JP4780342B2 - 半導体集積回路の電源モデル作成方法、装置、およびプログラム - Google Patents
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Description
2 電源配線構造情報
3 トランジスタ構造情報
4 解析周波数情報
5 サイズ情報
6 素子配置情報
7 半導体集積回路全体電源モデル
8 LSIの全回路接続情報
9 LSIのレイアウト情報
10 第1の実施形態において作成される半導体集積回路の電源モデル
11 電源層が一層の半導体集積回路の電源モデルの全体図
12 電源層が一層の各セルの電源モデルにおける電源回路のモデル
13 分布定数で記述された配線モデル
14 電源層が一層の各セルの電源モデルにおける動作部分のモデル
15 電源層が一層の各セルの電源モデルにおける内部容量部分のモデル
16 第1の実施形態において作成された半導体集積回路の電源モデルの一例
17 第1の実施形態において作成された各セルの電源モデルの一例
18 従来の半導体集積回路の電源モデルの一例
19 LSIの外部端子の位置の一例
20 第2の実施形態において作成される半導体集積回路の電源モデル
21 電源層が2層の半導体集積回路の電源モデルの全体図
22 電源層が2層の各セルの電源モデルにおける電源回路のモデル
23 分布定数で記述された配線モデル
24 電源層が2層の各セルの電源モデルにおける動作部分のモデル
25 電源層が2層の各セルの電源モデルにおける内部容量部分のモデル
26 電源層が2層の各セルの電源モデルにおける電源回路のモデル
27 第2の実施形態において作成された半導体集積回路の電源モデルの一例
28 第2の実施形態において作成された各セルの電源モデルの一例
29 従来の半導体集積回路の電源モデルの一例
31 第3の実施形態における半導体集積回路の電源モデルの一例
32 電源層が2層の各セルの電源モデルにおける電源回路のモデル
33 分布定数で記述された配線モデル
34 電源層が2層の各セルの電源モデルにおける動作部分のモデル
34a 各セルの電源モデルにおける複数の動作部分のモデルのうちの一つ
34b 各セルの電源モデルにおける複数の動作部分のモデルのうちの一つ
35 電源層が二層の各セルの電源モデルにおける内部容量部分のモデル
35a 各セルの電源モデルにおける複数の内部容量部分のモデルのうちの一つ
35b 各セルの電源モデルにおける複数の内部容量部分のモデルのうちの一つ
36 電源層が2層の各セルの電源モデルにおける電源回路のモデル
37 第3の実施形態における半導体集積回路の電源モデルの一例
40 電流源
41 電流源
42 電流源からの電流が出力される端子
43 2種類の周波数特性の異なる内部容量部分で構成されている第3の実施形態の一例における内部容量部分のモデル
44 内部容量部分
45 内部容量部分
51 第1の電源層
52 第2の電源層
53 第3の電源層
54 第1の電源層に対応した各セルの電源モデルにおける電源回路のモデル
55 第2の電源層に対応した各セルの電源モデルにおける電源回路のモデル
56 第3の電源層に対応した各セルの電源モデルにおける電源回路のモデル
57 各セルの電源モデルにおける第1と第3の電源層間の動作部分のモデル
58 各セルの電源モデルにおける第1と第3の電源層間の内部容量部分のモデル
59 各セルの電源モデルにおける第2と第3の電源層間の動作部分のモデル
60 各セルの電源モデルにおける第2と第3の電源層間の内部容量部分のモデル
61 第4の実施形態の一例における第1の電源層
62 第4の実施形態の一例における第2の電源層
63 第4の実施形態の一例における第3の電源層
64 第4の実施形態の一例における第1の電源層に対応した各セルの電源モデルにおける電源回路のモデル
65 第4の実施形態の一例における第2の電源層に対応した各セルの電源モデルにおける電源回路のモデル
66 第4の実施形態の一例における第3の電源層に対応した各セルの電源モデルにおける電源回路のモデル
67 第4の実施形態の一例における第1と第3の電源層間の動作部分である電流源のモデル
68 第4の実施形態の一例における第1と第3の電源層間の内部容量部分である内部容量部分のモデル
69 第4の実施形態の一例における第2と第3の電源層間の動作部分である電流源のモデル
70 第4の実施形態の一例における第2と第3の電源層間の内部容量部分である内部容量部分のモデル
71 処理装置
72 データ処理装置
73 記憶装置
74 入力装置
75 表示装置
76 出力装置
77 記録媒体
78 データベース
79 モデル生成プログラム
80 入力データ
81 出力される半導体集積回路の電源モデル
91 従来の電源モデルにおける動作部分のモデル
92 従来の電源モデルにおける内部容量部分のモデル
93 従来の電源モデル
94 抵抗素子で表現された電源配線モデル
100、200 入力部
110、210 分割セルサイズ決定部
120、220 モデル作成部
130、230 モデル結合部
140、240 記憶部
150、250 出力部
111〜116、121、122、131 ステップ
211〜216、221、222、231 ステップ
301〜326 ステップ
本実施形態では、LSIの電源層が1層のみで構成される電源モデルを作成する。通常、LSIには2種類以上の電源があるが、この場合、2種類の電源のうち片側は大地に接続されているものとする。したがって、LSIの動作している部分や内部容量は、電源層と大地間に存在している。
このとき、Fmaxの値によるλmin0の値は、解析周波数情報4に含まれていても構わないし、ツールのデータベースとして保持しておくことも可能である。
ここで、nの値は、lcell1がλmin1より充分小さくなる任意の値である。先述の「EMC概論」のp19〜20において、「電子回路もしくは電磁波を放射する構造物は、その物理的な最大の大きさLが波長λより充分に小さい、すなわちL≪λであれば、電気的に小さいと言われ、一つの近似的基準にすぎないが、
L<λ/10 (6)
であるとき回路および電磁構造物は電気的に小さいと仮定する。」と言う意味の記述があり、これを元にnの値を設定すると、nの値を10より大きくとれば、集中定数的な電源モデルそれぞれがlcell1の距離で存在していても電気的には問題ないということになり、実際のLSI内の状態を等価的に表せると言うことができる。したがって、(5)式のnの値の目安は10以上である。lcell1がλmax1より充分小さくなり、かつ計算時間がそれほど増大しないようにするとして、nは10〜20といった値を取ることが望まれる。しかし、解析精度、計算時間等の兼ね合いから、必要な場合においてこのnの値はそれに限定されるものではない。
Lu=3.161×10-10×15=4.7415×10-9[H]
Cu=3.711×10-14×15=5.5665×10-13[F]
Ru=2.255×10-3×15=4.7415×10-2[Ω]
となる。他の段数のときも、それ相応の値を取る。図5(c)〜(f)の結果を比較してみると、図5(c)の、集中定数単位モデルの段数が1(=分割無し)では全く結果が異なり、図5(d)の段数を5としても900MHz以上で現れるピークの周波数や値が大きく異なるなど、分布定数のモデルと等価とは言うことはできない。しかし図5(e)に示すように段数を10とすると、900MHz以上で現れているピークの周波数では0.5%、値も2%程度のずれしかなく、特性はほぼ一致していると言える。また、図5(f)のように段数を20とした場合はさらに特性は一致し、ピークでの周波数のずれは0.1%、値のずれも0.6%程度となる。したがって、集中定数単位モデルの段数、すなわち伝送線路の分割数は10より大きければ妥当であると考えてもよい。したがって、(6)式におけるnの値は10より大きい値を取り、10〜20程度であれば妥当であるとしてよい。
λmin1=0.0353*300≒10.6[mm]
と求まる。
ステップ116において、LSIのレイアウト情報より分割セルの1辺の長さlcell1を求める。各分割セルの中心にぶら下がる電源モデル間の距離、すなわち各分割セルの一辺の長さがみなしの波長λmin1よりも充分小さい長さになるように分割サイズを決定する必要があるので、(5)式においてその条件を充分に満たす値としてn=10を選んだとすると
lcell1≦10.6/10=1.06[mm]
となる。ここで、LSIのチップサイズは5[mm]×5[mm]であり、上の式を満たし、LSIがきちんと整数分割できる値として、lcell1=1[mm]と値を選べば、必要以上に細かい分割を行う必要もなく、電気的に妥当なモデルが作成されることになる。この場合セルのサイズは1[mm]×1[mm]となるので、LSIは25分割されたセルで構成されることになる。
lcell1≦10.6/20=0.53[mm]
となり、妥当な値はlcell1=0.5[mm]となり、LSIは10×10の100分割となる。しかし、やみくもに分割数を増やすわけではなく、上限解析周波数に対し充分な解析精度を持ち、かつ解析時間ができるだけ増大しないように、妥当な分割数を選択することが必要である。その選択の際、基準として(6)式に記述されている近似があるが、全ての場合においてそれに限定されるものではない。
本実施形態では、LSIの電源層を2層持つ構造の電源モデルを作成する方法を述べる。この場合、LSIの動作している部分や内部容量は、2種類の電源層間に存在している。また、電源層を構成する配線は、それぞれ大地との間に容量成分を有している。ここで、この2層の電源層は、第1の実施形態に示したような等価的に電源層1層とみなすことができる。その場合、この等価的な1層の電源層の配線と大地との間に存在する配線容量成分は、前記2層の電源層の配線と大地との間に存在する配線容量成分の合計になる。したがって、この考えを元に、第1の実施形態に示したような方法により、電源層を2層持つ構造の電源モデルを作成する。
このとき、第1の実施形態と同様に、Fmaxの値によるλmin0の値は、解析周波数情報4に含まれていても構わないし、ツールのデータベースとして保持しておくことも可能である。
第1の実施形態と同様に、この式において、lcell2がλmin2よりも充分に電気的に小さい値を取るようにnの値を決定する必要がある。一般には、nに10〜20といった、lcell2がλmax2より充分小さくなり、かつ計算時間がそれほど増大しないような値を取ることが望まれる。しかし、やはり第1の実施形態と同様に、解析精度、計算時間等の兼ね合いから、必要な場合においてこのnの値はそれに限定されるものではない。
λmin2 =0.0700*300≒ 21.0[mm]
と求まる。
lcell2≦21.0/10=2.10[mm]
となる。ここで、LSIのチップサイズは6[mm]×6[mm]であり、上の式を満たし、LSIがきちんと整数分割できる値として、lcell2=2[mm]と値を選べば、必要以上に細かい分割を行う必要もなく、電気的に妥当なモデルが作成されることになる。この場合セルのサイズは2[mm]×2[mm]となるので、LSIは9分割されたセルで構成されることになる。
本実施形態では、LSIの電源モデルにおける、各セルにおけるLSIの電源モデルについて、動作部分および内部容量部分が複数ある場合についてのLSIの電源モデルの作成方法について説明する。
これは、図9における入力データの半導体集積回路全体電源モデル7において内部容量部分が2種類存在しているので、分割セルサイズ決定部210によって求められた各セルのサイズと素子配置情報6によって、それぞれが適切な割合で各セルに配分される。したがって、レイアウト情報により、各セルにおける内部容量部分それぞれの割合(図13における35aと35b)が異なる場合もある。勿論、動作部分34と内部容量部分35の35aと35bそれぞれが別々の割合を持つ場合も存在する。また、図13ではどちらの内部容量部分35a、35bも容量と抵抗の直列接続にしたモデルで記述したが、片方だけトランジスタのモデルで記述するなどの組み合わせも可能である。
本実施形態では、複数組の電源系がある場合のLSIの電源モデルにおける、電源層を全て同じサイズでセル分割し、各セル毎に複数の電源系統を持ち、セル内の電源系統毎に動作部分と内部容量部分を、セルサイズおよび配置情報により適切な割合で有するモデルの作成方法について説明する。
本実施形態では、電源配線構造情報、トランジスタ構造情報、解析周波数情報、サイズ情報、素子配置情報、半導体集積回路全体電源モデルという入力情報から、適切なサイズにセル分割されたLSIの電源モデルを作成するプログラムおよびそのプログラムを適用した電源モデル作成装置について説明する。
λmin1=0.0353*300≒10.6[mm]
を算出し(ステップ115)、記憶装置73に記憶する。
lcell1≦10.6/10=1.06[mm]
としてlcell1の候補値を求め、記憶装置73に記憶する。ここでは、lcell1≦1.06[mm]という条件と、最適値を記憶装置73に記憶するとする。この場合、サイズ情報と条件式を組み合わせて、整数分割できる最大値である最適値1=1.0[mm]である。
Claims (14)
- 半導体集積回路のサイズに合わせて適切なサイズに分割されたセルの組み合わせによって構成され、各セルが、容量成分を持つ配線によって構成された電源回路1層と、前記電源回路と大地間に存在し、前記半導体集積回路において一定の動作を行っている内部動作部分と、前記電源回路と大地間に存在し、前記半導体集積回路において動作していない内部容量部分とから構成される、半導体集積回路の電源モデルを、分割セルサイズ決定手段とモデル作成手段とモデル結合手段と出力手段と記憶手段とを有し、前記記憶手段は、前記電源モデルを作成するのに必要な情報である、半導体集積回路の電源配線構造情報、半導体集積回路のトランジスタ構造情報、モデルを使用する際の上限周波数の情報である解析周波数情報、半導体集積回路のサイズ情報、半導体集積回路の全体電源モデルを記憶すると共に、前記分割セルサイズ決定手段、前記モデル作成手段、前記モデル結合手段における作業領域である半導体集積回路電源モデル作成装置によって作成する方法であって、
前記分割セルサイズ決定手段によって、電源層における配線の持つ誘電体から導き出される波長短縮の値をηn、電源層における配線と大地間に生じている配線容量の合計値をCline1、配線と大地の間に付加されている内部容量の合計値をCin1、上限周波数Fmaxに対応する真空中の波長をλmin0としたとき、λmin1を次式により求め
前記モデル作成手段によって、前記半導体集積回路の電源配線構造情報とlcell1の値より、配線モデルが格子状になって存在し、セルの中心に内部動作部分と内部容量部分が接続される端子と、外側の辺に隣接セルとの接合端子を持つ、セルの電源回路のモデルを作成し、半導体集積回路の素子配置情報と、半導体集積回路の全体電源モデルと、前記lcell1の値より、各セルに適切な割合で内部動作部分のモデルおよび内部容量部分のモデルを挿入し、前記電源回路のモデルと接続するステップと、
前記モデル結合手段によって、各セルの、前記電源回路のモデル、前記内部動作部分のモデル、および前記内部容量部分のモデルをそれぞれの外部セルとの接続端子で接合し、電源層を1層だけ持つ、半導体集積回路全体の電源モデルを導出するステップと、
前記出力手段によって、導出された電源モデルを出力するステップと
を有する、半導体集積回路の電源モデルの作成方法。 - 半導体集積回路のサイズに合わせて適切なサイズに分割されたセルの組み合わせによって構成され、各セルが、各セルが、容量成分を持つ配線によって構成された電源回路2層と、前記2層の電源回路間に存在する前記半導体集積回路において一定の動作を行っている内部動作部分と、前記2層の電源回路間に存在し、前記半導体集積回路において動作していない内部容量部分とから構成される、半導体集積回路の電源モデルを、分割セルサイズ決定手段とモデル作成手段とモデル結合手段と出力手段と記憶手段と有し、前記記憶手段は、前記電源モデルを作成するのに必要な情報である、半導体集積回路の電源配線構造情報、半導体集積回路のトランジスタ構造情報、モデルを使用する際の上限周波数の情報である解析周波数情報、半導体集積回路のサイズ情報、半導体集積回路の全体電源モデルを記憶すると共に、前記分割セルサイズ決定手段、前記モデル作成手段、前記モデル結合手段における作業領域である半導体集積回路電源モデル作成装置によって作成する方法であって、
前記分割セルサイズ決定手段によって、電源層における配線の持つ誘電体から導き出される波長短縮の値をηn、2つの電源層における配線と大地間に生じている配線容量の合計値をCline2、2つの電源層における配線間に付加されている内部容量の合計値をCin2、上限周波数Fmaxに対応する真空中の波長をλmin0としたとき、λmin2を次式により求め
前記モデル作成手段によって、半導体集積回路の電源配線構造情報とlcell2の値より、配線モデルが格子状になって存在し、セルの中心に内部動作部分と内部容量部分が接続される端子と、外側の辺に隣接セルとの接合端子を持つ、セルの電源回路のモデルを作成し、半導体集積回路の素子配置情報と、半導体集積回路の全体電源モデルと、前記lcell2の値より、各セルに適切な割合で内部動作部分のモデルおよび内部容量部分のモデルを挿入し、前記電源回路のモデルと接続するステップと、
前記モデル結合手段によって、各セルの、前記電源回路のモデル、前記内部動作部分のモデル、および前記内部容量部分のモデルをそれぞれの外部セルとの接続端子で接合し、電源層を2層持つ、半導体集積回路全体の電源モデルを導出するステップと
前記出力手段によって、導出された電源モデルを出力するステップと
を有する、半導体集積回路の電源モデルの作成方法。 - 前記内部動作部分が、前記半導体集積回路おける素子配置情報および前記各セルのサイズにより、各セル毎に適切な割合で存在する、請求項1または2に記載の、半導体集積回路の電源モデルの作成方法。
- 前記内部容量部分が、前記半導体集積回路全体における素子配置情報および前記各セルのサイズにより、各セル毎に適切な割合で存在する、請求項1または2に記載の、半導体集積回路の電源モデルの作成方法。
- 各セルが持つ内部動作部分が、種類が異なる複数のものによって構成されている、請求項1または2に記載の、半導体集積回路の電源モデルの作成方法。
- 各セルが持つ内部容量部分が、種類が異なる複数のものによって構成されている、請求項1または2に記載の、半導体集積回路の電源モデルの作成方法。
- 複数の内部動作部分が、前記半導体集積回路全体における素子配置情報および前記各セルのサイズにより、それぞれが各セル毎に適切な割合で存在する、請求項5に記載の、半導体集積回路の電源モデルの作成方法。
- 複数の内部容量部分が、前記半導体集積回路全体における素子配置情報および前記各セルのサイズにより、それぞれが各セル毎に適切な割合で存在する、請求項6に記載の、半導体集積回路の電源モデルの作成方法。
- 複数組の電源系統を有する半導体集積回路において、前記分割セルサイズ決定手段によって、複数の電源系統において共通のセル分割サイズを求め、各セル毎に複数の電源系統を持ち、セル内の電源系統毎に請求項1〜8記載の何れか電源モデルが存在する、半導体集積回路の電源モデルの設計方法。
- 半導体集積回路のサイズに合わせて適切なサイズに分割されたセルの組み合わせによって構成され、各セルが、容量成分を持つ配線によって構成された電源回路1層と、前記電源回路と大地間に存在し、前記半導体集積回路において一定の動作を行っている単一または複数の内部動作部分と、前記電源回路と大地間に存在し、前記半導体集積回路において動作していない単一または複数の内部容量部分とから構成される、半導体集積回路の電源モデルの作成装置であって、
電源層における配線の持つ誘電体から導き出される波長短縮の値をηn、電源層における配線と大地間に生じている配線容量の合計値をCline1、配線と大地の間に付加されている内部容量の合計値をCin1、上限周波数Fmaxに対応する真空中の波長をλmin0としたとき、λmin1を次式により求め
半導体集積回路の電源配線構造情報とlcell1の値より、配線モデルが格子状になって存在し、セルの中心に単一または複数の内部動作部分と単一または複数の内部容量部分が接続される端子と、外側の辺に隣接セルとの接合端子を持つ、セルの電源回路のモデルを作成し、半導体集積回路の素子配置情報と、半導体集積回路の全体電源モデルと、前記lcell1の値より、各セルに適切な割合で単一または複数の内部動作部分のモデルおよび単一または複数の内部容量部分のモデルを挿入し、前記電源回路のモデルと接続するモデル作成手段と、
各セルの、前記電源回路のモデル、前記単一または複数の内部動作部分のモデル、および前記単一または複数の内部容量部分のモデルをそれぞれの外部セルとの接続端子で接合し、電源層を1層だけ持つ、半導体集積回路全体の電源モデルを導出するモデル結合手段と、
導出された電源モデルを出力する出力手段と、
前記電源モデルを作成するのに必要な情報である、半導体集積回路の電源配線構造情報、半導体集積回路のトランジスタ構造情報、モデルを使用する際の上限周波数の情報である解析周波数情報、半導体集積回路のサイズ情報、半導体集積回路の全体電源モデルを記憶すると共に、前記分割セルサイズ決定手段、前記モデル作成手段、前記モデル結合手段における作業領域としての記憶手段と
を有する、半導体集積回路の電源モデルの作成装置。 - 半導体集積回路のサイズに合わせて適切なサイズに分割されたセルの組み合わせによって構成され、各セルが、容量成分を持つ配線によって構成された電源回路2層と、前記2層の電源回路間に存在する前記半導体集積回路において一定の動作を行っている単一または複数の内部動作部分と、前記2層の電源回路間に存在し、前記半導体集積回路において動作していない単一または複数の内部容量部分とから構成される、半導体集積回路の電源モデルの作成装置であって、
電源層における配線の持つ誘電体から導き出される波長短縮の値をηn、2つの電源層における配線と大地間に生じている配線容量の合計値をCline2、2つの電源層間に付加されている内部容量の合計値をCin2、上限周波数Fmaxに対応する真空中の波長をλmin0としたとき、λmin2を次式により求め
半導体集積回路の電源配線構造情報とlcell2の値より、配線モデルが格子状になって存在し、セルの中心に単一または複数の内部動作部分と単一または複数の内部容量部分が接続される端子と、外側の辺に隣接セルとの接合端子を持つ、セルの電源回路のモデルを作成し、半導体集積回路の素子配置情報と、半導体集積回路の全体電源モデルと、前記lcell2の値より、各セルに適切な割合で単一または複数の内部動作部分のモデルおよび単一または複数の内部容量部分のモデルを挿入し、前記電源回路のモデルと接続するモデル作成手段と、
各セルの、前記電源回路のモデル、前記単一または複数の内部動作部分のモデル、および前記単一または複数の内部容量部分のモデルをそれぞれの外部セルとの接続端子で接合し、電源層を2層持つ、半導体集積回路全体の電源モデルを導出するモデル結合手段と
導出された電源モデルを出力する出力手段と、
前記電源モデルを作成するのに必要な情報である、半導体集積回路の電源配線構造情報、半導体集積回路のトランジスタ構造情報、モデルを使用する際の上限周波数の情報である解析周波数情報、半導体集積回路のサイズ情報、半導体集積回路の全体電源モデルを記憶すると共に、前記分割セルサイズ決定手段、前記モデル作成手段、前記モデル結合手段
における作業領域としての記憶手段と
を有する、半導体集積回路の電源モデルの作成装置。 - 複数の電源系統を有する半導体集積回路のサイズに合わせて適切なサイズに分割されたセルの組み合わせによって構成され、各電源系統の各セルが、容量成分を持つ配線によって構成された電源回路1層と、前記電源回路と大地間に存在し、前記半導体集積回路において一定の動作を行っている単一または複数の内部動作部分と、前記電源回路と大地間に存在し、前記半導体集積回路において動作していない単一または複数の内部容量部分とから構成される、半導体集積回路の電源モデルの作成装置であって、
各電源系統の電源層における配線の持つ誘電体から導き出される波長短縮の値をηn、各電源層における配線と大地間に生じている配線容量の合計値をCline1、配線と大地の間に付加されている内部容量の合計値をCin1、上限周波数Fmaxに対応する真空中の波長をλmin0としたとき、各電源系統におけるλmin1を次式により求め
半導体集積回路の電源配線構造情報とlcell1の値より、各電源系統毎に配線モデルが格子状になって存在し、セルの中心に単一または複数の内部動作部分と単一または複数の内部容量部分が接続される端子と、外側の辺に隣接セルとの接合端子を持つ、セルの電源回路のモデルを作成し、半導体集積回路の素子配置情報と、半導体集積回路の全体電源モデルと、前記lcell1の値より、各電源系統の各セルに適切な割合で単一または複数の内部動作部分のモデルおよび単一または複数の内部容量部分のモデルを挿入し、前記電源回路のモデルと接続するモデル作成手段と、
各電源系統の各セルに、前記電源回路のモデル、前記単一または複数の内部動作部分のモデル、および前記単一または複数の内部容量部分のモデルをそれぞれの外部セルとの接続端子で接合し、各電源系統毎に電源層を1層だけ持つ、半導体集積回路全体の電源モデルを導出するモデル結合手段と、
導出された電源モデルを出力する出力手段と、
前記電源モデルを作成するのに必要な情報である、半導体集積回路の電源配線構造情報、半導体集積回路のトランジスタ構造情報、モデルを使用する際の上限周波数の情報である解析周波数情報、半導体集積回路のサイズ情報、半導体集積回路の全体電源モデルを記憶すると共に、前記分割セルサイズ決定手段、前記モデル作成手段、前記モデル結合手段
における作業領域としての記憶手段と
を有する、半導体集積回路の電源モデルの作成装置。 - 複数の電源系統を有する半導体集積回路のサイズに合わせて適切なサイズに分割されたセルの組み合わせによって構成され、各電源系統の各セルが、容量成分を持つ配線によって構成された電源回路2層と、前記2層の電源回路間に存在する前記半導体集積回路において一定の動作を行っている単一または複数の内部動作部分と、前記2層の電源回路間に存在し、前記半導体集積回路において動作していない単一または複数の内部容量部分とから構成される、半導体集積回路の電源モデルの作成装置であって、
各電源系統の電源層における配線の持つ誘電体から導き出される波長短縮の値をηn、各電源系統の2つの電源層における配線と大地間に生じている配線容量の合計値をCline2、2つの電源層の配線間に付加されている内部容量の合計値をCin2、上限周波数Fmaxに対応する真空中の波長をλmin0としたとき、λmin2を次式により求め
半導体集積回路の電源配線構造情報とlcell2の値より、各電源系統毎に配線モデルが格子状になって存在し、セルの中心に単一または複数の内部動作部分と単一または複数の内部容量部分が接続される端子と、外側の辺に隣接セルとの接合端子を持つ、セルの電源回路のモデルを作成し、半導体集積回路の素子配置情報と、半導体集積回路の全体電源モデルと、前記lcell2の値より、各電源系統の各セルに適切な割合で単一または複数の内部動作部分のモデルおよび単一または複数の内部容量部分のモデルを挿入し、前記電源回路のモデルと接続するモデル作成手段と、
各電源系統の各セルの、前記電源回路のモデル、前記単一または複数の内部動作部分のモデル、および前記単一または複数の内部容量部分のモデルをそれぞれの外部セルとの接続端子で接合し、各電源系統毎に電源層を2層持つ、半導体集積回路全体の電源モデルを導出するモデル結合手段と
導出された電源モデルを出力する出力手段と、
前記電源モデルを作成するのに必要な情報である、半導体集積回路の電源配線構造情報、半導体集積回路のトランジスタ構造情報、モデルを使用する際の上限周波数の情報である解析周波数情報、半導体集積回路のサイズ情報、半導体集積回路の全体電源モデルを記憶すると共に、前記分割セルサイズ決定手段、前記モデル作成手段、前記モデル結合手段における作業領域としての記憶手段と
を有する、半導体集積回路の電源モデルの作成装置。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の、半導体集積回路の電源モデルの作成方法をコンピュータに実行させるための、半導体集積回路の電源モデルの作成プログラム。
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