JP5870550B2 - Manufacturing method of flexible printed circuit board - Google Patents

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本発明は、フレキシブルプリント基板の製法に関するものである。   The present invention relates to a method for producing a flexible printed circuit board.

ポリイミドフィルムの表面に、ニッケルめっき層を形成し、その後銅めっきにより配線パターン形成用の銅層を形成するフレキシブルプリント基板の製造方法が検討されている。   A method of manufacturing a flexible printed circuit board in which a nickel plating layer is formed on the surface of a polyimide film and then a copper layer for forming a wiring pattern is formed by copper plating has been studied.

例えば、特許文献1では、ポリイミドフィルムの表面を親水化し、触媒を付与し、無電解めっきを施し、不活性雰囲気中で熱処理を施し、その後無電解銅めっき、もしくは無電解銅めっきに引き続き電解銅めっきを行なうことにより銅ポリイミド基板を製造するに際し、ポリイミドフィルム表面の親水化処理を、過マンガン酸塩または次亜塩素酸塩のうちの何れか一種を含む水溶液を用いて行ない、触媒付与後、該表面にニッケル、コバルトまたはこれら金属の合金のうちの何れか一種よりなる無電解めっき皮膜を0.01〜0.1μmの厚みで、皮膜中の不純物含有量が10重量%以下であるようにして施し、得られた基板を該基板における最高到達温度が350〜540℃の温度範囲であって、且つ熱負荷係数Dが0.3〜3.5の範囲内になるようにして不活性雰囲気中での熱処理を施すことを特徴とする銅ポリイミド基板の製造方法が開示されている。   For example, in Patent Document 1, the surface of a polyimide film is hydrophilized, a catalyst is provided, electroless plating is performed, heat treatment is performed in an inert atmosphere, and then electroless copper plating or electroless copper plating is followed by electrolytic copper. When producing a copper polyimide substrate by performing plating, the hydrophilic treatment of the polyimide film surface is performed using an aqueous solution containing any one of permanganate or hypochlorite, and after application of the catalyst, An electroless plating film made of any one of nickel, cobalt, or an alloy of these metals is formed on the surface so as to have a thickness of 0.01 to 0.1 μm and an impurity content in the film of 10% by weight or less. And the obtained substrate has a maximum temperature of 350 to 540 ° C. and a thermal load coefficient D of 0.3 to 3.5. Method for producing a copper polyimide substrate has been disclosed as will be characterized by a heat treatment in an inert atmosphere.

特許文献2では、ポリイミドフィルムの両面にニッケルめっき層を形成し、各ニッケルめっき層の表面に配線パターン形成用の銅めっき層を形成する工程を備えたフレキシブルプリント基板の製法において、上記ニッケルめっき層の形成を2工程に分け、第1工程で、無電解ニッケルめっきにより薄い、具体的には厚みが0.01〜0.1μmの第1のニッケルめっき層を形成した後、これを乾燥させ、つぎに第2工程で、上記薄い第1のニッケルめっき層の表面に、無電解ニッケルめっきまたは電解ニッケルめっきにより第2のニッケルめっき層を、好ましくは第1のニッケルめっき層の厚みと第2のニッケルめっき層の厚みの合計が0.2〜1.0μmになるように、形成することを特徴とするフレキシブルプリント基板の製法が開示されている。   In patent document 2, in the manufacturing method of the flexible printed circuit board provided with the process of forming a nickel plating layer on both surfaces of a polyimide film, and forming the copper plating layer for wiring pattern formation on the surface of each nickel plating layer, the said nickel plating layer The formation of is divided into two steps, and in the first step, after forming a first nickel plating layer that is thin by electroless nickel plating, specifically having a thickness of 0.01 to 0.1 μm, this is dried, Next, in the second step, the second nickel plating layer is formed on the surface of the thin first nickel plating layer by electroless nickel plating or electrolytic nickel plating, preferably the thickness of the first nickel plating layer and the second Disclosed is a method for manufacturing a flexible printed circuit board, characterized in that the total thickness of nickel plating layers is 0.2 to 1.0 μm. ing.

ポリイミドフィルムと銅めっき層の間に形成されるニッケルめっき層は、フレキシブルプリント基板の実使用における長期の熱負荷時に、回路(銅めっき層)の接着力低下の原因となる、銅のポリイミドフィルム側への拡散移行を防止するものである。しかしながら、このニッケルめっき層は無電解めっき(湿式めっき)により形成され、形成時にポリイミドフィルムが水分を吸収する。ポリイミドフィルムに水分が存在した状態のフレキシブルプリント基板では、はんだ接合のような高温短時間の熱負荷時にポリイミドフィルム内の水分が膨張し、ポリイミドフィルムとニッケルめっき層との接着力の低下を引き起こすため、通常、ニッケルめっき層形成後、銅めっき層形成前に加熱処理して、ポリイミドフィルム内に含まれた水分を蒸発させる。長期の熱負荷時の銅の拡散移行に対するバリア性が発揮されるためには、ニッケルめっき層は所定の厚みが必要であるが、ニッケルめっき層がポリイミドフィルムの両面に形成されている場合は水分の蒸発が困難となり、作製されたフレキシブルプリント基板に高温短時間の熱負荷が加わった時に、ポリイミド樹脂フィルム内の水分が膨張し、ポリイミドフィルムとニッケルめっき層との接着力が低下することがある。特許文献2記載の方法では、上記の通り、表裏両面のニッケルめっき層の形成を2工程に分け、まず、ポリイミドフィルムの両面に薄い第1のニッケルめっき層を形成した後に乾燥させてポリイミドフィルム内の水分を蒸発させ、その後、第2のニッケルめっき層を形成してニッケルめっき層をバリア性が発揮される厚みまで厚くすることで、長期の熱負荷時の銅の拡散移行による接着力低下と、はんだ接合のような高温短時間の熱負荷時のポリイミドフィルム内の水分の急膨張による接着力低下の両方を防止している。   The nickel plating layer formed between the polyimide film and the copper plating layer is the copper polyimide film side that causes a decrease in the adhesive strength of the circuit (copper plating layer) during a long-term thermal load in actual use of the flexible printed circuit board. This prevents diffusion migration to However, this nickel plating layer is formed by electroless plating (wet plating), and the polyimide film absorbs moisture during formation. In a flexible printed circuit board where moisture exists in the polyimide film, the moisture in the polyimide film expands during high-temperature and short-time heat loads such as solder bonding, causing a decrease in the adhesion between the polyimide film and the nickel plating layer. Usually, after the nickel plating layer is formed and before the copper plating layer is formed, heat treatment is performed to evaporate water contained in the polyimide film. The nickel plating layer needs to have a certain thickness in order to exhibit barrier properties against copper diffusion and migration under a long-term heat load. However, if the nickel plating layer is formed on both sides of the polyimide film, moisture is required. When the high-temperature and short-time heat load is applied to the manufactured flexible printed circuit board, the moisture in the polyimide resin film expands and the adhesive force between the polyimide film and the nickel plating layer may decrease. . In the method described in Patent Document 2, as described above, the formation of the nickel plating layers on both the front and back surfaces is divided into two steps. First, after forming a thin first nickel plating layer on both surfaces of the polyimide film, the polyimide film is dried to form the inside of the polyimide film. By evaporating the moisture, and then forming a second nickel plating layer to thicken the nickel plating layer to a thickness that exhibits barrier properties, thereby reducing the adhesive strength due to diffusion migration of copper during a long-term thermal load. In addition, both the adhesive strength reduction due to the rapid expansion of moisture in the polyimide film at the time of high-temperature and short-time heat load such as solder bonding is prevented.

特開平5−129377号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-129377 特開2005−154895号公報JP 2005-154895 A

本発明の目的は、無電解ニッケルめっき層の形成後に高温で加熱することなく、さらに無電解ニッケルめっき層の形成を複数回の工程で行うことなく、長期の熱負荷時の銅のポリイミドフィルム側への拡散による密着強度の低下を抑制し、長期の熱負荷に対する耐熱性に優れ、且つ、高温短時間の熱負荷に対する耐熱性、ハンダ耐熱性にも優れるフレキシブルプリント基板の製造方法を提供することである。   The object of the present invention is to heat the copper polyimide film at the time of long-term heat load without heating at a high temperature after the formation of the electroless nickel plating layer, and further without forming the electroless nickel plating layer in a plurality of steps. To provide a method for producing a flexible printed circuit board that suppresses a decrease in adhesion strength due to diffusion to the surface, is excellent in heat resistance against long-term heat load, and is also excellent in heat resistance against high-temperature and short-time heat load and solder heat resistance. It is.

本発明は以下の事項に関する。
(1) 両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により、ポリイミドフィルムの一方の面(A)は配線を有し、他方の面(B)は一部又は全面にポリイミドフィルムが露出する部分を有するフレキシブルプリント基板を製造する方法において、
用いる両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムは、1回のめっきでポリイミドフィルムの両面に各厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満の無電解ニッケルめっき層を形成した後、加熱した積層フィルムであることを特徴とするフレキシブルプリント基板の製法。
(2) 両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムは、1回のめっきでポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層を形成した後、80〜150℃の範囲で加熱した積層フィルムであることを特徴とする上記(1)に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(3) ポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層を形成する前に、アルカリ金属水酸化物又はこれらの水溶液によるポリイミドフィルムの表面処理を行うことを特徴とする上記(1)または(2)に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(4) 配線加工により得られたフレキシブルプリント基板を80〜250℃の範囲で加熱する工程をさらに有することを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれか1項に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
The present invention relates to the following matters.
(1) Using a double-sided nickel-plated laminated polyimide film, one side (A) of the polyimide film has wiring and the other side (B) is a part where the polyimide film is exposed partly or entirely by wiring processing. In a method of manufacturing a flexible printed circuit board having:
The double-sided nickel plating laminated polyimide film to be used is a heated laminated film after forming an electroless nickel plating layer having a thickness of more than 0.1 μm and less than 0.3 μm on both sides of the polyimide film by one plating. A method for producing a flexible printed circuit board characterized by
(2) The double-sided nickel plating laminated polyimide film is a laminated film heated in a range of 80 to 150 ° C. after forming an electroless nickel plating layer on both sides of the polyimide film by one plating. The manufacturing method of the flexible printed circuit board as described in (1).
(3) The above (1) or (2) is characterized in that the surface treatment of the polyimide film with an alkali metal hydroxide or an aqueous solution thereof is performed before forming the electroless nickel plating layer on both sides of the polyimide film. The manufacturing method of the flexible printed circuit board of description.
(4) The flexible printed circuit board according to any one of the above (1) to (3), further comprising a step of heating the flexible printed circuit board obtained by wiring processing in a range of 80 to 250 ° C. The manufacturing method.

(5) 両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により、ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に配線を有するフレキシブルプリント基板を製造する方法において、
用いる両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムは、イミド化時に最高加熱温度530℃以上で熱処理したポリイミドフィルムの両面に、1回のめっきで、無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した積層フィルムであることを特徴とするフレキシブルプリント基板の製法。
(6) 両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により、ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に配線を有するフレキシブルプリント基板を製造する方法において、
用いる両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムは、490℃以上で熱処理したポリイミドフィルムの両面に、1回のめっきで、無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した積層フィルムであることを特徴とするフレキシブルプリント基板の製法。
(7) ポリイミドフィルムの両面に形成される無電解ニッケルめっき層の厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満であることを特徴とする上記(5)または(6)に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(8) ポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層を形成する前に、アルカリ金属水酸化物又はこれらの水溶液によるポリイミドフィルムの表面処理を行うことを特徴とする上記(5)〜(7)のいずれか1項に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(9) 製造されるフレキシブルプリント基板が、ポリイミドフィルムの一方の面(A)は配線を有し、他方の面(B)は全面に金属めっき層を有するものであることを特徴とする上記(5)〜(8)のいずれか1項に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(5) In a method for producing a flexible printed board having wiring on at least one surface of a polyimide film by wiring processing using a double-sided nickel plating laminated polyimide film,
The double-sided nickel plating laminated polyimide film to be used is in the range of 100 to 180 ° C. after forming an electroless nickel plating layer by one plating on both sides of the polyimide film heat-treated at a maximum heating temperature of 530 ° C. or more during imidization. A method for producing a flexible printed board, which is a laminated film heated for 2.5 hours or more.
(6) In a method of manufacturing a flexible printed board having wiring on at least one surface of a polyimide film by wiring processing using a double-sided nickel plating laminated polyimide film,
The double-sided nickel plating laminated polyimide film to be used is heated at a temperature of 100 to 180 ° C. for 2.5 hours or more after forming an electroless nickel plating layer by one plating on both sides of the polyimide film heat-treated at 490 ° C. or more. A method for producing a flexible printed circuit board characterized by being a laminated film.
(7) The flexible printed circuit board according to (5) or (6) above, wherein the thickness of the electroless nickel plating layer formed on both sides of the polyimide film is more than 0.1 μm and less than 0.3 μm The manufacturing method.
(8) The surface treatment of the polyimide film with an alkali metal hydroxide or an aqueous solution thereof is performed before forming the electroless nickel plating layer on both sides of the polyimide film. The manufacturing method of the flexible printed circuit board of any one of Claims 1.
(9) The above-mentioned flexible printed circuit board, wherein one surface (A) of the polyimide film has wiring and the other surface (B) has a metal plating layer on the entire surface ( The manufacturing method of the flexible printed circuit board of any one of 5)-(8).

(10) 配線加工は、セミアディティブ法又はサブトラクティブ法による配線加工であることを特徴とする上記(1)〜(9)のいずれか1項に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(11) 配線加工は、セミアディティブ法による配線加工であり、下記(i)〜(iii)のいずれかの方法でめっきレジスト層を形成する工程を有することを特徴とする上記(10)に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(i)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層と電解銅めっき層を順次形成後、めっきレジスト層を形成する方法。
(ii)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層を形成後、めっきレジスト層を形成する方法。
(iii)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に、直接、めっきレジスト層を形成する方法。
(10) The process for producing a flexible printed board according to any one of (1) to (9), wherein the wiring process is a wiring process by a semi-additive method or a subtractive method.
(11) The wiring processing is wiring processing by a semi-additive method, and includes a step of forming a plating resist layer by any one of the following methods (i) to (iii). Manufacturing method for flexible printed circuit boards.
(I) A method of forming a plating resist layer after sequentially forming an electroless copper plating layer and an electrolytic copper plating layer on an electroless nickel plating layer of a double-sided nickel plating laminated polyimide film.
(Ii) A method of forming a plating resist layer after forming an electroless copper plating layer on an electroless nickel plating layer of a double-sided nickel plating laminated polyimide film.
(Iii) A method of directly forming a plating resist layer on the electroless nickel plating layer of the double-sided nickel plating laminated polyimide film.

(12) ポリイミドフィルムの一方の面(A)に配線を有し、他方の面(B)は一部又は全面にポリイミドフィルムが露出する部分を有するフレキシブルプリント基板であり、
1回のめっきでポリイミドフィルムの両面に各厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満の無電解ニッケルめっき層を形成した後、加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により製造されたものであることを特徴とするフレキシブルプリント基板。
(13) ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に配線を有するフレキシブルプリント基板であり、
イミド化時に最高加熱温度530℃以上で熱処理したポリイミドフィルムの両面に、1回のめっきで、無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により製造されたものであることを特徴とするフレキシブルプリント基板。
(14) ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に配線を有するフレキシブルプリント基板であり、
490℃以上で熱処理したポリイミドフィルムの両面に、1回のめっきで、無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により製造されたものであることを特徴とするフレキシブルプリント基板。
(12) One side (A) of the polyimide film has a wiring, and the other side (B) is a flexible printed circuit board having a portion where the polyimide film is exposed partly or entirely,
Manufactured by wiring processing using a heated double-sided nickel-plated laminated polyimide film after forming an electroless nickel-plated layer with a thickness of more than 0.1 μm and less than 0.3 μm on both sides of the polyimide film in a single plating A flexible printed circuit board characterized by being made.
(13) A flexible printed board having wiring on at least one surface of the polyimide film,
Double-sided nickel that was heated for 2.5 hours or more in the range of 100 to 180 ° C after forming an electroless nickel plating layer on both sides of the polyimide film heat-treated at a maximum heating temperature of 530 ° C or higher during imidization. A flexible printed circuit board produced by wiring processing using a plated laminated polyimide film.
(14) A flexible printed circuit board having wiring on at least one surface of a polyimide film,
After forming an electroless nickel plating layer on both sides of a polyimide film heat-treated at 490 ° C. or more by one plating, a double-sided nickel plating laminated polyimide film heated at 100 to 180 ° C. for 2.5 hours or more is used. A flexible printed circuit board manufactured by wiring processing.

本発明の第1のフレキシブルプリント基板の製法では、1回のめっきでポリイミドフィルムの両面に各厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満の無電解ニッケルめっき層を形成した後、加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により、ポリイミドフィルムの一方の面(A)は配線を有し、他方の面(B)は一部又は全面にポリイミドフィルムが露出する部分を有するフレキシブルプリント基板を製造する。   In the manufacturing method of the 1st flexible printed circuit board of this invention, after forming the electroless nickel plating layer each thickness exceeding 0.1 micrometer and less than 0.3 micrometer on both surfaces of a polyimide film by one plating, it heated both surfaces Using a nickel-plated laminated polyimide film, by flexible wiring, one surface (A) of the polyimide film has wiring, and the other surface (B) has a portion where the polyimide film is exposed partially or entirely. A substrate is manufactured.

本製法では、無電解ニッケルめっき層形成後、銅めっき層形成前の熱処理は、配線加工に耐えうるだけの無電解ニッケルめっき層とポリイミドフィルムとの密着性を確保するために行う。そして、銅めっき層形成後、ポリイミドフィルムの一方の面(A)は配線を有し、他方の面(B)は一部又は全面にポリイミドフィルムが露出する部分を有するように配線を形成することにより、十分にポリイミドフィルム内の水分を除去できるように水分の抜け道を確保し、その後、さらに熱処理を行ってポリイミドフィルム内の水分を除去する。これにより、ポリイミドフィルム内の水分を十分に低減でき、はんだ接合のような高温の熱負荷時の密着強度の低下を抑制することができる。一方で、厚みが0.1μmを超える無電解ニッケルめっき層は、長期の熱負荷時の銅のポリイミドフィルム側への拡散移行を防止できるので、長期の熱負荷時の密着強度の低下も抑制することができる。つまり、長期の熱負荷と、高温の熱負荷の両方に耐えうる無電解ニッケルめっき層とポリイミドフィルムの密着性を確保することができる。なお、無電解ニッケルめっき層の厚みが0.3μm以上になると、無電解ニッケルめっき層形成後、銅めっき層形成前の熱処理で、無電解ニッケルめっき層とポリイミドフィルムとの密着性が低下することがある。   In this production method, the heat treatment after the formation of the electroless nickel plating layer and before the formation of the copper plating layer is performed in order to ensure adhesion between the electroless nickel plating layer and the polyimide film that can withstand wiring processing. Then, after forming the copper plating layer, one side (A) of the polyimide film has wiring, and the other side (B) forms wiring so that the polyimide film is partially or entirely exposed. Thus, a moisture escape path is ensured so that the moisture in the polyimide film can be sufficiently removed, and then heat treatment is further performed to remove the moisture in the polyimide film. Thereby, the water | moisture content in a polyimide film can fully be reduced, and the fall of the adhesive strength at the time of high temperature heat load like solder joining can be suppressed. On the other hand, since the electroless nickel plating layer having a thickness exceeding 0.1 μm can prevent diffusion and migration of copper to the polyimide film side during a long-term heat load, it also suppresses a decrease in adhesion strength during a long-term heat load. be able to. That is, it is possible to ensure adhesion between the electroless nickel plating layer and the polyimide film that can withstand both a long-term heat load and a high-temperature heat load. In addition, when the thickness of the electroless nickel plating layer is 0.3 μm or more, the adhesion between the electroless nickel plating layer and the polyimide film is reduced by the heat treatment after the formation of the electroless nickel plating layer and before the formation of the copper plating layer. There is.

以上のように、本発明によれば、ポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層の形成後に高温で加熱することなく、さらに無電解ニッケルめっき層の形成を複数回の工程で行うことなく、長期の熱負荷時の銅のポリイミドフィルム側への拡散による密着強度の低下を抑制し、長期の熱負荷に対する耐熱性に優れ、且つ、高温短時間の熱負荷に対する耐熱性、ハンダ耐熱性にも優れる、一方の面は配線パターンを形成し、他方の面は一部又は全部にポリイミドフィルムが露出した部分を有するフレキシブルプリント基板を得ることができる。   As described above, according to the present invention, after forming the electroless nickel plating layer on both sides of the polyimide film, without heating at a high temperature, and further without forming the electroless nickel plating layer in a plurality of steps, it can be performed for a long time. Suppresses the decrease in adhesion strength due to the diffusion of copper to the polyimide film side during heat load, and has excellent heat resistance against long-term heat load, and also excellent heat resistance against high temperature and short time heat load and solder heat resistance One surface can form a wiring pattern, and the other surface can obtain a flexible printed board having a polyimide film exposed partly or entirely.

本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法では、イミド化時に最高加熱温度530℃以上で熱処理して得られたポリイミドフィルム、または、イミド化(最高加熱温度は530℃以上であっても、530℃未満であってもよい。)により得られたポリイミドフィルムを490℃以上で、好ましくは1分以上熱処理したポリイミドフィルムの両面に、1回のめっきで、好ましくは厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満の無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により、ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に配線を有するフレキシブルプリント基板を製造する。ポリイミドフィルムを490℃以上で熱処理する場合、その加熱時間は、例えば1〜5分間である。   In the second method for producing a flexible printed board of the present invention, a polyimide film obtained by heat treatment at a maximum heating temperature of 530 ° C. or higher during imidization, or imidization (even if the maximum heating temperature is 530 ° C. or higher, 530 The polyimide film obtained by (1) may be less than 490 ° C., preferably on the both sides of the polyimide film heat-treated for 1 minute or more, and the thickness is preferably more than 0.1 μm by one plating. After forming an electroless nickel plating layer of less than 0.3 μm, using a double-sided nickel-plated laminated polyimide film heated for 2.5 hours or more in the range of 100 to 180 ° C., by wiring processing, at least one surface of the polyimide film A flexible printed circuit board having wiring is manufactured. When heat-treating the polyimide film at 490 ° C. or higher, the heating time is, for example, 1 to 5 minutes.

本製法では、イミド化時に従来よりも高い最高加熱温度530℃以上で熱処理して得られたポリイミドフィルム、または、イミド化時の最高加熱温度に関係なく、イミド化により得られたポリイミドフィルムを490℃以上で、好ましくは1分以上熱処理したポリイミドフィルムを用い、且つ、無電解ニッケルめっき層形成後、銅めっき層形成前の熱処理を比較的長時間、具体的には100〜180℃の温度範囲で2.5時間以上行うが、これにより、無電解ニッケルめっき層がポリイミドフィルムの両面に形成されているにもかかわらず、ポリイミドフィルム内の水分を十分に除去・低減でき、はんだ接合のような高温の熱負荷時の密着強度の低下を抑制することができる。イミド化時の最高加熱温度が530℃未満で、イミド化後に490℃以上で熱処理しなかったポリイミドフィルムを用いた場合は、ポリイミドフィルム内の水分を十分に低減できず、高温の熱負荷時の密着強度の低下を十分には抑制できないことがある。一方で、特には厚みが0.1μmを超える無電解ニッケルめっき層は、長期の熱負荷時の銅のポリイミドフィルム側への拡散移行を十分に防止できるので、長期の熱負荷時の密着強度の低下を抑制することができる。つまり、長期の熱負荷と、高温の熱負荷の両方に耐えうる無電解ニッケルめっき層とポリイミドフィルムの密着性を確保することができる。なお、無電解ニッケルめっき層の厚みが0.3μm以上になると、無電解ニッケルめっき層形成後、銅めっき層形成前の熱処理で、無電解ニッケルめっき層とポリイミドフィルムとの密着性が低下することがある。   In this production method, a polyimide film obtained by heat treatment at a maximum heating temperature of 530 ° C. or higher higher than that at the time of imidization, or a polyimide film obtained by imidation regardless of the maximum heating temperature at the time of imidation is 490. Use a polyimide film that has been heat-treated at a temperature of not lower than 1 ° C., preferably for 1 minute or longer, and after the electroless nickel plating layer is formed, heat treatment before the formation of the copper plating layer is relatively long, specifically, a temperature range of 100 to 180 ° C. In this way, although the electroless nickel plating layer is formed on both sides of the polyimide film, the moisture in the polyimide film can be sufficiently removed and reduced, such as solder bonding. It is possible to suppress a decrease in adhesion strength during high temperature heat load. When using a polyimide film with a maximum heating temperature of less than 530 ° C. and not heat-treated at 490 ° C. or higher after imidation, the moisture in the polyimide film cannot be reduced sufficiently, A decrease in adhesion strength may not be sufficiently suppressed. On the other hand, in particular, the electroless nickel plating layer with a thickness exceeding 0.1 μm can sufficiently prevent diffusion migration of copper to the polyimide film side during a long-term heat load. The decrease can be suppressed. That is, it is possible to ensure adhesion between the electroless nickel plating layer and the polyimide film that can withstand both a long-term heat load and a high-temperature heat load. In addition, when the thickness of the electroless nickel plating layer is 0.3 μm or more, the adhesion between the electroless nickel plating layer and the polyimide film is reduced by the heat treatment after the formation of the electroless nickel plating layer and before the formation of the copper plating layer. There is.

この第2のフレキシブルプリント基板の製法では、上記の第1のフレキシブルプリント基板の製法とは異なり、無電解ニッケルめっき層形成後、銅めっき層形成前の熱処理により、十分にポリイミドフィルム内の水分を低減できる。そのため、ポリイミドフィルムの一方の面(A)は配線を有し、他方の面(B)は少なくとも一部にポリイミドフィルムが露出する部分を有するように配線を形成して水分の抜け道を確保する必要がない。この第2のフレキシブルプリント基板の製法によれば、一方の面が配線を有し、他方の面は全面に金属層を有するもの、すなわちポリイミドフィルムが露出する部分を有しないフレキシブルプリント基板も製造できる。   In this second flexible printed board manufacturing method, unlike the first flexible printed board manufacturing method described above, the moisture in the polyimide film is sufficiently removed by heat treatment after forming the electroless nickel plating layer and before forming the copper plating layer. Can be reduced. Therefore, it is necessary to secure the passage of moisture by forming the wiring so that one surface (A) of the polyimide film has wiring and the other surface (B) has at least a portion where the polyimide film is exposed. There is no. According to this second flexible printed circuit board manufacturing method, a flexible printed circuit board having a wiring on one surface and a metal layer on the other surface, that is, a portion having no exposed polyimide film can be manufactured. .

以上のように、本発明によれば、ポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層の形成後に高温で加熱することなく、さらに無電解ニッケルめっき層の形成を複数回の工程で行うことなく、長期の熱負荷時の銅のポリイミドフィルム側への拡散による密着強度の低下を抑制し、長期の熱負荷に対する耐熱性に優れ、且つ、高温短時間の熱負荷に対する耐熱性、ハンダ耐熱性にも優れる、少なくとも一方の面には配線パターンを有するフレキシブルプリント基板を得ることができる。   As described above, according to the present invention, after forming the electroless nickel plating layer on both sides of the polyimide film, without heating at a high temperature, and further without forming the electroless nickel plating layer in a plurality of steps, it can be performed for a long time. Suppresses the decrease in adhesion strength due to the diffusion of copper to the polyimide film side during heat load, and has excellent heat resistance against long-term heat load, and also excellent heat resistance against high temperature and short time heat load and solder heat resistance A flexible printed board having a wiring pattern on at least one surface can be obtained.

≪本発明の第1のフレキシブルプリント基板の製法≫
本発明の第1のフレキシブルプリント基板の製法においては、上記の通り、1回の無電解ニッケルめっきで、ポリイミドフィルムの両面に各厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満の無電解ニッケルめっき層を形成した後、加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いる。
<< Production Method of First Flexible Printed Circuit Board of the Present Invention >>
In the manufacturing method of the 1st flexible printed circuit board of this invention, as above-mentioned, each electroless nickel plating with each thickness exceeding 0.1 micrometer and less than 0.3 micrometer on both surfaces of a polyimide film by electroless nickel plating once. After forming the layer, a heated double-sided nickel-plated laminated polyimide film is used.

ポリイミドフィルムとしては、配線基板などの各種基板に好適に用いることができる市販のポリイミドフィルムなどを用いることができる。   As a polyimide film, the commercially available polyimide film etc. which can be used suitably for various boards, such as a wiring board, can be used.

ポリイミドフィルムとしては、線膨張係数(50〜200℃)がポリイミドフィルムに積層する銅の線膨張係数に近いことが好ましく、ポリイミドフィルムの線膨張係数(50〜200℃)は0.5×10−5〜2.8×10−5cm/cm/℃であることが好ましい。 As a polyimide film, it is preferable that a linear expansion coefficient (50-200 degreeC) is near the linear expansion coefficient of copper laminated | stacked on a polyimide film, and the linear expansion coefficient (50-200 degreeC) of a polyimide film is 0.5 * 10 < - >. It is preferably 5 to 2.8 × 10 −5 cm / cm / ° C.

また、ポリイミドフィルムとしては、熱収縮率が0.05%以下のものが、熱変形が小さく好ましい。   In addition, a polyimide film having a thermal shrinkage rate of 0.05% or less is preferable because of its small thermal deformation.

ポリイミドフィルムとしては、耐熱性、電気絶縁性などに優れるポリイミドフィルムを好適に用いることができる。   As the polyimide film, a polyimide film excellent in heat resistance, electrical insulation and the like can be suitably used.

ポリイミドフィルムの厚みは、特に限定されず、製造や取扱が問題なく行なえ、形成する金属層や配線パターン層を充分に支持できる厚みであればよく、好ましくは1〜500μm、より好ましくは2〜300μm、さらに好ましくは5〜200μm、より好ましくは5〜175μm、特に好ましくは5〜100μmであることが好ましい。   The thickness of the polyimide film is not particularly limited as long as the thickness can sufficiently support the metal layer and wiring pattern layer to be formed and can be handled without problems, and preferably 1 to 500 μm, more preferably 2 to 300 μm. More preferably, it is 5 to 200 μm, more preferably 5 to 175 μm, and particularly preferably 5 to 100 μm.

ポリイミドフィルムとしては、単層、または2層以上を積層した複層のフィルム、またはシート状のものを用いることができる。   As the polyimide film, a single layer, a multilayer film in which two or more layers are laminated, or a sheet-like one can be used.

ポリイミドフィルムは、公知の方法で製造することができ、例えば
単層のポリイミドフィルムは、
(1)ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を支持体に流延又は塗布し、イミド化する方法、
(2)ポリイミド溶液を支持体に流延又は塗布し、必要に応じて加熱する方法、
などにより得ることができ、
2層以上のポリイミドフィルムは、
(3)ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を支持体に流延又は塗布し、さらに2層目以上のポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を逐次、前に支持体に流延又は塗布したポリアミック酸層の上面に流延又は塗布し、イミド化する方法、
(4)2層以上のポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を同時に支持体に流延又は塗布し、イミド化する方法、
(5)ポリイミド溶液を支持体に流延又は塗布し、さらに2層目以上のポリイミド溶液を逐次、前に支持体に流延又は塗布したポリイミド層の上面に流延又は塗布し、必要に応じて加熱する方法、
(6)2層以上のポリイミド溶液を同時に支持体に流延又は塗布し、必要に応じて加熱する方法、
(7)上記(1)から(6)で得られた2枚以上のポリイミドフィルムを直接、又は接着剤を介して積層する方法、などにより得ることができる。
The polyimide film can be produced by a known method. For example, a single-layer polyimide film is
(1) A method in which a polyamic acid solution, which is a polyimide precursor, is cast or applied to a support and imidized;
(2) A method in which a polyimide solution is cast or applied to a support and heated as necessary.
Etc.
Two or more layers of polyimide film
(3) A polyamic acid solution, which is a polyimide precursor, is cast or coated on a support, and a polyamic acid solution, which is a polyimide precursor of the second layer or more, is sequentially cast or coated on the support before. A method of casting or coating on the upper surface of the polyamic acid layer and imidizing;
(4) A method in which a polyamic acid solution, which is a precursor of two or more layers of polyimide, is simultaneously cast or applied to a support and imidized;
(5) The polyimide solution is cast or coated on the support, and the polyimide solution of the second layer or more is sequentially cast or coated on the upper surface of the polyimide layer previously cast or coated on the support. Heating method,
(6) A method in which two or more layers of polyimide solution are simultaneously cast or coated on a support and heated as necessary.
(7) It can be obtained by a method of laminating two or more polyimide films obtained in (1) to (6) directly or via an adhesive.

ポリイミドフィルムとしては、例えば、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)及びピロメリット酸二無水物(PMDA)などから選ばれる成分を主成分として含むテトラカルボン酸成分と、パラフェニレンジアミン(PPD)、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−DADE)及び3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−DADE)などから選ばれる成分を主成分として含むジアミン成分とから合成されるポリイミドを用いることができる。   As a polyimide film, for example, tetra-containing a main component containing a component selected from 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (s-BPDA), pyromellitic dianhydride (PMDA), and the like. Mainly a carboxylic acid component and a component selected from paraphenylenediamine (PPD), 4,4′-diaminodiphenyl ether (4,4′-DADE), 3,4′-diaminodiphenyl ether (3,4′-DADE), etc. A polyimide synthesized from a diamine component contained as a component can be used.

好適なポリイミドフィルムとしては、例えば、以下の(1)〜(4)のポリイミドが挙げられる。   Suitable polyimide films include, for example, the following polyimides (1) to (4).

(1)3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)とパラフェニレンジアミン(PPD)と場合によりさらに4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−DADE)とから製造されるポリイミド。この場合、PPD/4,4’−DADE(モル比)は100/0〜85/15であることが好ましい。   (1) 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (s-BPDA) and paraphenylenediamine (PPD) and optionally 4,4′-diaminodiphenyl ether (4,4′-DADE) ) And polyimide produced from. In this case, the PPD / 4,4'-DADE (molar ratio) is preferably 100/0 to 85/15.

(2)3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)とピロメリット酸二無水物(PMDA)とパラフェニレンジアミン(PPD)と4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−DADE)とから製造されるポリイミド。この場合、s−BPDA/PMDAは15/85〜85/15で、PPD/4,4’−DADEは90/10〜10/90であることが好ましい。   (2) 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (s-BPDA), pyromellitic dianhydride (PMDA), paraphenylenediamine (PPD), and 4,4′-diaminodiphenyl ether Polyimide produced from (4,4'-DADE). In this case, s-BPDA / PMDA is preferably 15/85 to 85/15, and PPD / 4, 4'-DADE is preferably 90/10 to 10/90.

(3)ピロメリット酸二無水物(PMDA)とパラフェニレンジアミン(PPD)と4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−DADE)とから製造されるポリイミド。この場合、4,4’−DADE/PPDは90/10〜10/90であることが好ましい。   (3) A polyimide produced from pyromellitic dianhydride (PMDA), paraphenylenediamine (PPD), and 4,4'-diaminodiphenyl ether (4,4'-DADE). In this case, the 4,4′-DADE / PPD is preferably 90/10 to 10/90.

(4)3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)およびピロメリット酸二無水物(PMDA)とパラフェニレンジアミン(PPD)および4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−DADE)とから製造されるポリイミド。この場合、BTDA/PMDAが20/80〜90/10、PPD/4,4’−DADEが30/70〜90/10であることが好ましい。   (4) 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA), pyromellitic dianhydride (PMDA), paraphenylenediamine (PPD), and 4,4′-diaminodiphenyl ether (4 , 4'-DADE). In this case, it is preferable that BTDA / PMDA is 20/80 to 90/10, and PPD / 4, 4'-DADE is 30/70 to 90/10.

ポリイミドの合成において、ポリイミドの物性を損なわない種類と量の他のテトラカルボン酸二無水物やジアミンを使用してもよい。   In the synthesis | combination of a polyimide, you may use the other tetracarboxylic dianhydride and diamine which are the kind and quantity which do not impair the physical property of a polyimide.

ポリイミドフィルムは、さらにフィルム表面を無機酸化物変性したポリイミドフィルムを用いることができる。フィルム表面を無機酸化物変性したポリイミドフィルムは、より高い密着強度と耐熱性を有することがある。   As the polyimide film, a polyimide film obtained by modifying the film surface with an inorganic oxide can be used. A polyimide film having a film surface modified with an inorganic oxide may have higher adhesion strength and heat resistance.

無機酸化物変性したポリイミドフィルムは、芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とから得られるポリイミド前駆体(ポリアミック酸など)の溶液を支持体上に流延塗布し、加熱して製造されたポリイミド前駆体溶液の自己支持性フィルムの片面若しくは両面に適当な無機化合物(例えば、金属化合物)を含む溶液を塗布して、無機酸化物変性したフィルムである。無機酸化物変性とは、金属酸化物や、金属酸化物と類似の固体酸化物となる半導体元素の酸化物(以降、単に金属酸化物という)で変性された状態を指し、少なくとも表面の一部に無機物(金属元素または半導体元素)−酸素結合が形成されている状態を指す。   The polyimide film modified with an inorganic oxide was manufactured by casting a solution of a polyimide precursor (polyamic acid or the like) obtained from an aromatic tetracarboxylic acid component and an aromatic diamine component on a support and heating. It is a film in which a solution containing an appropriate inorganic compound (for example, a metal compound) is applied to one or both sides of a self-supporting film of a polyimide precursor solution to modify the inorganic oxide. Inorganic oxide modification refers to a state modified with a metal oxide or an oxide of a semiconductor element that becomes a solid oxide similar to a metal oxide (hereinafter simply referred to as a metal oxide), and at least a part of the surface. Is a state where an inorganic substance (metal element or semiconductor element) -oxygen bond is formed.

ポリイミドフィルムは、好ましくはアルミニウム酸化物変性、チタン酸化物変性若しくはシリコン酸化物変性され、少なくとも表面の一部にアルミニウム−酸素結合、チタン−酸素結合若しくはシリコン(ケイ素)−酸素結合が形成されていることが好ましい。   The polyimide film is preferably modified with aluminum oxide, titanium oxide or silicon oxide, and an aluminum-oxygen bond, a titanium-oxygen bond or a silicon (silicon) -oxygen bond is formed on at least a part of the surface. It is preferable.

無機酸化物変性された状態は、完全な酸化物でなくても、例えば水酸化アルミニウム、チタンの水酸基、シリコンの水酸基などや、あるいはダングリングボンドなどが一部に存在していたり、有機物との結合が存在していてもよい。   Inorganic oxide-modified state is not a complete oxide, for example, aluminum hydroxide, titanium hydroxyl group, silicon hydroxyl group, or dangling bonds are partly present, Bonds may be present.

ポリイミドフィルムとしては、少なくとも片面がコロナ放電処理、プラズマ処理、化学的粗面化処理、物理的粗面化処理などの表面処理されたポリイミドフィルムを用いることもできる。   As the polyimide film, a polyimide film having at least one surface treated by corona discharge treatment, plasma treatment, chemical roughening treatment, physical roughening treatment or the like can also be used.

本発明の第1のフレキシブルプリント基板の製法において用いる両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムは、ポリイミドフィルムの両面に厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満の無電解ニッケルめっき層を1回のメッキで形成し、その後、好ましくは80〜150℃の範囲で加熱することにより得ることができる。   The double-sided nickel-plated laminated polyimide film used in the first method for producing a flexible printed circuit board of the present invention has an electroless nickel plating layer having a thickness of more than 0.1 μm and less than 0.3 μm on both sides of the polyimide film by one plating. It can be obtained by forming and then heating preferably in the range of 80-150 ° C.

両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層の厚みが上記範囲より薄い場合は、長期の熱負荷時の銅の拡散による密着強度の低下を十分には抑制できず、長期の熱負荷により密着性が劣化することがある。上記範囲より厚い場合は、両面を無電解ニッケルめっき層で覆われたポリイミドフィルムから水分の抜け道が限りなく遮られることにより、無電解ニッケルめっき層形成後の加熱処理により、無電解ニッケルめっき層とポリイミドフィルムとの密着性が劣化することがある。さらに、無電解ニッケルめっき層が厚い場合は、配線パターン形成において、無電解ニッケルめっき層を含む下地の除去が困難となり、除去処理を強くすることにより配線におけるアンダーカットの原因となる場合がある。   If the thickness of the electroless nickel plating layer of the double-sided nickel-plated laminated polyimide film is less than the above range, the decrease in adhesion strength due to copper diffusion during long-term heat load cannot be sufficiently suppressed, and adhesion due to long-term heat load May deteriorate. If it is thicker than the above range, the polyimide film covered on both sides with the electroless nickel plating layer will block the passage of moisture as much as possible. Adhesiveness with a polyimide film may deteriorate. Furthermore, when the electroless nickel plating layer is thick, it is difficult to remove the base including the electroless nickel plating layer in forming the wiring pattern, which may cause an undercut in the wiring by strengthening the removal process.

無電解ニッケルめっき層の厚みは、0.1μmを超えて0.3μm未満であることが好ましく、0.11μmから0.28μmであることがより好ましく、0.12μmから0.27μmであることがより好ましい。   The thickness of the electroless nickel plating layer is preferably more than 0.1 μm and less than 0.3 μm, more preferably from 0.11 μm to 0.28 μm, and from 0.12 μm to 0.27 μm. More preferred.

本発明の第1のフレキシブルプリント基板の製法においては、ポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層を形成した後、得られた両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを加熱する。   In the manufacturing method of the 1st flexible printed circuit board of this invention, after forming an electroless nickel plating layer on both surfaces of a polyimide film, the obtained double-sided nickel plating laminated polyimide film is heated.

両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの加熱温度は、80〜180℃の範囲、好ましくは80〜150℃の範囲、さらに好ましくは90〜140℃の範囲、さらに好ましくは100〜130℃の範囲であることが好ましい。加熱温度が上記の範囲より低い場合、加熱時間が長くなり生産性が問題となる場合があり、上記範囲より高い場合、ポリイミドフィルム内の水分が一度に気化膨張し、無電解ニッケルめっき層とポリイミドフィルムとの密着性が低下することがある。   The heating temperature of the double-sided nickel-plated laminated polyimide film is in the range of 80 to 180 ° C, preferably in the range of 80 to 150 ° C, more preferably in the range of 90 to 140 ° C, and still more preferably in the range of 100 to 130 ° C. preferable. When the heating temperature is lower than the above range, the heating time may become long and productivity may be a problem. When the heating temperature is higher than the above range, the moisture in the polyimide film vaporizes and expands at once, and the electroless nickel plating layer and the polyimide Adhesion with the film may be reduced.

加熱時間は適宜最適となるような時間を設定すればよく、例えば好ましくは1分〜24時間、より好ましくは10分〜3時間、さらに好ましくは20分〜2時間の間が好ましい。   What is necessary is just to set time for heating time suitably, for example, Preferably it is 1 minute-24 hours, More preferably, it is 10 minutes-3 hours, More preferably, it is between 20 minutes-2 hours.

ポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層を形成する場合、前処理として、ポリイミドフィルムの両面がアルカリ金属水酸化物又はこれらの水溶液を用いて表面処理されていることが、無電解ニッケルめっき層とポリイミドフィルム界面の密着性を確保するために好ましい。アルカリ金属水酸化物としては、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどを挙げることができる。   When the electroless nickel plating layer is formed on both surfaces of the polyimide film, as a pretreatment, both surfaces of the polyimide film are surface-treated using an alkali metal hydroxide or an aqueous solution thereof. This is preferable in order to ensure adhesion at the polyimide film interface. Examples of the alkali metal hydroxide include potassium hydroxide and sodium hydroxide.

ポリイミドフィルムより両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを製造する方法の一例としては、ポリイミドフィルムの両面を、少なくとも触媒を付与する工程、無電解ニッケルめっきによりニッケルめっき層を形成する工程、加熱する工程をこの順で行うことができ、さらに、少なくともアルカリ溶液で処理する工程、触媒を付与する工程、無電解ニッケルめっきによりニッケルめっき層を形成する工程、加熱する工程をこの順で行うことができる。また、アルカリ溶液で処理する工程においてアルカリ溶液に塩基性アミノ酸を混合したり、アルカリ溶液で処理する工程の後に、塩基性アミノ酸溶液で処理する工程を加えたり、触媒に塩基性アミノ酸溶液を付与したものを用いることができる。塩基性アミノ酸を用いることにより、ポリイミドフィルム表面へ選択的に多くの金属触媒を吸着させることができ、特に密着力を安定させることができる。   As an example of a method for producing a double-sided nickel-plated laminated polyimide film from a polyimide film, at least the steps of applying a catalyst, the step of forming a nickel plating layer by electroless nickel plating, and the step of heating are performed in this order on both sides of the polyimide film. Furthermore, at least a step of treating with an alkaline solution, a step of applying a catalyst, a step of forming a nickel plating layer by electroless nickel plating, and a step of heating can be performed in this order. Also, in the step of treating with an alkaline solution, a basic amino acid is mixed with the alkaline solution, or after the step of treating with an alkaline solution, a step of treating with a basic amino acid solution is added, or a basic amino acid solution is added to the catalyst. Things can be used. By using a basic amino acid, a large amount of metal catalyst can be selectively adsorbed on the surface of the polyimide film, and in particular, the adhesion can be stabilized.

ポリイミドフィルムより両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを製造する上記各工程を詳しく以下に示す。
1)アルカリ溶液で処理する工程では、ポリイミドフィルムの表面をアルカリ溶液、例えば水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどを含むアルカリ溶液に噴きつけや浸漬などの方法で接触させて、ポリイミドフィルムの表面を処理する。例えば、水酸化カリウムや水酸化ナトリウム10〜200g/Lの水溶液で25〜80℃、10秒〜10分間浸漬処理する方法で行うことができる。
2)触媒を付与する工程では、ポリイミドフィルムの表面に無電解下地金属析出の核を形成するために、ポリイミドフィルムの変性した表面の一部又は全部に触媒を吸着などの方法で付与する。例えば、イオン性パラジウム触媒溶液で30〜60℃、1〜10分間浸漬してポリイミドフィルムの表面にパラジウムイオンを吸着させ、その後、還元溶液に浸漬して、パラジウムイオンを金属パラジウムに還元させることにより行うことができる。
3)ニッケルめっき層を形成する工程では、ニッケルを無電解めっき法により析出させ、無電解下地ニッケル層を形成する。例えば、市販の無電解ニッケルめっき浴で、25〜45℃で2分〜20分間浸漬することにより行うことができる。
4)加熱する工程では、無電解ニッケルめっき層を両面に形成したポリイミドフィルムを加熱する。好ましくは、80℃〜150℃で1分〜24時間加熱することにより、行うことができる。
Each of the above steps for producing a double-sided nickel-plated laminated polyimide film from a polyimide film will be described in detail below.
1) In the step of treating with an alkaline solution, the surface of the polyimide film is treated by spraying or dipping the surface of the polyimide film into an alkaline solution, for example, an alkaline solution containing potassium hydroxide or sodium hydroxide. To do. For example, it can carry out by the method of immersion treatment at 25-80 degreeC for 10 second-10 minutes with potassium hydroxide or sodium hydroxide 10-200 g / L aqueous solution.
2) In the step of applying a catalyst, in order to form nuclei for electroless base metal precipitation on the surface of the polyimide film, the catalyst is applied to a part or all of the modified surface of the polyimide film by a method such as adsorption. For example, by immersing in an ionic palladium catalyst solution at 30 to 60 ° C. for 1 to 10 minutes to adsorb palladium ions on the surface of the polyimide film, and then immersing in a reducing solution to reduce the palladium ions to metallic palladium. It can be carried out.
3) In the step of forming the nickel plating layer, nickel is deposited by an electroless plating method to form an electroless base nickel layer. For example, it can be performed by immersing in a commercially available electroless nickel plating bath at 25 to 45 ° C. for 2 to 20 minutes.
4) In the heating step, the polyimide film having the electroless nickel plating layer formed on both sides is heated. Preferably, it can be performed by heating at 80 ° C. to 150 ° C. for 1 minute to 24 hours.

ポリイミドフィルムより両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを製造する方法の別の一例としては、ポリイミドフィルムの両面を、少なくとも界面活性剤を含む酸またはアルカリ性の脱脂液で洗浄する工程、アルカリ溶液で処理する工程、塩基性アミノ酸溶液で処理する工程、触媒を付与する工程、無電解ニッケルめっきによりニッケルめっき層を形成する工程、加熱する工程をこの順で行うことができる。   As another example of a method for producing a double-sided nickel-plated laminated polyimide film from a polyimide film, a step of washing both surfaces of the polyimide film with an acid or an alkaline degreasing solution containing at least a surfactant, a step of treating with an alkaline solution, The step of treating with a basic amino acid solution, the step of applying a catalyst, the step of forming a nickel plating layer by electroless nickel plating, and the step of heating can be performed in this order.

ポリイミドフィルムより両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを製造する上記各工程を詳しく以下に示す。
1)界面活性剤を含む酸またはアルカリ性の脱脂液で洗浄する工程では、ポリイミドフィルムの表面の油脂成分などを除去するために、洗浄効果を有する脱脂液でポリイミドフィルムの表面を処理する。例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルやジプロピレングリコールモノメチルエーテルなどの界面活性剤と水酸化ナトリウムやモノエタノールアミンなどを含むアルカリ溶液で30〜60℃、1〜10分間浸漬して油脂成分などの汚れを除去し、ポリイミドフィルムを洗浄する。
2)アルカリ溶液で処理する工程では、ポリイミドフィルムの表面をアルカリ溶液、例えば水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどを含むアルカリ溶液に噴きつけや浸漬などの方法で接触させて、ポリイミドフィルムの表面を処理する。例えば、水酸化カリウムや水酸化ナトリウム10〜200g/Lの水溶液で25〜80℃、10秒〜10分間浸漬処理する方法で行うことができる。
3)塩基性アミノ酸溶液で処理する工程では、ポリイミドフィルムの表面を、アミノ酸を含む塩基性溶液に噴きつけや浸漬などの方法で接触させる。例えば、水酸化カリウムでpHを6に調整したリシン塩酸塩やアルギニン塩酸塩30〜300g/L水溶液で30〜60℃、10秒〜10分間浸漬処理する方法で行うことができる。
4)触媒を付与する工程では、ポリイミドフィルムの表面に無電解下地金属析出の核を形成するために、ポリイミドフィルムの表面の一部又は全部に触媒を吸着などの方法で付与する。例えば、イオン性パラジウム触媒溶液で30〜60℃、1〜10分間浸漬してポリイミドフィルムの表面にパラジウムイオンを吸着させ、その後、還元溶液に浸漬して、パラジウムイオンを金属パラジウムに還元させることにより行うことができる。
5)ニッケルめっき層を形成する工程では、ニッケルを無電解めっき法により析出させ、無電解下地ニッケル層を形成する。例えば、市販の無電解ニッケルめっき浴で、25〜45℃で2分〜20分間浸漬することにより行うことができる。
6)加熱する工程では、無電解ニッケルめっき層を両面に形成したポリイミドフィルムを加熱する。好ましくは、80℃〜150℃で1分〜24時間加熱することにより、行うことができる。
Each of the above steps for producing a double-sided nickel-plated laminated polyimide film from a polyimide film will be described in detail below.
1) In the step of washing with an acid or alkaline degreasing solution containing a surfactant, the surface of the polyimide film is treated with a degreasing solution having a cleaning effect in order to remove oil components on the surface of the polyimide film. For example, dip oil and fat components by soaking in an alkaline solution containing a surfactant such as polyoxyethylene alkyl ether or dipropylene glycol monomethyl ether and sodium hydroxide or monoethanolamine at 30 to 60 ° C. for 1 to 10 minutes. Remove and wash the polyimide film.
2) In the step of treating with an alkaline solution, the surface of the polyimide film is treated by spraying or dipping the surface of the polyimide film into an alkaline solution such as an alkaline solution containing potassium hydroxide, sodium hydroxide or the like. To do. For example, it can carry out by the method of immersion treatment at 25-80 degreeC for 10 second-10 minutes with potassium hydroxide or sodium hydroxide 10-200 g / L aqueous solution.
3) In the step of treating with the basic amino acid solution, the surface of the polyimide film is brought into contact with the basic solution containing the amino acid by a method such as spraying or dipping. For example, the lysine hydrochloride adjusted to pH 6 with potassium hydroxide or an arginine hydrochloride 30-300 g / L aqueous solution can be used at 30 to 60 ° C. for 10 seconds to 10 minutes.
4) In the step of applying a catalyst, in order to form nuclei for electroless base metal precipitation on the surface of the polyimide film, the catalyst is applied to a part or all of the surface of the polyimide film by a method such as adsorption. For example, by immersing in an ionic palladium catalyst solution at 30 to 60 ° C. for 1 to 10 minutes to adsorb palladium ions on the surface of the polyimide film, and then immersing in a reducing solution to reduce the palladium ions to metallic palladium. It can be carried out.
5) In the step of forming the nickel plating layer, nickel is deposited by an electroless plating method to form an electroless base nickel layer. For example, it can be performed by immersing in a commercially available electroless nickel plating bath at 25 to 45 ° C. for 2 to 20 minutes.
6) In the heating step, the polyimide film having the electroless nickel plating layer formed on both sides is heated. Preferably, it can be performed by heating at 80 ° C. to 150 ° C. for 1 minute to 24 hours.

本発明の第1のフレキシブルプリント基板の製法においては、このようにして得られる両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、ポリイミドフィルムの一方の面(A)は配線パターンを有し、他方の面(B)は一部又は全面にポリイミドフィルムが露出する部分を有するフレキシブルプリント基板を製造する。   In the manufacturing method of the 1st flexible printed circuit board of this invention, using the double-sided nickel plating lamination | stacking polyimide film obtained in this way, one surface (A) of a polyimide film has a wiring pattern, and the other surface ( B) manufactures the flexible printed circuit board which has the part which a polyimide film exposes in part or the whole surface.

フレキシブルプリント基板の一方の面(A)に配線パターンを有するとは、配線パターンとしては、例えば5μm〜1000μmピッチのインナーリードや、5μm〜5000μmピッチのアウターリード、直径20μm〜5000μmのランド、5μm〜10000μm幅のラインなどを有するもので、その配線パターンは特に限定されるものではなく、どのようなパターンであってもよい。   Having a wiring pattern on one surface (A) of the flexible printed circuit board includes, for example, inner leads with a pitch of 5 μm to 1000 μm, outer leads with a pitch of 5 μm to 5000 μm, lands with a diameter of 20 μm to 5000 μm, 5 μm to 5 μm It has a line having a width of 10,000 μm and the wiring pattern is not particularly limited, and any pattern may be used.

フレキシブルプリント基板の他方の面(B)の一部にポリイミドフィルムが露出する部分を有するとは、例えば、面(B)に配線パターンを有する、例えば5μm〜1000μmピッチのインナーリードや、5μm〜5000μmピッチのアウターリード、直径20μm〜5000μmのランド、5μm〜10000μm幅のラインなどを有するもので、その配線パターンは特に限定されるものではなく、どのようなパターンであってもよい。   Having a portion where the polyimide film is exposed on a part of the other surface (B) of the flexible printed board means, for example, an inner lead having a wiring pattern on the surface (B), for example, a 5 μm to 1000 μm pitch, or 5 μm to 5000 μm. It has a pitch outer lead, a land having a diameter of 20 μm to 5000 μm, a line having a width of 5 μm to 10,000 μm, and the wiring pattern is not particularly limited, and any pattern may be used.

各(A)面、(B)面の配線パターンは特に限定されるものではなく、配線加工後に行う熱処理によって、ポリイミドフィルムと無電解ニッケルめっき層との界面にダメージを与えることなく、ポリイミドフィルム内の水分を除去することができればよい。   The wiring pattern of each (A) surface and (B) surface is not particularly limited, and the heat treatment performed after wiring processing does not damage the interface between the polyimide film and the electroless nickel plating layer. It suffices to be able to remove the moisture.

例えば、(A)面の配線パターンと(B)面の配線パターンが対向してポリイミドフィルムを介して重なり合うパターン部位を、ポリイミドフィルム表面より投影図形としてみた場合、投影図形内の全ての点は、投影図形のエッジまでの最短距離が所定の距離以内にある事が好ましい。この所定の距離(投影図形内の全ての点から投影図形のエッジまでの最短距離の最大値)が短いほど水分が容易に除去され、通常、2.5mm以内であればよく、好ましくは1mm以内、更に好ましくは0.5mm以内である。   For example, when the pattern portion where the wiring pattern on the (A) plane and the wiring pattern on the (B) plane face each other and overlap through the polyimide film is viewed as a projected figure from the polyimide film surface, all points in the projected figure are: It is preferable that the shortest distance to the edge of the projected figure is within a predetermined distance. The shorter the predetermined distance (the maximum value of the shortest distance from all points in the projected figure to the edge of the projected figure), the easier the moisture is removed, and it is usually within 2.5 mm, preferably within 1 mm. More preferably, it is within 0.5 mm.

パターン設計上、投影図形のエッジまでの最短距離が2.5mmを超える点が投影図形内にある場合は(A)面および/または(B)面のパターンにスリットや穴などの水分の抜け道となる開口部を形成してポリイミドフィルムが露出する部位を形成することが好ましい。   In the pattern design, when there is a point in the projected figure where the shortest distance to the edge of the projected figure exceeds 2.5 mm, the pattern on the (A) plane and / or (B) plane is a passage of moisture such as slits and holes. It is preferable to form a portion where the polyimide film is exposed by forming an opening.

フレキシブルプリント基板の他方の面(B)の全面にポリイミドフィルムが露出する部分を有するとは、配線パターンや金属層を全く有しないこと、すなわち面(B)は無電解ニッケルめっき層も除去されて、全面にポリイミドフィルムが露出していることである。   Having a portion where the polyimide film is exposed on the entire other surface (B) of the flexible printed circuit board means that it does not have any wiring pattern or metal layer, that is, the surface (B) also has an electroless nickel plating layer removed. The polyimide film is exposed on the entire surface.

本発明のフレキシブルプリント基板は、両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、下記(1)〜(2)のいずれかの配線加工方法により製造することができる。
(1)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、セミアディティブ法により配線加工を行い、フレキシブルプリント基板を製造する方法。
(2)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、サブトラクティブ法により配線加工を行い、フレキシブルプリント基板を製造する方法。
The flexible printed circuit board of this invention can be manufactured by the wiring processing method in any one of following (1)-(2) using a double-sided nickel plating laminated polyimide film.
(1) A method of manufacturing a flexible printed board by performing wiring processing by a semi-additive method using a double-sided nickel plating laminated polyimide film.
(2) A method of manufacturing a flexible printed board by performing wiring processing by a subtractive method using a double-sided nickel-plated laminated polyimide film.

方法(1)の、両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、セミアディティブ法により配線加工を行うフレキシブルプリント基板を製造する方法は、さらに下記(i)〜(iii)のいずれかの方法で行うことができる。
(i)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層と電解銅めっき層を順次形成後、めっきレジスト層を形成する配線加工によりフレキシブルプリント基板を製造する方法。
(ii)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層を形成後、めっきレジスト層を形成する配線加工によりフレキシブルプリント基板を製造する方法。
(iii)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に、めっきレジスト層を形成する配線加工によりフレキシブルプリント基板を製造する方法。
The method of manufacturing a flexible printed circuit board that performs wiring processing by a semi-additive method using a double-sided nickel-plated laminated polyimide film of method (1) is further performed by any of the following methods (i) to (iii): Can do.
(I) A method of manufacturing a flexible printed circuit board by wiring processing for forming a plating resist layer after sequentially forming an electroless copper plating layer and an electrolytic copper plating layer on an electroless nickel plating layer of a double-sided nickel plating laminated polyimide film.
(Ii) A method for producing a flexible printed board by wiring processing for forming a plating resist layer after forming an electroless copper plating layer on an electroless nickel plating layer of a double-sided nickel plating laminated polyimide film.
(Iii) A method for producing a flexible printed circuit board by wiring processing for forming a plating resist layer on an electroless nickel plating layer of a double-sided nickel plating laminated polyimide film.

上記の配線加工方法(i)〜(iii)の工程順を表1に示す。表1において、各方法の欄に記載の数値は工程順を示す。なお、上記(i)〜(iii)の方法は、表1に記載の順序以外でも行うことができる。   Table 1 shows the order of steps of the wiring processing methods (i) to (iii). In Table 1, the numerical values described in the column of each method indicate the order of steps. In addition, the method of said (i)-(iii) can be performed also except the order of Table 1.

Figure 0005870550
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両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層と電解銅めっき層を順次形成後、めっきレジスト層を形成する表1の方法(i)に示すセミアディティブ法による配線加工を行うフレキシブルプリント基板の製造方法の一例を説明すると、
少なくとも、
i−1)無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき層形成工程、
i−2)無電解銅めっき層に電解銅めっき層を形成する電解銅めっき層形成工程、
i−3)電解銅めっき層にめっきレジスト層を設けるめっきレジスト層形成工程、
i−4)配線パターンのフォトマスクを介して露光する露光工程、
i−5)めっきレジスト層の配線パターンとなる部位を現像除去する現像工程、
i−6)めっきレジスト層を除去して露出された電解銅めっき層上にさらに電解銅めっきを行い、電解銅パターンめっき層を形成するパターンめっき工程、
i−7)めっきレジスト層を剥離により除去するめっきレジスト層除去工程、
i−8)レジスト層の剥離によって露出した電解銅めっき層と無電解銅めっき層と無電解ニッケルめっき層を除去してポリイミドフィルム表面があらわれるようにして、フィルム表面に配線パターンを形成するフラッシュエッチング工程、
などをこの順序で行うことができる。
After the electroless copper plating layer and the electrolytic copper plating layer are sequentially formed on the electroless nickel plating layer of the double-sided nickel plating laminated polyimide film, the wiring processing by the semi-additive method shown in Table 1 method (i) is performed. To explain an example of a method for manufacturing a flexible printed circuit board,
at least,
i-1) an electroless copper plating layer forming step of forming an electroless copper plating layer on the electroless nickel plating layer;
i-2) an electrolytic copper plating layer forming step of forming an electrolytic copper plating layer on the electroless copper plating layer;
i-3) a plating resist layer forming step of providing a plating resist layer on the electrolytic copper plating layer;
i-4) an exposure process of exposing through a photomask of a wiring pattern;
i-5) a development step of developing and removing a portion to be a wiring pattern of the plating resist layer;
i-6) A pattern plating step of removing the plating resist layer and further performing electrolytic copper plating on the exposed electrolytic copper plating layer to form an electrolytic copper pattern plating layer;
i-7) a plating resist layer removing step of removing the plating resist layer by peeling;
i-8) Flash etching in which the electrolytic copper plating layer, the electroless copper plating layer, and the electroless nickel plating layer exposed by peeling off the resist layer are removed so that the polyimide film surface appears, and a wiring pattern is formed on the film surface. Process,
Etc. can be performed in this order.

両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層を形成後、めっきレジスト層を形成する表1の方法(ii)に示すセミアディティブ法による配線加工を行うフレキシブルプリント基板の製造方法の一例を説明すると、
少なくとも、
ii−1)無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき層形成工程、
ii−2)無電解銅めっき層の上面にめっきレジスト層を設けるめっきレジスト層の形成工程、
ii−3)配線パターンのフォトマスクを介して露光する露光工程、
ii−4)めっきレジスト層の配線パターンとなる部位を現像除去する現像工程、
ii−5)めっきレジスト層を除去して露出された無電解銅めっき層上にさらに電解銅めっきを行い、電解銅パターンめっき層を形成するパターンめっき工程、
ii−6)めっきレジスト層を剥離により除去するめっきレジスト層除去工程、
ii−7)レジスト層の剥離によって露出した無電解銅めっき層と無電解ニッケルめっき層を除去してポリイミドフィルム表面があらわれるようにして、フィルム表面に配線パターンを形成するフラッシュエッチング工程、
などをこの順序で行うことができる。
Production of flexible printed circuit board by wiring process by semi-additive method shown in Table 1 method (ii) of forming plating resist layer after forming electroless copper plating layer on electroless nickel plating layer of double-sided nickel plating laminated polyimide film To explain an example of the method,
at least,
ii-1) an electroless copper plating layer forming step of forming an electroless copper plating layer on the electroless nickel plating layer;
ii-2) a plating resist layer forming step of providing a plating resist layer on the upper surface of the electroless copper plating layer;
ii-3) an exposure step of exposing through a photomask of the wiring pattern;
ii-4) A development step for developing and removing a portion to be a wiring pattern of the plating resist layer;
ii-5) a pattern plating step of removing the plating resist layer and further performing electrolytic copper plating on the exposed electroless copper plating layer to form an electrolytic copper pattern plating layer;
ii-6) a plating resist layer removing step of removing the plating resist layer by peeling,
ii-7) A flash etching step of forming a wiring pattern on the film surface by removing the electroless copper plating layer and the electroless nickel plating layer exposed by peeling off the resist layer so that the polyimide film surface appears.
Etc. can be performed in this order.

両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層にめっきレジスト層を形成する表1の方法(iii)に示すセミアディティブ法による配線加工を行うフレキシブルプリント基板の製造方法の一例を説明すると、
少なくとも、
iii−1)無電解ニッケルめっき層の上面にめっきレジスト層を設けるめっきレジスト層の形成工程、
iii−2)配線パターンのフォトマスクを介して露光する露光工程、
iii−3)めっきレジスト層の配線パターンとなる部位を現像除去する現像工程、
iii−4)めっきレジスト層を除去して露出された無電解ニッケルめっき層上に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき層形成工程、
iii−5)無電解銅めっき層上にさらに電解銅めっきを行い、電解銅パターンめっき層を形成するパターンめっき工程、
iii−6)めっきレジスト層を剥離により除去するめっきレジスト層除去工程、
iii−7)レジスト層の剥離によって露出した無電解ニッケルめっき層を除去してポリイミドフィルム表面があらわれるようにして、フィルム表面に配線パターンを形成するフラッシュエッチング工程、
などをこの順序で行うことができる。
Explaining an example of a method for producing a flexible printed circuit board that performs wiring processing by the semi-additive method shown in Table 1 (iii) of forming a plating resist layer on an electroless nickel plating layer of a double-sided nickel-plated polyimide film,
at least,
iii-1) a plating resist layer forming step of providing a plating resist layer on the upper surface of the electroless nickel plating layer;
iii-2) an exposure step of exposing through a photomask of the wiring pattern;
iii-3) a development step for developing and removing a portion to be a wiring pattern of the plating resist layer;
iii-4) an electroless copper plating layer forming step of forming an electroless copper plating layer on the electroless nickel plating layer exposed by removing the plating resist layer;
iii-5) A pattern plating step of further performing electrolytic copper plating on the electroless copper plating layer to form an electrolytic copper pattern plating layer,
iii-6) a plating resist layer removing step of removing the plating resist layer by peeling,
iii-7) A flash etching step of forming a wiring pattern on the film surface by removing the electroless nickel plating layer exposed by peeling of the resist layer so that the polyimide film surface appears.
Etc. can be performed in this order.

セミアディティブ法による配線加工を行うフレキシブルプリント基板の製造方法における各工程を説明する。   Each process in the manufacturing method of the flexible printed circuit board which performs the wiring process by a semi-additive method is demonstrated.

無電解銅めっき層の形成工程では、公知の無電解銅メッキプロセスを適宜選択して行うことができる。無電解銅めっきは、特に限定されるものではなく、例えば素地金属の溶解による電子を利用して金属イオンが還元されて金属析出する置換タイプの無電解めっきや、還元剤の酸化による電子を利用して金属イオンが還元されて金属析出する還元剤タイプの無電解めっきが挙げられる。置換タイプの無電解銅めっきとしては、例えば荏原ユージライト社製エルフシードプロセスES−PCDが挙げられる。還元剤タイプの無電解銅めっきとしては、例えば上村工業製スルカップPEAが挙げられる。無電解銅めっき層の形成工程で形成される無電解銅めっき層の厚みは、どのような厚みでもよいが、好ましくは0.01〜1μmである。   In the step of forming the electroless copper plating layer, a known electroless copper plating process can be selected as appropriate. Electroless copper plating is not particularly limited. For example, it uses substitution type electroless plating in which metal ions are reduced and metal is deposited by using electrons from the dissolution of the base metal, and electrons are used by oxidation of the reducing agent. Then, reducing agent type electroless plating in which metal ions are reduced and metal is deposited can be mentioned. Examples of the substitution type electroless copper plating include Elf Seed Process ES-PCD manufactured by Sugawara Eugene Corporation. As a reducing agent type electroless copper plating, for example, Sulcup PEA manufactured by Uemura Kogyo is cited. The thickness of the electroless copper plating layer formed in the formation process of the electroless copper plating layer may be any thickness, but is preferably 0.01 to 1 μm.

電解銅めっき層の形成工程では、公知の銅メッキプロセスを適宜選択して行うことができ、例えば、銅箔の露出部を酸等で洗浄し、代表的には硫酸銅を主成分とする溶液中で銅箔をカソード電極として0.1〜10A/dmの電流密度で電解銅めっきを行ない、銅層を形成することができる。メッキ液としては、例えば硫酸銅が180〜240g/l、硫酸45〜60g/l、塩素イオン20〜80g/l、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加したものを用いることができる。電解銅めっき層の形成工程で形成される電解銅めっき層の厚みは、どのような厚みでもよいが、好ましくは片面の厚みが0.1〜1μmである。 In the step of forming the electrolytic copper plating layer, a known copper plating process can be selected as appropriate. For example, the exposed portion of the copper foil is washed with an acid or the like, and typically a solution mainly composed of copper sulfate. In particular, electrolytic copper plating can be performed at a current density of 0.1 to 10 A / dm 2 using a copper foil as a cathode electrode to form a copper layer. As the plating solution, for example, copper sulfate is 180 to 240 g / l, sulfuric acid 45 to 60 g / l, chloride ion 20 to 80 g / l, and thiourea, dextrin or thiourea and molasses added as additives. Can do. The thickness of the electrolytic copper plating layer formed in the forming process of the electrolytic copper plating layer may be any thickness, but preferably the thickness of one side is 0.1 to 1 μm.

方法(i)〜(iii)における各工程では、必要に応じて適した洗浄処理を行ってもよい。例えば、めっきレジスト層形成前に、アルカリ水溶液または酸水溶液を使用した洗浄や、パターンめっき工程前に、酸性脱脂や酸性水溶液による洗浄を行うことができる。   In each step in the methods (i) to (iii), a suitable cleaning process may be performed as necessary. For example, cleaning using an alkaline aqueous solution or an acid aqueous solution can be performed before forming the plating resist layer, and cleaning with an acidic degreasing or acidic aqueous solution can be performed before the pattern plating step.

めっきレジスト層の形成工程では、めっきレジスト層としてフォトレジスト層が設けられ、フォトレジスト層は、ネガ型のフォトレジストやポジ型のフォトレジストを用いることができ、また、液体状、フィルム状のものなどを用いることができる。フォトレジスト層の形成方法としては、代表的には、ネガ型のドライフィルムタイプのレジストを熱ラミネートにより積層して、あるいはポジ型の液状タイプのレジストを塗工乾燥して金属めっき層上に形成する方法が挙げられる。ネガ型の場合は露光部以外が現像で除去され、一方、ポジ型の場合は露光部が現像で除去される。ドライフィルムタイプのレジストは容易に厚い厚みのものが得られる。ネガ型ドライフィルムタイプのフォトレジストとして、例えば旭化成製UFG−155、日立化成製RY−3215などが挙げられる。   In the plating resist layer forming process, a photoresist layer is provided as a plating resist layer, and a negative photoresist or a positive photoresist can be used as the photoresist layer. Etc. can be used. As a method for forming a photoresist layer, typically, a negative dry film type resist is laminated by thermal lamination, or a positive liquid type resist is applied and dried to form on a metal plating layer. The method of doing is mentioned. In the case of the negative type, parts other than the exposed part are removed by development, while in the case of the positive type, the exposed part is removed by development. A dry film type resist can be easily obtained in a thick thickness. Examples of negative dry film type photoresists include UFG-155 manufactured by Asahi Kasei and RY-3215 manufactured by Hitachi Chemical.

露光工程では、投影露光、密着露光、レーザーダイレクト露光などを用いることができるが、露光方法に限定は無い。   In the exposure step, projection exposure, contact exposure, laser direct exposure, and the like can be used, but the exposure method is not limited.

現像工程では、公知のフォトレジスト層を現像除去する薬剤を適宜選択して用いることができ、例えば炭酸ソーダ水溶液(1%など)などをスプレーしてフォトレジスト層を現像除去することができる。   In the development step, a known agent for developing and removing the photoresist layer can be appropriately selected and used. For example, the photoresist layer can be developed and removed by spraying an aqueous sodium carbonate solution (1% or the like).

パターンめっき工程では、公知の銅メッキプロセスを適宜選択して行うことができ、例えば、銅箔の露出部を酸等で洗浄し、代表的には硫酸銅を主成分とする溶液中で銅箔をカソード電極として0.1〜10A/dmの電流密度で電解銅めっきを行ない、銅層を形成することができる。メッキ液としては、例えば硫酸銅が180〜240g/l、硫酸45〜60g/l、塩素イオン20〜80g/l、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加したものを用いることができる。 In the pattern plating process, a known copper plating process can be selected as appropriate. For example, the exposed portion of the copper foil is washed with an acid or the like, and typically the copper foil in a solution mainly composed of copper sulfate. The cathode layer can be used to perform electrolytic copper plating at a current density of 0.1 to 10 A / dm 2 to form a copper layer. As the plating solution, for example, copper sulfate is 180 to 240 g / l, sulfuric acid 45 to 60 g / l, chloride ion 20 to 80 g / l, and thiourea, dextrin or thiourea and molasses added as additives. Can do.

めっきレジスト層の除去工程では、公知のフォトレジスト層を剥離除去する薬剤を適宜選択して用いることができ、例えば苛性ソーダ水溶液(2%など)などをスプレーしてフォトレジスト層を剥離除去することができる。   In the plating resist layer removing step, a known agent for peeling and removing the photoresist layer can be appropriately selected and used. For example, the photoresist layer can be peeled and removed by spraying a caustic soda aqueous solution (2% or the like). it can.

フラッシュエッチング工程では、フラッシュエッチング液を用いて、浸漬又はスプレーにより露出した銅配線パターン部位以外の薄膜銅(電解銅めっき層と無電解銅めっき層)および無電解ニッケルめっき層を除去する。フラッシュエッチング液としては、公知のものを用いることができ、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは希薄な塩化第2鉄の水溶液を主成分とするものが挙げられ、例えば荏原電産製FE−830、旭電化工業製AD−305Eなどが挙げられる。ここで薄銅箔を除去する際、配線パターン部(配線)の銅も溶解するが、薄銅箔を除去するのに必要なエッチング量は少量であるため実質的に問題ない。   In the flash etching step, the thin film copper (electrolytic copper plating layer and electroless copper plating layer) and electroless nickel plating layer other than the copper wiring pattern portion exposed by dipping or spraying are removed using a flash etching solution. As the flash etching solution, a known one can be used, for example, one in which hydrogen peroxide is mixed with sulfuric acid or one containing a dilute aqueous solution of ferric chloride as a main component. Examples thereof include FE-830 manufactured by Asahi Denka Kogyo and AD-305E manufactured by Asahi Denka Kogyo. Here, when the thin copper foil is removed, the copper in the wiring pattern portion (wiring) is also dissolved. However, since the etching amount necessary for removing the thin copper foil is small, there is substantially no problem.

製造するパターンのピッチがより細かくなり、上記のフラッシュエッチングで無電解ニッケルめっき層が十分に除去できない場合は、必要に応じて無電解ニッケルエッチング液による無電解ニッケルめっき層の除去や、アルカリ性溶液などによるポリイミド表層の除去を行ってもよい。   If the pitch of the pattern to be manufactured becomes finer and the electroless nickel plating layer cannot be sufficiently removed by the above flash etching, the electroless nickel plating layer can be removed with an electroless nickel etching solution or an alkaline solution as necessary. The polyimide surface layer may be removed.

次に、方法(2)の、両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、サブトラクティブ法による配線加工を行うフレキシブルプリント基板を製造する方法の一例を説明すると、
少なくとも、
2−1)無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき層形成工程、
2−2)無電解銅めっき層に電解銅めっき層を形成する電解銅めっき層形成工程、
2−3)電解銅めっき層にエッチングレジスト層を設けるエッチングレジスト層形成工程、
2−4)配線パターンのフォトマスクを介して露光する露光工程、
2−5)エッチングレジスト層の配線パターンとなる部位を現像除去する現像工程、
2−6)エッチングレジスト層で保護されていない部位をエッチング除去するエッチング工程、
2−7)配線パターン部位上のエッチングレジスト層を剥離により除去するエッチングレジスト層の除去工程、
などをこの順序で行うことができる。
Next, an example of a method for producing a flexible printed board that performs wiring processing by a subtractive method using the double-sided nickel plating laminated polyimide film of the method (2) will be described.
at least,
2-1) an electroless copper plating layer forming step of forming an electroless copper plating layer on the electroless nickel plating layer;
2-2) an electrolytic copper plating layer forming step of forming an electrolytic copper plating layer on the electroless copper plating layer;
2-3) Etching resist layer forming step of providing an etching resist layer on the electrolytic copper plating layer,
2-4) an exposure process of exposing through a photomask of the wiring pattern;
2-5) A development process for developing and removing a portion to be a wiring pattern of the etching resist layer,
2-6) an etching process for etching away a portion not protected by the etching resist layer;
2-7) Etching resist layer removing step of removing the etching resist layer on the wiring pattern portion by peeling,
Etc. can be performed in this order.

サブトラクティブ法による配線加工を行うフレキシブルプリント基板を製造する方法における各工程を説明する。   Each process in the method for manufacturing a flexible printed circuit board that performs wiring processing by the subtractive method will be described.

無電解銅めっき層の形成工程では、公知の無電解銅メッキプロセスを適宜選択して行うことができる。無電解銅めっきは、特に限定されるものではなく、例えば素地金属の溶解による電子を利用して金属イオンが還元されて金属析出する置換タイプの無電解めっきや、還元剤の酸化による電子を利用して金属イオンが還元されて金属析出する還元剤タイプの無電解めっきが挙げられる。置換タイプの無電解銅めっきとしては、例えば荏原ユージライト社製エルフシードプロセスES−PCDが挙げられる。還元剤タイプの無電解銅めっきとしては、例えば上村工業製スルカップPEAが挙げられる。無電解銅めっき層の形成工程で形成される無電解銅めっき層の厚みは、どのような厚みでもよいが、好ましくは0.01〜1μmである。   In the step of forming the electroless copper plating layer, a known electroless copper plating process can be selected as appropriate. Electroless copper plating is not particularly limited. For example, it uses substitution type electroless plating in which metal ions are reduced and metal is deposited by using electrons from the dissolution of the base metal, and electrons are used by oxidation of the reducing agent. Then, reducing agent type electroless plating in which metal ions are reduced and metal is deposited can be mentioned. Examples of the substitution type electroless copper plating include Elf Seed Process ES-PCD manufactured by Sugawara Eugene Corporation. As a reducing agent type electroless copper plating, for example, Sulcup PEA manufactured by Uemura Kogyo is cited. The thickness of the electroless copper plating layer formed in the formation process of the electroless copper plating layer may be any thickness, but is preferably 0.01 to 1 μm.

電解銅めっき層の形成工程では、公知の銅メッキプロセスを適宜選択して行うことができ、例えば、銅箔の露出部を酸等で洗浄し、代表的には硫酸銅を主成分とする溶液中で銅箔をカソード電極として0.1〜10A/dmの電流密度で電解銅めっきを行ない、銅層を形成することができる。メッキ液としては、例えば硫酸銅が180〜240g/l、硫酸45〜60g/l、塩素イオン20〜80g/l、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加したものを用いることができる。電解銅めっき層の形成工程で形成される電解銅めっき層の厚みは、どのような厚みでもよいが、好ましくは片面の厚みが0.1〜10μmである。 In the step of forming the electrolytic copper plating layer, a known copper plating process can be selected as appropriate. For example, the exposed portion of the copper foil is washed with an acid or the like, and typically a solution mainly composed of copper sulfate. In particular, electrolytic copper plating can be performed at a current density of 0.1 to 10 A / dm 2 using a copper foil as a cathode electrode to form a copper layer. As the plating solution, for example, copper sulfate is 180 to 240 g / l, sulfuric acid 45 to 60 g / l, chloride ion 20 to 80 g / l, and thiourea, dextrin or thiourea and molasses added as additives. Can do. The thickness of the electrolytic copper plating layer formed in the forming process of the electrolytic copper plating layer may be any thickness, but preferably the thickness of one surface is 0.1 to 10 μm.

各工程においては、必要に応じて適した洗浄処理を行ってもよい。例えば、めっきレジスト層形成前に、アルカリ水溶液または酸水溶液を使用した洗浄を行うことができる。   In each step, a suitable cleaning process may be performed as necessary. For example, before the plating resist layer is formed, cleaning using an aqueous alkali solution or an aqueous acid solution can be performed.

エッチングレジスト層の形成工程では、フォトレジスト層が設けられ、フォトレジスト層は、ネガ型のフォトレジストやポジ型のフォトレジストを用いることができ、また、液体状、フィルム状のものなどを用いることができる。フォトレジスト層の形成方法としては、代表的には、ネガ型のドライフィルムタイプのレジストを熱ラミネートにより積層して、あるいはポジ型の液状タイプのレジストを塗工乾燥して銅箔上に形成する方法が挙げられる。ネガ型の場合は露光部以外が現像で除去され、一方、ポジ型の場合は露光部が現像で除去される。ネガ型ドライフィルムタイプのフォトレジストとして、例えば旭化成製UFG−102などが挙げられる。   In the etching resist layer forming step, a photoresist layer is provided, and a negative photoresist or a positive photoresist can be used as the photoresist layer, and a liquid or film-like one can be used. Can do. As a method for forming a photoresist layer, typically, a negative dry film type resist is laminated by thermal lamination, or a positive liquid type resist is applied and dried to form on a copper foil. A method is mentioned. In the case of the negative type, parts other than the exposed part are removed by development, while in the case of the positive type, the exposed part is removed by development. Examples of the negative dry film type photoresist include UFG-102 manufactured by Asahi Kasei.

露光工程では、投影露光、密着露光、レーザーダイレクト露光などを用いることができるが、露光方法に限定は無い。   In the exposure step, projection exposure, contact exposure, laser direct exposure, and the like can be used, but the exposure method is not limited.

現像工程では、公知のフォトレジスト層を現像除去する薬剤を適宜選択して用いることができ、例えば炭酸ソーダ水溶液(1%など)などをスプレーしてフォトレジスト層を現像除去することができる。   In the development step, a known agent for developing and removing the photoresist layer can be appropriately selected and used. For example, the photoresist layer can be developed and removed by spraying an aqueous sodium carbonate solution (1% or the like).

エッチング工程では、公知のエッチング液を適宜選択して用いることができ、例えば塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液などをスプレーして電解銅めっき層、無電解銅めっき層、無電解ニッケルめっき層をエッチング除去することができる。   In the etching process, a known etching solution can be appropriately selected and used. For example, an electrolytic copper plating layer, an electroless copper plating layer, or an electroless nickel plating by spraying a ferric chloride aqueous solution, a cupric chloride aqueous solution, or the like. The layer can be etched away.

エッチングレジスト層の除去工程では、公知のフォトレジスト層を剥離除去する薬剤を適宜選択して用いることができ、例えば苛性ソーダ水溶液(2%など)などをスプレーしてフォトレジスト層を剥離除去することができる。   In the etching resist layer removing step, a known agent for peeling and removing the photoresist layer can be appropriately selected and used. For example, the photoresist layer can be peeled and removed by spraying with a caustic soda aqueous solution (2% or the like). it can.

製造するパターンのピッチがより細かくなり、上記のエッチング工程で無電解ニッケルめっき層が十分に除去できない場合は、必要に応じて無電解ニッケルエッチング液による無電解ニッケルめっき層の除去や、アルカリ性溶液などによるポリイミド表層の除去を行ってもよい。   If the pitch of the pattern to be manufactured becomes finer and the electroless nickel plating layer cannot be sufficiently removed by the above etching process, the electroless nickel plating layer can be removed with an electroless nickel etching solution or an alkaline solution as necessary. The polyimide surface layer may be removed.

本発明の第1のフレキシブルプリント基板の製法においては、このようにして得られた、ポリイミドフィルムの一方の面(A)は配線を有し、他方の面(B)は一部又は全面にポリイミドフィルムが露出する部分を有するフレキシブルプリント基板を、さらに、好ましくは80〜250℃の範囲、より好ましくは100〜200℃の範囲、さらに好ましくは120〜180℃の範囲で加熱して、ポリイミドフィルム内の水分を除去することが好ましい。   In the manufacturing method of the 1st flexible printed circuit board of this invention, one side (A) of the polyimide film obtained in this way has wiring, and the other side (B) is a polyimide in part or the whole surface. The flexible printed circuit board having a portion where the film is exposed is further heated in the range of 80 to 250 ° C., more preferably in the range of 100 to 200 ° C., further preferably in the range of 120 to 180 ° C. It is preferable to remove the moisture.

配線加工されたフレキシブルプリント基板の加熱温度が上記の範囲より低い場合、加熱時間が長くなり生産性が問題となる場合があり、上記範囲より高い場合、ポリイミドフィルム内の水分が一度に気化膨張し、密着力が低下することがある。   If the heating temperature of the flexible printed circuit board after wiring is lower than the above range, the heating time may become long and productivity may be a problem. If it is higher than the above range, the moisture in the polyimide film will vaporize and expand at once. , The adhesion may be reduced.

加熱時間は適宜最適となるような時間を設定すればよく、例えば好ましくは1分〜24時間、より好ましくは10分〜3時間、さらに好ましくは20分〜2時間の間が好ましい。   What is necessary is just to set time for heating time suitably, for example, Preferably it is 1 minute-24 hours, More preferably, it is 10 minutes-3 hours, More preferably, it is between 20 minutes-2 hours.

以上の製造方法により、無電解ニッケルめっき層の形成後に高温で加熱することなく、また、無電解ニッケルめっき層の形成を複数回の工程で行うことなく、長期の熱負荷に対する耐熱性に優れ、且つ、高温短時間の熱負荷に対する耐熱性、ハンダ耐熱性にも優れる、一方の面は配線パターンを有し、他方の面は一部又は全面にポリイミドフィルムが露出する部分を有するフレキシブルプリント基板を製造することができる。   With the above manufacturing method, without heating at a high temperature after the formation of the electroless nickel plating layer, and without forming the electroless nickel plating layer in a plurality of steps, it has excellent heat resistance against a long-term heat load, In addition, it is excellent in heat resistance against high-temperature and short-time heat load and solder heat resistance. One surface has a wiring pattern, and the other surface is a flexible printed circuit board having a part or whole of the exposed polyimide film. Can be manufactured.

なお、配線は銅配線に限定されるものではなく、その他の金属配線であってもよい。   Note that the wiring is not limited to copper wiring, but may be other metal wiring.

≪本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法≫
本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法においては、上記の通り、1回の無電解ニッケルめっきで、イミド化時に最高加熱温度530℃以上で熱処理して得られたポリイミドフィルム、または、イミド化(最高加熱温度は530℃以上であっても、530℃未満であってもよい。)により得られたポリイミドフィルムを490℃以上で、好ましくは1分以上熱処理したポリイミドフィルムの両面に、好ましくは厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満の無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いる。ポリイミドフィルムを490℃以上で熱処理する場合、その熱処理時間は、例えば1〜5分間である。
<< Production Method of Second Flexible Printed Circuit Board of the Present Invention >>
In the method for producing the second flexible printed board of the present invention, as described above, a polyimide film obtained by heat treatment at a maximum heating temperature of 530 ° C. or higher at the time of imidization by one electroless nickel plating, or imidization (The maximum heating temperature may be 530 ° C. or higher or less than 530 ° C.) The polyimide film obtained by 490 ° C. or higher, preferably on both sides of the polyimide film heat-treated for 1 minute or longer, preferably After forming an electroless nickel plating layer having a thickness of more than 0.1 μm and less than 0.3 μm, a double-sided nickel plating laminated polyimide film heated in a range of 100 to 180 ° C. for 2.5 hours or more is used. When heat-treating the polyimide film at 490 ° C. or higher, the heat treatment time is, for example, 1 to 5 minutes.

ポリイミドフィルムとしては、例えば、配線基板などの各種基板に好適に用いることができるポリイミドフィルムを構成するテトラカルボン酸成分とジアミン成分とから最高加熱温度530℃以上でイミド化して得られるポリイミドフィルム、あるいは配線基板などの各種基板に好適に用いることができるポリイミドフィルムを構成するテトラカルボン酸成分とジアミン成分とから得られるポリイミドフィルムを490℃以上、好ましくは490〜550℃の範囲で熱処理(以下、追加加熱処理とも言う。)したものを用いることができる。追加加熱処理する場合、その熱処理時間は、例えば1〜5分間である。また、本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法では、配線基板などの各種基板に好適に用いることができる市販のポリイミドフィルムを490℃以上、好ましくは490〜550℃の範囲で熱処理して用いることもできる。市販のポリイミドフィルムを用いる場合も、追加加熱処理する時間は、例えば1〜5分間である。   As a polyimide film, for example, a polyimide film obtained by imidization at a maximum heating temperature of 530 ° C. or more from a tetracarboxylic acid component and a diamine component constituting a polyimide film that can be suitably used for various substrates such as a wiring substrate, or A polyimide film obtained from a tetracarboxylic acid component and a diamine component constituting a polyimide film that can be suitably used for various substrates such as a wiring substrate is heat-treated at a temperature of 490 ° C. or higher, preferably 490 to 550 ° C. (hereinafter, additional) What is also called heat treatment can be used. When the additional heat treatment is performed, the heat treatment time is, for example, 1 to 5 minutes. Moreover, in the manufacturing method of the 2nd flexible printed circuit board of this invention, the commercially available polyimide film which can be used suitably for various board | substrates, such as a wiring board, is heat-processed in 490 degreeC or more, Preferably it is 490-550 degreeC, and is used. You can also Also when using a commercially available polyimide film, the time for additional heat treatment is, for example, 1 to 5 minutes.

ポリイミドフィルムとしては、線膨張係数(50〜200℃)がポリイミドフィルムに積層する銅の線膨張係数に近いことが好ましく、ポリイミドフィルムの線膨張係数(50〜200℃)は0.5×10−5〜2.8×10−5cm/cm/℃であることが好ましい。 As a polyimide film, it is preferable that a linear expansion coefficient (50-200 degreeC) is near the linear expansion coefficient of copper laminated | stacked on a polyimide film, and the linear expansion coefficient (50-200 degreeC) of a polyimide film is 0.5 * 10 < - >. It is preferably 5 to 2.8 × 10 −5 cm / cm / ° C.

また、ポリイミドフィルムとしては、熱収縮率が0.05%以下のものが、熱変形が小さく好ましい。   In addition, a polyimide film having a thermal shrinkage rate of 0.05% or less is preferable because of its small thermal deformation.

ポリイミドフィルムとしては、耐熱性、電気絶縁性などに優れるポリイミドフィルムを好適に用いることができる。   As the polyimide film, a polyimide film excellent in heat resistance, electrical insulation and the like can be suitably used.

ポリイミドフィルムの厚みは、特に限定されず、製造や取扱が問題なく行なえ、形成する金属層や配線パターン層を充分に支持できる厚みであればよく、好ましくは1〜500μm、より好ましくは2〜300μm、さらに好ましくは5〜200μm、より好ましくは5〜175μm、特に好ましくは5〜100μmであることが好ましい。   The thickness of the polyimide film is not particularly limited as long as the thickness can sufficiently support the metal layer and wiring pattern layer to be formed and can be handled without problems, and preferably 1 to 500 μm, more preferably 2 to 300 μm. More preferably, it is 5 to 200 μm, more preferably 5 to 175 μm, and particularly preferably 5 to 100 μm.

ポリイミドフィルムとしては、単層、または2層以上を積層した複層のフィルム、またはシート状のものを用いることができる。   As the polyimide film, a single layer, a multilayer film in which two or more layers are laminated, or a sheet-like one can be used.

本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法において用いるポリイミドフィルムは、イミド化時の最高加熱温度を従来よりも高くする、またはイミド化後に所定の追加加熱処理を行うこと以外は公知の方法に従って製造することができる。   The polyimide film used in the method for producing the second flexible printed board of the present invention is produced according to a known method except that the maximum heating temperature at the time of imidization is higher than that of the conventional film, or a predetermined additional heat treatment is performed after imidization. can do.

従来のポリイミドフィルムは、公知の方法で製造することができ、例えば
単層のポリイミドフィルムは、
(1)ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を支持体に流延又は塗布し、イミド化する方法、
(2)ポリイミド溶液を支持体に流延又は塗布し、必要に応じて加熱する方法、
などにより得ることができる。
2層以上のポリイミドフィルムは、
(3)ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を支持体に流延又は塗布し、さらに2層目以上のポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を逐次、前に支持体に流延又は塗布したポリアミック酸層の上面に流延又は塗布し、イミド化する方法、
(4)2層以上のポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を同時に支持体に流延又は塗布し、イミド化する方法、
(5)ポリイミド溶液を支持体に流延又は塗布し、さらに2層目以上のポリイミド溶液を逐次、前に支持体に流延又は塗布したポリイミド層の上面に流延又は塗布し、必要に応じて加熱する方法、
(6)2層以上のポリイミド溶液を同時に支持体に流延又は塗布し、必要に応じて加熱する方法、
(7)上記(1)から(6)で得られた2枚以上のポリイミドフィルムを直接、又は接着剤を介して積層する方法、などにより得ることができる。
A conventional polyimide film can be produced by a known method. For example, a single-layer polyimide film is
(1) A method in which a polyamic acid solution, which is a polyimide precursor, is cast or applied to a support and imidized;
(2) A method in which a polyimide solution is cast or applied to a support and heated as necessary.
Etc. can be obtained.
Two or more layers of polyimide film
(3) A polyamic acid solution, which is a polyimide precursor, is cast or coated on a support, and a polyamic acid solution, which is a polyimide precursor of the second layer or more, is sequentially cast or coated on the support before. A method of casting or coating on the upper surface of the polyamic acid layer and imidizing;
(4) A method in which a polyamic acid solution, which is a precursor of two or more layers of polyimide, is simultaneously cast or applied to a support and imidized;
(5) The polyimide solution is cast or coated on the support, and the polyimide solution of the second layer or more is sequentially cast or coated on the upper surface of the polyimide layer previously cast or coated on the support. Heating method,
(6) A method in which two or more layers of polyimide solution are simultaneously cast or coated on a support and heated as necessary.
(7) It can be obtained by a method of laminating two or more polyimide films obtained in (1) to (6) directly or via an adhesive.

ポリイミドフィルムとしては、例えば、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)及びピロメリット酸二無水物(PMDA)などから選ばれる成分を主成分として含むテトラカルボン酸成分と、パラフェニレンジアミン(PPD)、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−DADE)及び3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−DADE)などから選ばれる成分を主成分として含むジアミン成分とから合成されるポリイミドを用いることができる。   As a polyimide film, for example, tetra-containing a main component containing a component selected from 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (s-BPDA), pyromellitic dianhydride (PMDA), and the like. Mainly a carboxylic acid component and a component selected from paraphenylenediamine (PPD), 4,4′-diaminodiphenyl ether (4,4′-DADE), 3,4′-diaminodiphenyl ether (3,4′-DADE), etc. A polyimide synthesized from a diamine component contained as a component can be used.

好適なポリイミドフィルムとしては、例えば、以下の(1)〜(4)のポリイミドが挙げられる。   Suitable polyimide films include, for example, the following polyimides (1) to (4).

(1)3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)とパラフェニレンジアミン(PPD)と場合によりさらに4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−DADE)とから製造されるポリイミド。この場合、PPD/4,4’−DADE(モル比)は100/0〜85/15であることが好ましい。   (1) 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (s-BPDA) and paraphenylenediamine (PPD) and optionally 4,4′-diaminodiphenyl ether (4,4′-DADE) ) And polyimide produced from. In this case, the PPD / 4,4'-DADE (molar ratio) is preferably 100/0 to 85/15.

(2)3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)とピロメリット酸二無水物(PMDA)とパラフェニレンジアミン(PPD)と4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−DADE)とから製造されるポリイミド。この場合、s−BPDA/PMDAは15/85〜85/15で、PPD/4,4’−DADEは90/10〜10/90であることが好ましい。   (2) 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (s-BPDA), pyromellitic dianhydride (PMDA), paraphenylenediamine (PPD), and 4,4′-diaminodiphenyl ether Polyimide produced from (4,4'-DADE). In this case, s-BPDA / PMDA is preferably 15/85 to 85/15, and PPD / 4, 4'-DADE is preferably 90/10 to 10/90.

(3)ピロメリット酸二無水物(PMDA)とパラフェニレンジアミン(PPD)と4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−DADE)とから製造されるポリイミド。この場合、4,4’−DADE/PPDは90/10〜10/90であることが好ましい。   (3) A polyimide produced from pyromellitic dianhydride (PMDA), paraphenylenediamine (PPD), and 4,4'-diaminodiphenyl ether (4,4'-DADE). In this case, the 4,4′-DADE / PPD is preferably 90/10 to 10/90.

(4)3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)およびピロメリット酸二無水物(PMDA)とパラフェニレンジアミン(PPD)および4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−DADE)とから製造されるポリイミド。この場合、BTDA/PMDAが20/80〜90/10、PPD/4,4’−DADEが30/70〜90/10であることが好ましい。   (4) 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA), pyromellitic dianhydride (PMDA), paraphenylenediamine (PPD), and 4,4′-diaminodiphenyl ether (4 , 4'-DADE). In this case, it is preferable that BTDA / PMDA is 20/80 to 90/10, and PPD / 4, 4'-DADE is 30/70 to 90/10.

ポリイミドの合成において、ポリイミドの物性を損なわない種類と量の他のテトラカルボン酸二無水物やジアミンを使用してもよい。   In the synthesis | combination of a polyimide, you may use the other tetracarboxylic dianhydride and diamine which are the kind and quantity which do not impair the physical property of a polyimide.

ポリイミドフィルムは、さらにフィルム表面を無機酸化物変性したポリイミドフィルムを用いることができる。フィルム表面を無機酸化物変性したポリイミドフィルムは、より高い密着強度と耐熱性を有することがある。   As the polyimide film, a polyimide film obtained by modifying the film surface with an inorganic oxide can be used. A polyimide film having a film surface modified with an inorganic oxide may have higher adhesion strength and heat resistance.

無機酸化物変性したポリイミドフィルムは、芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とから得られるポリイミド前駆体(ポリアミック酸など)の溶液を支持体上に流延塗布し、加熱して製造されたポリイミド前駆体溶液の自己支持性フィルムの片面若しくは両面に適当な無機化合物(例えば、金属化合物)を含む溶液を塗布して、無機酸化物変性したフィルムである。無機酸化物変性とは、金属酸化物や、金属酸化物と類似の固体酸化物となる半導体元素の酸化物(以降、単に金属酸化物という)で変性された状態を指し、少なくとも表面の一部に無機物(金属元素または半導体元素)−酸素結合が形成されている状態を指す。   The polyimide film modified with an inorganic oxide was manufactured by casting a solution of a polyimide precursor (polyamic acid or the like) obtained from an aromatic tetracarboxylic acid component and an aromatic diamine component on a support and heating. It is a film in which a solution containing an appropriate inorganic compound (for example, a metal compound) is applied to one or both sides of a self-supporting film of a polyimide precursor solution to modify the inorganic oxide. Inorganic oxide modification refers to a state modified with a metal oxide or an oxide of a semiconductor element that becomes a solid oxide similar to a metal oxide (hereinafter simply referred to as a metal oxide), and at least a part of the surface. Is a state where an inorganic substance (metal element or semiconductor element) -oxygen bond is formed.

ポリイミドフィルムは、好ましくはアルミニウム酸化物変性、チタン酸化物変性若しくはシリコン酸化物変性され、少なくとも表面の一部にアルミニウム−酸素結合、チタン−酸素結合若しくはシリコン(ケイ素)−酸素結合が形成されていることが好ましい。   The polyimide film is preferably modified with aluminum oxide, titanium oxide or silicon oxide, and an aluminum-oxygen bond, a titanium-oxygen bond or a silicon (silicon) -oxygen bond is formed on at least a part of the surface. It is preferable.

無機酸化物変性された状態は、完全な酸化物でなくても、例えば水酸化アルミニウム、チタンの水酸基、シリコンの水酸基などや、あるいはダングリングボンドなどが一部に存在していたり、有機物との結合が存在していてもよい。   Inorganic oxide-modified state is not a complete oxide, for example, aluminum hydroxide, titanium hydroxyl group, silicon hydroxyl group, or dangling bonds are partly present, Bonds may be present.

ポリイミドフィルムとしては、少なくとも片面がコロナ放電処理、プラズマ処理、化学的粗面化処理、物理的粗面化処理などの表面処理されたポリイミドフィルムを用いることもできる。この表面処理は、後述するポリイミドフィルムの追加加熱処理する場合は、追加加熱処理の前に行ってもよいし、追加加熱処理の後に行ってもよい。   As the polyimide film, a polyimide film having at least one surface treated by corona discharge treatment, plasma treatment, chemical roughening treatment, physical roughening treatment or the like can also be used. This surface treatment may be performed before the additional heat treatment or may be performed after the additional heat treatment in the case where the additional heat treatment of the polyimide film described later is performed.

本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法において用いるポリイミドフィルムは、イミド化時の最高加熱温度を530℃以上、好ましくは540〜580℃として加熱・イミド化して製造されるものであるか、または、最高加熱温度530℃未満で加熱・イミド化して製造したポリイミドフィルムを490℃以上、好ましくは490〜550℃で、好ましくは1分以上熱処理(追加加熱処理)したものである。また、最高加熱温度530℃以上で加熱・イミド化してポリイミドフィルムを製造した場合でも、得られたポリイミドフィルムを490℃以上、好ましくは490〜550℃で追加加熱処理して用いてもよい。   The polyimide film used in the method for producing the second flexible printed circuit board of the present invention is manufactured by heating and imidization at a maximum heating temperature of 530 ° C. or higher, preferably 540 to 580 ° C. at the time of imidation, or A polyimide film produced by heating and imidization at a maximum heating temperature of less than 530 ° C is 490 ° C or higher, preferably 490 to 550 ° C, preferably 1 minute or longer (additional heat treatment). Further, even when a polyimide film is produced by heating and imidization at a maximum heating temperature of 530 ° C. or higher, the obtained polyimide film may be used after additional heat treatment at 490 ° C. or higher, preferably 490 to 550 ° C.

イミド化のための加熱処理は特に限定されないが、追加加熱処理しない場合は、通常、約100℃〜580℃の温度においてポリマーのイミド化および溶媒の蒸発・除去を0.05〜5時間で徐々に行うことが適当である。   The heat treatment for imidization is not particularly limited. However, in the case where no additional heat treatment is performed, usually, the imidation of the polymer and the evaporation / removal of the solvent are gradually carried out at a temperature of about 100 ° C to 580 ° C in 0.05 to 5 hours. It is appropriate to do so.

この場合のイミド化のための加熱処理における最高加熱温度は、上記の通り、530℃以上、好ましくは540〜580℃であり、ポリイミドの組成、フィルムの厚みなどに応じて適宜選択することができる。   The maximum heating temperature in the heat treatment for imidization in this case is 530 ° C. or higher, preferably 540 to 580 ° C. as described above, and can be appropriately selected according to the composition of the polyimide, the thickness of the film, and the like. .

530℃以上、好ましくは540〜580℃で加熱する時間は、適宜選択することができるが、好ましくは5秒〜3分、より好ましくは10秒〜2分である。なお、加熱温度は一定でなくてもよい。   The time for heating at 530 ° C. or higher, preferably 540 to 580 ° C. can be appropriately selected, but is preferably 5 seconds to 3 minutes, more preferably 10 seconds to 2 minutes. Note that the heating temperature may not be constant.

このような加熱・イミド化の連続工程における最高加熱温度を530℃以上にする方法の他に、本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法では、イミド化時の最高加熱温度が530℃未満で製造したポリイミドフィルム、または市販のポリイミドフィルムを490℃以上、好ましくは490〜550℃、さらに好ましくは510〜530℃で、好ましくは1分以上加熱処理(追加加熱処理)してもよい。この熱処理の時間は、例えば1〜5分間、好ましくは1.5〜3分間である。また、最高加熱温度530℃以上でイミド化のための加熱処理を行った場合でも、得られたポリイミドフィルムを490℃以上、好ましくは490〜550℃で追加加熱処理してもよい。   In addition to the method of setting the maximum heating temperature in the continuous process of heating and imidization to 530 ° C. or higher, in the method for producing the second flexible printed circuit board of the present invention, the maximum heating temperature during imidization is less than 530 ° C. The manufactured polyimide film or the commercially available polyimide film may be subjected to heat treatment (additional heat treatment) at 490 ° C. or higher, preferably 490 to 550 ° C., more preferably 510 to 530 ° C., and preferably 1 minute or longer. The heat treatment time is, for example, 1 to 5 minutes, preferably 1.5 to 3 minutes. Even when the heat treatment for imidization is performed at a maximum heating temperature of 530 ° C. or higher, the obtained polyimide film may be additionally heated at 490 ° C. or higher, preferably 490 to 550 ° C.

追加加熱処理する場合、イミド化のための加熱処理は特に限定されないが、最初に約100℃〜400℃の温度においてポリマーのイミド化および溶媒の蒸発・除去を約0.05〜5時間、特に0.1〜3時間で徐々に行うことが適当である。   In the case of additional heat treatment, the heat treatment for imidization is not particularly limited, but at first, the imidation of the polymer and the evaporation / removal of the solvent at a temperature of about 100 ° C. to 400 ° C. It is appropriate to carry out gradually in 0.1 to 3 hours.

追加加熱処理における加熱温度は、490℃以上、好ましくは490〜550℃の範囲であり、ポリイミドの組成、フィルムの厚みなどに応じて適宜選択することができる。加熱温度は、500℃以上がより好ましく、510℃以上がさらに好ましい。また、加熱温度は、540℃以下がより好ましく、530℃以下がさらに好ましい。なお、加熱温度は一定でなくてもよい。   The heating temperature in the additional heat treatment is 490 ° C. or higher, preferably 490 to 550 ° C., and can be appropriately selected according to the composition of the polyimide, the thickness of the film, and the like. The heating temperature is more preferably 500 ° C. or higher, and further preferably 510 ° C. or higher. The heating temperature is more preferably 540 ° C. or less, and further preferably 530 ° C. or less. Note that the heating temperature may not be constant.

追加加熱処理時間(490℃以上、好ましくは490〜550℃で加熱する時間)は、適宜選択することができるが、好ましくは1〜5分間、より好ましくは1.5〜3分間である。追加加熱処理時間が長すぎると、得られるポリイミドフィルムの物性が低下してくることがある。   The additional heat treatment time (490 ° C. or higher, preferably 490 to 550 ° C.) can be appropriately selected, but is preferably 1 to 5 minutes, more preferably 1.5 to 3 minutes. If the additional heat treatment time is too long, the properties of the resulting polyimide film may be deteriorated.

本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法においては、市販のポリイミドフィルムを490℃以上、好ましくは490〜550℃、さらに好ましくは510〜530℃で熱処理したものを用いることもできる。市販のポリイミドフィルムを熱処理する熱処理時間は、例えば1〜5分間であり、より好ましくは、1.5〜3分間である。   In the manufacturing method of the 2nd flexible printed circuit board of the present invention, what was heat-treated at 490 ° C or more, preferably 490-550 ° C, more preferably 510-530 ° C can also be used. The heat processing time which heat-processes a commercially available polyimide film is 1 to 5 minutes, for example, More preferably, it is 1.5 to 3 minutes.

本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法において用いる両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムは、上記のようなイミド化時に最高加熱温度530℃以上で熱処理して得られたポリイミドフィルム、または、イミド化(最高加熱温度は530℃以上であっても、530℃未満であってもよい。)により得られたポリイミドフィルム(市販品であってもよい。)を490℃以上で、好ましくは1分以上熱処理したポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層、好ましくは厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満の無電解ニッケルめっき層を1回のメッキで形成し、その後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱することにより得ることができる。   The double-sided nickel-plated laminated polyimide film used in the method for producing the second flexible printed board of the present invention is a polyimide film obtained by heat treatment at the maximum heating temperature of 530 ° C. or higher at the time of imidation as described above, or imidization (maximum The heating temperature may be 530 ° C. or higher, or less than 530 ° C.). The polyimide film (which may be a commercial product) obtained by heat treatment is 490 ° C. or higher, preferably 1 minute or longer. An electroless nickel plating layer, preferably an electroless nickel plating layer having a thickness of more than 0.1 μm and less than 0.3 μm, is formed on both sides of the polyimide film by one plating, and then 2 in the range of 100 to 180 ° C. It can be obtained by heating for 5 hours or more.

両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層の厚みが上記範囲より薄い場合は、長期の熱負荷時の銅の拡散による密着強度の低下を十分には抑制できず、長期の熱負荷により密着性が劣化することがある。上記範囲より厚い場合は、両面を無電解ニッケルめっき層で覆われたポリイミドフィルムから水分の抜け道が限りなく遮られることにより、無電解ニッケルめっき層形成後の加熱処理により、無電解ニッケルめっき層とポリイミドフィルムとの密着性が劣化することがある。さらに、無電解ニッケルめっき層が厚い場合は、配線パターン形成において、無電解ニッケルめっき層を含む下地の除去が困難となり、除去処理を強くすることにより配線におけるアンダーカットの原因となる場合がある。   If the thickness of the electroless nickel plating layer of the double-sided nickel-plated laminated polyimide film is less than the above range, the decrease in adhesion strength due to copper diffusion during long-term heat load cannot be sufficiently suppressed, and adhesion due to long-term heat load May deteriorate. If it is thicker than the above range, the polyimide film covered on both sides with the electroless nickel plating layer will block the passage of moisture as much as possible. Adhesiveness with a polyimide film may deteriorate. Furthermore, when the electroless nickel plating layer is thick, it is difficult to remove the base including the electroless nickel plating layer in forming the wiring pattern, which may cause an undercut in the wiring by strengthening the removal process.

本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法においては、ポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層を形成した後、得られた両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを100〜180℃、好ましくは130〜160℃で2.5時間以上、好ましくは3〜24時間加熱する。なお、加熱温度は一定でなくてもよい。   In the manufacturing method of the 2nd flexible printed circuit board of the present invention, after forming an electroless nickel plating layer on both sides of a polyimide film, the obtained double-sided nickel plating lamination polyimide film is 100-180 ° C, preferably 130-160 ° C. For 2.5 hours or more, preferably 3 to 24 hours. Note that the heating temperature may not be constant.

両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの加熱温度は、100〜180℃の範囲、好ましくは130〜160℃の範囲、さらに好ましくは140〜155℃の範囲であることが好ましい。加熱温度が上記の範囲より低い場合、ポリイミドフィルム内の水分を十分に除去・低減できない場合があり、上記範囲より高い場合、ポリイミドフィルム内の水分が一度に気化膨張し、無電解ニッケルめっき層とポリイミドフィルムとの密着性が低下することがある。   The heating temperature of the double-sided nickel-plated laminated polyimide film is preferably in the range of 100 to 180 ° C, preferably in the range of 130 to 160 ° C, and more preferably in the range of 140 to 155 ° C. If the heating temperature is lower than the above range, the moisture in the polyimide film may not be sufficiently removed / reduced. If the heating temperature is higher than the above range, the moisture in the polyimide film vaporizes and expands at once, and the electroless nickel plating layer Adhesion with the polyimide film may be reduced.

加熱時間は、2.5時間以上、好ましくは3〜24時間、より好ましくは3〜10時間であることが好ましい。加熱時間の上限については特に限定されるものではないが、加熱時間が長くなりすぎると、生産性が問題となる場合がある。   The heating time is 2.5 hours or more, preferably 3 to 24 hours, and more preferably 3 to 10 hours. The upper limit of the heating time is not particularly limited, but if the heating time is too long, productivity may become a problem.

ポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層を形成する場合、前処理として、ポリイミドフィルムの両面がアルカリ金属水酸化物又はこれらの水溶液を用いて表面処理されていることが、無電解ニッケルめっき層とポリイミドフィルム界面の密着性を確保するために好ましい。アルカリ金属水酸化物としては、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどを挙げることができる。   When the electroless nickel plating layer is formed on both surfaces of the polyimide film, as a pretreatment, both surfaces of the polyimide film are surface-treated using an alkali metal hydroxide or an aqueous solution thereof. This is preferable in order to ensure adhesion at the polyimide film interface. Examples of the alkali metal hydroxide include potassium hydroxide and sodium hydroxide.

ポリイミドフィルムより両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを製造する方法としては、上記の本発明の第1のフレキシブルプリント基板の製法で説明した方法が挙げられる。本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法においても、第1のフレキシブルプリント基板の製法と同様な方法で、両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを製造することができる。但し、無電解ニッケルめっき層を両面に形成したポリイミドフィルムを加熱する工程では、上記の通り、両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを100〜180℃、好ましくは130〜160℃で2.5時間以上、好ましくは3〜24時間加熱する。   Examples of the method for producing a double-sided nickel-plated laminated polyimide film from the polyimide film include the method described in the first method for producing a flexible printed board of the present invention. Also in the manufacturing method of the 2nd flexible printed circuit board of the present invention, a double-sided nickel plating lamination polyimide film can be manufactured by the same method as the manufacturing method of the 1st flexible printed circuit board. However, in the step of heating the polyimide film having the electroless nickel plating layer formed on both sides, as described above, the double-sided nickel plating laminated polyimide film is 100 to 180 ° C., preferably 130 to 160 ° C. for 2.5 hours or more, preferably Is heated for 3-24 hours.

本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法においては、このようにして得られる両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に配線パターンを有するフレキシブルプリント基板を製造する。本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法で製造するポリイミドフィルムは、両方の面が配線パターンを有する、または一部又は全面にポリイミドフィルムが露出する部分を有する必要がない。本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法によれば、一方の面が配線を有し、他方の面は全面に金属層を有するフレキシブルプリント基板も製造することができる。   In the manufacturing method of the 2nd flexible printed circuit board of this invention, the flexible printed circuit board which has a wiring pattern in the at least one surface of a polyimide film is manufactured using the double-sided nickel plating lamination | stacking polyimide film obtained in this way. The polyimide film produced by the method for producing the second flexible printed board of the present invention does not need to have a wiring pattern on both surfaces, or a portion where the polyimide film is exposed on a part or the entire surface. According to the manufacturing method of the 2nd flexible printed circuit board of the present invention, the flexible printed circuit board in which one side has wiring and the other side has a metal layer in the whole surface can also be manufactured.

フレキシブルプリント基板の一方の面に配線パターンを有するとは、配線パターンとしては、例えば5μm〜1000μmピッチのインナーリードや、5μm〜5000μmピッチのアウターリード、直径20μm〜5000μmのランド、5μm〜10000μm幅のラインなどを有するもので、その配線パターンは特に限定されるものではなく、どのようなパターンであってもよい。   Having a wiring pattern on one surface of the flexible printed circuit board means that the wiring pattern is, for example, an inner lead with a pitch of 5 μm to 1000 μm, an outer lead with a pitch of 5 μm to 5000 μm, a land with a diameter of 20 μm to 5000 μm, a width of 5 μm to 10,000 μm. The wiring pattern is not particularly limited, and may be any pattern.

本発明のフレキシブルプリント基板は、両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、下記(1)〜(2)のいずれかの配線加工方法により製造することができる。
(1)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、セミアディティブ法により配線加工を行い、フレキシブルプリント基板を製造する方法。
(2)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、サブトラクティブ法により配線加工を行い、フレキシブルプリント基板を製造する方法。
The flexible printed circuit board of this invention can be manufactured by the wiring processing method in any one of following (1)-(2) using a double-sided nickel plating laminated polyimide film.
(1) A method of manufacturing a flexible printed board by performing wiring processing by a semi-additive method using a double-sided nickel plating laminated polyimide film.
(2) A method of manufacturing a flexible printed board by performing wiring processing by a subtractive method using a double-sided nickel-plated laminated polyimide film.

本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法においても、上記の本発明の第1のフレキシブルプリント基板の製法の場合と同様にして、セミアディティブ法、またはサブトラクティブ法により配線加工を行い、フレキシブルプリント基板を製造することができる。   In the second flexible printed circuit board manufacturing method of the present invention, the wiring process is performed by the semi-additive method or the subtractive method in the same manner as in the first flexible printed circuit board manufacturing method of the present invention. A substrate can be manufactured.

銅めっき皮膜の強化のために、必要に応じて、得られたフレキシブルプリント基板を、好ましくは80〜250℃の範囲で加熱することができる。   In order to reinforce the copper plating film, the obtained flexible printed board can be heated in the range of preferably 80 to 250 ° C., if necessary.

以上の製造方法により、無電解ニッケルめっき層の形成後に高温で加熱することなく、また、無電解ニッケルめっき層の形成を複数回の工程で行うことなく、長期の熱負荷に対する耐熱性に優れ、且つ、高温短時間の熱負荷に対する耐熱性、ハンダ耐熱性にも優れるフレキシブルプリント基板を製造することができる。   With the above manufacturing method, without heating at a high temperature after the formation of the electroless nickel plating layer, and without forming the electroless nickel plating layer in a plurality of steps, it has excellent heat resistance against a long-term heat load, In addition, it is possible to manufacture a flexible printed circuit board that is excellent in heat resistance against high-temperature short-time heat load and solder heat resistance.

なお、配線は銅配線に限定されるものではなく、その他の金属配線であってもよい。   Note that the wiring is not limited to copper wiring, but may be other metal wiring.

なお、ここでは本質を明確に説明するために、単純なポリイミドフィルムへの実施の形態を示したが、なんらこれに制限されるものではない。例えば、ポリイミドフィルムにレーザー加工やパンチなどで両面を導通させるための貫通孔を形成したものを用いて、両面と貫通孔内を同時に無電解ニッケルめっき等を行ってもよい。更に、両面のポリイミドフィルム間に接着層や内層基板を有するものであっても効果は同じであり、代表的には、内層基板の両面にポリイミドフィルムを積層した多層配線板の外層配線の形成に本発明は適用可能である。   Here, in order to clearly explain the essence, an embodiment of a simple polyimide film is shown, but the present invention is not limited to this. For example, by using a polyimide film having through holes for conducting both surfaces by laser processing, punching, or the like, electroless nickel plating or the like may be performed simultaneously on both surfaces and the inside of the through holes. Furthermore, the effect is the same even if there is an adhesive layer or an inner layer substrate between the polyimide films on both sides. Typically, it is used for forming the outer layer wiring of a multilayer wiring board in which polyimide films are laminated on both sides of the inner layer substrate. The present invention is applicable.

以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明する。但し、本発明は実施例により制限されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples. However, the present invention is not limited by the examples.

(無電解ニッケルめっき層の厚み測定)
無電解ニッケルめっき層の厚みは、次のようにして求めた。すなわち、無電解ニッケルめっき層を形成したポリイミドフィルムに、ドライフィルムレジストUFG−072(旭化成イーマテリアルズ社製)を熱ラミネートにてラミネートした後、その一部を露光装置UFX−2023B−AJM01(ウシオ電機社製)にて露光量140mJ/cmで露光した。つづいて、1%炭酸ナトリウム水溶液を用いて露光されていないドライフィルムレジストを除去した後、塩化第二鉄水溶液を用いてドライフィルムが除去されて露出した無電解ニッケルめっき層を除去した。つづいて、2%水酸化ナトリウム水溶液を用いてドライフィルムレジストを除去して、無電解ニッケルめっき層のある部位とない部位の段差を形成した。その段差を原子間力顕微鏡(デジタルインスツルメンツ社製、NANOSCOPE IIIa)により直接厚みを測定した。そして、この測定をそれぞれ任意の10点の位置で行い、その平均値を採用した。
(Measurement of electroless nickel plating layer thickness)
The thickness of the electroless nickel plating layer was determined as follows. That is, after laminating a dry film resist UFG-072 (manufactured by Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd.) on a polyimide film on which an electroless nickel plating layer is formed with a thermal laminate, a part of the exposure apparatus UFX-2023B-AJM01 (USHIO) And an exposure amount of 140 mJ / cm 2 . Subsequently, the unexposed dry film resist was removed using a 1% sodium carbonate aqueous solution, and then the dry film was removed using a ferric chloride aqueous solution to remove the exposed electroless nickel plating layer. Subsequently, the dry film resist was removed using a 2% aqueous sodium hydroxide solution to form a step between a portion where the electroless nickel plating layer was present and a portion where the electroless nickel plating layer was absent. The thickness of the step was directly measured by an atomic force microscope (NANOSCOPE IIIa, manufactured by Digital Instruments). Then, this measurement was performed at arbitrary 10 points, and the average value was adopted.

(ピール強度の測定)
配線加工により形成した幅10mmのライン幅を有するフレキシブルプリント配線板から幅10mmのラインを含み帯状に切り取ったものに対して、引張試験機(荏原製作所社製)を用い、銅めっき層の引き剥がしにて90°ピール強度測定を初期と、高温短時間の熱負荷後と、長期の熱負荷後とで行った。ここで、初期とは、配線加工後に150℃で1時間の熱処理を行ったものであり、高温短時間の熱負荷後とは、初期状態からさらに、回路形成面が半田に接するように260℃のはんだ槽に10秒間接液したものであり、長期の熱負荷後とは、初期状態からさらに、150℃×168時間のオーブン加熱を行ったものである。
(Measurement of peel strength)
Using a tensile tester (manufactured by Ebara Seisakusho Co., Ltd.) to peel off the copper plating layer from a flexible printed wiring board having a line width of 10 mm formed by wiring processing and cut into a strip shape including a line of 10 mm width 90 ° peel strength measurement was performed at the initial stage, after a high temperature and short time heat load, and after a long time heat load. Here, the initial is a heat treatment performed at 150 ° C. for 1 hour after the wiring processing, and the high temperature and short time thermal load is 260 ° C. so that the circuit formation surface is further in contact with the solder from the initial state. The liquid was indirectly liquid for 10 seconds in the solder bath, and after long-term heat load, it was further subjected to oven heating at 150 ° C. × 168 hours from the initial state.

(実施例A1〜A3、参考例A1〜A2、比較例A1〜A2)
〔脱脂処理およびアルカリ金属水酸化物水溶液による表面処理〕
まず、10cm×10cmのポリイミドフィルム(宇部興産社製、ユーピレックス25SGA)を、エルフシードプロセス クリーナー ES−100(荏原ユージライト社製)を用いて、上記ポリイミドフィルムの両面を50℃で2分間処理することにより脱脂処理を行った後、エルフシードプロセス モディファイヤー ES−200(荏原ユージライト社製)を用いて、50℃で30秒処理することによりアルカリ金属水酸化物水溶液による表面処理を行った。
(Examples A1 to A3, Reference Examples A1 to A2, Comparative Examples A1 to A2)
[Degreasing and surface treatment with alkali metal hydroxide aqueous solution]
First, a 10 cm × 10 cm polyimide film (manufactured by Ube Industries, Upilex 25SGA) is treated at 50 ° C. for 2 minutes on both sides of the polyimide film using Elf Seed Process Cleaner ES-100 (manufactured by Sugawara Eugleite). After performing the degreasing treatment by this, surface treatment with an aqueous alkali metal hydroxide solution was performed by treating at 50 ° C. for 30 seconds using an elf seed process modifier ES-200 (manufactured by Ebara Eugelite).

〔触媒付与および還元処理〕
上記改質処理したポリイミドフィルムの両面を、エルフシードプロセス アクチベーター ES−300(荏原ユージライト社製)にて50℃で2分間処理することにより触媒付与を行った後、エルフシードプロセス アクセレレータ ES−400(荏原ユージライト社製)にて35℃で2分間処理することにより還元処理を行った。
[Catalyst application and reduction treatment]
After both sides of the modified polyimide film were treated with an elf seed process activator ES-300 (manufactured by Ebara Eugelite Co., Ltd.) at 50 ° C. for 2 minutes, elf seed process accelerator ES- The reduction treatment was carried out by treating at 400 ° C. (manufactured by Ebara Eugelite) at 35 ° C. for 2 minutes.

〔無電解ニッケルめっき層の形成〕
つづいて、無電解ニッケルめっき ES−500(荏原ユージライト社製)にて35℃で表2に示す時間で無電解ニッケルめっきを行い、ポリイミドフィルムの両面に、表2に示す厚みの無電解ニッケルめっき層を形成した。
[Formation of electroless nickel plating layer]
Next, electroless nickel plating was carried out at 35 ° C. for the time shown in Table 2 using electroless nickel plating ES-500 (manufactured by Ebara Eugene Corporation), and the thickness of the electroless nickel shown in Table 2 was applied to both sides of the polyimide film. A plating layer was formed.

〔加熱処理〕
無電解ニッケルめっき層を形成した後、乾燥オーブンにて、表2に示す加熱処理の時間と温度で熱処理を行った後、乾燥オーブンから取り出した。
[Heat treatment]
After the electroless nickel plating layer was formed, heat treatment was performed at the time and temperature of the heat treatment shown in Table 2 in a drying oven, and then the film was taken out from the drying oven.

〔回路形成用の銅めっき層の形成〕
電解銅めっきに先だって、置換タイプの無電解銅めっきであるエルフシードプロセスES−PDCにて25℃で1分間処理することにより無電解ニッケルめっき皮膜の活性化、導電性の向上処理を行った後、硫酸銅めっき浴にて電流密度2A/dmで22分間電解銅めっきを行った。電解銅めっき厚みは10μmであった。
[Formation of copper plating layer for circuit formation]
Prior to electrolytic copper plating, after activating the electroless nickel plating film by conducting treatment at 25 ° C. for 1 minute in the Elf Seed Process ES-PDC, which is a substitution type electroless copper plating, the conductivity is improved. Then, electrolytic copper plating was performed in a copper sulfate plating bath at a current density of 2 A / dm 2 for 22 minutes. The electrolytic copper plating thickness was 10 μm.

〔回路形成〕
上記方法(2)で記載したサブトラクティブ法を用いた配線加工により、ポリイミドフィルムの一方の面(A)には10mm配線幅を有し、他方の面(B)は全面にポリイミドフィルムが露出するフレキシブルプリント基板を作製した。
[Circuit formation]
By wiring processing using the subtractive method described in the above method (2), one surface (A) of the polyimide film has a wiring width of 10 mm, and the other surface (B) has the polyimide film exposed on the entire surface. A flexible printed circuit board was produced.

回路形成の詳細を以下に示す。
電解銅めっき層を両面に形成したポリイミドフィルムを、2%水酸化ナトリウム水溶液、5%硫酸水溶液により基板洗浄を行った。続いて、ドライフィルムレジストUFG−072(旭化成イーマテリアルズ社製)を熱ラミネートにてラミネートした後、その一部を露光装置UFX−2023B−AJM01(ウシオ電機社製)にて露光量140mJ/cmで10mm幅のラインが形成できるマスクを介して露光した。つづいて、1%炭酸ナトリウム水溶液にて露光されていないドライフィルムレジストを除去した後、塩化第二鉄水溶液にてドライフィルムが除去されて露出した電解銅めっき層、無電解銅めっき層、及び無電解ニッケルめっき層を同時に除去した。つづいて、2%水酸化ナトリウム水溶液にてドライフィルムレジストを除去して、ポリイミドフィルムの一方の面(A)は10mmライン幅を有し、他方の面(B)は全面にポリイミドフィルムが露出する部分を有するフレキシブルプリント基板を作製した。
Details of the circuit formation are shown below.
The polyimide film with the electrolytic copper plating layer formed on both sides was washed with a 2% sodium hydroxide aqueous solution and a 5% sulfuric acid aqueous solution. Subsequently, dry film resist UFG-072 (manufactured by Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd.) was laminated by thermal lamination, and a part of the dry film resist UFG-072 (manufactured by Ushio Electric Co., Ltd.) was exposed to 140 mJ / cm. 2 was exposed through a mask capable of forming a 10 mm wide line. Subsequently, after removing the dry film resist not exposed with 1% aqueous sodium carbonate solution, the exposed electrolytic copper plating layer, electroless copper plating layer, and The electrolytic nickel plating layer was removed simultaneously. Subsequently, the dry film resist is removed with a 2% aqueous sodium hydroxide solution, one side (A) of the polyimide film has a line width of 10 mm, and the other side (B) exposes the polyimide film on the entire surface. A flexible printed circuit board having a portion was produced.

得られたフレキシブルプリント基板を150℃、1時間熱処理した後、初期のピール強度を測定した。さらに、フレキシブルプリント基板の高温短時間の熱負荷後のピール強度及び長期の熱負荷後のピール強度を測定した。結果を表2に示す。   The obtained flexible printed circuit board was heat-treated at 150 ° C. for 1 hour, and then the initial peel strength was measured. Furthermore, the peel strength after a high-temperature short-time heat load and the peel strength after a long-term heat load of the flexible printed circuit board were measured. The results are shown in Table 2.

Figure 0005870550
Figure 0005870550

結果より、実施例A1〜A3のフレキシブルプリント基板は、初期および高温短時間の熱負荷後、長期の熱負荷後ともに良好な密着強度が得られている。参考例A1は、初期および高温短時間の熱負荷後は、実施例A1〜A3と同程度の密着強度が得られているものの、長期の熱負荷後は著しく密着強度が劣化している。参考例A2では、初期から十分な密着強度が得られなかった。また、比較例A1は、無電解ニッケルめっきが均一に析出しなかった。比較例A2は、無電解ニッケルめっき後の熱処理にて、ふくれが発生した。これらのことから、ポリイミドフィルムの両面に厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満の無電解ニッケルめっき層を1回で形成しても、良好な密着信頼性を有することがわかる。   From the results, the flexible printed circuit boards of Examples A1 to A3 have good adhesion strength both after the initial and high-temperature and short-time heat loads and after the long-term heat load. In Reference Example A1, the adhesion strength comparable to that of Examples A1 to A3 was obtained after the initial and high-temperature and short-time heat load, but the adhesion strength was significantly deteriorated after the long-term heat load. In Reference Example A2, sufficient adhesion strength was not obtained from the beginning. In Comparative Example A1, electroless nickel plating was not uniformly deposited. In Comparative Example A2, blistering occurred during heat treatment after electroless nickel plating. From these facts, it can be seen that even when an electroless nickel plating layer having a thickness of more than 0.1 μm and less than 0.3 μm is formed on both surfaces of the polyimide film at one time, it has good adhesion reliability.

(実施例B1〜B4、比較例B1〜B6)
〔ポリイミドフィルムの製造〕
重合槽に所定量のN,N−ジメチルアセトアミド、パラフェニレンジアミン(PPD)を加えた後、40℃で撹拌しながら、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)をPPDと略等モルまで添加して反応させ、ポリアミック酸溶液を得た。そして、このポリアミック酸溶液に、ポリアミック酸100質量部に対して0.25質量部の割合でモノステアリルリン酸エステルを添加し、ポリアミック酸溶液組成物を得た。
(Examples B1 to B4, Comparative Examples B1 to B6)
[Production of polyimide film]
After adding a predetermined amount of N, N-dimethylacetamide and paraphenylenediamine (PPD) to the polymerization tank, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (s -BPDA) was added to and reacted with PPD to approximately equimolar to obtain a polyamic acid solution. And the monostearyl phosphate ester was added to this polyamic acid solution in the ratio of 0.25 mass part with respect to 100 mass parts of polyamic acid, and the polyamic acid solution composition was obtained.

このポリアミック酸溶液組成物をTダイ金型のスリットから連続的にキャスティング・乾燥炉の平滑な金属支持体上に押出して薄膜を形成し、150℃で所定時間加熱後、支持体から剥離して自己支持性フィルムを得た。   This polyamic acid solution composition is continuously extruded from a slit of a T-die mold onto a smooth metal support in a casting / drying furnace to form a thin film, heated at 150 ° C. for a predetermined time, and then peeled off from the support. A self-supporting film was obtained.

次いで、この自己支持性フィルムの幅方向の両端部を把持して連続加熱炉(キュア炉)へ挿入し、100℃から最高加熱温度が表3に示す温度となる条件で当該フィルムを加熱、イミド化して、平均膜厚が25μmの長尺状ポリイミドフィルムを製造した。   Next, the both ends of the self-supporting film in the width direction are gripped and inserted into a continuous heating furnace (curing furnace), and the film is heated from 100 ° C. under the condition that the maximum heating temperature is the temperature shown in Table 3. Thus, a long polyimide film having an average film thickness of 25 μm was produced.

実施例B3、実施例B4、及び比較例B6では、このようにして得られたポリイミドフィルムの四辺を金属製の枠にクリップを用いて把持し、520℃の加熱炉内で2.5分間、追加加熱処理した。   In Example B3, Example B4, and Comparative Example B6, the four sides of the polyimide film obtained in this way were gripped using a clip on a metal frame and held in a heating furnace at 520 ° C. for 2.5 minutes. Additional heat treatment was performed.

〔脱脂処理およびアルカリ金属水酸化物水溶液による表面処理〕
上記のようにして得られたポリイミドフィルムを10cm×10cmの正方形状に切り取り、エルフシードプロセス クリーナー ES−100(荏原ユージライト社製)を用いて、ポリイミドフィルムの両面を50℃で2分間処理することにより脱脂処理を行った後、エルフシードプロセス モディファイヤー ES−200(荏原ユージライト社製)を用いて、50℃で20秒処理することによりアルカリ金属水酸化物水溶液による表面処理を行った。
[Degreasing and surface treatment with alkali metal hydroxide aqueous solution]
The polyimide film obtained as described above is cut into a 10 cm × 10 cm square shape, and both sides of the polyimide film are treated at 50 ° C. for 2 minutes using Elf Seed Process Cleaner ES-100 (manufactured by Ebara Eugene Corporation). After performing the degreasing treatment by this, surface treatment with an alkali metal hydroxide aqueous solution was performed by treating at 50 ° C. for 20 seconds using an elf seed process modifier ES-200 (manufactured by Ebara Eugelite Co., Ltd.).

〔触媒付与および還元処理〕
上記改質処理したポリイミドフィルムの両面を、エルフシードプロセス アクチベーター ES−300(荏原ユージライト社製)にて50℃で2分間処理することにより触媒付与を行った後、エルフシードプロセス アクセレレータ ES−400(荏原ユージライト社製)にて35℃で2分間処理することにより還元処理を行った。
[Catalyst application and reduction treatment]
After both sides of the modified polyimide film were treated with an elf seed process activator ES-300 (manufactured by Ebara Eugelite Co., Ltd.) at 50 ° C. for 2 minutes, elf seed process accelerator ES- The reduction treatment was carried out by treating at 400 ° C. (manufactured by Ebara Eugelite) at 35 ° C. for 2 minutes.

〔無電解ニッケルめっき層の形成〕
つづいて、無電解ニッケルめっき ES−500(荏原ユージライト社製)にて35℃で8分間無電解ニッケルめっきを行い、ポリイミドフィルムの両面に厚み0.13μmの無電解ニッケルめっき層を形成した。
[Formation of electroless nickel plating layer]
Subsequently, electroless nickel plating was carried out at 35 ° C. for 8 minutes with electroless nickel plating ES-500 (manufactured by Ebara Eugene Corporation) to form an electroless nickel plating layer having a thickness of 0.13 μm on both surfaces of the polyimide film.

〔加熱処理〕
無電解ニッケルめっき層を形成した後、乾燥オーブンにて、表3に示す加熱処理の時間と温度で熱処理を行った後、乾燥オーブンから取り出した。
[Heat treatment]
After the formation of the electroless nickel plating layer, heat treatment was performed at a heat treatment time and temperature shown in Table 3 in a drying oven, and then the electroless nickel plating layer was taken out from the drying oven.

〔銅めっき層の形成〕
電解銅めっきに先だって、置換タイプの無電解銅めっきであるエルフシードプロセスES−PDCにて25℃で1分間処理することにより無電解ニッケルめっき皮膜の活性化、導電性の向上処理を行った後、硫酸銅めっき浴にて電流密度2A/dmで22分間電解銅めっきを行い、ポリイミドフィルムの両面に銅めっき層を形成した両面基板を作製した。電解銅めっき厚みは10μmであった。
[Formation of copper plating layer]
Prior to electrolytic copper plating, after activating the electroless nickel plating film by conducting treatment at 25 ° C. for 1 minute in the Elf Seed Process ES-PDC, which is a substitution type electroless copper plating, the conductivity is improved. Then, electrolytic copper plating was performed for 22 minutes at a current density of 2 A / dm 2 in a copper sulfate plating bath to prepare a double-sided substrate in which a copper plating layer was formed on both sides of the polyimide film. The electrolytic copper plating thickness was 10 μm.

得られた両面基板を150℃、1時間熱処理した後、初期のピール強度を測定した。さらに、フレキシブルプリント基板の高温短時間の熱負荷後のピール強度及び長期の熱負荷後のピール強度を測定した。結果を表3に示す。   The obtained double-sided substrate was heat-treated at 150 ° C. for 1 hour, and then the initial peel strength was measured. Furthermore, the peel strength after a high-temperature short-time heat load and the peel strength after a long-term heat load of the flexible printed circuit board were measured. The results are shown in Table 3.

Figure 0005870550
Figure 0005870550

結果より、実施例B1〜B4の両面基板は、初期および高温短時間の熱負荷後、長期の熱負荷後ともに良好な密着強度が得られている。イミド化時の最高加熱温度が520℃で、イミド化後に追加加熱処理しなかったポリイミドフィルムを用いた比較例B1〜B4は、長期の熱負荷後は著しく密着強度が劣化した。最高加熱温度550℃でイミド化したポリイミドフィルム、イミド化後に520℃で2.5分間熱処理したポリイミドフィルムを用いているが、無電解ニッケルめっき層形成後の加熱処理の加熱時間が2分と短い比較例B5〜B6も、長期の熱負荷後は著しく密着強度が劣化した。これらのことから、イミド化時に最高加熱温度530℃以上で熱処理したポリイミドフィルム、またはイミド化後に490〜550℃の範囲で1〜5分間熱処理したポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層を1回で形成し、その後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いた場合は、得られるフレキシブルプリント基板は良好な密着信頼性を有することがわかる。   From the results, the double-sided substrates of Examples B1 to B4 have good adhesion strength both after the initial and high-temperature and short-time heat loads and after the long-term heat loads. In Comparative Examples B1 to B4 using a polyimide film having a maximum heating temperature of 520 ° C. at the time of imidization and not subjected to additional heat treatment after imidation, the adhesion strength was significantly deteriorated after a long-term heat load. A polyimide film imidized at a maximum heating temperature of 550 ° C. and a polyimide film heat-treated at 520 ° C. for 2.5 minutes after imidation are used, but the heating time of the heat treatment after forming the electroless nickel plating layer is as short as 2 minutes. In Comparative Examples B5 to B6, the adhesion strength was remarkably deteriorated after a long-term heat load. Therefore, the electroless nickel plating layer is applied once to both surfaces of the polyimide film heat-treated at the maximum heating temperature of 530 ° C. or higher during imidation or the polyimide film heat-treated in the range of 490 to 550 ° C. for 1 to 5 minutes after imidation. When the double-sided nickel-plated laminated polyimide film is used and then heated in the range of 100 to 180 ° C. for 2.5 hours or more, it can be seen that the obtained flexible printed circuit board has good adhesion reliability.

Claims (5)

両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により、ポリイミドフィルムの一方の面(A)は配線を有し、他方の面(B)は一部又は全面にポリイミドフィルムが露出する部分を有するフレキシブルプリント基板を製造する方法において、
用いる両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムは、1回のめっきでポリイミドフィルムの両面に各厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満の無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜150℃の範囲で加熱した積層フィルムであり、
前記ポリイミドフィルムが、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとから製造されるポリイミドを用いたものであることを特徴とするフレキシブルプリント基板の製法。
Using a double-sided nickel-plated laminated polyimide film, one side (A) of the polyimide film has wiring, and the other side (B) has a portion where the polyimide film is exposed partially or entirely by wiring processing. In a method of manufacturing a printed circuit board,
The double-sided nickel plating laminated polyimide film to be used is formed in a range of 100 to 150 ° C. after forming an electroless nickel plating layer having a thickness of more than 0.1 μm and less than 0.3 μm on both sides of the polyimide film by one plating. Heated laminated film,
A method for producing a flexible printed circuit board, wherein the polyimide film uses polyimide produced from 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine.
ポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層を形成する前に、アルカリ金属水酸化物又はこれらの水溶液によるポリイミドフィルムの表面処理を行うことを特徴とする請求項1に記載のフレキシブルプリント基板の製法。   The method for producing a flexible printed circuit board according to claim 1, wherein surface treatment of the polyimide film with an alkali metal hydroxide or an aqueous solution thereof is performed before forming the electroless nickel plating layer on both surfaces of the polyimide film. 配線加工により得られたフレキシブルプリント基板を80〜250℃の範囲で加熱する工程をさらに有することを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブルプリント基板の製法。   The method for producing a flexible printed circuit board according to claim 1 or 2, further comprising a step of heating the flexible printed circuit board obtained by wiring processing in a range of 80 to 250 ° C. 配線加工は、セミアディティブ法又はサブトラクティブ法による配線加工であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のフレキシブルプリント基板の製法。   The method for producing a flexible printed circuit board according to any one of claims 1 to 3, wherein the wiring processing is wiring processing by a semi-additive method or a subtractive method. 配線加工は、セミアディティブ法による配線加工であり、下記(i)〜(iii)のいずれかの方法でめっきレジスト層を形成する工程を有することを特徴とする請求項4に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(i)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層と電解銅めっき層を順次形成後、めっきレジスト層を形成する方法。
(ii)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層を形成後、めっきレジスト層を形成する方法。
(iii)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に、直接、めっきレジスト層を形成する方法。
The flexible printed circuit board according to claim 4, wherein the wiring processing is wiring processing by a semi-additive method, and includes a step of forming a plating resist layer by any one of the following methods (i) to (iii): The manufacturing method.
(I) A method of forming a plating resist layer after sequentially forming an electroless copper plating layer and an electrolytic copper plating layer on an electroless nickel plating layer of a double-sided nickel plating laminated polyimide film.
(Ii) A method of forming a plating resist layer after forming an electroless copper plating layer on an electroless nickel plating layer of a double-sided nickel plating laminated polyimide film.
(Iii) A method of directly forming a plating resist layer on the electroless nickel plating layer of the double-sided nickel plating laminated polyimide film.
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