JP4765697B2 - 分析試料の形成方法 - Google Patents
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- シリコン基板上に突出する障壁の近傍の前記シリコン基板を分析するための分析試料の形成方法であって、
前記障壁と、前記シリコン基板における分析する領域となる分析領域と、の間の前記シリコン基板に溝を形成し、前記障壁を前記分析領域側に対して反対側に応力を加えて前記シリコン基板から前記障壁を取り除くことを特徴とする分析試料の形成方法。 - 請求項1に記載の分析試料の形成方法であって、
前記溝は、前記分析領域の周囲を囲むように形成することを特徴とする分析試料の形成方法。 - 請求項1又は2に記載の分析試料の形成方法であって、
前記溝は、前記障壁を取り除いた際に、前記分析領域に進行する衝撃を止めることが可能な大きさに形成することを特徴とする分析試料の形成方法。 - 請求項3に記載の分析試料の形成方法であって、
前記衝撃は、亀裂であり、
前記溝は、前記障壁を取り除くことによって前記障壁と繋がった前記シリコン基板の一部分から前記分析領域に向かう前記亀裂の進行を止めることを特徴とする分析試料の形成方法。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の分析試料の形成方法であって、
前記溝は、収束イオンビーム加工装置(FIB)で形成することを特徴とする分析試料の形成方法。
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