JP4785887B2 - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Description
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1における電力用半導体装置の構成を概略的に示す斜視図である。図2は、本発明の実施の形態1における電力用半導体装置が有する接続素子の構成を概略的に示す正面図である。図3および図4のそれぞれは、図2の線III−IIIおよび線IV−IVに沿う概略断面図である。図5は、図3および図4の各々の線V−Vに沿う概略断面図である。図6は、図3〜図5の各々の線VI−VIに沿う概略断面図である。
図9は、本発明の実施の形態2における電力用半導体装置が有する接続部と、第1および第2ブスバーとの構成を概略的に示す平面図である。
また高抵抗部Rbrの材料として第1端部Eb1および第2端部Eb2の材料以外の材料を用いることができる。これにより高抵抗部Rbrの材料をより最適化することができる。
図10は、本発明の実施の形態3における電力用半導体装置が有する接続素子の構成を概略的に示す断面図である。また図11は、本発明の実施の形態3における電力用半導体装置が有する接続部と、第1および第2電線との構成を概略的に示す平面図である。
図12および図13のそれぞれは、本発明の実施の形態4における電力用半導体装置が有する接続素子の構成を概略的に示す平面図および底面図である。図14は、図12および図13の各々の線XIV−XIVに沿う概略断面図である。
図17および図18の各々は、本発明の実施の形態5における電力用半導体装置が有する接続素子の構成を概略的に示す断面図である。なお図17および図18のそれぞれの断面位置は、図5および図4の断面位置に対応している。
図17を参照して、故障信号端子MTからの故障信号により電源制御スイッチSWがオン状態となることで、電源PSが発生する電圧がヒータHTに印加される。ヒータHTが発熱することで、第1高抵抗部Rb1および第2高抵抗部Rb2の周りの低融点金属部LMは筐体CS内において下方に溶け落ちる。
図19および図20の各々は、本発明の実施の形態6における電力用半導体装置が有する接続素子の構成を概略的に示す断面図である。なお図19および図20のそれぞれの断面位置は、図17および図18の断面位置に対応している。
Claims (9)
- 電力用半導体素子と、
前記電力半導体素子に電気的に接続された第1端部を有する、第1電気配線と、
前記第1端部と間隔を空けて対向する第2端部を有する、第2電気配線と、
前記第1端部および前記第2端部の各々の単位長さ当たりの抵抗値よりも大きい単位長さ当たりの抵抗値を有する少なくとも1つの高抵抗部を含み、前記第1端部と前記第2端部とを繋ぐ接続部と、
前記高抵抗部の融点よりも低い融点を有する金属からなり、前記第1端部と前記第2端部とを繋ぐように前記接続部を覆う低融点金属部と、
前記低融点金属部の少なくとも一部を前記低融点金属部の融点以上に加熱することができるヒータとを備えた、電力用半導体装置。 - 前記低融点金属部は、錫を含む材料からなる、請求項1に記載の電力用半導体装置。
- 前記第1端部と前記第2端部と前記接続部とは一の材料からなり、
前記少なくとも1つの高抵抗部の前記第1端部および前記第2端部が対向する方向に垂直な断面積は、前記第1端部および前記第2端部の各々の前記第1端部および前記第2端部が対向する方向に垂直な断面積よりも小さい、請求項1または2に記載の電力用半導体装置。 - 前記第1端部と前記第2端部と前記接続部とは、パターン形状を有する一の板からなる、請求項3に記載の電力用半導体装置。
- 前記少なくとも1つの高抵抗部は、前記第1端部および前記第2端部の各々の材料の抵抗率よりも大きな抵抗率を有する高抵抗材料からなる、請求項1または2に記載の電力用半導体装置。
- 前記高抵抗材料はニッケルおよびクロムを含有する合金である、請求項5に記載の電力用半導体装置。
- 前記第1端部および前記第2端部を支持する基板をさらに備え、
前記基板は、前記低融点金属部の少なくとも一部に面する領域に穴部を有する、請求項1〜6のいずれかに記載の電力用半導体装置。 - 前記少なくとも1つの高抵抗部は、互いに離れて位置する一対の高抵抗部を含み、
前記接続部は、前記一対の高抵抗部の間に設けられた、前記一対の高抵抗部の各々の単位長さ当たりの抵抗値よりも小さい単位長さ当たりの抵抗値を有する変位部を含む、請求項1〜7のいずれかに記載の電力用半導体装置。 - 前記第1端部および前記第2端部が対向する方向に交差する方向の力を前記変位部に加えるためのバネ部をさらに備えた、請求項8に記載の電力用半導体装置。
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