JP4782993B2 - ガラス組成物およびこれを含有する厚膜誘電性組成物 - Google Patents
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Description
本発明は、1−10モル%のMO(ただし、Mは、Ba、Sr、Caおよびそれらの混合物から選択される。)、5−30モル%のMgO、0.3−5モル%のCuO、0−2.5モル%のP2O5、0−2.5モル%のZrO2、24−45モル%のZnO、2−10モル%Al2O3、35−50モル%のSiO2および0.1−3モル%のA2O(ただし、Aはアルカリ金属元素およびそれらの混合物の群から選択される。)を含むCdおよびPbをもたないガラス組成物に関し、該ガラス組成物は、AlN基板に適合しうる厚膜ペースト誘電性材料に有益である。
本発明はさらに、(上に記載したような)ガラス組成物を取り込んだ、微細に分割された固形分の分散物を含む厚膜組成物(時には「ペースト」と呼ばれる。)を対象とし、該厚膜組成物は、固形分基準で、(a)80−100重量%の該ガラス組成物;(b)0−20重量%のセラミック充填剤を含み、双方の成分は、(c)有機ポリマーバインダー;および(d)揮発性有機溶媒の溶液中に分散されている。さらに、本発明の厚膜組成物は、PbおよびCdのようなEPA有害廃棄物リストに掲載されている元素をもたないガラスおよびセラミック材料を提供する。該厚膜誘電性組成物の成分は、本明細書中(の上記および下記)で議論される。
セラミック充填剤もまた、本発明の厚膜組成物に添加してもよい。Al2O3、ZrO2、SiO2、TiO2、BaTiO3、コージエライト、ムライトおよびそれらの混合物のようなセラミック酸化物充填剤は、典型的には固形分基準で、0−20重量%の量で該誘電性組成物に添加される。該充填剤は、所与の測定条件に渡って、該厚膜の物理的、熱的および電気的性質を制御する。該組成物中のガラスおよびセラミック成分は、結晶相を形成することによって、焼成中にガラス−セラミック構造を形成し、これが低いTCEおよび充分な機械的完全性をもたらす。
ガラスとセラミック無機固形分を分散する有機媒質は、揮発性有機溶媒中に溶解したポリマーバインダー、および任意選択的に可塑剤、離型剤、分散剤、剥離剤、消泡剤および湿潤剤のような他の溶解した材料を含む。
該厚膜組成物は、LTCC(low temperature co−fired ceramics;低温共焼成セラミックス)技術を利用する用途のために、セラミック・テープ基材を作製するために使用できる。この用途において使用するとき、「グリーン・テープ」(低温共焼成可能なセラミック基材)と称してよい。該LTCCテープは、ガラスおよびセラミックの充填剤(および焼成に先立っての有機媒質)からなる。上記のガラスは、該組成物の一成分である。セラミック充填剤の適切な選択が、良好な寸法安定性および高度の機械的強度を生み出すために要求される。上記に列記されたようなセラミック充填剤は、グリーン・テープ用途において使用してもよい。ガラス/充填剤比の望ましい範囲は、焼成試料において望まれる性質に依存して決定される。20−60重量%固形分の充填剤の範囲は、充分な緻密化を実現するという点で望ましいと考えられる。もし、該充填剤が60重量%を超えると、焼成構造が充分に緻密化せず、多孔性になりすぎる。
本発明において厚膜ペーストへの応用に適していることが見出された一連のアルカリ金属を含む亜鉛アルミノシリケートガラス組成物を、表1に示している。すべてのガラスは、原材料を混合し、次いで白金坩堝中、1,450−1,550℃で焼成することによって調製した。生じた融解物を攪拌し、そして二重反転ステンレス・スチール・ローラーの表面上または水槽中に注ぎいれることによって急冷した。ペーストとして処方する前に、本発明のために調製された該ガラス粉を、アルミナ球の媒体を用いた湿式粉砕によって1−3μmの平均サイズに調整した。粉砕後の湿潤スラリーを熱風炉中で乾燥し、そして篩にかけることによって解凝集した。
ガラスおよびセラミック充填剤を、Texanol(登録商標)溶媒およびエチルセルロース樹脂の混合物をベースとする有機媒質と混合することによって、厚膜誘電性ペーストを調製した。さらに、アルミン酸コバルトおよび酸化コバルトのような着色剤を、審美的効果を持たせるために使用した。表2は、厚膜組成物の実施例を示している。該誘電性ペーストをAlN基板上に印刷し、溶媒を揮発させるために120℃で乾燥し、次いで、30または60分間の慣用のプロファイルにおいて、850℃のピーク温度で10分間焼成した。該セラミックは、緻密に焼成され、AlN基板と良好な接着性を示した。焼成厚膜上には、亀裂または膨れは観察されなかった。
Claims (18)
- 1−10モル%のMO(ただし、MはBa、Sr、Caおよびそれらの混合物から選択される。)、5−30モル%のMgO、0.3−5モル%のCuO、0−2.5モル%のP2O5、0−2.5モル%のZrO2、24−45モル%のZnO、2−10モル%のAl2O3、35−50モル%のSiO2および0.1−3モル%のA2O(ただし、Aはアルカリ金属元素の群およびそれらの混合物から選択される。)を含むことを特徴とするガラス組成物。
- (a)請求項1に記載のガラス組成物と、
(b)有機媒質と、を含むことを特徴とする厚膜組成物。 - セラミック充填剤をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の厚膜組成物。
- 前記セラミック充填剤を全組成物の17重量%まで含むことを特徴とする請求項3に記載の厚膜組成物。
- 前記ガラス組成物を、全組成物の43−85重量%含むことを特徴とする請求項2、3または4のいずれかに記載の厚膜組成物。
- 前記有機媒質を、全組成物の15−40重量%含むことを特徴とする請求項2、3または4のいずれかに記載の厚膜組成物。
- セラミック充填剤が、Al2O3、ZrO2、SiO2、TiO2、BaTiO3、コージエライト、ムライトおよびそれらの混合物から選択されることを特徴とする請求項3に記載の厚膜組成物。
- (a)窒化アルミニウム基板を提供する工程;(b)前記基板上に請求項2から7のいずれかに記載の組成物を堆積する工程;(c)前記組成物および基板を焼成して窒化アルミニウム製品を形成する工程;(d)金属性導電性組成物を提供する工程;(e)前記窒化アルミニウム製品上に前記導電性化合物を堆積する工程;(f)前記窒化アルミニウム製品および前記導電性組成物を焼成する工程を含むことを特徴とする多層回路を形成する方法。
- 請求項8の方法によって形成されることを特徴とする多層回路。
- 請求項2から7のいずれかに記載の厚膜組成物を含む製品であって、前記厚膜組成物を加熱し、もって有機ポリマーバインダーを揮発させ、かつ該ガラス組成物を焼結させることを特徴とする製品。
- 請求項2から7のいずれかに記載の厚膜組成物の層によって分離された複数の内部厚膜金属性導電性組成物層を含み、該厚膜組成物を加熱し、もって有機ポリマーバインダーを揮発させ、かつ該ガラス組成物を焼結させることを特徴とする多層回路。
- 請求項9または11に記載の多層回路であって、前記金属性導電性組成物がAgを含むことを特徴とする多層回路。
- 請求項9または11に記載の多層回路であって、前記金属性導電性組成物がAuを含むことを特徴とする多層回路。
- 請求項2、3または7のいずれかに記載の厚膜組成物を可撓性基板の上に流延して層を形成させ、該流延した層を加熱し、そこから揮発性有機溶媒を除去することを特徴とする低温共焼成可能なセラミック基材を形成する方法。
- 請求項2、3または7のいずれかに記載の厚膜組成物を可撓性基板の上に流延して薄層を形成させ、該流延した層を加熱し、そこから揮発性有機溶媒を除去し、そして基板から溶媒のない層を分離することを特徴とする低温共焼成可能なセラミック基材を形成する方法。
- (a)請求項15の方法によって製造された低温共焼成可能なセラミック基材の複数の層中にパターン化して配置されたバイアを形成する工程;(b)工程(a)の低温共焼成可能なセラミック基材の層中の前記バイアを厚膜導電性組成物で充填する工程;(c)少なくとも一つのパターン化された厚膜機能層を、工程(b)の充填されたバイアを有する各低温共焼成可能なセラミック基材層の表面上に印刷する工程;(d)工程(c)の印刷された低温共焼成可能なセラミック基材層を積層して、非焼成の低温共焼成可能なセラミック基材によって分離された相互連結された複数の機能層を含む組立体を形成する工程;(e)工程(d)の組立体を共焼成する工程を含むことを特徴とする多層相互連結体を形成する方法。
- 請求項14または15に記載の方法によって形成されることを特徴とする低温共焼成可能なセラミック基材。
- 請求項16に記載の方法によって形成されたことを特徴とする多層相互連結体。
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