JP4758873B2 - バンドパスフィルタ - Google Patents

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Description

本発明は、特にマイクロ波を伝送するための導波管構造のバンドパスフィルタにおいて、レーダ装置から輻射される電波の不要成分を抑制するための構成に関する。
従来から、レーダ装置では、主にSバンド、Cバンド、Xバンド等の周波数帯のマイクロ波を使用した物標の探索が行われているが、この種のレーダ装置では、使用する周波数が高いことや、大きな電力を損失なく伝送するために、導波管回路が多く用いられ、また様々な理由から特定の周波数だけを伝送させ、それ以外の周波数成分の伝送を阻止するためにフィルタが用いられる。例えば、マグネトロンを発振源とした場合、基本波以外の発振周波数のπ−1モード波や高調波が発振されるが、これらの基本波以外の不要な周波数波帯の発振、所謂スプリアスを抑制すると共に、占有する帯域幅の狭小化ができる導波管及びフィルタが求められる。
図8には、従来のXバンドレーダ装置で観測される広帯域スペクトラムの一例が示されており、図示されるように、Xバンドレーダ装置では、基本波Pの他に、π−1モード波SP1や高調波の1つである2倍波SP2が観測される。これらのスプリアスは、基本波に対して既に相当低いレベルであるが、電波の有効利用の観点から更なる低減が望まれている。
そして、上記スプリアスを抑制、低減するために、下記に示すような特許文献等に示されるフィルタが用いられる。即ち、特開2001−136005号公報(特許文献1)は、周波数遮断特性の異なる2種類のフィルタを共振窓によって結合するものであり、特開2004−117132号公報(特許文献2)は、基本波よりも高い周波数を遮断するローパスフィルタと、基本波よりも低い周波数を遮断するハイパスフィルタを配置し、2種類のフィルタでバンドパスフィルタを構成するものである。また、特開2005−005930号公報(特許文献3)は、非対称誘導性共振窓部を導波管伝送路に一体形成すると共に、この導波管伝送路を途中で折り返すようにしたものである。
特開2001−136005号公報 特開2004−117132号公報 特開2005−005930号公報 「MICROWAVE FILTERS, IMPEDANCE-MATCHING NETWARKS, AND COUPLING STRUCTRES」、McGRAW-HILL BOOK COMPANY刊行、GEORGE L. MATTHAEI他著、425頁の14及び15の欄
しかしながら、上記特許文献1では、2種類のフィルタを共振窓によって結合することから、構成や設計が複雑になり、上記特許文献2では、ローパスフィルタ及びハイパスフィルタの独立した2つのフィルタを使用することから、減衰量を確保するためには、全長が長くなり、フィルタの小型化を図ることができないという問題があった。
また、上記特許文献3では、全長が短いにも拘らず大きな減衰量が確保できる利点があるが、導波管伝送路を折り返すため構成が複雑になると共に、減衰量の傾斜を大きくしようとすると通過帯域が狭くなる。即ち、この場合のフィルタの空洞のリアクタンスは、単一であり、単一の共振となるため、減衰量の傾斜を大きくとると通過帯域が狭くなる。そのため、減衰量の傾斜を大きくとりつつ帯域幅を広くするには、フィルタの段数を重ねる必要があるが、この場合には、共振周波数がずれたフィルタをスタガー手法で重ねることから、通過周波数から周波数のずれたフィルタを使用することになり、この結果、通過周波数の挿入損失が大きくなるという不都合がある。また、遮断する周波数の高域側と低域側を個別に調整できないという問題もある。
更に、バンドパスフィルタの基本設計事例が開示されている上記非特許文献1に記載のバンドパスフタは、フィルタの空洞のリアクタンスは単一であり、単一の共振となるため、減衰量の傾斜を大きくとろうとすると、通過帯域幅が狭くなる。
また、従来のレーダ装置では、マグネトロンを発振源とする場合に、基本波ローブ内スプリアスエミッション(以下、不要エミッションという)という現象が生じ、この不要エミッションによる影響を除去できないという問題があった。
図9には、従来のXバンドレーダ装置で観測される基本波周辺のスペクトラムの一例が示されており、図示されるように、Xバンドレーダ装置では、ピーク発振周波数(P)に対して−60dBcから−80dBc程度小さいレベルにおいて、ピーク発振周波数より低い周波数側でそのローブに不要エミッションLEが観測される。この不要エミッションLEは、マグネトロンをパルスで発振させた場合に一般的に見られる現象であり、基本波の発振が成立する場合に、パルス立ち上がりの陽極電圧の低い時点では周波数の低い側で発振するために起こるものである。
このような発振周波数より低い周波数側に発生する不要エミッションLEは、従来において取り除くことができず、これに起因するスプリアスがアンテナから輻射されているが、電波の有効利用の観点から占有する帯域幅を狭くする要請があり、基本発振周波数の出力レベルと比較して極めて小さい−60dBc程度の領域であっても、この不要エミッションLEに起因するスプリアスを抑制することが望ましい。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、広い帯域において挿入損失を低く抑える特性を維持した上で、シンプルな構成で小型化が可能となり、また遮断周波数の高域側と低域側を個別に設定でき、更には発振周波数より低い周波数側に発生する不要エミッションを低減し、電波の有効利用を図ることが可能となるバンドパスフィルタを提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項1に係るバンドパスフィルタは、通過周波数帯より高域側の所定の周波数帯を遮断するために、矩形導波管内の第1面に凹部を形成し、この凹部にワッフルアイアン型の突起を形成したワッフルアイアン型フィルタを用い、このワッフルアイアン型フィルタの矩形導波管内における上記ワッフルアイアン型突起が形成された第1面に垂直な第2面の一部であって上記ワッフルアイアン型突起に対向する部分を該ワッフルアイアン型突起の方へ突出させ、かつ該第2面の突出面間の幅を入力口の幅よりも短くすることにより、上記通過周波数帯より低域側の周波数帯を遮断するように構成したことを特徴とする。
請求項の構成によれば、ワッフルアイアン型突起(スタブ)の幅(W)、高さ(H)又は長さ(Lb)を調整することにより、通過周波数帯域における高域側の遮断周波数が設定され、また第2面の一部であるワッフルアイアン型突起に対向する部分の突出量、即ち第2面とワッフルアイアン型突起との間隔を調整して、その部分の第2面間の幅を入力口の幅よりも短くすることにより、通過周波数帯域における低域側の遮断周波数が設定されることになり、この場合も、遮断周波数の高域側と低域側をそれぞれ個別に設定することが可能となる。
即ち、本発明は、従来のワッフルアイアン型のローパスフィルタに、その通過周波数の低域側を遮断するための構成を付加し、バンドパスフィルタとして機能するようにしたものである。そして、上記ローパスフィルタの遮断周波数をマグネトロンのπ−1モード周波数又は高調波に合わせ、低域側の遮断周波数を基本波周波数より300〜1000MHz程度低い周波数に合わせることにより、良好な特性のバンドパスフィルタを得ることができる。
本発明によれば、従来のワッフルアイアン型ローパスフィルタの導波管内のスロット間の第2面の突出量又は第2面の一部の突出量を調整するだけでよいので、広い帯域において挿入損失を低く抑える特性を維持した上で、シンプルな構成で小型化が可能となり、また遮断周波数の高域側と低域側をそれぞれ個別に設定できるという効果がある。更に、ワッフルアイアン型ローパスフィルタの導波管内の第2面の突出は、ワッフルアイアン型ローパスフィルタのリアクタンスへの影響が少ないため、本来の特性はそのまま維持され、π−1モードや2倍波のスプリアスを遮断することができる。また、基本波より低い周波数側のローブに発生する不要エミッションを遮断する効果を新たに得ることができる。その結果、占有する周波数帯域を狭くすることができ、電波の有効利用を図ることが可能となる。
図1及び図2には、本発明の参考例に係るバンドパスフィルタの構成が示されており、このバンドパスフィルタはコルゲート型フィルタ(ローパスフィルタ)を用いたものである。図において、バンドパスフィルタ10は、入力口12iから出力口12oの形状を含めて全体の伝送路(断面)が矩形となる導波管12が設けられ、この矩形導波管(伝送路)12における矩形の長辺側の面である2つの第1面S1[図1(A)の左右内面で、H面]に、その第1面S1から壁面内部(伝送方向に垂直な方向)へ窪むスロット(溝部)14が伝送方向70へ向けて3段形成される。このようなスロット14を矩形導波管12内に設けることにより、コルゲート型のローパスフィルタが構成される。
即ち、上記スロット14の幅W(矩形導波管12の長辺の幅と同一)、深さD、そして長さLaを調整することにより、所定の周波数帯域よりも高い高域側周波数を遮断することができ、その遮断周波数より低い周波数においては、挿入損失が比較的小さくなり、Xバンドで、0.2dB以下に抑えることができる。また、上記スロット14はその段数を増やすことにより、遮断周波数域の減衰量を増加させることができ、この例では3段として遮断周波数の大きな減衰量が確保できるようにしているが、この段数は必要となる減衰量に合わせて増減させることになる。
そして、上記3つのスロット14の間の導波管12の内面で、上記第1面S1に垂直となる面、即ち矩形の短辺側に位置する面である2つの第2面(E面)S2に、この第2面S2から導波管12の中心へ向け幅taだけ突出させた突出部(張出壁)16を形成する。即ち、この突出部16を設け、矩形導波管12の断面矩形の長い方の幅Wを狭くすることにより、上記コルゲート型ローパスフィルタで設定される通過周波数帯域の低い方の遮断周波数を設定し、所定の低域周波数を遮断することができる。また、この狭小化による効果が別のリアクタンスとして動作するため、従来のキャビティ型のバンドパスフィルタと異なり、高域側と低域側を別々に計算して設定することができる。
この参考例では、例えば上記スロット14の幅W(矩形導波管12の長辺の幅でもある)を22.2mm、深さDを9.3mm、長さLaを3.2mmとし、第2面S2の突出量taを2.5mmとし、対向するS2間の幅Wを17.2mmに設定する。そして、基本周波数9400MHzに対し、高域側の遮断(阻止)周波数をπ−1モード又は高調波の周波数に設定し、低域側の遮断周波数を基本周波数より300〜1000MHz程度低い周波数に設定している。
図3には、図1の例のバンドパスフィルタの挿入損失101及び反射損失201の特性が示されており、この図3に示されるように、挿入損失101では、上記スロット14を形成したコルゲート型フィルタにより、図示の高域の遮断特性HRが得られ、また第2面S2の突出によって図示の低域の遮断特性LRが得られることになる。そして、これらの遮断特性HR,LRは、各々を独立して調整することが可能となる。また、所望の基本周波数fの周辺は、広い帯域に渡って挿入損失が低く抑えられている。
このような例によれば、従来のコルゲート型ローパスフィルタに対してスロット間の導波管内第2面S2の突出量を調整するだけであるから、構成が簡単であり、伝送方向70に直列に種類の異なる2つのフィルタを接合することなく、バンドパスフィルタの小型化を図ることが可能となる。
なお、参考例の3段の上記スロット14は、図1(A)の状態で導波管12の左右に設けているが、左右のいずれか一方でもよく、また突出部16も上下のいずれか一方に形成するようにしてもよい。
図4及び図5には、実施例に係るバンドパスフィルタの構成が示されており、このバンドパスフィルタはワッフルアイアン型フィルタ(ローパスフィルタ)を用いたものである。図において、バンドパスフィルタ20は、参考例と同様に、入力口22iから出力口22oの形状を含めて全体の伝送路の断面が矩形となる導波管22が設けられ、この矩形導波管22における矩形の長辺側の面である2つの第1面S1[図4(A)の左右内面で、H面]に、凹部23が設けられ、この凹部23から導波管22の中心(伝送方向70に垂直な方向)へ向けて突出する状態でワッフルアイアン型突起、即ちスタブ24が3個形成される。このスタブ14は、伝送方向70に対して1段配置した構成となるが、伝送方向70に垂直な方向に配置する数は3個ではなく、2個等としてもよい。このようなスタブ24を矩形導波管22内に設けることにより、ワッフルアイアン型のローパスフィルタが構成される。
即ち、上記スタブ24の幅W、高さH、そして長さLbを調整することにより、所定の周波数帯域よりも高い高域側周波数を広帯域に渡り遮断することができ、その遮断周波数より低い周波数においては、挿入損失が比較的小さくなり、Xバンドで、0.2dB以下に抑えることができる。また、上記スタブ24は伝送方向70の段数を増やすことにより、遮断周波数域の減衰量を増加させることができ、2段,3段等としてもよい。
そして、実施例では、上記導波管22の内面で上記第1面S1に垂直となる面、即ち矩形の短辺側に位置する面である2つの第2面(E面)S2に、この第2面S2の一部をスタブ24の側面へ向け(導波管22の中心へ向け)幅tbだけ突出させた突出部(張出壁部)26を形成する。即ち、この突出部26とスタブ24との幅を狭くすることにより、上記ワッフルアイアン型ローパスフィルタで設定される通過周波数帯域の低い方の遮断周波数を設定し、所定の低域周波数を遮断することができる。また、この狭小化による効果が別のリアクタンスとして動作するため、従来のキャビティ型のバンドパスフィルタと異なり、高域側と低域側を別々に計算して設定している。
の実施例では、例えば上記スタブ24の幅Wを4.1mm、高さHを3.9mm、長さLbを4.1mmとし、第2面S2の突出量tbを2.6mmに設定する。そして、基本周波数9400MHzに対し、高域側の遮断(阻止)周波数をπ−1モード又は高調波の周波数に設定し、低域側の遮断周波数を基本周波数より300〜1000MHz程度低い周波数に設定することができる。
図6には、実施例のバンドパスフィルタの挿入損失102及び反射損失202の特性が示されており、この図6に示されるように、挿入損失102では、上記スタブ24を形成したワッフルアイアン型フィルタにより、図示の高域の遮断特性HRが得られ、また第2面S2の突出によって図示の低域の遮断特性LRが得られる。そして、これらの遮断特性HR,LRは、各々を独立して調整することが可能となる。また、所望の基本周波数fの周辺は、広い帯域に渡って挿入損失が低く抑えられると共に、基本周波数fの2倍波の周波数2fに渡り良好な減衰量が確保される結果となった。
このような実施例によれば、従来のワッフルアイアン型ローパスフィルタに対してスロット間の導波管内第2面S2の突出量を調整するだけであるから、構成が簡単であり、伝送方向70に直列に種類の異なる2つのフィルタを接合することなく、バンドパスフィルタの小型化を図ることが可能となる。
図7には、上記参考例及び実施例のバンドパスフィルタを組み込んだXバンドレーダ装置で観測されるスペクトラムが示されており、これは、高域側の遮断周波数をマグネトロンのπ−1モード周波数又は高調波に合わせ、低域側の遮断周波数を基本周波数より300〜1000MHz低い周波数に合わせたときのアンテナから輻射されるスペクトラムであり、この場合のバンドバスフィルタは、マグネトロンの発振部とアンテナとの間に、サーキュレータ、TR管、ロータリージョイント等と共に配置したものである。
この図7に示されるように、参考例及び実施例のバンドパスフィルタを採用した場合は、ピーク周波数Pに対して−60dBcから−80dBc小さいレベルにおいて、従来の図9では周波数9.2GHz以下で観測された不要エミッションLEが抑制され、良好なスペクトラムが得られた。また、図8で観測された2倍波SP2の周波数も抑制される結果となっている。
なお、実施例の1段の上記スタブ24は、図4(A)の状態で導波管12の左右に設けているが、左右のいずれか一方でもよく、また突出部26も上下のいずれか一方に形成してもよい。
また、実施例では、1段のスタブ24に対して突出部26を形成したが、このスタブ24を複数段設ける場合は、複数段のスタブ24のそれぞれに対して各々の突出部26を複数配置してもよいし、複数段のスタブ24の全体に渡って1つの(幅広の)突出部を配置してもよい。
本発明の参考例に係るバンドパスフィルタの構成を示し、図(A)は入力口側から見た図、図(B)は側面図、図(C)は図(B)のI−I線断面図である。 図1のバンドパスフィルタを示す斜視図である。 図1のバンドパスフィルタの挿入損失と反射損失の特性を示す図である。 本発明の実施例に係るバンドパスフィルタの構成を示し、図(A)は入力口側から見た図、図(B)は側面図、図(C)は図(B)のII−II線断面図である。 施例のバンドパスフィルタを示す斜視図である。 施例のバンドパスフィルタの挿入損失と反射損失の特性を示す図である。 参考例及び実施例のバンドパスフィルタを用いたレーダ装置で観測されるスペクトラムを示す図である。 従来のレーダ装置で観測される広帯域スペクトラムを示す図である。 従来のレーダ装置で観測される基本波周辺のスペクトラムを示す図である。
10,20…バンドパスフィルタ、
12,22…導波管(矩形伝送路)、
14…スロット、
16,26…突出部、
23…凹部、
24…スタブ(ワッフルアイアン型突起)。

Claims (1)

  1. 通過周波数帯より高域側の所定の周波数帯を遮断するために、矩形導波管内の第1面に凹部を形成し、この凹部にワッフルアイアン型の突起を形成したワッフルアイアン型フィルタを用い、
    このワッフルアイアン型フィルタの矩形導波管内における上記ワッフルアイアン型突起が形成された第1面に垂直な第2面の一部であって上記ワッフルアイアン型突起に対向する部分を該ワッフルアイアン型突起の方へ突出させ、かつ該第2面の突出面間の幅を入力口の幅よりも短くすることにより、上記通過周波数帯より低域側の周波数帯を遮断するように構成したバンドパスフィルタ。
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