JP4784009B2 - Processing method of polyimide resin film - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリイミド樹脂成形体の加工方法に関し、特にポリイミド樹脂成形体の加工寸法精度の改善に関する。
【0002】
【従来の技術】
ICおよびLSIの実装部品として知られるTAB、CSPなどは、ポリイミド樹脂を成形したポリイミド樹脂フィルム表面に、銅皮膜を積層した、所謂銅ポリイミド基板を材料とし、フォトリソグラフィー技法などによって、銅皮膜のパターニング、およびポリイミド樹脂フィルムのエッチング処理を行うことによって得られている。
【0003】
一方、最近の携帯用電子機器の小型、薄型化にともない、当然のことながら上記TAB、CSPなどに対しても小型、薄型化、すなわち、高密度化が要求され、加工寸法に対しても極めて高い寸法精度が要求されるようになっている。
【0004】
上記したポリイミド樹脂フィルムのエッチング加工は、ポリイミド樹脂フィルム表面に銅などの金属被膜あるいは有機系レジストをエッチングレジストとして形成し、露出した部分のポリイミド樹脂フィルムをアルカリ性溶液などによって溶解加工する方法が一般的に用いられている。
【0005】
この方法は、従来のTAB、CSPなどの製造方法として幅広く用いられている。しかしながら、前述のように、さらなる高密度化、これにともなう加工寸法に対する極めて高い寸法精度が要求されるような事態になった場合、従来の加工方法ではポリイミド樹脂フィルムの加工寸法が要求精度を満足できないという問題があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記問題を解決するため、本発明は、上記したポリイミド樹脂の加工方法において、ポリイミド樹脂フィルムに要求される極めて高い寸法精度を満足するポリイミド樹脂の加工方法を提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決する為の手段】
上記課題を解決するため、本発明の第一の手段は、ポリイミド樹脂フィルムの表面に銅皮膜を積層した銅ポリイミド基板の前記ポリイミド樹脂フィルムの一部をエッチング加工するポリイミド樹脂フィルムの加工方法において、前記ポリイミド樹脂フィルムを成型後、銅皮膜の積層前かつ前記エッチング加工を行う前に300℃〜500℃で10分〜2時間の熱処理を行うことを特徴とするポリイミド樹脂フィルムの加工方法である。
【0008】
また、前記エッチング加工がアルカリ溶液を用いた溶解加工またはレーザ加工から選択されることを特徴とする第一の手段に記載のポリイミド樹脂フィルムの加工方法である。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明者は、ポリイミド樹脂フィルムを従来の方法によってエッチング加工した場合、ポリイミド樹脂フィルムの部位によって、加工精度にばらつきが発生すること、およびこのばらつきとポリイミド樹脂フィルム中のポリイミド配向性の歪み度合いに相関があること、さらに、ポリイミド樹脂フィルムに適切な熱処理を施すことによって、配向性の歪み度合いを緩和し、上記問題を解決することができることを見出し、本発明に至った。
【0010】
すなわち、本発明は、ポリイミド樹脂フィルムの表面に銅皮膜を積層した銅ポリイミド基板の前記ポリイミド樹脂フィルムの一部をエッチング加工することによって行うことを特徴とするポリイミド樹脂フィルムの加工方法において、前記ポリイミド樹脂フィルムを成型後、銅皮膜の積層前かつ前記エッチング加工を行う前に300℃〜500℃で10分〜2時間の熱処理を行うものである。また、上記熱処理は、熱処理後のポリイミド樹脂フィルムの破断強度が熱処理前の破断強度の50%以上を保持する範囲で行うことが好ましい。
【0011】
一般に、ポリイミド樹脂フィルムを成型する方法としては、ポリイミド前駆体であるポリアミック酸をDMAc(ジメチルアセトアミド)などの極性高沸点有機溶媒に溶融させ、金属支持体表面にキャスティングし半硬化状態とし、剥離しながら所定の熱処理を行うことによって溶媒の除去およびイミド縮合を促進させ、最終的にフィルム状の成型体を得る方法などが知られている。
【0012】
また、ポリイミド樹脂フィルムの機械的強度などを強化することを目的として、前記熱処理と共に延伸加工を施したり、あるいはフィルムとして成型するためにフィルムの厚さや幅を調整することを目的として、フィルム端部をジグなどでチャッキングし、幅方向に応力を加えることによって支持しながら成型する場合が多い。
【0013】
上記処理によって得られたポリイミド樹脂フィルムにおけるポリイミド高分子の配向性は、フィルム成型時に加えられた応力の強さおよび方向に影響を受け、その配向は、応力を受けた方向に向くことが知られている。
例えば、2軸延伸加工を行った場合は、ポリイミド高分子の配向はM.D.(ロール長さ方向)あるいはT.D.(ロール幅方向)に対し2軸の延伸力の合成方向に揃い、またその方向はフィルムのT.D.位置によって異なるが、連続的に同一条件で成型されたポリイミド樹脂フィルムのM.D.では、位置によらずその向きはほぼ同様な傾向を有する。
【0014】
一方、前述のようにポリイミド樹脂フィルムをエッチング加工した場合、例えば、ポリイミド樹脂フィルム表面に形成された銅皮膜を、フォトリソグラフィー技法を用い円形状に溶解除去することによってその部分のポリイミド樹脂を露出させた後、ヒドラジン一水和物溶液を用いてポリイミド樹脂をエッチングしてビアホールを形成した場合、フィルムT.D.中央部では、ビアホールトップ部およびボトム部ではほぼ円形状となり、特にその形状に歪みなどは観察されない。
【0015】
しかしながら、T.D.位置において端部になるに従い、上記円が楕円形状となり、その変形の程度が著しくなり、また楕円の長軸の向きは、ポリイミド樹脂フィルムのM.D.では位置によらず、ほぼ同方向を向くことが判明した。
【0016】
以上の知見より、ポリイミド高分子の配向性とエッチングの異方性に相関が認められた。よって本発明者は、ポリイミド樹脂フィルムをエッチング加工した際の寸法精度を高めるためには、ポリイミド高分子の配向がポリイミド樹脂フィルムの部位によってある方向に偏る現象、すなわち、歪みを緩和する方法が効果的であると考え、その手法として、銅皮膜の積層前かつ前記エッチング加工を行う前に、ポリイミド樹脂フィルムに熱処理を施すことに着目し鋭意研究した結果、所定の熱処理を施すことによって上記目的が達成できることが見出した。
【0017】
本発明で行う熱処理は、ポリイミド高分子の構造、成型体の厚さ、成型時に要した熱処理条件、および成型時に加わった応力の大きさなどによって影響を受けるため、一概には限定されず、予め適正な熱処理条件範囲をエッチング加工後の寸法精度の点から求めれば良いが、概ね、熱処理を高温および長時間行った方が、その後に行うエッチング加工の寸法精度が改善される傾向にある。
【0018】
しかしながら、上記熱処理をポリイミドのガラス転移点をはるかに超える温度で行ったり、極めて長時間に亘って行った場合は、ポリイミド樹脂フィルムの機械的な特性が変化し、期待された特性が十分得られなくなる問題が発生する。
【0019】
よって、本発明では、熱処理によって基板に加えられる熱負荷量が、熱処理後のポリイミド樹脂フィルムの破断強度が熱処理前の破断強度の50%以上を保持する範囲にすることが好ましいことを合わせて見出した。これは、例えば、Kapton(東レ・デュポン製)、NPI(鐘淵化学製)などのポリイミド樹脂フィルムに対しては、概ね300〜500℃、10分〜2時間程度の熱処理を行えば良いことに相当する。
【0020】
本発明は、ポリイミドのエッチング加工方法には特に限定されず、前述のようにヒドラジンやアルカリ溶液を用いた溶解加工を行う場合、あるいは炭酸ガスレーザ、エキシマレーザなどのレーザ加工を行う場合などに対して幅広く効果が発揮され適用可能である。
【0021】
【実施例】
次に実施例および比較例によって本発明をさらに詳細に説明する。
【0022】
(実施例1)ポリイミド樹脂フィルムとして厚さ50μm、幅1048mmに成型されたKaptonENを用い、これに対し、窒素雰囲気中で400℃、30分間の熱処理を行った。なお、熱処理前のポリイミド樹脂フィルムの破断強度は340MPa(JIS C-2318により測定)、熱処理後の破断強度は300MPaであり、破断強度の保持率は88%であった。
【0023】
その後、フィルムの両面にめっき法によって厚さ1μmの銅皮膜を形成し、その銅表面に厚さ20μmのレジスト層を形成し、一方の面に最狭部におけるリード幅が20μm、リード間隔が20μmとなるようにフォトリソグラフィー手法によってレジスト層をパターニングした後、これをめっきレジストとして露出した銅表面に電気めっき法によってリードを形成した。
【0024】
その後、めっきレジスト層を除去し、リードを形成した他方の面に、同様なフォトリソグラフィー手法によって直径200μmの円状にパターニングし、これをエッチングレジストとして露出した銅めっき皮膜をエッチング除去すると共に、リード間に露出した厚さ1μmの銅めっき皮膜をエッチング除去した。その後、リードを形成した他方の面に直径200μmの円形状に露出したポリイミド部をエッチング加工により溶解させた。エッチング加工条件は、エッチング液は、ヒドラジン一水和物濃度:800 ml/リットル、無水エチレンジアミン濃度:200 ml/リットルとし、エッチング条件は、温度を50℃とし、時間を5分とした。
【0025】
以上の処理によって得られたポリイミド樹脂フィルムに形成されたビアホール部を顕微鏡を用いて観察した結果、ビアホールトップ部においては直径210μm、ビアホールボトム部においては直径110μmの円形状にエッチング加工されていることが確認され、また、その形状および寸法は、フィルムM.D.、およびT.D.位置によってほとんど変化せず、フィルム全面に亘って均一、かつ精度良くポリイミド樹脂がエッチング加工されていることが分かった。
【0026】
(実施例2)ポリイミド樹脂フィルムに施す熱処理を、500℃、10分間とした以外は実施例1と同様な手順に従い、ポリイミド樹脂フィルムの片面に銅リードを形成し、その反対面からビアホールを形成した。なお、熱処理後のポリイミド樹脂フィルムの破断強度保持率は55%であった。
【0027】
以上の処理によって得られたポリイミド樹脂フィルムに形成されたビアホール部を顕微鏡を用いて観察した結果、ビアホールトップ部においては直径210μm、ビアホールボトム部においては直径110μmの円形状にエッチング加工されていることが確認され、また、その形状および寸法は、フィルムM.D.およびT.D.位置によってほとんど変化せず、フィルム全面に亘って均一、かつ精度良くポリイミド樹脂がエッチング加工されていることが分かった。
【0028】
(実施例3)ポリイミド樹脂フィルムに施す熱処理を、300℃、2時間とした以外は実施例1と同様な手順に従い、ポリイミド樹脂フィルムの片面に銅リードを形成し、その反対面からビアホールを形成した。なお、熱処理後のポリイミド樹脂フィルムの破断強度保持率は94%であった。
【0029】
以上の処理によって得られたポリイミド樹脂フィルムに形成されたビアホール部を顕微鏡を用いて観察した結果、ビアホールトップ部においては直径210μm、ビアホールボトム部においては直径110μmの円形状にエッチング加工されていることが確認され、また、その形状および寸法は、フィルムM.D.およびT.D.位置によってほとんど変化せず、フィルム全面に亘って均一、かつ精度良くポリイミド樹脂がエッチング加工されていることが分かった。
【0030】
(実施例4)ポリイミド樹脂フィルムとして厚さ50μm、幅1028mmに成型されたNPIを用いた以外は実施例1と同様な手順に従い、ポリイミド樹脂フィルムの片面に銅リードを形成し、その反対面からビアホールを形成した。なお、熱処理後のポリイミド樹脂フィルムの破断強度保持率は83%であった。
【0031】
以上の処理によって得られたポリイミド樹脂フィルムに形成されたビアホール部を顕微鏡を用いて観察した結果、ビアホールトップ部においては直径210μm、ビアホールボトム部においては直径130μmの円形状にエッチング加工されていることが確認され、また、その形状および寸法は、フィルムM.D.およびT.D.位置によってほとんど変化せず、フィルム全面に亘って均一、かつ精度良くポリイミド樹脂がエッチング加工されていることが分かった。
【0032】
(実施例5)実施例1においてポリイミド樹脂フィルムのエッチング加工を、炭酸ガスレーザーを用い、加工エネルギー 100J/cm2 、ショット数2によって露出したポリイミド部を除去することによって行いビアホールを形成した以外は、同様な手順に従った。
【0033】
以上の処理によって得られたポリイミド樹脂フィルムに形成されたビアホール部を顕微鏡を用いて観察した結果、ビアホールトップ部においては直径200μm、ビアホールボトム部においては直径180μmの円形状にエッチング加工されていることが確認され、また、その形状および寸法は、フィルムM.D.およびT.D.位置によってほとんど変化せず、フィルム全面に亘って均一、かつ精度良くポリイミド樹脂がエッチング加工されていることが分かった。
【0034】
(比較例1)実施例1において、ポリイミド樹脂フィルムに対する熱処理を行わなかった以外は同様な手順に従い、ポリイミド樹脂フィルムの片面に銅リードを形成し、その反対面からビアホールを形成した。
【0035】
以上の処理によって得られたポリイミド樹脂フィルムに形成されたビアホール部を顕微鏡を用いて観察した結果、ポリイミド樹脂フィルムのT.D.中央部のビアホールトップ部においては直径210μm、ビアホールボトム部においては直径130μmの円形状にエッチング加工されていることが確認された。一方、同一のM.D.位置においてT.D.端部になるにしたがい、ビアホールトップおよびボトムの形状が楕円形状となり、T.D.中心から480mm位置では、ビアホールトップ部がM.D.に対し40度方向に230μmの長軸、および長軸に直交するように200μmの短軸を有する楕円形状、およびビアホールボトム部がM.D.に対し40度方向に130μmの長軸、および長軸に直交するように100μmの短軸を有する楕円形状に加工されていることが判明した。
【0036】
これは、フィルム全面に亘って均一、かつ精度良くポリイミドがエッチング加工されているとは言えず、TAB、CSPなどの実装部品として用いた場合の信頼性に欠けるものであった。
【0037】
(比較例2)ポリイミド樹脂フィルムに施す熱処理を、600℃、10分間とした以外は実施例1と同様な手順に従い、ポリイミド樹脂フィルムの片面に銅リードを形成し、その反対面からビアホールを形成した。なお、熱処理後のポリイミド樹脂フィルムの破断強度保持率は48%であり、これをTAB、CSPなどの実装部品の素材として用いた場合、信頼性に欠けるものである。
【0038】
【発明の効果】
本発明によれば、従来困難であったポリイミド樹脂フィルム全域に亘って、極めて均一で高い寸法精度を維持した加工が可能となり、高密度・高精度・高信頼性TAB、CSPなどの実装部品を得ることができる。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for processing a polyimide resin molded body, and more particularly to improvement in processing dimensional accuracy of a polyimide resin molded body.
[0002]
[Prior art]
TAB, CSP, etc., which are known as IC and LSI mounting parts, are made of a so-called copper polyimide substrate with a copper film laminated on the surface of a polyimide resin film molded with a polyimide resin. , And by performing an etching treatment of the polyimide resin film.
[0003]
On the other hand, along with the recent downsizing and thinning of portable electronic devices, it is natural that the above-mentioned TAB, CSP, etc. are also required to be small and thin, that is, high density, and the processing dimensions are extremely High dimensional accuracy is required.
[0004]
Etching of the polyimide resin film described above is generally performed by forming a metal film such as copper or an organic resist on the polyimide resin film surface as an etching resist, and dissolving the exposed polyimide resin film with an alkaline solution or the like. It is used for.
[0005]
This method is widely used as a method for manufacturing conventional TAB, CSP, and the like. However, as mentioned above, when a higher density and a very high dimensional accuracy with respect to the processing dimensions are required, the processing dimensions of the polyimide resin film satisfy the required accuracy in the conventional processing method. There was a problem that I could not.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a method for processing a polyimide resin that satisfies the extremely high dimensional accuracy required for a polyimide resin film in the above-described method for processing a polyimide resin.
[0007]
[Means for solving the problems]
To solve the above problems, first means of the present invention, in the processing method of the polyimide resin film is etched portions of the polyimide resin film of copper polyimide substrate laminated copper film on the surface of the polyimide resin film, A method for processing a polyimide resin film , comprising performing heat treatment at 300 ° C. to 500 ° C. for 10 minutes to 2 hours after forming the polyimide resin film and before laminating a copper film and before performing the etching process .
[0008]
In addition, the polyimide resin film processing method according to the first means , wherein the etching processing is selected from dissolution processing using an alkaline solution or laser processing .
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
When the present inventors etched a polyimide resin film by a conventional method, the processing accuracy varies depending on the portion of the polyimide resin film, and the variation and the degree of distortion of the polyimide orientation in the polyimide resin film. It has been found that there is a correlation, and further, by applying an appropriate heat treatment to the polyimide resin film, the degree of orientation distortion can be relaxed and the above problems can be solved.
[0010]
That is, the present invention provides a method for processing a polyimide resin film and performing by etching a portion of the polyimide resin film of copper polyimide substrate laminated copper film on the surface of the polyimide resin film, said polyimide After molding the resin film , heat treatment is performed at 300 ° C. to 500 ° C. for 10 minutes to 2 hours before lamination of the copper film and before performing the etching process . Moreover, it is preferable to perform the said heat processing in the range with which the breaking strength of the polyimide resin film after heat processing hold | maintains 50% or more of the breaking strength before heat processing.
[0011]
In general, as a method of molding a polyimide resin film, a polyamic acid, which is a polyimide precursor, is melted in a polar high boiling point organic solvent such as DMAc (dimethylacetamide), cast on a metal support surface to be in a semi-cured state, and peeled off. However, there is known a method of accelerating solvent removal and imide condensation by performing a predetermined heat treatment to finally obtain a film-like molded body.
[0012]
In addition, for the purpose of strengthening the mechanical strength of the polyimide resin film, the film edge portion is used for the purpose of adjusting the thickness and width of the film so as to be stretched together with the heat treatment or to be molded as a film. In many cases, the mold is chucked with a jig or the like and supported by applying stress in the width direction.
[0013]
It is known that the orientation of the polyimide polymer in the polyimide resin film obtained by the above treatment is affected by the strength and direction of the stress applied during film molding, and the orientation is oriented in the stressed direction. ing.
For example, when biaxial stretching is performed, the orientation of the polyimide polymer is aligned with the direction of synthesis of biaxial stretching force with respect to MD (roll length direction) or TD (roll width direction), and the direction is the film. Depending on the TD position, the polyimide resin film MD that is continuously molded under the same conditions has almost the same tendency regardless of the position.
[0014]
On the other hand, when the polyimide resin film is etched as described above, for example, the copper film formed on the polyimide resin film surface is dissolved and removed in a circular shape using a photolithographic technique to expose the polyimide resin in that portion. After that, when a via hole is formed by etching a polyimide resin using a hydrazine monohydrate solution, the top part and bottom part of the via hole are almost circular at the center of the film TD, and especially the distortion is observed in the shape. Not.
[0015]
However, as it becomes the end at the TD position, the circle becomes an elliptical shape, the degree of deformation becomes remarkable, and the orientation of the major axis of the ellipse is almost the same direction regardless of the position in the MD of the polyimide resin film. It turned out to be suitable.
[0016]
From the above findings, a correlation was observed between the orientation of the polyimide polymer and the anisotropy of etching. Accordingly, the present inventors, in order to improve the dimensional accuracy when the etching of the polyimide resin film, a phenomenon in which the orientation of the polyimide polymer is biased in a certain direction by the site of a polyimide resin film, i.e., a distortion, a method of alleviating the As a result of this, as a result of diligent research focusing on applying heat treatment to the polyimide resin film before laminating the copper film and before performing the etching process, the above object is achieved by applying predetermined heat treatment. Found that can be achieved.
[0017]
The heat treatment performed in the present invention is influenced by the structure of the polyimide polymer, the thickness of the molded body, the heat treatment conditions required at the time of molding, the magnitude of the stress applied at the time of molding, etc. An appropriate heat treatment condition range may be obtained from the point of dimensional accuracy after etching processing, but generally, the dimensional accuracy of etching processing performed thereafter tends to be improved when heat treatment is performed at a high temperature for a long time.
[0018]
However, when the heat treatment is performed at a temperature far exceeding the glass transition point of polyimide or for a very long time, the mechanical properties of the polyimide resin film change and the expected properties are sufficiently obtained. The problem of disappearing occurs.
[0019]
Therefore, in the present invention, it is also found that the heat load applied to the substrate by the heat treatment is preferably in a range in which the breaking strength of the polyimide resin film after the heat treatment maintains 50% or more of the breaking strength before the heat treatment. It was. For example, polyimide resin films such as Kapton (manufactured by Toray DuPont) and NPI (manufactured by Kaneka Chemical) may be subjected to heat treatment at about 300 to 500 ° C. for about 10 minutes to 2 hours. Equivalent to.
[0020]
The present invention is not particularly limited to the polyimide etching method, and for the case of performing a melting process using hydrazine or an alkaline solution as described above, or the case of performing a laser process such as a carbon dioxide laser or an excimer laser. Widely effective and applicable.
[0021]
【Example】
Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples.
[0022]
Example 1 A Kapton EN molded to a thickness of 50 μm and a width of 1048 mm was used as a polyimide resin film, and a heat treatment was performed at 400 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere. The breaking strength of the polyimide resin film before the heat treatment was 340 MPa (measured according to JIS C-2318), the breaking strength after the heat treatment was 300 MPa, and the retention rate of the breaking strength was 88%.
[0023]
Thereafter, a copper film having a thickness of 1 μm is formed on both surfaces of the film by plating, a resist layer having a thickness of 20 μm is formed on the copper surface, and the lead width at the narrowest portion is 20 μm and the lead interval is 20 μm on one surface. Then, after patterning the resist layer by photolithography, leads were formed by electroplating on the exposed copper surface as a plating resist.
[0024]
Thereafter, the plating resist layer is removed, and the other surface on which the lead is formed is patterned into a circle having a diameter of 200 μm by the same photolithography technique, and the copper plating film exposed as an etching resist is etched and removed. The 1 μm thick copper plating film exposed between them was removed by etching. Thereafter, the polyimide portion exposed in a circular shape with a diameter of 200μm on the other surface forming the lead dissolved by etching. Etching conditions were such that the etching solution was hydrazine monohydrate concentration: 800 ml / liter, anhydrous ethylenediamine concentration: 200 ml / liter, and the etching conditions were a temperature of 50 ° C. and a time of 5 minutes.
[0025]
As a result of observing the via hole portion formed in the polyimide resin film obtained by the above processing using a microscope, the via hole top portion is etched into a circular shape having a diameter of 210 μm and the via hole bottom portion having a diameter of 110 μm. Further, it was found that the shape and dimensions thereof hardly changed depending on the positions of the film MD and TD, and the polyimide resin was etched and processed uniformly and accurately over the entire surface of the film.
[0026]
(Example 2) Except that the heat treatment applied to the polyimide resin film was 500 ° C for 10 minutes, a copper lead was formed on one side of the polyimide resin film in accordance with the same procedure as in Example 1, and a via hole was formed from the opposite side. did. In addition, the breaking strength retention of the polyimide resin film after heat processing was 55%.
[0027]
As a result of observing the via hole portion formed in the polyimide resin film obtained by the above processing using a microscope, the via hole top portion is etched into a circular shape having a diameter of 210 μm and the via hole bottom portion having a diameter of 110 μm. In addition, it was found that the shape and dimensions thereof hardly changed depending on the positions of the films MD and TD, and the polyimide resin was etched and processed uniformly and accurately over the entire surface of the film.
[0028]
(Example 3) Except that the heat treatment applied to the polyimide resin film was 300 ° C for 2 hours, a copper lead was formed on one side of the polyimide resin film in accordance with the same procedure as in Example 1, and a via hole was formed from the opposite side. did. In addition, the breaking strength retention of the polyimide resin film after heat processing was 94%.
[0029]
As a result of observing the via hole portion formed in the polyimide resin film obtained by the above processing using a microscope, the via hole top portion is etched into a circular shape having a diameter of 210 μm and the via hole bottom portion having a diameter of 110 μm. In addition, it was found that the shape and dimensions thereof hardly changed depending on the positions of the films MD and TD, and the polyimide resin was etched and processed uniformly and accurately over the entire surface of the film.
[0030]
(Example 4) Thickness 50μm as polyimide resin film, according to the procedure analogous to Example 1 except for using the NPI which is molded in the width 1028Mm, the copper leads are formed on one surface of the polyimide resin film, from the opposite surface thereof A via hole was formed. In addition, the breaking strength retention of the polyimide resin film after heat processing was 83%.
[0031]
As a result of observing the via hole portion formed in the polyimide resin film obtained by the above processing using a microscope, the via hole top portion is etched into a circular shape having a diameter of 210 μm and the via hole bottom portion having a diameter of 130 μm. In addition, it was found that the shape and dimensions thereof hardly changed depending on the positions of the films MD and TD, and the polyimide resin was etched and processed uniformly and accurately over the entire surface of the film.
[0032]
(Example 5) Etching of the polyimide resin film in Example 1 was carried out by removing the exposed polyimide portion with a processing energy of 100 J / cm 2 and a shot number of 2 using a carbon dioxide laser, and forming a via hole. A similar procedure was followed.
[0033]
As a result of observing the via hole part formed in the polyimide resin film obtained by the above treatment using a microscope, the via hole top part is etched into a circular shape having a diameter of 200 μm and the via hole bottom part having a diameter of 180 μm. In addition, it was found that the shape and dimensions thereof hardly changed depending on the positions of the films MD and TD, and the polyimide resin was etched and processed uniformly and accurately over the entire surface of the film.
[0034]
(Comparative Example 1) Example 1, in accordance with the same procedure except that no heat treatment is carried out for the polyimide resin film, a copper lead is formed on one surface of the polyimide resin film, a via hole was formed from the opposite surface.
[0035]
As a result of observing the via hole portion formed in the polyimide resin film obtained by the above treatment using a microscope, the via hole top portion at the center of the TD of the polyimide resin film has a diameter of 210 μm and the via hole bottom portion has a diameter of 130 μm. It was confirmed that it was etched into a shape. On the other hand, according to the TD end at the same MD position, the shape of the via hole top and bottom becomes elliptical, and at the position of 480 mm from the center of the TD, the via hole top part has a long axis of 230 μm in the direction of 40 degrees with respect to MD, and An elliptical shape having a minor axis of 200 μm so as to be orthogonal to the major axis, and an elliptical shape having a minor axis of 130 μm in the direction of 40 degrees with respect to MD and a minor axis of 100 μm so that the via hole bottom is perpendicular to the major axis. It turned out that it was processed.
[0036]
This cannot be said that the polyimide is etched uniformly and accurately over the entire surface of the film, and lacks reliability when used as a mounting component such as TAB or CSP.
[0037]
(Comparative Example 2) According to the same procedure as in Example 1 except that the heat treatment applied to the polyimide resin film was 600 ° C for 10 minutes, a copper lead was formed on one side of the polyimide resin film, and a via hole was formed from the opposite side. did. In addition, the fracture strength retention of the polyimide resin film after heat treatment is 48%, and when this is used as a material for mounting parts such as TAB and CSP, reliability is insufficient.
[0038]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to process extremely uniform and high dimensional accuracy over the entire polyimide resin film , which has been difficult in the past, and mount components such as high density, high accuracy, and high reliability TAB and CSP. Obtainable.

Claims (1)

ポリイミド樹脂フィルムの表面に銅皮膜を積層した銅ポリイミド基板の前記ポリイミド樹脂フィルムの一部をエッチング加工するポリイミド樹脂フィルムの加工方法において、
前記ポリイミド樹脂フィルムを成型後、銅皮膜の積層前かつ前記エッチング加工を行う前に温度300℃〜500℃で10分〜2時間の熱処理を行うことと、
前記熱処理後のポリイミド樹脂フィルムの破断強度が前記熱処理前の破断強度の50%以上を保持することを特徴とするポリイミド樹脂フィルムの加工方法。
In the polyimide resin film processing method of etching a part of the polyimide resin film of the copper polyimide substrate having a copper film laminated on the surface of the polyimide resin film,
After the polyimide resin film is molded, before the copper film is laminated and before the etching process, a heat treatment is performed at a temperature of 300 ° C. to 500 ° C. for 10 minutes to 2 hours ,
A method for processing a polyimide resin film, wherein the breaking strength of the polyimide resin film after the heat treatment is maintained at 50% or more of the breaking strength before the heat treatment .
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