JP4751118B2 - 光学式検出センサ - Google Patents
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Description
次に、本発明に係る光学式検出センサの第1実施例を説明する。
次に、本発明に係る光学式検出センサの第2実施例を説明する。
次に、本発明に係る光学式検出センサの第3実施例を説明する。
次に、本発明に係る光学式検出センサの第4実施例を説明する。
次に、本発明に係る光学式検出センサの第5実施例を説明する。
2…反射板
2a…反射面
3…光源
4…第1光ファイバ
4a…第1光ファイバコア部
5…第1受光部
6…第2受光部
7…第2光ファイバ
7a…第2光ファイバコア部
8…第3光ファイバ
8a…第3光ファイバコア部
9…増幅器
10…演算処理部
11…V溝アレイ石英基板
12…光ファイバ押え蓋
Claims (5)
- 光源と、
前記光源から出力された出射光を導光する第1光ファイバと、
前記第1光ファイバの端面から相対距離離して配置された被測定物に前記出射光を照射し、該被測定物で反射した反射光を受光する第2及び第3光ファイバと、
前記第2及び第3光ファイバ内を導光した反射光をそれぞれ受光して電気信号に変換する第1及び第2受光素子と、
前記第1及び第2受光素子で変換された電気信号の比率を基に前記被測定物の変位量を算出する演算処理手段を少なくとも備え、
前記第1光ファイバは、該第1光ファイバの長手方向と前記被測定物の照射面に対する法線とが角度θとなるように配置され、
前記第2及び第3光ファイバは、平行配置され、且つ該第2及び第3光ファイバの長手方向と前記被測定物の照射面に対する法線とが角度θとなるように配置され、
前記第1光ファイバと、前記第2及び第3光ファイバは、前記法線を介して対向配置され、
前記第1乃至第3光ファイバは、前記光源の出力波長に対してdNA/dλが4×10-5以下の特性を有するものであることを特徴とする光学式検出センサ。 - 第1乃至第3光ファイバのコアが同一平面上に配置されるように形成された第1乃至第3V溝を有するV溝アレイ基板を備え、
前記V溝に配置固定された前記第1乃至第3光ファイバの端面と、前記V溝アレイ基板の端面は同一面上に位置し、且つ該端面は前記法線に対して垂直方向に形成されていることを特徴とする請求項1記載の光学式検出センサ。 - 前記第1光ファイバと法線がなす角度θ、及び前記第2及び第3光ファイバと法線がなす角度θは、5°<θ≦10°であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光学式検出センサ。
- 前記光源として発光ダイオードを適用する場合は、
前記光源と前記第1光ファイバの間に、透過中心波長が該発光ダイオードの0℃における光強度スペクトルのピーク波長より長波側に位置し、且つ帯域幅が1nm以上20nm以下を有するバンドパスフィルタを設けることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光学式検出センサ。 - 前記第1乃至第3光ファイバは、シングルモードで伝搬する光ファイバであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光学式検出センサ。
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