記基板構造100aの基板102aと複数の隔壁104aが一体に成型されている。
図4は、本発明の第三実施形態の薄膜パターン層を有する基板構造を製造する流れ図である。該方法は、主に下記の工程を含む。
工程10a:基板を提供し、該基板の表面に複数の隔壁を形成する。前記複数の隔壁によって前記基板の上に行と列に沿って配列する複数の収容空間が形成される。同じ材料からなる薄膜パターン層を収容する各々の行の収容空間は、体積の大きさの分布が不規則的である。
工程20a:等量のインクを前記収容空間内に吐出する。各々の行の前記収容空間内に、同じ材料からなり、厚さの分布が不規則的なインク層が形成される。
工程30a:前記複数の収容空間内のインク層を乾燥固化させ、複数の薄膜パターン層を形成する。各々の行に、同じ材料からなり、厚さの分布が不規則的な複数の薄膜パターン層が形成される。
図7を参照すると、工程10aにおいて、該基板102の材料は、ガラス、石英ガラス、シリコン・ウエハー、金属またはプラスチックから選択される。本実施形態において、該基板102は、ガラス基板である。
図5〜7は、複数の隔壁104を有する基板構造100を製造する方法は、下記の工程を含む。
図5を参照すると、スリット塗布法(Slit Coat)、回転塗布法(Spin Coat)またはドライ・フィルム・ラミネーター塗布法(Dry Film Lamination)で基板102の表面にネガ型フォトレジスト層103を塗布する。
図6を参照すると、所望の不規則的な隔壁のパターンを有するフォトマスク200を前記ネガ型フォトレジスト層103と露光装置202の間に設置し、露光装置202の光源を用いて該ネガ型フォトレジスト層103に露光を実施する。該露光装置202の光源は紫外線の光源である。
図7を参照すると、露光されたネガ型フォトレジスト層103に現像を実施して、露光されないネガ型フォトレジスト層103を除去する。すると、前記基板102の表面に複数の隔壁104が形成される。前記隔壁104によって、不規則的な体積の分布を有する複数の収容空間107が形成される。該収容空間107の体積の、不規則的に変化する範囲は、参考標準体積の80%〜120%にする。
前記工程において、ネガ型フォトレジスト材料の代わりに、ポジ型フォトレジスト材料を採用してもよい。ポジ型フォトレジスト材料を採用すると、現像を実施する時、露光されないポジ型フォトレジスト層が残り、露光されたポジ型フォトレジスト層が除去される。
また、図11のように、該複数の隔壁104aと該基板102aとを射出成型により一体に成型することができる。射出成型装置と所定の隔壁のパターンを有する金型を提供し、射出成型装置を利用して溶融状態の基板材料を前記金型に射出し、冷却させ、離型させると、前記基板102aの表面に複数の隔壁104aを有する基板構造100aが形成される。該金型の所定の隔壁のパターンは、後の工程に形成される収容空間107の底面の面積と、大きさが対応する。
図8〜図9を参照すると、工程20aにおいて、インクジェット装置300のヘッド302を利用して、所定のインク108を前記収容空間107内に吐出することにより、インク層110を形成する。該インクジェット装置300は、熱式(サーマル)インクジェット装置または圧電式(ピエゾ)インクジェット装置である。
インクジェット装置300を利用してインクを吐出する工程において、該インクジェットヘッド302が前記基板102に、相対して運動することにより、インク108を複数の収容空間107に吐出する。
図8〜図9を参照すると、隣接した三つの各々の行の収容空間107に吐出するインク108は、第一薄膜材料のインク、第二薄膜材料のインクと第三薄膜材料のインクを含む。該隣接した三つの各々の行の収容空間107に第一薄膜材料のインク、第二薄膜材料のインク及び第三薄膜材料のインクを順次に吐出する。
図10を参照すると、工程30aにおいて、複数の収容空間107内に吐出した前記インク層110を固化装置(図示せず)を介して固化させて、該複数の収容空間107内に複数の薄膜パターン層106を形成する。該固化装置は、少なくとも真空減圧乾燥装置、加熱装置または紫外線露光装置のうち一種の装置、または真空減圧乾燥装置及び加熱装置を採用する。且つ隣接した三つの各々の行に位置する薄膜パターン層106は、異なる材料からなり、規則的に繰り返し並んでいる第一薄膜パターン層、第二薄膜パターン層及び第三薄膜パターン層を含む。前記収容空間107の体積の大きさの分布が不規則的であるので、前記インク層110を固化して形成されており、且つ同じ行に位置し、同じ材料からなる薄膜パターン層106の厚さの分布も不規則的である。従って、光線が前記薄膜パターン層106を透過する時、前記薄膜パターン層106の線状ムラが生ずることを防ぐことができる。
また、前記インクを固化させた後、ストリッパー(stripper)などのような除去装置または除去剤を採用して、フォトリソグラフィー法によって形成された隔壁104を除去し、薄膜パターン層106を形成することができる。
本実施形態による薄膜パターン層の製造方法は、カラーフィルター、有機発光装置などを製造する際に使うことができる。カラーフィルターの製造方法においては、前記複数の隔壁をブラックマトリックスとして、前記複数の収容空間が赤・緑・青の画素層の製造に用いられる。本実施形態による製造方法は、線状ムラがないカラーフィルターを形成できる。同じ行に位置し、且つ同じ色の画素層を見ると、色が画素層の厚さによって、変化している。有機発光装置の製造方法においては、該製造方法で有機発光装置の導電層、発光層、電子伝導層などを製造できるが、形成された薄膜パターンと必要とするインクは、異なる。
本発明の第一実施形態の薄膜パターン層を有する基板構造の平面図である。 本発明の第一実施形態の薄膜パターン層を有する基板構造の断面を示す図である。 本発明の第二実施形態の薄膜パターン層を有する基板構造の断面を示す図である。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層を有する基板構造を製造する方法の流れ図である。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層を有する基板構造を製造する方法を示す図である。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層を有する基板構造を製造する方法を示す図である。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層を有する基板構造を製造する方法を示す図である。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層を有する基板構造を製造する方法を示す図である。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層を有する基板構造を製造する方法を示す図である。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層を有する基板構造を製造する方法を示す図である。 本発明の第三実施形態の基板の断面を示す図である。
符号の説明
100 基板構造
100a 基板構造
102 基板
102a 基板
103 ネガ型フォトレジスト層
104 隔壁
104a 隔壁
106 薄膜パターン層
106R 第一薄膜パターン層
106G 第二薄膜パターン層
106B 第三薄膜パターン層
107 収容空間
108 インク
110 インク層
200 フォトマスク
202 露光装置
300 インクジェット装置
302 ヘッド

Claims (16)

  1. 基板と、該基板の上に形成される複数の隔壁と、を含み、該複数の隔壁によって行と列に沿って配列する複数の収容空間が形成され、該複数の収容空間内に形成される複数の薄膜パターン層をさらに含む基板構造であって、各々の行に設けられた複数の収容空間は、体積の大きさの分布が不規則的であり、各々の行に位置する同じ材料からなる複数の薄膜パターン層は、等量のインクで形成されると共に厚さの分布が不規則的であることを特徴とする薄膜パターン層を有する基板構造。
  2. 前記基板の材料は、ガラス、石英ガラス、シリコン・ウエハー、金属またはプラスチックから選択されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜パターン層を有する基板構造。
  3. 前記複数の薄膜パターン層は、第一薄膜パターン層と、第二薄膜パターン層及び第三薄膜パターン層を含み、且つ、該第一薄膜パターン層と、第二薄膜パターン層及び第三薄膜パターン層が順次に、隣接した三行毎の収容空間内に並ぶことを特徴とする請求項1に記載の薄膜パターン層を有する基板構造。
  4. 前記基板と前記複数の隔壁とが一体に成型されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜パターン層を有する基板構造。
  5. 前記収容空間の体積の変化範囲は、該収容空間の平均体積の80%〜120%であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜パターン層を有する基板構造。
  6. 基板に複数の隔壁が形成され、該複数の隔壁によって、行と列に沿って配列され、且つ体積の大きさの分布が不規則的な複数の収容空間が形成される基板を提供する工程と、
    体積の大きさの分布が不規則的な複数の収容空間内に、同じ材料からなる等量のインクを吐出する工程と、
    前記複数の収容空間内のインクを固化させて、各々の行の収容空間に、同じ材料からなり、且つ厚さの分布が不規則的な薄膜パターン層を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする薄膜パターン層を有する基板構造の製造方法。
  7. 前記複数の隔壁が形成される方法は、
    前記基板の上表面に、フォトレジスト層を塗布する工程と、
    所望の隔壁のパターンを有するフォトマスクを前記フォトレジスト層と露光装置の間に設置し、該露光装置の光源を用いて前記フォトレジスト層に露光を行う工程と、
    前記フォトレジスト層に現像を行って、隔壁のパターンではないフォトレジスト層を除去し、前記基板の上表面に複数の隔壁が形成される工程と、
    を含むことを特徴とする請求項6に記載の薄膜パターン層を有する基板構造の製造方法。
  8. 前記複数の隔壁が形成される方法は、
    射出成型機及び所定の隔壁のパターンを有する金型を提供する工程と、
    前記射出成型機によって、基板材料を前記金型に注入する工程と、
    離型して、基板の表面に複数の隔壁を有する基板を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする請求項6に記載の薄膜パターン層を有する基板構造の製造方法。
  9. 前記基板の材料は、ガラス、石英ガラス、金属またはプラスチックから選択されること
    を特徴とする請求項8に記載の薄膜パターン層を有する基板構造の製造方法。
  10. 隣接した三行毎の収容空間に吐出するインクは、第一薄膜材料と第二薄膜材料及び第三薄膜材料を含み、該第一薄膜材料と第二薄膜材料及び第三薄膜材料を順次に前記隣接した三行毎の収容空間内に吐出することを特徴とする請求項6に記載の薄膜パターン層を有する基板構造の製造方法。
  11. 前記吐出する工程において、インクジェット装置を利用して、インクを前記収容空間に吐出し、該インクジェット装置は、少なくとも一つのインクジェットヘッドを含むことを特徴とする請求項6に記載の薄膜パターン層を有する基板構造の製造方法。
  12. 前記インクジェット装置は、熱式のインクジェット装置または圧電式のインクジェット装置であることを特徴とする請求項11に記載の薄膜パターン層を有する基板構造の製造方法。
  13. 前記固化工程で、少なくとも真空減圧乾燥装置、加熱装置または露光装置のうち一種の装置、または真空減圧乾燥装置及び加熱装置を採用することを特徴とする請求項6に記載の薄膜パターン層の製造方法。
  14. 前記露光装置は、紫外線露光装置であることを特徴とする請求項13に記載の薄膜パターン層を有する基板構造の製造方法。
  15. 前記複数の薄膜パターン層は、第一薄膜パターン層と、第二薄膜パターン層及び第三薄膜パターン層を含み、該第一薄膜パターン層と、第二薄膜パターン層及び第三薄膜パターン層が順次に前記隣接した三行毎の収容空間内に形成されることを特徴とする請求項10に記載の薄膜パターン層を有する基板構造の製造方法。
  16. 前記収容空間の体積の変化範囲は、該収容空間の平均体積の80%〜120%であることを特徴とする請求項6に記載の薄膜パターン層を有する基板構造の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080102253A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-01 Icf Technology Limited. Patterned thin-film layer and method for manufacturing same
US9304397B2 (en) * 2012-09-27 2016-04-05 Lg Display Co., Ltd. Method for manufacturing of organic light emitting display device
JP6734696B2 (ja) * 2016-05-10 2020-08-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置用基板、表示装置及び表示装置用基板の製造方法
CN110349489B (zh) * 2019-06-19 2024-01-23 浙江美声智能系统有限公司 一种烫印字符标签

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3684603B2 (ja) * 1995-01-26 2005-08-17 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP4046783B2 (ja) 1995-03-31 2008-02-13 キヤノン株式会社 カラーフィルタの製造方法
US6008582A (en) * 1997-01-27 1999-12-28 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Plasma display device with auxiliary partition walls, corrugated, tiered and pigmented walls
JP3410024B2 (ja) * 1998-06-18 2003-05-26 富士通株式会社 ガス放電表示装置
JP2000089023A (ja) 1998-09-14 2000-03-31 Canon Inc カラーフィルタとその製造方法、該カラーフィルタを用いた液晶素子
JP4138117B2 (ja) 1998-12-21 2008-08-20 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板の製造方法
US6428945B1 (en) * 2001-02-13 2002-08-06 Au Optronics Corp. Method of forming barrier ribs used in a plasma display panel
JP2003084123A (ja) * 2001-06-29 2003-03-19 Seiko Epson Corp カラーフィルタ基板、カラーフィルタ基板の製造方法、液晶表示装置、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP2003066220A (ja) 2001-08-28 2003-03-05 Canon Inc カラーフィルタとその製造方法、該カラーフィルタを用いた液晶素子
JP3952729B2 (ja) 2001-10-17 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板の製造方法
TW594423B (en) 2003-08-28 2004-06-21 Ind Tech Res Inst A color filter manufacturing method for a plastic substrate
JP4329460B2 (ja) * 2003-09-03 2009-09-09 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
US20050156176A1 (en) * 2004-01-16 2005-07-21 Rahul Gupta Method for printing organic devices
JP2006189550A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Sharp Corp インクジェット法を用いたマトリクス状の微小領域の描画方法
JP2007298950A (ja) * 2006-02-07 2007-11-15 Applied Materials Inc カラーフィルタのムラ不整を低減するための方法及び装置

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