JP4802062B2 - 半導体増幅装置 - Google Patents
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Description
12a、12b、12c、12d…インピーダンス整合回路
31a、31b、31c…増幅素子
32a、32b、32c、32dインピーダンス整合回路
VDS1、VDS2、VDS3…バイアス電源回路
Claims (3)
- 複数の半導体増幅素子と、これらの半導体増幅素子間に挿入され、前記複数の半導体増幅素子を多段接続するインピーダンス整合回路と、前記複数の半導体増幅素子のそれぞれにバイアス電圧を供給する電源回路と、を備え、
前記電源回路は、前記多段接続された半導体増幅素子のうち、前段の半導体増幅素子よりも後段の半導体増幅素子に高いバイアス電圧を供給するとともに、前記複数の半導体増幅素子は、それぞれ同一の出力電流密度を有するように、前段の半導体増幅素子よりも後段の半導体増幅素子の出力電力密度が大きくなるように設定されていることを特徴とする半導体増幅装置。 - 前記複数の半導体増幅素子は、前段と後段の半導体増幅素子に供給されるバイアス電圧比と、前段と後段の半導体増幅素子の出力電力密度比とが等しく設定されていることを特徴とする請求項1記載の半導体増幅装置。
- 前記複数の半導体増幅素子は、ドレイン電極、ソース電極および複数のフィンガーからなるゲート電極を備えた櫛形電界効果トランジスタにより構成されており、前記バイアス電圧は前記ドレイン電極、ソース電極間に供給され、前記複数の半導体増幅素子の出力電流密度及び出力電力密度は前記半導体増幅素子それぞれの総ゲート幅により設定されていることを特徴とする請求項2記載の半導体増幅装置。
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