JP4794878B2 - 光伝導素子 - Google Patents
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Description
2、28、25、52a、52b、73a、73b、83、138a、138b 電極
3、59、75 電源
4、136 基板レンズ
5、23、43、138、139a、139b アンテナ
6、27 反射ミラー
20、24、32、50、66、70、81、130 基板
21 エッチングストップ層
22 光伝導膜
26 ハンダ剤
29 光照射の窓
30、80 ホールド基板
21 接着剤
53a、53b レーザダイオード
55、58 分岐器
60 コンデンサー
61、134 増幅器
64 テラヘルツセンシングモジュール
65 プローブ
67、125 検体
71 IC形成領域
72 絶縁膜
128 ハーフミラー
123a 測定光学系
121 レーザ
121a、121b 光伝播
122a テラヘルツ電磁波
122 テラヘルツ発生器
124 光遅延器
126、132 検出器
133 間隙
Claims (13)
- 光伝導素子であって、
光伝導膜と、
前記光伝導膜の第1の面に設けられた第1の電極と、
前記光伝導膜の前記第1の面に設けられ、前記第1の電極に対してギャップを持つ第2の電極と、
前記第1の電極と接する第3の電極と、
前記第2の電極と接する第4の電極と、
前記第3及び第4の電極を備えた基板と、を有し、
前記光伝導膜における前記第1の面に対して反対側である第2の面に照射された光によって、前記第1の面側からテラヘルツ波を発生可能に構成、あるいは該第1の面側でテラヘルツ波を検出可能に構成され、
前記テラヘルツ波が前記基板を透過可能に構成されることを特徴とする光伝導素子。 - 前記基板は、前記テラヘルツ波の指向性を制御するレンズとして機能することを特徴とする請求項1に記載の光伝導素子。
- 前記基板は高抵抗シリコンであり、
前記レンズの形状は、半球、非球面、超半球構造のいずれかであることを特徴とする請求項2に記載の光伝導素子。 - 前記光伝導膜における前記第2の面に設けられ、前記テラヘルツ波を反射する反射ミラーを備え、
前記反射ミラーは、前記光伝導膜に光を照射するための窓を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光伝導素子。 - 前記第3の電極あるいは前記第4の電極は、前記光伝導膜から発生されたテラヘルツ波を伝播するための伝送線路であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光伝導素子。
- 前記基板は、
前記基板における前記第3及び第4の電極を備える面とは反対側の面に設けられた半導体レーザと、該半導体レーザからの光を伝播するための導波路と、を含み構成され、且つ、
前記導波路を伝播した光を前記光伝導膜に照射するように構成されることを特徴とする請求項1に記載の光伝導素子。 - 前記光伝導膜は第1の光伝導膜であり、
前記第3の電極と接する第5の電極と、前記第4の電極と接し且つ前記第5の電極に対してギャップを持つ第6の電極と、を備える第2の光伝導膜を備えることを特徴とする請求項6に記載の光伝導素子。 - 前記光伝導膜が備える半導体は、半導体基板の上に分子ビームエピタキシー法によりエピタキシャル成長させたIII−V族半導体薄膜であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光伝導素子。
- 光伝導素子であって、
基板と、
前記基板の上に設けられた光伝導膜と、
前記光伝導膜の前記基板側の面に設けられた第1の電極と、
前記光伝導膜の前記基板側に設けられ、前記第1の電極に対してギャップを持つ第2の電極と、を有し、
前記第1及び第2の電極は、前記光伝導膜における前記基板側の面に対して反対側の面に照射された光によって、前記基板側の面側からテラヘルツ波を発生、あるいは該基板側の面側でテラヘルツ波を検出するためのアンテナを備え、
前記テラヘルツ波が前記基板を透過可能に構成されることを特徴とする光伝導素子。 - 前記基板の熱伝導率が前記光伝導膜の熱伝導率より高いことを特徴とする請求項1または9に記載の光伝導素子。
- 前記基板が高抵抗シリコンであることを特徴とする請求項1または9に記載の光伝導素子。
- 前記基板がプラスティックあるいは有機ポリマーであることを特徴とする請求項1または9に記載の光伝導素子。
- 前記基板は、前記第1の電極と接する第3の電極と、前記第2の電極と接する第4の電極と、を備え、
前記第3及び第4の電極を用いて前記アンテナに電圧を印加可能に構成されることを特徴とする請求項9乃至12のいずれか1項に記載の光伝導素子。
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