JP4785925B2 - 導波路型偏光子および光導波路デバイス - Google Patents

導波路型偏光子および光導波路デバイス Download PDF

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Description

本発明は、光通信で用いられる光導波路デバイス上に形成される導波路型偏光子に関し、特に、曲がり導波路を含んだ光導波路デバイス上に形成される導波路型偏光子に関する。
例えば、光変調器として用いられる光導波路デバイスは、その偏波消光比を良くするために、導波路基板上に形成された偏光子を備える場合がある。従来の導波路型偏光子としては、例えば、導波路上に金属膜を形成して、垂直および水平の偏波成分(TMモードおよびTEモード)のうち、一方の偏波成分を金属膜に吸収させる構成(例えば、特許文献1参照)や、光導波路の一部にプロトン交換型光導波路を適用して偏光子としての機能を実現した構成(例えば、特許文献2参照)などが知られている。
しかし、上記のような構成は、通常の光導波路デバイスの作製工程以外の工程を用いる必要があるという欠点を有していた。
このような欠点に対しては、例えば図11に示すように、基板101上に金属拡散により形成した光導波路102の両側方に、同じく金属拡散により形成した矩形の放射領域103を設け、光導波路102を伝搬するTMモードおよびTEモードのうちの一方を放射領域103で放射させる構成の導波路型偏光子が提案されている(例えば、特許文献3参照)。
また、例えば図12に示すように、複数の直線導波路部201,202,…を予め定めた角度θだけずれるように接続した曲がり導波路を設け、各直線導波路部の長さLが次式の関係を満たすように設定されることで偏光選択性を有するようにした構成も提案されている(例えば、特許文献4参照)。
L=(2m+1)・λ/(2・Δn) (m=0,1,2,…)
Δn=Neff−Neff’
ただし、λは導波路を伝搬する光の波長であり、Neffは伝搬させるべき偏光の直線導波路部における導波モードの実効屈折率であり、Neff’は伝搬させるべき偏光について接続部で励振される非導波モードの実効屈折率の平均値である。
さらに、曲がり導波路を含んだ光導波路デバイスに関しては、直線導波路と曲がり導波路とを組み合わせることで性能の偏波依存性を減少させるようにした導波路型光サーキュレータなども知られている(例えば、特許文献5参照)。
特開平7−27935号公報 特開平6−94930号公報 特許第2580127号公報 特開平9−258047号公報 特許第3690146号公報
しかしながら、上記のような従来の導波路型偏光子については次のような問題点がある。
すなわち、図11に示した従来構成の場合、20dB以上の偏波消光比を実現するためには10mm程度の導波路長が必要であり、光導波路デバイスのサイズが大きくなってしまうという問題点がある。加えて、光導波路102を伝搬する光に対して放射領域103が方向性結合器として作用するため、例えば図13の光波長に対する偏波消光比の関係に示すような大きな波長依存性が生じてしまうという問題点もある。
また、図12に示した従来構成の場合には、前述の関係式からも明らかなように、各直線導波路部の最適な長さLは光波長λによって異なる。このため、図12の従来構成についても大きな波長依存性が生じてしまうという問題点がある。
本発明は上記のような問題点に着目してなされたもので、小型で波長依存性が小さな導波路型偏光子を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため本発明の一態様は、基板に形成された光導波路を伝搬する光の直交する偏波成分のうちの一方の偏波成分のみを透過させる導波路型偏光子において、前記光導波路は、光が一端より入射される直線部と、該直線部の他端に一端が接続された曲がり部と、を有し、前記曲がり部の径方向外側に位置する前記基板の内部で、かつ、前記曲がり部に対して距離を隔てた領域に形成した光吸収部を備え、前記曲がり部より径方向外側にしみ出した他方の偏波成分が前記光吸収部を伝搬して前記光導波路外に導かれることを特徴とするものである。
上記のような構成の導波路型偏光子では、光導波路を伝搬する光の直交する偏波成分のモードの広がり方の違いにより、他方の偏波成分が曲がり部より径方向外側の基板内部にしみ出し、それが光吸収部を伝搬して光導波路外に導かれることで、一方の偏波成分のみが光導波路内を伝搬して出力されるようになる。
上記のような本発明の導波路型偏光子によれば、光導波路の曲がり部より径方向外側の基板内部にしみ出す他方の偏波成分を光吸収部により光導波路外に導くようにしたことで、導波路型偏光子の小型化および波長依存性の低減を同時に実現することが可能になる。
本発明の第1実施形態による導波路型偏光子の構成を示す平面図である。 図1の直線部における各偏波モードの伝搬状態を示す断面図である。 図1の曲がり部における各偏波モードの伝搬状態を示す断面図である。 上記第1実施形態における光波長に対する偏波消光比の関係を測定した一例を示す図である。 上記第1実施形態における光波長に対する偏波消光比の関係を測定した他の一例を示す図である。 本発明の第2実施形態による導波路型偏光子の構成を示す平面図である。 上記第2実施形態に関する応用例の構成を示す平面図である。 本発明の第3実施形態による導波路型偏光子の構成を示す平面図である。 上記第3実施形態に関する変形例の構成を示す平面図である。 本発明の導波路型偏光子を光変調器に適用した場合の構成例を示す平面図である。 従来の導波路型偏光子の構成例を示す平面図である。 従来の導波路型偏光子の他の構成例を示す平面図である。 図11の従来構成における光波長に対する偏波消光比の関係を示す図である。
符号の説明
1…基板
2…光導波路
2A,2C,2E…直線部
2B…曲がり部
2D,2D,2D…S字部
3,3A.3B…光吸収部
4…溝部
20…マッハツェンダ型光導波路
31…信号電極
32…接地電極
41…駆動回路
42…終端回路
dS…光導波路と光吸収部の間隔
dW…光吸収部の幅
Lr…光吸収部の長さ
…曲がり部の曲率半径
w…光導波路の幅
以下、本発明を実施するための最良の形態について添付図面を参照しながら説明する。なお、全図を通して同一の符号は同一または相当部分を示すものとする。
図1は、本発明の第1実施形態による導波路型偏光子の構成を示す平面図である。
図1において、第1実施形態の導波路型偏光子は、例えば、Z−カットのニオブ酸リチウム(LiNbO)やタンタル酸リチウム(LiTaO)などを用いた基板1にチタン(Ti)等の金属を1000〜1050℃で約10時間拡散させることで形成した光導波路2および光吸収部3を備える。
光導波路2は、例えば、直線部2Aおよび曲がり部2Bを有しており、入射光Lが直線部2Aを通過した後に曲がり部2Bを伝搬する構成となっている。ここでは、直線部2Aおよび曲がり部2Bの幅をw、曲がり部2Bの曲率半径をRとする。
光吸収部3は、曲がり部2Bの半径方向外側に位置し、かつ、曲がり部2Bに対して距離dSを隔てて形成されている。ここでは、光吸収部3の幅をdW、光吸収部3の曲がり部2Bに沿った長さをLrとする。ただし、光吸収部3の長さLrは、曲がり部2Bの曲率半径Rが大きな場合、図1に示したように直線部2Aを伝搬する光の光軸方向に対する長さとしてもよい。
上記のような構成の導波路型偏光子では、曲がり部2BにおけるTMモードおよびTEモードの広がり方の違いにより、一方のモードのみが曲がり部2B内を伝搬し、他方のモードは光吸収部3で吸収されるようになる。
具体的に、例えばZ−カットのLiNbO基板1上に形成した直線部2Aでは、図2の断面図に示すように、TMモードに比べてTEモードの方が横方向の閉じ込めが弱くなるため、円形状に広がって伝搬するTMモードに対して、TEモードは楕円形状に横方向に広がって伝搬する。このとき、TMモードおよびTEモードの各中心軸は直線部2Aの断面中央付近に位置している。
一方、曲がり部2Bでは、図3の断面図に示すように、円形状に広がって伝搬するTMモードおよび楕円形状に広がって伝搬するTEモードの各中心軸が、曲がり部2Bの径方向外側にそれぞれずれるようになる。曲がり部2Bの径方向外側には、距離dSを隔てて光吸収部3が形成されており、曲がり部2Bより径方向外側にしみ出して光吸収部3に漏れたTEモードは光吸収部3内を伝搬するようになり、曲がり部2Bには殆ど戻ってこなくなる。その結果、曲がり部2Bを伝搬するTEモードの光強度が減衰し、偏光子として機能するようになる。
上記のような曲がり部2Bにおける各モードの広がり方の違いに着目して曲がり部2Bの径方向外側に光吸収部3を設けた構成は、上述の図11に示した従来構成のように直線導波路102の両側方に形成した放射領域103が方向性結合器として作用するものとは異なるため、波長依存性を小さくすることができる。
図4は、第1実施形態の導波路型偏光子における光波長に対する偏波消光比の関係を測定した一例である。なお、ここでは、直線部2Aおよび曲がり部2Bの幅wを7μm、曲がり部2Bの曲率半径Rを30mm、曲がり部2Bと光吸収部3との間隔dSを2μm、光吸収部3の幅dWを50μm、光吸収部3の長さLrを4mmとした評価サンプルを使用して測定を行っている。
図4の測定結果では、1520nm〜1620nmの広い波長範囲に亘って20dB以上の偏波消光比を実現することが可能になっている。一方、上述の図13に示した従来構成の測定結果では、1540nm〜1560nmの狭い波長範囲でしか20dB以上の偏波消光比を実現できておらず、図1の構成の適用によって導波路型偏光子の波長依存性を効果的に低減可能であることが分かる。
また、上記図4の測定で用いた評価サンプルについて、曲がり部2Bの曲率半径Rを20,25,35mmに変化させると共に光吸収部3の長さLrを4mmから2mmにした場合の同様の測定結果を図5に示す。この図5の測定結果によれば、光吸収部3の長さLrを2mmに短くした場合でも、曲がり部2Bの曲率半径Rを20mmとすることで、1520nm〜1620nmの広い波長範囲に亘って20dB以上の偏波消光比を実現できることが分かる。これは、曲がり部2Bの曲率半径Rを小さくすることで曲がり部2Bより径方向外側にしみ出すTEモードが増加するようになり、光吸収部3の長さLrが短くてもTEモードを効果的に吸収できるためである。このように曲がり部2Bの曲率半径Rおよび光吸収部3の長さLrが短くなれば、導波路型偏光子全体のサイズをより小さくすることができる。
上記のように第1実施形態によれば、通常の光導波路デバイスと同様の作製工程を適用して、小型で波長依存性が小さな導波路型偏光子を実現することが可能になる。
なお、上記の第1実施形態では、基板1の材料としてLiNbOやLiTaO等を用いる場合について説明したが、本発明はこれに限らず、光導波路デバイスに用いられる公知のTMとTEで屈折率の異なる基板材料を適用することが可能である。また、Ti等の金属の拡散によって基板1に光導波路2および光吸収部3を形成する一例を示したが、金属拡散以外の公知方法により光導波路2および光吸収部3を形成することも勿論可能である
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図6は、本発明の第2実施形態による導波路型偏光子の構成を示す平面図である。
図6において、第2実施形態の導波路型偏光子は、基板1に形成される光導波路2が曲がり部2Bの前後に直線部2A,2Cを有し、光が直線部2A、曲がり部2Bおよび直線部2Cを順に伝搬する場合について、曲がり部2Bの径方向外側に対応した直線部2Cの側方に位置し、かつ、直線部2Cに対して距離を隔てた領域に光吸収部3を形成するようにしたものである。
このような構成の導波路型偏光子では、前述した図2および図3の場合と同様の状態で各偏波モードが直線部2Aおよび曲がり部2Bを伝搬することにより、TMモードは曲がり部2Bから直線部2Cに導かれる一方、TEモードは曲がり部2Bより径方向外側にしみ出し、その大部分が光吸収部3に漏れて光吸収部3内を伝搬するようになる。その結果、直線部2Cを伝搬するTEモードの光強度が減衰し、偏光子として機能するようになる。
したがって、曲がり部2Bの前後に直線部2A,2Cを有する光導波路構造の第2実施形態についても前述した第1実施形態の場合と同様の効果を得ることが可能である。
なお、上記の第2実施形態の応用例として、図7に示すように、曲がり部2Bの径方向外側に位置し、かつ、曲がり部2Bに近接する領域に溝部4を設けるようにしてもよい。この溝部4は、基板1をエッチング等することによって形成される。このような構成では、曲がり部2BにおいてTMモードが効果的に閉じ込められるようになる一方、曲がり部2Bより径方向外側にしみ出したTEモードは溝部4を通過して光吸収部3内を伝搬するようになる。よって、上記のような溝部4を設けることにより、TMモードの損失を増加させることなく曲がり部2Bの曲率半径Rをより小さくすることができ、導波路型偏光子をさらに小型化することが可能になる。
ここでは、Z−カットのLiNbO基板での説明をしているが、X−カットでY伝搬のLiNbO基板を用いてもよい。その場合、Z−カットとは逆に、TEモードよりもTMモードの方が横に広がるので、TMカットの偏光子が可能となる。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
図8は、本発明の第3実施形態による導波路型偏光子の構成を示す平面図である。
図8において、第3実施形態の導波路型偏光子は、基板1に形成される光導波路2がS字部2Dを含み、光が直線部2A、S字部2Dおよび直線部2Cを順に伝搬する場合について、S字部2Dの変曲点Pより光入力側にある曲がり部分2Dの径方向外側に位置し、かつ、変曲点P付近のS字部2Dに対して距離を隔てた領域に光吸収部3Aを形成すると共に、S字部2Dの変曲点Pより光出力側にある曲がり部分2Dの径方向外側に対応した直線部2Cの側方に位置し、かつ、直線部2Cに対して距離を隔てた領域に光吸収部3Bを形成するようにしたものである。
このような構成の導波路型偏光子では、前述した図2および図3の場合と同様の状態で各偏波モードが直線部2AおよびS字部2Dの前半の曲がり部分2Dを伝搬することにより、TMモードはS字部2Dの後半部分2Dに導かれる一方、TEモードはS字部2Dの前半の曲がり部分2Dより径方向外側にしみ出し、その大部分が光吸収部3Aに漏れて光吸収部3A内を伝搬するようになる。さらに、光吸収部3Aを伝搬せずに変曲点Pを通過したTEモードは、S字部2Dの後半の曲がり部分2Dより径方向外側にしみ出し、その殆どが光吸収部3Bに漏れて光吸収部3B内を伝搬するようになる。なお、TMモードはS字部2Dの後半の曲がり部分2Dから直線部2Cに導かれる。その結果、直線部2Cを伝搬するTEモードの光強度が減衰し、偏光子として機能するようになる。
したがって、S字部2Dを含んだ光導波路構造の第3実施形態についても前述した第1実施形態の場合と同様の効果を得ることが可能である。また、S字部2Dの変曲点P付近に設けた光吸収部3Aと、直線部2Cの側方に設けた光吸収部3Bとの2箇所でTEモードを減衰させることができるため、より優れた偏波消光比を実現することが可能である。
なお、上記の第3実施形態の変形例として、図9に示すように、S字部の前半の曲がり部分2Dと後半の曲がり部分2Dの間に直線部2Eを設けて、S字部の前半の曲がり部分2Dの径方向外側に対応した直線部2Eの側方に位置し、かつ、直線部2Eに対して距離を隔てた領域に光吸収部3Aを形成するようにしてもよい。このような構成では、光吸収部3Aの形状が単純化されるので、パターン設計を容易に行うことが可能になる。
次に、上述した本発明による導波路型偏光子を適用した光導波路デバイスの一例について説明する。
図10は、本発明の導波路型偏光子を光変調器に適用した場合の構成例を示す平面図である。
図10に示す構成例では、上述の図8に示した第3実施形態の導波路型偏光子が、公知のマッハツェンダ型光変調器の出力部分Aに組み込まれている。具体的には、入力導波路20A、分岐部20B、分岐導波路20C,20C’、合波部20Dおよび出力導波路20Eからなるマッハツェンダ型光導波路20が金属拡散により基板1に形成されていると共に、該マッハツェンダ型光導波路20の出力導波路20Eを上述した導波路型偏光子における光導波路2の直線部2Aと共通化して、S字部2Dおよび直線部2C、並びに、光吸収部3A,3Bが金属拡散により基板1に形成されている。また、マッハツェンダ型光導波路20上には信号電極31および接地電極32が分岐導波路20C,20C’に沿って形成されており、駆動回路41から出力される変調信号が信号電極31の一端に与えられる。信号電極31の他端には終端回路42が接続されている。
上記のような構成の光変調器では、マッハツェンダ型光導波路20に入力された光LINが信号電極31に印加される変調信号に従って変調され、その変調光に含まれる直交する偏波成分のうちの一方の偏波成分(例えば、TMモード)のみがS字部2Dを伝搬して直線部2Cから出力される。これにより、小型で良好な偏波消光比を有するマッハツェンダ型光変調器を実現することが可能になる。
なお、上記の説明では、公知のマッハツェンダ型光変調器と第3実施形態の導波路型偏光子とを組み合わせた一例を示したが、他の実施形態の導波路型偏光子を組み合わせることも勿論可能である。また、本発明の導波路型偏光子を適用可能な光導波路デバイスは、マッハツェンダ型光変調器に限定されるものではなく、直交する偏波成分のうちの一方のみを処理する各種の光導波路デバイスに対して本発明の導波路型偏光子は有効である。さらに、上記の例は、出力側に導波路型偏光子を形成しているが、入力側に、もしくは、途中の曲がり導波路が形成されている箇所に形成してもよい。

Claims (8)

  1. 基板に形成された光導波路を伝搬する光の直交する偏波成分のうちの一方の偏波成分のみを伝搬させる導波路型偏光子において、
    前記光導波路は、光が一端より入射される直線部と、該直線部の他端に一端が接続された曲がり部と、を有し、
    前記曲がり部の径方向外側に位置する前記基板の内部で、かつ、前記曲がり部に対して距離を隔てた領域に形成した光吸収部を備え、
    前記曲がり部より径方向外側にしみ出した他方の偏波成分が前記光吸収部を伝搬して前記光導波路外に導かれることを特徴とする導波路型偏光子。
  2. 基板に形成された光導波路を伝搬する光の直交する偏波成分のうちの一方の偏波成分のみを伝搬させる導波路型偏光子において、
    前記光導波路は、光が一端より入射される第1直線部と、該第1直線部の他端に一端が接続された曲がり部と、該曲がり部の他端に一端が接続された第2直線部と、を有し、
    記曲がり部の径方向外側に対応した前記第2直線部の側方に位置する前記基板の内部で、かつ、前記第2直線部に対して距離を隔てた領域に形成した光吸収部を備え、
    前記曲がり部より径方向外側にしみ出した他方の偏波成分が前記光吸収部を伝搬して前記光導波路外に導かれることを特徴とする導波路型偏光子。
  3. 前記曲がり部の径方向外側に位置し、かつ、前記曲がり部に近接する領域に形成された溝部を備えたことを特徴とする請求項に記載の導波路型偏光子。
  4. 基板に形成された光導波路を伝搬する光の直交する偏波成分のうちの一方の偏波成分のみを伝搬させる導波路型偏光子において、
    前記光導波路は、光が一端より入射される第1直線部と、該第1直線部の他端に一端が接続されたS字部と、該S字部の他端に一端が接続された第2直線部と、を有し、
    記S字部の変曲点より光入力側にある第1曲がり部分の径方向外側に位置する前記基板の内部で、かつ、変曲点付近の前記S字部に対して距離を隔てた域に形成した光吸収部を備え、
    前記第1曲がり部分より径方向外側にしみ出した他方の偏波成分が前記光吸収部を伝搬して前記光導波路外に導かれることを特徴とする導波路型偏光子。
  5. 基板に形成された光導波路を伝搬する光の直交する偏波成分のうちの一方の偏波成分のみを伝搬させる導波路型偏光子において、
    前記光導波路は、光が一端より入射される第1直線部と、該第1直線部の他端に一端が接続されたS字部と、該S字部の他端に一端が接続された第2直線部と、を有し、
    記S字部の変曲点より光出力側にある第2曲がり部分の径方向外側に対応した前記第2直線部の側方に位置する前記基板の内部で、かつ、前記第2直線部に対して距離を隔てた域に形成した光吸収部を備え、
    前記第2曲がり部分より径方向外側にしみ出した他方の偏波成分が前記光吸収部を伝搬して前記光導波路外に導かれることを特徴とする導波路型偏光子。
  6. 基板に形成された光導波路を伝搬する光の直交する偏波成分のうちの一方の偏波成分のみを伝搬させる導波路型偏光子において、
    前記光導波路は、光が一端より入射される第1直線部と、該第1直線部の他端に一端が接続されたS字部と、該S字部の他端に一端が接続された第2直線部と、を有すると共に、前記S字部の変曲点より光入力側にある第1曲がり部分および光出力側にある第2曲がり部分の間に第3直線部を有し、
    前記第1曲がり部分の径方向外側に対応した前記第3直線部の側方に位置する前記基板の内部で、かつ、前記第3直線部に対して距離を隔てた域に形成した光吸収部を備え、
    前記第1曲がり部分より径方向外側にしみ出した他方の偏波成分が前記光吸収部を伝搬して前記光導波路外に導かれることを特徴とする導波路型偏光子。
  7. 前記光導波路および前記光吸収部は、前記基板に金属を拡散させることで形成されたことを特徴とする請求項1〜のいずれか1つに記載の導波路型偏光子。
  8. 請求項1〜のいずれか1つに記載の導波路型偏光子を備えて構成されたことを特徴とする光導波路デバイス。
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