JP4788563B2 - Flux composition for soldering and solder paste - Google Patents

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Description

本発明は、電子部品のプリント配線板の実装に用いられるはんだ付け用フラックス、およびそれを用いたはんだペーストに関する。   The present invention relates to a soldering flux used for mounting a printed wiring board of an electronic component, and a solder paste using the same.

従来、プリント配線板への電子部品の実装には、はんだ付けが多用されてきた。はんだ付け方法としては、フラックスとはんだ粉末からなるはんだペーストを印刷し、電子部品を搭載して加熱接合して実装する方法(リフローソルダリング)、芯にフラックスを含ませた線状はんだ(やに入りはんだ)をはんだコテではんだ付けする方法、液状フラックスをリード線や電極に塗布させてから溶融はんだに接触させはんだ付けする方法(フローソルダリング)などがある。
はんだペースト用のフラックスは、ロジン系樹脂をベースとして、これに少量のアミンハロゲン塩や有機酸類等の活性剤、印刷性を向上させるためのチクソトロピー性付与剤、さらにその他目的に応じて種々の材料を溶媒に溶解させたものである。やに入りはんだ用のフラックスは、ロジン系樹脂と活性剤からなる樹脂状のものが普通である。フロー用の液状フラックスは、ロジン系樹脂や合成樹脂、活性剤などが溶媒(有機溶媒、水)に溶けている液体である。
Conventionally, soldering has been frequently used for mounting electronic components on a printed wiring board. As soldering methods, solder paste consisting of flux and solder powder is printed, electronic components are mounted by heat bonding (reflow soldering), and linear solder with flux in the core (Yani There are a method of soldering (soldered solder) with a soldering iron, a method of applying a liquid flux to a lead wire or an electrode, and then making contact with molten solder and soldering (flow soldering).
The flux for solder paste is based on rosin resin, and a small amount of activator such as amine halogen salt and organic acid, thixotropic agent for improving printability, and various materials depending on the purpose. Is dissolved in a solvent. The flux for the flux cored solder is usually a resinous material composed of a rosin resin and an activator. The liquid flux for flow is a liquid in which a rosin resin, a synthetic resin, an activator, or the like is dissolved in a solvent (organic solvent, water).

近年、環境対策からはんだの鉛フリー化が進展しているが、鉛フリーはんだは、その金属特性が従来の鉛含有はんだと異なっているために、鉛フリーはんだ用のフラックスには、新たな性能が必要とされている。
鉛フリーはんだは、その金属表面に安定な酸化皮膜を形成することからはんだのぬれ性が悪く、その結果、溶融はんだのはんだ付けランド部に対するぬれ広がり性も悪くなり、溶融はんだの不ぬれによりはんだ付け後の接合部中にボイド(空洞)が発生しやすい。しかしながら、はんだのぬれ性を向上させるために、強力な活性剤成分を使用すると、酸化皮膜を還元・除去すると同時に、これらの活性剤成分とはんだ金属との反応により水素や水分、その他活性剤成分の分解物(低揮発成分の有機物)が多量に発生し、やはりはんだ中のボイドは多量に発生してしまう。従って、鉛フリーはんだを使用する場合、従来のフラックスを使用する限り、ボイドの発生を抑制することはできない。
In recent years, lead-free solder has been developed from environmental measures. However, lead-free solder has a new performance in the flux for lead-free solder because its metal characteristics are different from conventional lead-containing solder. Is needed.
Since lead-free solder forms a stable oxide film on the metal surface, the wettability of the solder is poor. As a result, the wettability of the molten solder to the soldering land also deteriorates, and the solder does not wet due to the non-wetting of the molten solder. Voids (cavities) are likely to be generated in the bonded portion after being attached. However, if a strong activator component is used to improve the wettability of the solder, the oxide film is reduced and removed, and at the same time, hydrogen, moisture, and other activator components are produced by the reaction between these activator components and the solder metal. As a result, a large amount of decomposition products (organic substances of low volatile components) are generated, and a large amount of voids in the solder is also generated. Therefore, when lead-free solder is used, the generation of voids cannot be suppressed as long as the conventional flux is used.

ボイドが発生すると、はんだ接合部のシェア強度や引張り強度が低下し、部品を実装したプリント配線板や、それを用いた電子機器の耐衝撃性が低下するのみならず、温度サイクル試験などの信頼性試験において、はんだ内部にクラックを発生させ、導通不良などの問題を引き起こす。さらに、大きいボイドになると、はんだバンプの大きさが不揃いになり、チップ部品が傾くといった問題も発生する。特に、近年、セラミックコンデンサー等のチップ部品が小型化してきており、ボイドの発生は、即座にはんだ接合部の機械的強度低下につながることから、低ボイド化できる鉛フリーはんだペーストが強く求められている。   When voids occur, the shear strength and tensile strength of the solder joints decrease, and not only the printed circuit board on which the component is mounted and the impact resistance of the electronic equipment using it are reduced, but also reliability such as temperature cycle testing. In the property test, cracks are generated inside the solder, causing problems such as poor conduction. Furthermore, when the void becomes large, the solder bumps become uneven in size and the chip component is inclined. In particular, chip parts such as ceramic capacitors have been downsized in recent years, and the generation of voids immediately leads to a decrease in the mechanical strength of the solder joints, so there is a strong demand for lead-free solder paste that can reduce the voids. Yes.

この問題を解決する方法として、特許文献1、2において、1分子中にヒドロキシル基を2個以上有する化合物の該ヒドロキシル基に炭素6員環構造を有する環状酸無水物を開環ハーフエステル化反応させ、さらにビニルエーテルでブロック化することで得られる誘導体を含有する低ボイド型のはんだ付け用フラックス、及びはんだペーストが開示されている。しかしながら、この技術では、平均粒径が1〜15μmの微粉はんだ粉末に適用した場合には、その効果が発現しない。はんだが微粉となることで、はんだ表面の酸化物量が増えるために、ボイド抑制の効果が十分でなくなるためである。   As a method for solving this problem, in Patent Documents 1 and 2, a cyclic acid anhydride having a carbon 6-membered ring structure in the hydroxyl group of a compound having two or more hydroxyl groups in one molecule is subjected to a ring-opening half esterification reaction. Furthermore, a low void type soldering flux and a solder paste containing a derivative obtained by blocking with vinyl ether are disclosed. However, this technique does not exhibit the effect when applied to fine solder powder having an average particle size of 1 to 15 μm. This is because when the solder becomes fine powder, the amount of oxide on the surface of the solder increases, and the effect of suppressing voids becomes insufficient.

また、アルコキシシリル基を有するケイ素化合物は、加水分解してシランを生じて、はんだ粉末の金属表面の酸化物部位と反応しやすいため、フラックス成分とはんだ粉末との親和性を増したり、はんだ粉末の酸化を防止したりするために、はんだペーストに配合される。例えば、特許文献3にはシランカップリング剤が、特許文献4にはアルキル基を有するケイ素化合物がそれぞれ、はんだ粉末に表面コートして用いられている。しかし、これらのケイ素化合物をフラックスに配合しても、いくぶんかの酸化防止効果はあるものの、ボイドの低減には効果が見られない。   In addition, the silicon compound having an alkoxysilyl group is hydrolyzed to produce silane, which easily reacts with the oxide portion on the metal surface of the solder powder, thereby increasing the affinity between the flux component and the solder powder, In order to prevent the oxidation of the solder paste, it is added to the solder paste. For example, in Patent Document 3, a silane coupling agent is used, and in Patent Document 4, a silicon compound having an alkyl group is used by coating the solder powder with a surface. However, even if these silicon compounds are blended into the flux, although there is some antioxidant effect, no effect is seen in reducing voids.

特開2005−288490号公報JP 2005-288490 A 特開2006−167802号公報JP 2006-167802 A 特開平6−126481号公報JP-A-6-126481 特開平7−51892号公報JP-A-7-51892

本発明の目的は、はんだのぬれ性に優れ、はんだ接合部中のボイドの発生を抑制することができ、接合信頼性、電気的信頼性に優れたはんだ付け用フラックス組成物およびはんだペーストを提供することにある。   An object of the present invention is to provide a soldering flux composition and a solder paste that have excellent solder wettability, can suppress the generation of voids in solder joints, and are excellent in joint reliability and electrical reliability. There is to do.

本発明者らは、前記の問題に鑑み、鋭意検討した結果、特定の構造を有するハーフエステル化合物とケイ素化合物を組み合わせて特定量配合したはんだ付け用フラックス組成物あるいは、そのはんだ付け用フラックスにさらにはんだ粉末を配合したはんだペーストが、はんだのぬれ性に優れ、はんだ接合部中のボイドの発生を抑制することができ、さらに、接合信頼性、電気的信頼性を両立できることの知見を得て、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies in view of the above problems, the present inventors have further added a soldering flux composition in which a specific amount of a half ester compound having a specific structure and a silicon compound are combined, or the soldering flux. Obtaining knowledge that the solder paste blended with solder powder has excellent solder wettability, can suppress the generation of voids in the solder joints, and can achieve both joint reliability and electrical reliability, The present invention has been completed.

すなわち、本発明は、次の〔1〕〜〔3〕である。
〔1〕(A)多価アルコール(a1)と炭素6員環構造を有する環状酸無水物(a2)を開環ハーフエステル化反応させることにより得られる樹脂、および
(B)下記式(1)で表されるケイ素化合物
を含有し、前記樹脂(A)の配合割合がフラックス組成物100重量部あたり、5〜95重量部であり、前記ケイ素化合物(B)の配合割合がフラックス組成物全量あたり、0.01〜5.0重量%であることを特徴とする、はんだ付け用フラックス組成物。
That is, the present invention includes the following [1] to [3].
[1] (A) A resin obtained by subjecting a polyhydric alcohol (a1) and a cyclic acid anhydride (a2) having a carbon 6-membered ring structure to a ring-opening half esterification reaction, and (B) the following formula (1) The blending ratio of the resin (A) is 5 to 95 parts by weight per 100 parts by weight of the flux composition, and the blending ratio of the silicon compound (B) is based on the total amount of the flux composition. 0.01 to 5.0% by weight of a soldering flux composition.

Figure 0004788563
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(式(1)中、r=2または3である。Xは、水素原子、臭素原子、塩素原子、または水酸基から選ばれる基団であり、互いに同一であっても相異なっていてもよい。)
〔2〕前記の〔1〕に記載のはんだ付け用フラックス組成物と、Sn、Ag、Cu、Bi、Inから選ばれる少なくとも2種以上の金属からなるはんだ粉末とを含有するはんだペースト。
(In formula (1), r = 2 or 3. X is a group selected from a hydrogen atom, a bromine atom, a chlorine atom, or a hydroxyl group, and may be the same or different from each other. )
[2] A solder paste containing the soldering flux composition according to the above [1] and solder powder composed of at least two metals selected from Sn, Ag, Cu, Bi, and In.

〔3〕はんだ粉末が、平均粒径1〜15μmのはんだ粉末である前記の〔2〕に記載のはんだペースト。 [3] The solder paste according to [2], wherein the solder powder is a solder powder having an average particle diameter of 1 to 15 μm.

本発明のはんだ付け用フラックス組成物およびはんだペーストは、良好なはんだぬれ性を確保しながら、はんだ接合部のボイドの発生が少なく、接合信頼性、電気的信頼性に優れる。そのため、プリント配線板等の電子部品材料として好適に使用できる。
本発明のはんだペーストは、平均粒径が1〜15μmのはんだ粉末の使用についても、上記の良好な性能を発揮することができる。
The soldering flux composition and the solder paste of the present invention are excellent in bonding reliability and electrical reliability, while ensuring good solder wettability, generating less voids in the solder bonding portion. Therefore, it can be suitably used as an electronic component material such as a printed wiring board.
The solder paste of the present invention can exhibit the above-mentioned good performance even when using a solder powder having an average particle size of 1 to 15 μm.

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のはんだ付け用フラックス組成物およびはんだペーストは、下記の成分(A)および(B)を含有することを特徴とする。
(A)多価アルコール(a1)と炭素6員環構造を有する環状酸無水物(a2)を開環ハーフエステル化反応させることにより得られる樹脂、および
(B)下記式(1)で表されるケイ素化合物
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The soldering flux composition and the solder paste of the present invention contain the following components (A) and (B).
(A) a resin obtained by subjecting a polyhydric alcohol (a1) and a cyclic acid anhydride (a2) having a carbon 6-membered ring structure to a ring-opening half esterification reaction, and (B) represented by the following formula (1) Silicon compounds

Figure 0004788563
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式(1)中、r=2または3である。Xは、水素原子、臭素原子、塩素原子、または水酸基から選ばれる基団であり、互いに同一であっても相異なっていてもよい。   In formula (1), r = 2 or 3. X is a group selected from a hydrogen atom, a bromine atom, a chlorine atom, or a hydroxyl group, and may be the same or different from each other.

<樹脂(A)>
本発明のフラックス組成物に用いる樹脂(A)は、多価アルコール(a1)と炭素6員環構造を有する環状酸無水物(a2)を開環ハーフエステル化反応させることにより得られる。より具体的には、次式(2)で示される化合物が挙げられる。
<Resin (A)>
The resin (A) used in the flux composition of the present invention is obtained by subjecting a polyhydric alcohol (a1) and a cyclic acid anhydride (a2) having a carbon 6-membered ring structure to a ring-opening half esterification reaction. More specifically, the compound shown by following formula (2) is mentioned.

Figure 0004788563
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式(2)中の6員環は、脂環式の炭化水素である。mは、0または1の整数、pは、0〜4の整数、nは、1〜8の整数を示す。Rは、炭素数2〜50の炭化水素基を示す。Rは、同一のまたは相異なる、ハロゲン原子または炭素数1〜25の炭化水素基である。 The 6-membered ring in the formula (2) is an alicyclic hydrocarbon. m is an integer of 0 or 1, p is an integer of 0 to 4, and n is an integer of 1 to 8. R 4 represents a hydrocarbon group having 2 to 50 carbon atoms. R 5 is the same or different, a halogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 25 carbon atoms.

本発明に用いる樹脂(A)を、多価アルコール(a1)と炭素6員環構造を有する環状酸無水物(a2)とから得る反応は、多価アルコール(a1)のヒドロキシル基1モルが酸無水物基1モルに開環付加し、ハーフエステルを生じる開環ハーフエステル化反応であり、より具体的には、次式(3)の反応式で説明される。   In the reaction of obtaining the resin (A) used in the present invention from the polyhydric alcohol (a1) and the cyclic acid anhydride (a2) having a carbon 6-membered ring structure, 1 mol of the hydroxyl group of the polyhydric alcohol (a1) is an acid. This is a ring-opening half-esterification reaction in which 1-mol of an anhydride group is subjected to ring-opening addition to produce a half ester, and more specifically, is illustrated by the reaction formula of the following formula (3).

Figure 0004788563
Figure 0004788563

式中のR4、、n、m、およびpは、前記の式(2)におけるものと同じである。
本発明に用いる樹脂(A)において、ハーフエステルのアルコール部分の多価アルコール残基Rは、直鎖または分岐を有してもよい炭素数2〜50での炭化水素基である。炭素数が50を上回ると、樹脂(A)の溶融粘度が増加し、樹脂(A)の他成分との混和性に悪影響を及ぼす。
本発明に用いる樹脂(A)の分子鎖の分岐の度合いは、ヒドロキシル基を2個以上有する化合物(a1)の価数nによって決定される。nは、1〜8の整数であり、好ましくは2〜6の整数である。nの数が8を上回ると、樹脂(A)の溶融粘度が増加し、樹脂の他成分との混和性に悪影響を及ぼす。
本発明に用いる樹脂(A)は、式(2)に示される通り、置換基Rを環上に有していてもよい炭素6員環の構造を有する。置換基Rは、同一のまたは相異なる、ハロゲン原子または炭素数1〜25の炭化水素基である。置換基Rを有する場合、Rの炭素数が25を上回ると、樹脂(A)の極性が変化し、ケイ素化合物(B)との親和性が低下するため、良好なボイド低減効果を発揮することができない。
R 4, R 5 , n, m, and p in the formula are the same as those in the formula (2).
In the resin (A) used in the present invention, the polyhydric alcohol residue R 4 in the alcohol portion of the half ester is a hydrocarbon group having 2 to 50 carbon atoms which may have a straight chain or a branch. When the number of carbon atoms exceeds 50, the melt viscosity of the resin (A) increases and adversely affects the miscibility with other components of the resin (A).
The degree of branching of the molecular chain of the resin (A) used in the present invention is determined by the valence n of the compound (a1) having two or more hydroxyl groups. n is an integer of 1 to 8, preferably an integer of 2 to 6. When the number of n exceeds 8, the melt viscosity of resin (A) will increase and it will have a bad influence on the miscibility with the other component of resin.
The resin (A) used in the present invention has a carbon 6-membered ring structure that may have a substituent R 5 on the ring, as shown in the formula (2). The substituent R 5 is the same or different and is a halogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 25 carbon atoms. In the case of having the substituent R 5 , if the carbon number of R 5 exceeds 25, the polarity of the resin (A) changes and the affinity with the silicon compound (B) decreases, so that a good void reduction effect is exhibited. Can not do it.

本発明に用いる樹脂(A)の構造において、炭素6員環上の置換基Rの置換数pは、0〜4の整数であり、好ましくは0〜1の整数である。置換数pが4を上回ると、樹脂(A)の極性が変化し、ケイ素化合物(B)との親和性が低下するため、良好なボイド低減効果を発揮することができない。
本発明に用いる樹脂(A)は、炭素6員環構造を有する環状酸無水物(a2)の酸無水物基に由来するカルボキシル基以外のカルボキシル基を炭素6員環上に有していてもよい。前記のカルボキシル基の数mは、0または1の整数である。mが1を上回ると、樹脂(A)の極性が変化し、ケイ素化合物(B)との親和性が低下するため、良好なボイド低減効果を発揮することができない。
In the structure of the resin (A) used in the present invention, the substitution number p of the substituent R 5 on the carbon 6-membered ring is an integer of 0 to 4, preferably an integer of 0 to 1. If the number of substitutions p exceeds 4, the polarity of the resin (A) changes and the affinity with the silicon compound (B) decreases, so that a good void reduction effect cannot be exhibited.
The resin (A) used in the present invention may have a carboxyl group other than the carboxyl group derived from the acid anhydride group of the cyclic acid anhydride (a2) having a carbon 6-membered ring structure on the carbon 6-membered ring. Good. The number m of the carboxyl groups is an integer of 0 or 1. When m exceeds 1, the polarity of the resin (A) is changed and the affinity with the silicon compound (B) is lowered, so that a favorable void reducing effect cannot be exhibited.

本発明に用いる多価アルコール(a1)としては具体的には、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、分子量440以下のポリエチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−プロピレングリコール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、1,5−ペンタンジオール、2,3−ジメチルブタン−1,4−ジオール、水添ビスフェノールA、ネオペンチルグリコール、1,8−オクタンジオール、1,4−シクロヘキサンジオール、1,4−シクロヘキサンジメタノール、2−メチル−1,3−プロパンジオール等のジオール化合物;グリセリン、1,2,4−ブタントリオール、1,2,5−ペンタントリオール、1,2,6−へキサントリオール、1,2,7−ヘプタントリオール、1,2,8−オクタントリオール、1,2,9−ノナントリオール、1,2,10−デカントリオール、1,3,5−シクロヘキサントリオール、1,2,4−シクロへキサントリオール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン等のトリオール化合物;ペンタエリスリトール等のテトラオール化合物が挙げられる。
これらの中でも、エチレングリコール、トリメチロールプロパンが入手性、反応性の観点から好ましい。
また、前記の1分子中に多価アルコール(a1)は、1種単独で、または2種以上を混合して使用できる。
Specific examples of the polyhydric alcohol (a1) used in the present invention include ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, polyethylene glycol having a molecular weight of 440 or less, 1,2-propylene glycol, 1,3-propylene glycol. 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 2,3-butanediol, 1,6-hexanediol, 1,5-pentanediol, 2,3-dimethylbutane-1,4-diol, water Diol compounds such as bisphenol A, neopentyl glycol, 1,8-octanediol, 1,4-cyclohexanediol, 1,4-cyclohexanedimethanol, 2-methyl-1,3-propanediol; glycerin, 1,2 , 4-butanetriol, 1,2,5- Ntantriol, 1,2,6-hexanetriol, 1,2,7-heptanetriol, 1,2,8-octanetriol, 1,2,9-nonanetriol, 1,2,10-decanetriol, 1 , 3,5-cyclohexanetriol, 1,2,4-cyclohexanetriol, triol compounds such as trimethylolpropane and trimethylolethane; and tetraol compounds such as pentaerythritol.
Among these, ethylene glycol and trimethylolpropane are preferable from the viewpoints of availability and reactivity.
Moreover, polyhydric alcohol (a1) can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types in said 1 molecule.

本発明に用いる環状酸無水物(a2)としては、具体的には例えば、ヘキサヒドロ無水フタル酸(式(3)中、p=0、m=0)、4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(同p=1、R=メチル基、m=0)、水添無水トリメリット酸等の脂環式カルボン酸無水物(同p=0、m=1)が挙げられる。
これらの、環状酸無水物(a2)の中でも、ヘキサヒドロ無水フタル酸が、入手性の点と、得られる樹脂の、溶剤や樹脂に対する溶解性の点から好ましく挙げられる。
前記の環状酸無水物(a2)は1種単独で、または2種以上を混合して使用できる。
Specific examples of the cyclic acid anhydride (a2) used in the present invention include hexahydrophthalic anhydride (in formula (3), p = 0, m = 0), 4-methylhexahydrophthalic anhydride (same as above). p = 1, R 5 = methyl group, m = 0), and cycloaliphatic carboxylic acid anhydrides such as hydrogenated trimellitic anhydride (same as p = 0, m = 1).
Among these cyclic acid anhydrides (a2), hexahydrophthalic anhydride is preferred because of its availability and the solubility of the resulting resin in solvents and resins.
The cyclic acid anhydride (a2) may be used alone or in combination of two or more.

式(2)中の6員環、m、p、n、R、Rはそれぞれ、前記の式(3)におけるものと同じである。
この開環ハーフエステル化反応は、公知の方法で行うことができ、例えば、有機溶媒中で室温〜200℃の温度で行うことができる。
開環ハーフエステル化反応における原料(a1)と(a2)の使用比率は、目的に応じて任意に選択することができるが、通常、多価アルコール(a1)のヒドロキシル基1モルあたり環状酸無水物基が通常0.2〜2モル、好ましくは、0.5〜1.5モル、さらに好ましくは0.8〜1.2モルになるように(a2)成分を用いるのが適している。
The 6-membered ring, m, p, n, R 4 and R 5 in the formula (2) are the same as those in the formula (3).
This ring-opening half esterification reaction can be carried out by a known method, for example, at a temperature of room temperature to 200 ° C. in an organic solvent.
The use ratio of the raw materials (a1) and (a2) in the ring-opening half esterification reaction can be arbitrarily selected according to the purpose, but usually cyclic acid anhydride per mole of hydroxyl group of the polyhydric alcohol (a1). It is suitable to use the component (a2) so that the physical group is usually 0.2 to 2 mol, preferably 0.5 to 1.5 mol, more preferably 0.8 to 1.2 mol.

開環ハーフエステル化反応に際しては、反応を促進するために、有機アミン化合物などの触媒を使用することができる。具体的には、そのような触媒としては、例えば、メチルアミン、エチルアミン、ブチルアミン、t−ブチルアミン、アミルアミン、オクチルアミン、シクロへキシルアミン、s−ブチルアミン、ビニルメチルアミン、アリルアミン、エトキシメチルアミン等の第1級アミン類;ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジアミルアミン、ジヘキシルアミン、ジドデシルアミン等の第2級アミン類;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン等の第3級アミン類;エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類;フェニルプロピルアミン、フェニルエチルアミン、メトキシベンジルアミン、ジエチルベンジルアミン、ベンジルアミン、ジメチルベンジルアミン等のベンゼン環を有する脂肪族アミン類;モルホリン、メチルモルホリン等のモルホリン誘導体;t−ブチルアニリン等のアニリン誘導体;ジメチルトルイジン等の芳香族アミン類;2−ヒドロキシピリミジン、2−ヒドロキシピリジン、3−ヒドロキシピリジン、4−ヒドロキシピリジン等のピリジン誘導体;ピペリジン、メチルピペリジン、ベンジルピロリジン等のピペリジン誘導体;メチルピロリジン等のピロリジン誘導体;ピロール等のピロール誘導体;2−ヒドロキノリン、3−ヒドロキノリン、4−ヒドロキノリン、2−メチルキノリン、4−メチル−8−ヒドロキノリン等のキノリン誘導体;ベンゾイミダゾール、メチルイミダゾール、イミダゾール等のイミダゾール誘導体;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩等が挙げられる。また、ジブチルすずジラウレートやブチルチンオキシアセテートなどの有機スズ化合物も反応を促進させる触媒として使用することができる。   In the ring-opening half esterification reaction, a catalyst such as an organic amine compound can be used to accelerate the reaction. Specifically, examples of such a catalyst include methylamine, ethylamine, butylamine, t-butylamine, amylamine, octylamine, cyclohexylamine, s-butylamine, vinylmethylamine, allylamine, ethoxymethylamine and the like. Primary amines; secondary amines such as dimethylamine, diethylamine, dipropylamine, diamylamine, dihexylamine, didodecylamine; tertiary amines such as trimethylamine, triethylamine, tripropylamine; ethanolamine, diethanolamine, Alkanolamines such as triethanolamine; Bennes such as phenylpropylamine, phenylethylamine, methoxybenzylamine, diethylbenzylamine, benzylamine, dimethylbenzylamine Aliphatic amines having an aromatic ring; morpholine derivatives such as morpholine and methylmorpholine; aniline derivatives such as t-butylaniline; aromatic amines such as dimethyltoluidine; 2-hydroxypyrimidine, 2-hydroxypyridine, 3-hydroxypyridine Pyridine derivatives such as 4-hydroxypyridine; piperidine derivatives such as piperidine, methylpiperidine and benzylpyrrolidine; pyrrolidine derivatives such as methylpyrrolidine; pyrrole derivatives such as pyrrole; 2-hydroquinoline, 3-hydroquinoline, 4-hydroquinoline, Quinoline derivatives such as 2-methylquinoline and 4-methyl-8-hydroquinoline; Imidazole derivatives such as benzimidazole, methylimidazole and imidazole; Tetramethylammonium hydroxide, Tetraethyla Quaternary ammonium salts such as mode onium hydroxide and the like. Further, organotin compounds such as dibutyltin dilaurate and butyltin oxyacetate can also be used as a catalyst for promoting the reaction.

前記の触媒は、1種単独で、または、2種以上を混合して使用できる。前記の触媒の使用量は、原料である化合物(a1)と化合物(a2)との合計量100重量部に対して、好ましくは0.005〜10重量部であり、より好ましくは0.01〜5重量部である。   The said catalyst can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. The amount of the catalyst used is preferably 0.005 to 10 parts by weight, more preferably 0.01 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total amount of the compound (a1) and the compound (a2) as raw materials. 5 parts by weight.

前記、反応系を均一にし、反応を容易にする有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、芳香族石油ナフサ、テトラリン、テレビン油、ソルベッソ#100(エクソン化学(株)登録商標)、ソルベッソ#150(エクソン化学(株)登録商標)等の芳香族炭化水素;ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸n−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸第二ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸メトキシブチル等のエステルおよびエーテルエステル類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、メシチルオキサイド、メチルイソアミルケトン、エチルブチルケトン、エチルアミルケトン、ジイソブチルケトン、ジエチルケトン、メチルプロピルケトン、ジイソプロピルケトン等のケトン類;トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェート等のリン酸エステル類;ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒が挙げられる。有機溶剤は、単独または2種以上を組み合わせて用いることができる。前記有機溶媒の使用量は、特に限定されないが、反応原料100重量部に対して、通常、5〜95重量部、好ましくは、20〜80重量部である。   Examples of the organic solvent that makes the reaction system uniform and facilitates the reaction include benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, aromatic petroleum naphtha, tetralin, turpentine oil, Solvesso # 100 (Exxon Chemical Co., Ltd. registered trademark), Aromatic hydrocarbons such as Solvesso # 150 (registered trademark of Exxon Chemical Co., Ltd.); ethers such as dioxane and tetrahydrofuran; methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, acetic acid Esters and ether esters such as sec-butyl, amyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, methoxybutyl acetate; acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl amyl ketone, cyclohexanone, isophorone, mesityl oxide Ketones such as methyl isoamyl ketone, ethyl butyl ketone, ethyl amyl ketone, diisobutyl ketone, diethyl ketone, methyl propyl ketone and diisopropyl ketone; phosphate esters such as trimethyl phosphate, triethyl phosphate and tributyl phosphate; dimethyl sulfoxide, N, N -Aprotic polar solvents such as dimethylformamide. An organic solvent can be used individually or in combination of 2 or more types. Although the usage-amount of the said organic solvent is not specifically limited, It is 5-95 weight part normally with respect to 100 weight part of reaction raw materials, Preferably, it is 20-80 weight part.

本発明のフラックス組成物において、前記の樹脂(A)の配合割合は、フラックス組成物100重量部あたり、通常5〜95重量部、特に10〜90重量部が好ましい。5重量部未満では、はんだぬれ性が低下、ボイド特性が悪くなり、95重量部を超えると良好な印刷適性が得られなくなるので好ましくない。 In the flux composition of the present invention, the blending ratio of the resin (A) is usually 5 to 95 parts by weight, particularly 10 to 90 parts by weight per 100 parts by weight of the flux composition. If it is less than 5 parts by weight, the solder wettability is deteriorated and the void characteristics are deteriorated. If it exceeds 95 parts by weight, good printability cannot be obtained, which is not preferable.

<ケイ素化合物(B)>
本発明のフラックス組成物に用いるケイ素化合物(B)は、下記式(1)で表される化合物である。
<Silicon compound (B)>
The silicon compound (B) used in the flux composition of the present invention is a compound represented by the following formula (1).

Figure 0004788563
Figure 0004788563

式(1)中、r=2または3である。Xは、水素原子、臭素原子、塩素原子、または水酸基から選ばれる基団であり、互いに同一であっても相異なっていてもよい。
ケイ素化合物(B)として具体的には、トリフェニルシラン(式(1)中、X=水素原子、Y=フェニル基)、トリフェニルシラノ−ル(同 X=水酸基、Y=フェニル基)、トリフェニルクロロシラン(同 X=塩素原子、Y=フェニル基)、トリフェニルブロモシラン(同 X=臭素原子、Y=フェニル基)、ジフェニルシラン(式(1)中、X=水素原子、Y=水素原子)、ジフェニルジクロロシラン(式(1)中、X=塩素原子、Y=塩素原子)、ジフェニルジブロモシラン(式(1)中、X=臭素原子、Y=臭素原子)等が挙げられる。これらのケイ素化合物は、1種単独であるいは2種以上を混合して使用することができる。
In formula (1), r = 2 or 3. X is a group selected from a hydrogen atom, a bromine atom, a chlorine atom, or a hydroxyl group, and may be the same or different from each other.
Specific examples of the silicon compound (B) include triphenylsilane (in formula (1), X = hydrogen atom, Y = phenyl group), triphenylsilanol (the same X = hydroxyl group, Y = phenyl group), triphenylsilane. Phenylchlorosilane (same as X = chlorine atom, Y = phenyl group), triphenylbromosilane (same as X = bromine atom, Y = phenyl group), diphenylsilane (in formula (1), X = hydrogen atom, Y = hydrogen atom) ), Diphenyldichlorosilane (in formula (1), X = chlorine atom, Y = chlorine atom), diphenyldibromosilane (in formula (1), X = bromine atom, Y = bromine atom) and the like. These silicon compounds can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

一般に、フラックスを用いたはんだ接合においては、加熱接合時のはんだ粒子の溶融合一がうまく進行しない場合に起こりやすい。鉛フリーはんだの場合はとくに、フラックス成分によって還元された酸化膜由来の金属化合物がはんだ粒子間に介在して、はんだ粒子の溶融合一が妨げられやすい。本発明において、傑出したボイド抑制が得られる機構は厳密には証明されてはいないが、フラックス能を有する(A)成分と非常に親和性の高いフェニル基を2または3個と、撥油性の高いシリル原子との両方を有する(B)成分が、酸化膜由来の金属化合物の界面近傍で作用し、短時間のリフロー中にも金属粒子の合一を促進するためであると推測される。   Generally, in solder joining using a flux, it tends to occur when melting and coalescence of solder particles during heat joining does not proceed well. Particularly in the case of lead-free solder, a metal compound derived from an oxide film reduced by a flux component is interposed between solder particles, and melting and coalescence of solder particles is likely to be hindered. In the present invention, the mechanism for obtaining outstanding void suppression is not strictly proved, but the component (A) having flux ability and 2 or 3 phenyl groups having a very high affinity, It is presumed that the component (B) having both a high silyl atom acts near the interface of the metal compound derived from the oxide film and promotes coalescence of the metal particles even during a short reflow.

前記ケイ素化合物(B)は、通常、フラックス組成物全量あたり、0.01〜5.0重量%、好ましくは、0.05〜3.0重量%の割合で配合される。ケイ素化合物(B)が、0.01重量%より少ない場合には、はんだ表面や基板表面の表面改質が不十分となり、酸化被膜の成長を抑制することができず、結果的にボイドの発生を抑制することができない。一方、5.0重量%以上では、過剰分のケイ素化合物(B)が、はんだのぬれ性を阻害し、かえってボイドが多く発生することとなる。 The silicon compound (B) is usually blended at a ratio of 0.01 to 5.0% by weight, preferably 0.05 to 3.0% by weight , based on the total amount of the flux composition . When the silicon compound (B) is less than 0.01% by weight, the surface modification of the solder surface or the substrate surface becomes insufficient, and the growth of the oxide film cannot be suppressed, resulting in the generation of voids. Can not be suppressed. On the other hand, at 5.0 wt% or more, the excess silicon compound (B) inhibits the wettability of the solder, and on the contrary, many voids are generated.

<フラックス活性剤>
本発明のフラックス組成物には、通常用いられるフラックス活性剤を用いることができる。具体的には例えば、塩化水素酸および臭化水素酸のアミン塩、カルボン酸およびそのアミン塩が好ましく使用される。具体的には、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、n−プロピルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の塩化水素酸塩もしくは臭化水素酸塩、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、アジピン酸、グルタル酸、ジエチルグルタル酸、ピメリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、ジグリコール酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、リノール酸、オレイン酸、ステアリン酸、アラキン酸、べへニン酸、リノレン酸等の脂肪族カルボン酸;安息香酸等の芳香族酸;ヒドロキシピバリン酸、ジメチロールプロピオン酸、クエン酸、リンゴ酸、グリセリン酸、乳酸等のヒドロキシ酸;または、それらのアミン塩等が挙げられる。
<Flux activator>
In the flux composition of the present invention, a commonly used flux activator can be used. Specifically, for example, amine salts of hydrochloric acid and hydrobromic acid, carboxylic acids and amine salts thereof are preferably used. Specifically, methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, n-propylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, isopropylamine, diisopropylamine, triisopropylamine, butylamine, Hydrochlorate or hydrobromide such as dibutylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, adipic acid, glutaric acid, diethylglutaric acid, pimelic acid, azelaic acid, Aliphatic carboxylic acids such as sebacic acid, maleic acid, fumaric acid, diglycolic acid, capric acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, linoleic acid, oleic acid, stearic acid, arachidic acid, behenic acid, linolenic acid ; Aromatic acids such as benzoic acid; hydroxypivalic acid, dimethylolpropionic acid, citric acid, malic acid, glyceric acid, hydroxy acids such as lactic acid; or their amine salts.

本発明のフラックス組成物に用いられるフラックス活性剤としては、保存安定性やリフロー後のフラックス残渣の無色性が求められる場合には、1分子中に潜在化されたカルボキシル基を1個以上有する脂肪族カルボン酸誘導体が好ましく挙げられる。具体的には、ヘミアセタールエステル化合物およびポリヘミアセタールエステル化合物が挙げられる。
前記のヘミアセタールエステル化合物およびポリヘミアセタールエステル化合物は、カルボキシル化合物とビニルエーテル化合物とを反応させて、分子内のカルボキシル基を潜在化させることによって得られる。
前記の脂肪族カルボン酸化合物としては、コハク酸、アジピン酸、グルタル酸等の脂肪族カルボン酸が挙げられる。
As the flux activator used in the flux composition of the present invention, when storage stability and colorlessness of the flux residue after reflow are required, a fat having one or more latent carboxyl groups in one molecule Preferred examples thereof include group carboxylic acid derivatives. Specific examples include hemiacetal ester compounds and polyhemiacetal ester compounds.
The aforementioned hemiacetal ester compound and polyhemiacetal ester compound are obtained by reacting a carboxyl compound and a vinyl ether compound to make a carboxyl group in the molecule latent.
Examples of the aliphatic carboxylic acid compound include aliphatic carboxylic acids such as succinic acid, adipic acid, and glutaric acid.

前記のビニルエーテルとしては、n−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、n−ブチルビニルエーテル等のアルキルビニルエーテル類;ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、ブタンジオールジビニルエーテル等のジビニルエーテル類;2,3−ジヒドロフラン、3,4−ジヒドロ−2H−ピラン等の不飽和環状エーテル類が挙げられる。
1分子中に潜在化されたカルボキシル基を1個以上有する脂肪族カルボン酸化合物は、通常、前記のカルボキシル化合物とビニルエーテルを、無触媒で、あるいは酸性リン酸エステル化合物等の酸触媒の存在下で、室温〜150℃の温度で反応させることによって得られる。
これらの活性剤を配合する場合の割合は、特に限定されないが、フラックス組成物全量に対して好ましくは30重量%以下であり、より好ましくは2〜6重量%である。
Examples of the vinyl ether include alkyl vinyl ethers such as n-propyl vinyl ether, isopropyl vinyl ether and n-butyl vinyl ether; divinyl ethers such as diethylene glycol divinyl ether, triethylene glycol divinyl ether and butanediol divinyl ether; 2,3-dihydrofuran And unsaturated cyclic ethers such as 3,4-dihydro-2H-pyran.
An aliphatic carboxylic acid compound having one or more latent carboxyl groups in one molecule is usually prepared by using the above-mentioned carboxyl compound and vinyl ether without a catalyst or in the presence of an acid catalyst such as an acidic phosphate compound. It is obtained by reacting at a temperature of room temperature to 150 ° C.
Although the ratio in the case of mix | blending these active agents is not specifically limited, Preferably it is 30 weight% or less with respect to the flux composition whole quantity, More preferably, it is 2 to 6 weight%.

<酸中性化剤>
本発明のフラックス組成物には、リフロー残渣のタック性、電気的信頼性が求められる場合には、リフロー残渣中の有機酸残基と反応する酸中性化剤を配合することが好ましい。酸中性化剤としては具体的には、1分子中に1個以上のオキセタニル基を有する化合物が挙げられる。例えば、3−メチル−3−メトキシメチルオキセタン、3−エチル−3−フェノキメチルオキセタン、3−エチル−3−(2−エチルへキシロキシメチル)オキセタン、3−エチル−3−シクロヘキシロキシメチルオキセタン、3−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタン等のモノオキセタン類や、次の(i)および(ii)のジオキセタン類が好適に用いることができる。
<Acid neutralizer>
When the tackiness and electrical reliability of the reflow residue are required for the flux composition of the present invention, an acid neutralizing agent that reacts with the organic acid residue in the reflow residue is preferably blended. Specific examples of the acid neutralizing agent include compounds having one or more oxetanyl groups in one molecule. For example, 3-methyl-3-methoxymethyloxetane, 3-ethyl-3-phenoxymethyloxetane, 3-ethyl-3- (2-ethylhexyloxymethyl) oxetane, 3-ethyl-3-cyclohexyloxymethyloxetane, Monooxetanes such as 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane and the following dioxetanes (i) and (ii) can be preferably used.

(i)ヒドロキシル化合物と、3−アルキル−3−ヒドロキシメチルオキセタン類とのエーテル化物
具体的には例えば、炭素数1〜6のアルキル基からなる脂肪族モノアルコール、炭素数2〜8のアルキレン基からなる脂肪族グリコール、炭素数2〜18の芳香族アルコール、フェノールノボラック樹脂、重合単位が第4級構造で重合度2〜8のポリシロキサン等のヒドロキシル化合物と、3−エチル−3−メトキシメチルオキセタン等のオキセタン類をエーテル縮合した化合物等が挙げられる。より具体的には例えば、1,4−ビス(((3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ)メチル)ベンゼン、1,4−ビス(((3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ)メチル)ベンゼン、4,4’−ビス(((3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ)メチル)ビフェニル、3,3’,5,5’−メチル−4,4’−ビス(((3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ)メチル)ビフェニル、1,4−ビス((3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ)ベンゼン、4,4’−ビス((3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ)ビフェニル、3,3’,5,5’−メチル−4,4’−ビス((3−エチル−3−オキセタニル)メチル)ビフェニル等が挙げられる。
(I) Etherified product of hydroxyl compound and 3-alkyl-3-hydroxymethyloxetane Specifically, for example, an aliphatic monoalcohol composed of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkylene group having 2 to 8 carbon atoms An aliphatic glycol comprising 2 to 18 carbon atoms, a phenol novolak resin, a hydroxyl compound such as a polysiloxane having a quaternary structure and a polymerization degree of 2 to 8, and 3-ethyl-3-methoxymethyl Examples include compounds obtained by ether condensation of oxetanes such as oxetane. More specifically, for example, 1,4-bis (((3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy) methyl) benzene, 1,4-bis (((3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy) methyl) benzene 4,4′-bis (((3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy) methyl) biphenyl, 3,3 ′, 5,5′-methyl-4,4′-bis (((3-ethyl-3 -Oxetanyl) methoxy) methyl) biphenyl, 1,4-bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy) benzene, 4,4'-bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy) biphenyl, 3, And 3 ′, 5,5′-methyl-4,4′-bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) biphenyl.

(ii)カルボキシル化合物と3−アルキル−3−ヒドロキシメチルオキセタン類とのエステル化物
具体的には例えば、(メタ)アクリル酸、炭酸、アジピン酸、テレフタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸等のカルボキシル化合物と、3−エチル−3−メトキシメチルオキセタン等のオキセタン類をエステル化した化合物等が挙げられ、より具体的には例えば、(3−エチル−3−オキセタニル)メチルメタクリレート、ビス((3−エチル−3−オキセタニル)メチル)カーボネート、ビス((3−エチル−3−オキセタニル)メチル)アジペート、ビス((3−エチル−3−オキセタニル)メチル)ベンゼン−1,4−ジカルボキシレート、ビス((3−エチル−3−オキセタニル)メチル)シクロヘキサン−1,4−ジカルボキシレート等が挙げられる。
(Ii) Esterified product of carboxyl compound and 3-alkyl-3-hydroxymethyloxetane Specifically, for example, a carboxyl compound such as (meth) acrylic acid, carbonic acid, adipic acid, terephthalic acid, cyclohexanedicarboxylic acid, and 3 Examples include compounds obtained by esterifying oxetanes such as -ethyl-3-methoxymethyloxetane, and more specifically, for example, (3-ethyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate, bis ((3-ethyl-3- Oxetanyl) methyl) carbonate, bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) adipate, bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) benzene-1,4-dicarboxylate, bis ((3-ethyl -3-oxetanyl) methyl) cyclohexane-1,4-dicarboxylate Etc. The.

これらの、1分子中に1個以上のオキセタニル基を有する化合物の中でも、3−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタン、1,4−ビス{[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ]メチル}ベンゼンが、フラックス残渣の物性の点から好ましく挙げられる。
前記の1分子中に1個以上のオキセタニル基を有する化合物は、1種単独で、または2種以上を混合して使用することができる。
本発明のはんだ付け用フラックス組成物において、酸中性化剤を配合する場合、その配合割合は、はんだ付け用フラックス組成物100重量部あたり、5〜60重量部が好ましく、10〜40重量部がより好ましい。
Among these compounds having one or more oxetanyl groups in one molecule, 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, 1,4-bis {[(3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy] methyl} benzene Is preferable from the viewpoint of the physical properties of the flux residue.
The compounds having one or more oxetanyl groups in one molecule can be used singly or in combination of two or more.
In the soldering flux composition of the present invention, when the acid neutralizing agent is blended, the blending ratio is preferably 5 to 60 parts by weight, and 10 to 40 parts by weight per 100 parts by weight of the soldering flux composition. Is more preferable.

本発明のフラックス組成物は、要求性能に応じて、チクソトロピー性付与剤、酸化防止剤、防錆剤、キレート化剤、レべリング剤、消泡剤、分散剤および溶剤からなる群より選択される少なくとも1種を配合することができる。   The flux composition of the present invention is selected from the group consisting of a thixotropic agent, an antioxidant, a rust inhibitor, a chelating agent, a leveling agent, an antifoaming agent, a dispersant, and a solvent depending on the required performance. At least one of these can be blended.

はんだペーストの印刷性を改善するために使用されるチクソトロピー性付与剤としては、例えば、カスターワックス(硬化ひまし油=水添ひまし油)、蜜ロウ、カルナウバロウ等のポリオレフィン系ワックス;ステアリン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸ビスアミド、m−キシリレンビスステアリン酸アミド、N,N’−ジステアリルイソフタル酸アミド、N,N’−ジステアリルセバシン酸アミド、N,N’−ジステアリルアジピン酸アミド、ブチレンビスヒドロキシステアリン酸アミド、ヘキサメチレンビスヒドロキシステアリン酸アミド、ヘキサメチレンビスべヘン酸アミド、ヘキサメチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスべヘン酸アミド、エチレンビスヒドロキシステアリン酸アミド、エチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスラウリン酸アミド、エチレンビスカプリン酸アミド、エチレンビスカプリル酸アミド、メチレンビスヒドロキシステアリン酸アミド、メチレンビスラウリン酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド等の脂肪酸アミド;N−ブチル−N’−ステアリル尿素、N−フェニル−N’−ステアリル尿素、N−ステアリル−N’−ステアリル尿素、キシリレンビスステアリル尿素、トルイレンビスステアリル尿素、ヘキサメチレンビスステアリル尿素、ジフェニルメタンビスステアリル尿素、ジフェニルメタンビスラウリル尿素等の置換尿素ワックス;ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等の高分子化合物;シリカ粒子、カオリン粒子等の無機粒子が挙げられる。好ましくは、m−キシリレンビスステアリン酸アミド、ヘキサメチレンビスステアリン酸アミドが挙げられる。チクソトロピー性付与剤は、単独または2種以上を組み合わせて用いることができる。前記チクソトロピー性付与剤を配合する場合の割合は、通常、フラックス全量に対して、0.1〜30重量%が使用される。   Examples of thixotropy imparting agents used to improve the printability of solder paste include polyolefin waxes such as castor wax (hardened castor oil = hydrogenated castor oil), beeswax, carnauba wax, etc .; stearamide, hydroxystearic acid Bisamide, m-xylylenebisstearic acid amide, N, N′-distearylisophthalic acid amide, N, N′-distearyl sebacic acid amide, N, N′-distearyl adipic acid amide, butylene bishydroxystearic acid amide , Hexamethylene bishydroxy stearamide, hexamethylene bis behenamide, hexamethylene bis stearamide, ethylene bis behenamide, ethylene bishydroxy stearate, ethylene bis stearamide, Fatty acid amides such as tylene bislauric acid amide, ethylene biscapric acid amide, ethylene biscaprylic acid amide, methylene bishydroxystearic acid amide, methylene bislauric acid amide, methylene bis stearic acid amide; N-butyl-N′-stearyl urea N-phenyl-N′-stearyl urea, N-stearyl-N′-stearyl urea, xylylene bisstearyl urea, toluylene bisstearyl urea, hexamethylene bisstearyl urea, diphenylmethane bisstearyl urea, diphenylmethane bislauryl urea, etc. Substituted urea wax; polymer compounds such as polyethylene glycol, polyethylene oxide, methylcellulose, ethylcellulose, and hydroxyethylcellulose; inorganic particles such as silica particles and kaolin particles And the like. Preferably, m-xylylene bis stearamide and hexamethylene bis stearamide are used. The thixotropic agent can be used alone or in combination of two or more. The proportion of the thixotropy imparting agent is usually 0.1 to 30% by weight based on the total amount of flux.

前記の酸化防止剤としては、例えば、ジラウリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−3,3’−チオジプロピオネート、ジステアリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジラウリルスルフィド、2−メルカプトベンズイミダゾール、2−メルカプトメチルベンズイミダゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、ジベンゾチアジルジスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフィド、テトラブチルチウラムジスルフィド、テトラキス(2−エチルへキシル)チウラムジスルフィド、N,N’−ジフェニルチオ尿素、ジチオカルバミン酸亜鉛塩、N−t−ブチル−2−ベンゾチアゾリルスルフェンアミド、ブチルキサントゲン酸亜鉛等の硫黄化合物;トリエチレングリコール−ビス[3−(3−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,6−ヘキサンジオール−ビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、ペンタエリスリチルテトラキス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン等のヒンダードフェノール化合物;トリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト等のホスファイト化合物が挙げられる。   Examples of the antioxidant include dilauryl-3,3′-thiodipropionate, dimyristyl-3,3′-thiodipropionate, distearyl-3,3′-thiodipropionate, and dilauryl sulfide. 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercaptomethylbenzimidazole, 2-mercaptobenzothiazole, dibenzothiazyl disulfide, tetraethylthiuram disulfide, tetrabutylthiuram disulfide, tetrakis (2-ethylhexyl) thiuram disulfide, N, N'- Sulfur compounds such as diphenylthiourea, zinc dithiocarbamate, Nt-butyl-2-benzothiazolylsulfenamide, zinc butylxanthate; triethylene glycol-bis [3- (3-t-butyl-5- Methyl-4 Hydroxyphenyl) propionate], 1,6-hexanediol-bis [3- (3,5-di-tert-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl) propionate], pentaerythrityltetrakis [3- (3 5-di-t-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-t-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl) propionate, 1,3, Hindered phenol compounds such as 5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene; triphenyl phosphite, trisnonylphenyl phosphite, tris (2, 4-di-t-butylphenyl) phosphite, distearyl pentaerythritol diphosphite, diphe Phosphite compounds such as Louis Seo decyl phosphite.

このような酸化防止剤は、それぞれ単独で用いてもよいが、2種類以上のものを組み合わせて用いるとさらに好ましい。特に、ヒンダードフェノール化合物とホスファイト化合物、またはヒンダードフェノール化合物と硫黄化合物を組み合わせて用いることにより大きな相乗効果が発揮できる。前記酸化防止剤を配合する場合の割合は、通常、フラックス組成物全量に対して、0.01〜10重量%が使用される。複数種の酸化防止剤を組み合わせて用いる場合は、総量を上記の範囲内とするのがよい。
前記の防錆剤としては、ベンゾトリアゾ−ル、メチルベンゾトリアゾ−ル等のトリアゾ−ル化合物;イミダゾール、メチルイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール等のイミダゾール化合物;1,3−ジフェニルグアニジン等のグアニジン化合物が挙げられる。
このような防錆剤は、単独または2種以上を組み合わせて用いることができる。前記防錆剤を配合する場合の割合は、通常、フラックス組成物全量に対して、0.01〜10重量%が使用される。複数種の防錆剤を組合わせて用いる場合は、総量を上記の範囲内とするのがよい。
Such antioxidants may be used alone, but are more preferably used in combination of two or more. In particular, a great synergistic effect can be exhibited by using a hindered phenol compound and a phosphite compound or a hindered phenol compound and a sulfur compound in combination. The proportion in the case of blending the antioxidant is usually 0.01 to 10% by weight with respect to the total amount of the flux composition . When a plurality of types of antioxidants are used in combination, the total amount is preferably within the above range.
Examples of the rust inhibitor include triazole compounds such as benzotriazole and methylbenzotriazole; imidazole compounds such as imidazole, methylimidazole and 2,4,5-triphenylimidazole; 1,3-diphenylguanidine. And guanidine compounds such as
Such an antirust agent can be used individually or in combination of 2 or more types. In the case of blending the rust preventive agent, 0.01 to 10% by weight is usually used with respect to the total amount of the flux composition . When a plurality of types of rust inhibitors are used in combination, the total amount is preferably within the above range.

前記のキレート化剤としては、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、2,2'−ビピリジン、1,10−フェナントロリン等が挙げられる。このようなキレート化剤は、単独または2種以上を組み合わせて用いることができる。前記キレート化剤を配合する場合の割合は、特に限定されないが、通常、フラックス組成物全量に対して、0〜10重量%が使用される。複数種のキレート化剤を組み合わせて用いる場合は、総量を上記の範囲内とするのがよい。
前記の酸化防止剤、防錆剤、キレート化剤の合計量は、フラックス組成物全量に対して、通常0.01〜30重量%である。
Examples of the chelating agent include acetylacetone, acetonylacetone, 2,2′-bipyridine, 1,10-phenanthroline and the like. Such chelating agents can be used alone or in combination of two or more. Although the ratio in the case of mix | blending the said chelating agent is not specifically limited, Usually, 0-10 weight% is used with respect to the flux composition whole quantity. In the case where a plurality of types of chelating agents are used in combination, the total amount is preferably within the above range.
The total amount of the antioxidant, the rust inhibitor and the chelating agent is usually 0.01 to 30% by weight based on the total amount of the flux composition.

前記のレベリング剤としては、共栄社化学(株)製商品名「ポリフローNo.7」「ポリフローNo.50E」「ポリフローNo.55」「ポリフローNo.75」「ポリフローNo.77」「ポリフローNo.85」「ポリフローNo.S」「ポリフローNo.90」や楠本化成(株)製商品名「ディスパロンL−1980−50」「ディスパロンL−1982−50」「ディスパロンL−1983−50」「ディスパロンL−1984−50」「ディスパロンL−1985−50」、エアープロダクツジャパン(株)製商品名「サーフィノール104」「サーフィノール420」「サーフィノール440」「サーフィノール465」等が挙げられる。
前記の消泡剤としては、共栄社化学(株)製商品名「フローレンAC−300HF」「フローレンAC−326F」「フローレンAC−901HF」「フローレンAC−903HF」「フローレンAC−1190HF」や楠本化成(株)製商品名「ディスパロンLAP−10」「ディスパロンLAP−20」「ディスパロンLAP−30」等が挙げられる。
Examples of the leveling agent include “Polyflow No. 7”, “Polyflow No. 50E”, “Polyflow No. 55”, “Polyflow No. 75”, “Polyflow No. 77”, and “Polyflow No. 85” manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd. “Polyflow No. S”, “Polyflow No. 90” and trade names “Dispalon L-1980-50”, “Dispalon L-1982-50”, “Dispalon L-1983-50”, “Dispalon L-” manufactured by Enomoto Kasei Co., Ltd. 1984-50 "" Disparon L-1985-50 ", trade names" Surfinol 104 "," Surfinol 420 "," Surfinol 440 "," Surfinol 465 "manufactured by Air Products Japan Ltd.
Examples of the antifoaming agent include trade names “Floren AC-300HF”, “Floren AC-326F”, “Floren AC-901HF”, “Floren AC-903HF”, “Floren AC-1190HF” manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd. Trade name “Disparon LAP-10”, “Disparon LAP-20”, “Disparon LAP-30”, etc. manufactured by the same company.

また、前記溶剤としては、例えば、沸点150℃以上の溶剤が好ましく、例えば、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノへキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルアセテート、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコール−2−エチルへキシルエーテル、α−テルピネオール、ベンジルアルコール、2−へキシルデカノール、安息香酸ブチル、マレイン酸ジエチル、アジピン酸ジエチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、フタル酸ジエチル、ドデカン、テトラデセン、ドデシルベンゼン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、へキシレングリコール、1,5−ペンタンジオール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ブチルカルビトールアセテート、3−メトキシブチルアセテート、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリアセチン等が挙げられる。好ましくは、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、トリアセチン等が挙げられる。これらの溶剤は、1種または2種以上を混合して用いられる。
これらの溶剤を配合する場合の割合は、通常、フラックス組成物全量に対して、0.1〜50重量%が使用される。
Further, as the solvent, for example, a solvent having a boiling point of 150 ° C. or higher is preferable, for example, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, Ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monobutyl acetate, dipropylene glycol, diethylene glycol-2-ethylhexyl ether, α-terpineol, benzyl alcohol, 2-hexyldecanol, butyl benzoate, diethyl maleate , Diethyl adipate, diethyl sebacate, sebacin Dibutyl, diethyl phthalate, dodecane, tetradecene, dodecylbenzene, ethylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, hexylene glycol, 1,5-pentanediol, methyl carbitol, butyl carbitol, propylene glycol monomethyl ether acetate Propylene glycol monoethyl ether acetate, butyl carbitol acetate, 3-methoxybutyl acetate, triethylene glycol butyl methyl ether, triacetin and the like. Preferably, tetraethylene glycol dimethyl ether, triacetin or the like is used. These solvents are used alone or in combination of two or more.
The proportion in the case of blending these solvents is usually 0.1 to 50% by weight based on the total amount of the flux composition.

本発明のフラックス組成物の製造方法は特に限定されないが、例えば、前記各種材料を一括で仕込む方法、溶剤を容器に取り、各種材料を順次配合し溶解する方法等が挙げられる。配合する機械としては、例えば、混練装置、真空撹拌装置、ホモディスパー、スリーワンモーター、プラネタリーミキサー等の公知の装置が挙げられる。また、配合温度は、特に限定されないが、用いる溶剤の沸点より低い温度で、加温して溶解することが好ましい。   Although the manufacturing method of the flux composition of this invention is not specifically limited, For example, the method of charging the said various materials collectively, the method of taking a solvent into a container, mix | blending and dissolving various materials sequentially, etc. are mentioned. Examples of the blending machine include known devices such as a kneading device, a vacuum stirring device, a homodisper, a three-one motor, and a planetary mixer. In addition, the blending temperature is not particularly limited, but it is preferable that the blending temperature is dissolved at a temperature lower than the boiling point of the solvent used.

本発明のはんだペーストは、前記フラックス組成物とはんだ粉末とを含む。
ここで、はんだ粉末は、錫(Sn)75〜99.5重量%と銀(Ag)0.5〜10.0重量%とその他金属0〜15.0重量%からなるはんだ粉末で、その他金属が銅(Cu)、インジウム(In)、ビスマス(Bi)からなる群より選択される1種または2種以上であるはんだ粉末が挙げられる。
はんだ粉末の形状は、球状、不定形状、いずれでも良い。
また、はんだ粉末の平均粒径は、通常のものであればよく、球状の場合直径1〜60μmが好ましい。特に、好ましくは、直径1〜15μmである。
直径1〜15μmのはんだ粉末は、表面積が多く、酸化皮膜量も多くなりやすい。本発明のフラックスは、これらのはんだ粉末を用いた場合でもボイド抑制の効果を発揮する。
The solder paste of this invention contains the said flux composition and solder powder.
Here, the solder powder is a solder powder composed of 75 to 99.5% by weight of tin (Sn), 0.5 to 10.0% by weight of silver (Ag) and 0 to 15.0% by weight of other metals. May be one or more solder powders selected from the group consisting of copper (Cu), indium (In), and bismuth (Bi).
The shape of the solder powder may be either spherical or indefinite.
Moreover, the average particle diameter of solder powder should just be a normal thing, and when it is spherical, 1-60 micrometers in diameter is preferable. In particular, the diameter is preferably 1 to 15 μm.
Solder powder having a diameter of 1 to 15 μm has a large surface area and tends to increase the amount of oxide film. The flux of the present invention exhibits the effect of suppressing voids even when these solder powders are used.

本発明のはんだペーストの製造方法は、前記フラックス組成物に、前記はんだ粉末を常法により混練配合する方法が挙げられる。配合する機械としては、例えば、真空撹拌装置、混練装置、プラネタリ−ミキサー等が挙げられる。配合時の温度および条件は、5〜25℃での配合・混練が好ましい。配合割合は、通常、フラックス組成物:はんだ粉末が重量比で5〜20:80〜95である。   The method for producing the solder paste of the present invention includes a method in which the solder powder is kneaded and blended into the flux composition by a conventional method. Examples of the machine to be blended include a vacuum stirrer, a kneader, a planetary mixer, and the like. Mixing and kneading at 5 to 25 ° C. is preferable for the temperature and conditions at the time of compounding. The blending ratio is usually 5 to 20:80 to 95 by weight ratio of flux composition: solder powder.

本発明のはんだペーストは、常法にしたがって、メタルマスク板を通してはんだ印刷機を用いてはんだ印刷し、電子部品、電子モジュール、プリント配線板等の製造時のリフロー工程はんだ付け用のはんだとして使用することができる。具体的には例えば、前記フラックス組成物をプリント配線板の電極部に設ける工程(L)と、はんだバンプを形成した電子部品を準備する工程(M)と、工程(L)で得られたプリント配線板に工程(M)で準備した電子部品を搭載する工程(N)と、工程(N)で得られた電子部品を備えるプリント配線板をリフローして実装する工程(O1)とを含む方法、前記工程(L)と、工程(L)でフラックス組成物を設けたプリント配線板に、フロー法またはディップ法によりはんだを供給する工程(O2)とを含む方法、並びに本発明のはんだペーストをプリント配線板の電極部にプリントする工程(X)、工程(X)で得られたプリント配線板に電子部品を搭載する工程(Y)および工程(Y)で得られた電子部品を備えるプリント配線板をリフローして実装する工程(Z)を含む方法が挙げられる。   The solder paste of the present invention is used as a solder for soldering in a reflow process at the time of manufacturing electronic parts, electronic modules, printed wiring boards, etc., using a solder printing machine through a metal mask plate according to a conventional method. be able to. Specifically, for example, the step (L) of providing the flux composition on the electrode part of the printed wiring board, the step (M) of preparing an electronic component on which solder bumps are formed, and the print obtained in the step (L). A method comprising a step (N) of mounting the electronic component prepared in the step (M) on the wiring board, and a step (O1) of reflowing and mounting the printed wiring board including the electronic component obtained in the step (N). The method including the step (L) and the step (O2) of supplying solder to the printed wiring board provided with the flux composition in the step (L) by a flow method or a dipping method, and the solder paste of the present invention. Step (X) for printing on electrode part of printed wiring board, step (Y) for mounting electronic component on printed wiring board obtained in step (X), and printed wiring comprising electronic component obtained in step (Y) Board Which comprises the step (Z) to implement by reflowing the like.

以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明は、これらに制限されない。
なお、例中の酸価は、JIS K 0070−3(1992)の方法に準じて、テトラヒドロフラン(THF)溶液に、一定量の樹脂を溶解させ、フェノールフタレインを指示薬として、KOH/エタノール溶液にて滴定し、測定を行った。
粘度は、東機産業(株)製EHD型粘度計により、温度25℃、回転数100rpm、測定時間3分間で行った。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not restrict | limited to these.
In addition, the acid value in an example is based on the method of JIS K 0070-3 (1992). A certain amount of resin is dissolved in a tetrahydrofuran (THF) solution, and phenolphthalein is used as an indicator in a KOH / ethanol solution. And titration was performed.
The viscosity was measured with an EHD viscometer manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd. at a temperature of 25 ° C., a rotation speed of 100 rpm, and a measurement time of 3 minutes.

また、例中で用いた材料およびその略号は次の通りである。
PMAは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、協和発酵工業(株)製のものを用いた。
OXT−121は、1,4−ビス{[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ]メチル}ベンゼンであり、東亞合成(株)製の「アロンオキセタンOXT−121」(商品名)を用いた。
OXT−101は、3−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタンであり、東亞合成(株)製の「アロンオキセタンOXT−101」(商品名)を用いた。
「水添ロジンA」は、荒川化学工業(株)製の商品名「パインクリスタルKE−604」を用いた。
XBSAは、m−キシリレンビスステアリン酸アミドであり、
「AP−8」は、大八化学工業(株)製のモノ−2−エチルへキシルホスフェートとジ−2−エチルへキシルホスフェートの混合物を示す。
「TSL−9906」は、GE東芝シリコーン(株)製のシリコーン樹脂を示す。
The materials used in the examples and their abbreviations are as follows.
PMA was propylene glycol monomethyl ether acetate, and Kyowa Hakko Kogyo Co., Ltd. product was used.
OXT-121 is 1,4-bis {[(3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy] methyl} benzene, and “Aron Oxetane OXT-121” (trade name) manufactured by Toagosei Co., Ltd. was used. .
OXT-101 is 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, and “Aron oxetane OXT-101” (trade name) manufactured by Toagosei Co., Ltd. was used.
As the “hydrogenated rosin A”, a trade name “Pine Crystal KE-604” manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd. was used.
XBSA is m-xylylene bis stearamide,
“AP-8” indicates a mixture of mono-2-ethylhexyl phosphate and di-2-ethylhexyl phosphate manufactured by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd.
“TSL-9906” indicates a silicone resin manufactured by GE Toshiba Silicone Co., Ltd.

さらに、はんだ粉末としては、次の3種のはんだ粉末を用いた。なお、金属元素名に付した数値はそれぞれの金属の重量比を示す。Snの金属重量比は100部からの残部となる。
Sn−3.0Ag−0.5Cu(平均粒径25μm、三井金属鉱業(株)製)
Sn−3.0Ag−0.5Cu(平均粒径10μm、三井金属鉱業(株)製)
Sn−3.0Ag−0.5Bi−3.0In(平均粒径25μm、三井金属鉱業(株)製)
Further, the following three types of solder powder were used as the solder powder. In addition, the numerical value attached | subjected to the metal element name shows the weight ratio of each metal. The metal weight ratio of Sn is the remainder from 100 parts.
Sn-3.0Ag-0.5Cu (average particle size 25 μm, manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.)
Sn-3.0Ag-0.5Cu (average particle size 10 μm, manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.)
Sn-3.0Ag-0.5Bi-3.0In (average particle size 25 μm, manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.)

合成例1:樹脂(A−1)の合成
温度計、還流冷却器、撹拌機を備えた100mLの4つ口フラスコに、ヘキサヒドロ無水フタル酸31.0g、エチレングリコール6.9g、PMA25.0gを仕込み、30分かけて常温から140℃まで昇温させた。その後、反応率が96%以上であることを確認後、反応を終了した。次いで、ロータリーエバポレーターを用い、混合液から溶剤を留去した後、真空ポンプにより真空乾燥して無色透明の樹脂(A−1)を得た。
合成例2:樹脂(A−2)の合成
温度計、還流冷却器、撹拌機を備えた100mLの4つ口フラスコに、ヘキサヒドロ無水フタル酸31.0g、トリメチロールプロパン9.9g、PMA25.0gを仕込み、30分かけて常温から140℃まで昇温させた。その後、反応率が96%以上であることを確認後、反応を終了した。次いで、ロータリーエバポレーターを用い、混合液から溶剤を留去した後、真空ポンプにより真空乾燥して無色透明の樹脂(A−2)を得た。
Synthesis Example 1: Synthesis of Resin (A-1) In a 100 mL four-necked flask equipped with a thermometer, reflux condenser, and stirrer, 31.0 g of hexahydrophthalic anhydride, 6.9 g of ethylene glycol, and 25.0 g of PMA were added. The temperature was raised from room temperature to 140 ° C. over 30 minutes. Thereafter, the reaction was terminated after confirming that the reaction rate was 96% or more. Subsequently, after using a rotary evaporator to distill off the solvent from the mixed solution, it was vacuum dried by a vacuum pump to obtain a colorless and transparent resin (A-1).
Synthesis Example 2: Synthesis of Resin (A-2) In a 100 mL four-necked flask equipped with a thermometer, a reflux condenser, and a stirrer, 31.0 g of hexahydrophthalic anhydride, 9.9 g of trimethylolpropane, and 25.0 g of PMA Was heated from room temperature to 140 ° C. over 30 minutes. Thereafter, the reaction was terminated after confirming that the reaction rate was 96% or more. Subsequently, after using a rotary evaporator to distill off the solvent from the mixed solution, it was vacuum dried by a vacuum pump to obtain a colorless and transparent resin (A-2).

合成例3:樹脂(A−3)の合成
温度計、還流冷却器、撹拌機を備えた100mLの4つ口フラスコに、合成例1で得られた樹脂(A−1)40.0g、n−プロピルビニルエーテル37.2g、PMA22.8g、AP−8を0.05g仕込み、30分かけて常温から70℃まで昇温させた。その後、、70℃で3時間反応させた後、系中の酸価が、1.0mgKOH/g以下になったことを確認して反応を終了した。次いで、ロータリーエバポレーターを用い、混合液から溶剤と未反応のn−プロピルビニルエーテルを留去し、さらに、真空ポンプにより真空乾燥して無色透明の樹脂(A−3)を得た。
合成例4:樹脂(A−4)の合成
温度計、還流冷却器、撹拌機を備えた100mLの4つ口フラスコに、無水フタル酸29.8g、エチレングリコール6.9g、PMA25.0gを仕込み、30分かけて常温から140℃まで昇温させた。その後、反応率が96%以上であることを確認後、反応を終了した。次いで、ロータリーエバポレーターを用い、混合液から溶剤を留去した後、真空ポンプにより真空乾燥して無色透明の樹脂(A−4)を得た。
Synthesis Example 3: Synthesis of Resin (A-3) 40.0 g of Resin (A-1) obtained in Synthesis Example 1 was added to a 100 mL four-necked flask equipped with a thermometer, a reflux condenser, and a stirrer. -37.2 g of propyl vinyl ether, 22.8 g of PMA, and 0.05 g of AP-8 were charged, and the temperature was raised from room temperature to 70 ° C over 30 minutes. Then, after making it react at 70 degreeC for 3 hours, it confirmed that the acid value in a system became 1.0 mgKOH / g or less, and complete | finished reaction. Next, using a rotary evaporator, the solvent and unreacted n-propyl vinyl ether were distilled off from the mixed solution, and further vacuum-dried by a vacuum pump to obtain a colorless and transparent resin (A-3).
Synthesis Example 4: Synthesis of Resin (A-4) Into a 100 mL four-necked flask equipped with a thermometer, a reflux condenser, and a stirrer was charged 29.8 g of phthalic anhydride, 6.9 g of ethylene glycol, and 25.0 g of PMA. The temperature was raised from room temperature to 140 ° C. over 30 minutes. Thereafter, the reaction was terminated after confirming that the reaction rate was 96% or more. Subsequently, after using a rotary evaporator to distill off the solvent from the mixed solution, it was vacuum dried by a vacuum pump to obtain a colorless and transparent resin (A-4).

合成例5:ブロック化グルタル酸の合成
温度計、還流冷却器、撹拌機を備えた300mLの4つ口フラスコに、グルタル酸27.2g、n−プロピルビニルエーテル72.3g、メチルエチルケトン100.0gを仕込み、20分かけて常温から80℃まで昇温し、同温度を維持しながら5時間反応を続けた。その後、酸価が3.0mgKOH/g以下であることを確認後、反応を終了した。次いで、ロータリーエバポレーターを用い、混合液から未反応のn−プロピルビニルエーテルと溶剤を留去した後、真空ポンプにより真空乾燥して透明液体を得た。得られた化合物の酸価は、4.2mgKOH/gで、粘度は8.3mPa・sであった。
実施例1〜6
表1に示す配合割合で、フラックス組成物に種々のはんだ粉末を混練してはんだペーストを調製し、得られたはんだペーストについて、ぬれ効力、広がり率、ボイド特性、絶縁性、マイグレーション性、はんだボール試験を評価した。結果を表1に示す。
Synthesis Example 5: Synthesis of blocked glutaric acid A 300 mL four-necked flask equipped with a thermometer, a reflux condenser, and a stirrer was charged with 27.2 g of glutaric acid, 72.3 g of n-propyl vinyl ether, and 100.0 g of methyl ethyl ketone. The temperature was raised from room temperature to 80 ° C. over 20 minutes, and the reaction was continued for 5 hours while maintaining the same temperature. Then, after confirming that an acid value is 3.0 mgKOH / g or less, reaction was complete | finished. Subsequently, using a rotary evaporator, unreacted n-propyl vinyl ether and the solvent were distilled off from the mixed solution, followed by vacuum drying with a vacuum pump to obtain a transparent liquid. The acid value of the obtained compound was 4.2 mgKOH / g, and the viscosity was 8.3 mPa · s.
Examples 1-6
A solder paste is prepared by kneading various solder powders into the flux composition at the blending ratio shown in Table 1. For the obtained solder paste, wetting effectiveness, spreading rate, void characteristics, insulation, migration, solder balls The test was evaluated. The results are shown in Table 1.

Figure 0004788563
Figure 0004788563

比較例1〜6
表2に示す配合割合で、フラックス組成物に種々のはんだ粉末を混練してはんだペーストを調製し、得られたはんだペーストについて、ぬれ効力、広がり率、ボイド特性、絶縁性、マイグレーション性、はんだボール試験を評価した。結果を表2に示す。
Comparative Examples 1-6
A solder paste is prepared by kneading various solder powders into the flux composition at the blending ratio shown in Table 2, and the obtained solder paste has a wetting effect, a spreading ratio, a void characteristic, an insulating property, a migration property, and a solder ball. The test was evaluated. The results are shown in Table 2.

Figure 0004788563
Figure 0004788563

[試験方法]
実施例1〜7、比較例1〜7について得られたはんだペーストに対して、ぬれ効力、広がり率、ボイド特性、絶縁性、マイグレーション性、ソルダボール試験について調べた。試験方法は以下の通りである。
1.[ぬれ効力]
JIS Z 3284の附属書10に準じた。
評価は、次のとおりであり、以下の1〜4の4段階の広がり度合いの区分表示に従った。
1;はんだペーストから溶解したはんだが試験板をぬらし、ペーストを塗布した面積以上に広がった状態、
2;はんだペーストを塗布した部分はすべて、はんだがぬれた状態、
3;はんだペーストを塗布した部分の大半は、はんだがぬれた状態(ディウエッティングも含まれる。)、
4;試験板ははんだがぬれた様子はなく、溶融したはんだは1つまたは複数のはんだボールとなった状態(ノンウエッティング)
[Test method]
With respect to the solder pastes obtained for Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 7, wetting effectiveness, spreading rate, void characteristics, insulation, migration, and solder ball test were examined. The test method is as follows.
1. [Wetting effect]
In accordance with Annex 10 of JIS Z 3284.
The evaluation was as follows, and was in accordance with the division display of the following four grades of degree of spread.
1: The solder melted from the solder paste wets the test plate and spreads over the area where the paste is applied,
2; All parts where the solder paste is applied are in a state where the solder is wet.
3; Most of the portion where the solder paste is applied is in a state in which the solder is wet (including dewetting);
4; The test plate does not appear to have wet solder, and the molten solder becomes one or more solder balls (non-wetting)

2.[広がり率]
JIS Z 3197に準拠して、はんだペーストを用いた試験片のはんだ付けにおけるはんだの広がり率を測定した。試験片には、通常の銅板を使用した。
3.[ボイド特性]
QFP搭載用試験基板(ランドサイズ0.35×2.3mm、ピッチ間距離0.3mm)に上記で得られたはんだペーストを印刷し、QFP部品を載置後、エアーリフローによりはんだ付けを行い、これを試験片とした。この試験片について、X線装置(東芝ITコントロールシステム(株)製TOSMICRON−6090FP)によりその内部を観察し、発生したボイドの直径(最大値)とはんだ付けランド部の面積に対するボイドの面積比率を接合数100個について求めた。その平均値を表1、表2に示す。なお、試験片作成時のリフロー条件は以下のとおりである。
・プレヒート:150〜160℃×100秒
・ピーク温度:237℃
・200℃以上温度(リフロー温度):40秒
4.[絶縁性]
JIS Z 3284の附属書3に準じ、次の2条件で試験した。
条件A:温度40℃、相対湿度90%、200時間
条件B:温度85℃、相対湿度85%、200時間
○:1011Ω以上〜、
△:10 Ω以上〜1011Ω未満、
×: 〜10Ω未満。
5.[マイグレーション性]
JIS Z 3284の附属書14に準じ、次の2条件で試験した。
条件A:温度40℃、相対湿度90%、1000時間
条件B:温度85℃、相対湿度85%、1000時間
6.[ソルダボール試験]
JIS Z 3284の附属11に準じ、次の条件で試験した。
条件A:印刷後1時間以内
評価は、次のとおりであり、以下の1〜5の5段階のはんだ粒子の凝集状態の区分表示に従った。
1;はんだ(粒子)が溶融して、はんだは1つの大きな球となり、周囲にソルダボールがない、
2;はんだ(粒子)が溶融して、はんだは1つの大きな球となり、周囲に直径75μm以下のソルダボールが3つ以下ある、
3;はんだ(粒子)が溶融して、はんだは1つの大きな球となり、周囲に直径75μm以下のソルダボールが4つ以上あり、半連続の環状に並んではいない、
4;はんだ(粒子)が溶融して、はんだは1つの大きな球となり、周囲に多数の細かい球が半連続の環状に並んでいる
5;上記以外のもの
2. [Spreading rate]
In accordance with JIS Z 3197, the spread rate of solder in soldering of a test piece using a solder paste was measured. A normal copper plate was used for the test piece.
3. [Void characteristics]
Print the solder paste obtained above on a QFP mounting test board (land size 0.35 × 2.3 mm, pitch distance 0.3 mm), place QFP components, and solder by air reflow. This was used as a test piece. The inside of this test piece was observed with an X-ray apparatus (TOSMICRON-6090FP manufactured by Toshiba IT Control System Co., Ltd.), and the void diameter ratio (maximum value) and the area ratio of the void to the area of the soldering land were determined. It calculated | required about the number of junctions 100 pieces. The average values are shown in Tables 1 and 2. In addition, the reflow conditions at the time of test piece preparation are as follows.
-Preheat: 150-160 ° C x 100 seconds-Peak temperature: 237 ° C
・ 200 ° C. or higher temperature (reflow temperature): 40 seconds [Insulation]
The test was conducted under the following two conditions in accordance with Annex 3 of JIS Z 3284.
Condition A: Temperature 40 ° C., relative humidity 90%, 200 hours Condition B: Temperature 85 ° C., relative humidity 85%, 200 hours ○: 10 11 Ω or more,
Δ: 10 9 Ω or more and less than 10 11 Ω,
X: Less than -10 < 9 > ohm.
5. [Migration]
The test was conducted under the following two conditions in accordance with Annex 14 of JIS Z 3284.
Condition A: Temperature 40 ° C., relative humidity 90%, 1000 hours Condition B: Temperature 85 ° C., relative humidity 85%, 1000 hours [Solder ball test]
In accordance with JIS Z 3284 Annex 11, the test was conducted under the following conditions.
Condition A: Within 1 hour after printing The evaluation is as follows, according to the following classification display of the five-stage solder particle aggregation state of 1-5.
1; the solder (particles) melts and the solder becomes one large sphere, with no solder balls around it,
2; the solder (particles) melts, and the solder becomes one large sphere, and there are 3 or less solder balls with a diameter of 75 μm or less in the periphery.
3; the solder (particles) melts, and the solder becomes one large sphere, and there are four or more solder balls with a diameter of 75 μm or less in the periphery, and they are not arranged in a semi-continuous ring,
4; Solder (particles) melts into one large sphere, and many fine spheres are arranged in a semi-continuous ring around 5; Other than the above

実施例1〜7においては、本発明のはんだ付け用フラックス、はんだペーストを使用することにより、はんだ接合部のボイドの発生を抑制できることが明らかとなった。また、銅板に対するぬれ広がり性も良好であり、はんだボール特性に関しても合格レベルであった。さらに、リフロー後の絶縁抵抗値に関して測定を行ったところ、A条件では、いずれも1×1011Ω以上であり、B条件に関しても1×10Ω以上であり、合格レベルであった。マイグレーション性試験に関しても、いずれもマイグレーションの発生は確認できなかった。
一方、本発明に用いる(A)成分以外の樹脂を使用した比較例1〜3では、はんだ接合部に多量のボイドが発生しており、さらに、その大きさについても最大で110〜125μmと大きなボイドであった。さらに、銅板に対するぬれ広がり性やはんだボール特性も悪く、絶縁性、マイグレーションも不合格であった。本発明に用いる(B)成分以外のケイ素化合物を使用した比較例4〜6では、絶縁抵抗値、マイグレーション性試験に関して合格レベルであったものの、銅板に対するぬれ広がり性やはんだボール試験の低下が見られた。また、はんだ接合部に多量のボイドが発生しており、これらのケイ素化合物では、はんだ接合部のボイドの発生を抑制することはできないことが分かった。
In Examples 1-7, it became clear that generation | occurrence | production of the void of a solder joint part can be suppressed by using the flux for soldering of this invention, and a solder paste. Moreover, the wettability with respect to a copper plate was also favorable, and the solder ball characteristics were also acceptable. Furthermore, when the insulation resistance value after reflow was measured, all were 1 × 10 11 Ω or more in the A condition, and 1 × 10 9 Ω or more in the B condition. In any migration test, no occurrence of migration could be confirmed.
On the other hand, in Comparative Examples 1 to 3 using a resin other than the component (A) used in the present invention, a large amount of voids are generated in the solder joint portion, and the size is as large as 110 to 125 μm at the maximum. It was a void. Furthermore, the wettability and solder ball characteristics with respect to the copper plate were poor, and the insulation and migration were also rejected. In Comparative Examples 4 to 6 using silicon compounds other than the component (B) used in the present invention, although the insulation resistance value and the migration test were acceptable levels, wetting spreadability on the copper plate and a decrease in the solder ball test were observed. It was. Further, it was found that a large amount of voids are generated in the solder joint portion, and these silicon compounds cannot suppress the generation of voids in the solder joint portion.

Claims (3)

(A)多価アルコール(a1)と炭素6員環構造を有する環状酸無水物(a2)を開環ハーフエステル化反応させることにより得られる樹脂、および
(B)下記式(1)で表されるケイ素化合物
を含有し、前記樹脂(A)の配合割合がフラックス組成物100重量部あたり、5〜95重量部であり、前記ケイ素化合物(B)の配合割合がフラックス組成物全量あたり、0.01〜5.0重量%であることを特徴とする、はんだ付け用フラックス組成物。
Figure 0004788563
(式(1)中、r=2または3である。Xは、水素原子、臭素原子、塩素原子、または水酸基から選ばれる基団であり、互いに同一であっても相異なっていてもよい。)
(A) a resin obtained by subjecting a polyhydric alcohol (a1) and a cyclic acid anhydride (a2) having a carbon 6-membered ring structure to a ring-opening half esterification reaction, and (B) represented by the following formula (1) The compounding ratio of the resin (A) is 5 to 95 parts by weight per 100 parts by weight of the flux composition, and the compounding ratio of the silicon compound (B) is 0. A soldering flux composition, characterized in that the content is from 01 to 5.0% by weight .
Figure 0004788563
(In formula (1), r = 2 or 3. X is a group selected from a hydrogen atom, a bromine atom, a chlorine atom, or a hydroxyl group, and may be the same or different from each other. )
請求項1に記載のはんだ付け用フラックス組成物と、Sn、Ag、Cu、Bi、Inから選ばれる少なくとも2種以上の金属からなるはんだ粉末とを含有するはんだペースト。   A solder paste containing the soldering flux composition according to claim 1 and solder powder composed of at least two metals selected from Sn, Ag, Cu, Bi, and In. はんだ粉末が、平均粒径1〜15μmのはんだ粉末である請求項2に記載のはんだペースト。   The solder paste according to claim 2, wherein the solder powder is a solder powder having an average particle diameter of 1 to 15 μm.
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CN103221164B (en) * 2010-11-18 2016-06-15 同和控股(集团)有限公司 The manufacture method of solder powder and solder powder
WO2012118074A1 (en) * 2011-03-02 2012-09-07 千住金属工業株式会社 Flux
JP6268507B1 (en) 2017-06-07 2018-01-31 千住金属工業株式会社 Flux flux for flux cored solder, flux for flux coat solder, flux flux solder, flux coat solder
KR102017281B1 (en) * 2017-08-25 2019-09-03 주식회사 켐트로닉스 Flux composition for eco-friendly solder paste
WO2022270499A1 (en) * 2021-06-24 2022-12-29 千住金属工業株式会社 Flux and solder paste

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0688153B2 (en) * 1986-02-27 1994-11-09 内橋エステック株式会社 Flux for soldering
JP4097490B2 (en) * 2002-09-09 2008-06-11 三井金属鉱業株式会社 Solder powder manufacturing method
JP4103784B2 (en) * 2003-11-21 2008-06-18 日油株式会社 Flux composition for soldering, solder paste and soldering method
JP2005288490A (en) * 2004-03-31 2005-10-20 Nof Corp Flux composition for soldering and solder paste
JP2006167802A (en) * 2004-03-31 2006-06-29 Nof Corp Solder paste

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