JP4745210B2 - 放電制御装置、放電制御方法及び画像形成装置 - Google Patents

放電制御装置、放電制御方法及び画像形成装置 Download PDF

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Description

本発明は、放電制御装置、放電制御方法及び画像形成装置に関し、特に、揮発性メモリのバックアップを行う補助電源の放電制御装置、放電制御方法及び当該放電制御装置を備えた画像形成装置に関する。
従来より、PC(パーソナルコンピュータ)や画像形成装置等の情報処理装置では、種々の処理に供する記憶手段としてDRAM(Dynamic Random Access Memory)やSRAM(Static RAM)等が用いられている。DRAMやSRAMは揮発性メモリであるため、記憶したデータを保持するためには常に電力を供給し続ける必要があるが、停電等の障害により電力供給が途絶えると、記憶されたデータが失われてしまうという問題があった。そこで、リチウム・イオン電池等の二次電池を補助電源として設けることで、記憶手段に記憶されたデータを補助電源から供給される電力により保持する構成が採用されている。
例えば、ファクシミリ機能を有するFAX装置では、送信されたデータを一時記憶するための記憶手段が備えられており、主電源の電源OFF時におけるデータ保持のため、記憶手段への電力供給を補助電源によりバックアップするよう構成されているものがある。
また、上記したDRAM等の記憶手段では、自己の記憶手段が内蔵する回路(タイマー、カウンター等)により、外部からの制御を受けず供給される電力のみで自発的にリフレッシュを行うことが可能な「セルフリフレッシュモード」を有している。補助電源から記憶手段への電力供給時、即ち、記憶手段のバックアップ時には当該記憶手段をセルフリフレッシュモードとすることで、主電源から電力供給を受ける正常動作時と比較して、省電力でリフレッシュが行えるようになっている。
また、補助電源の二次電池には、当該二次電池の特性や電力供給を行う電力負荷(記憶手段)の特性に応じて、終止電圧が予め設定されている。ここで終止電圧とは、放電終了時期を示すために規定した二次電池の内部電圧を意味するものである。以下、図19及び図20を参照して、二次電池の特性について説明する。
図19は、二次電池の充放電サイクル特性の一例を示した図である。同図において、縦軸のサイクル数は二次電池の充放電の繰り返し回数を意味しており、横軸の放電深度(%)は、二次電池の蓄電容量の何%が放電されたかを意味する指標である。この図から、放電深度が深いほど二次電池の電池寿命が短いことが分かる。つまり、二次電池の放電深度を浅くすることで、充放電サイクル数を増加させることができ、電池寿命を延ばすことができる。
また、図20は、電力負荷の負荷電流(消費電流)が夫々5mA、7mA、10mAの場合における、二次電池の放電特性の一例を示したグラフである。同図において、縦軸の電池電圧(V)は、二次電池の内部電圧(二次電池の両端子間の電圧)を意味しており、横軸の放電電圧(hour)は、二次電池の連続放電時間を意味している。この図から分かるように、二次電池から大きな電流を放電した場合には、内部電圧は急峻に降下し、二次電池から小さな電流を放電した場合には、内部電圧はゆるやかに降下する。なお、終止電圧を2.0Vとした場合、消費電流10mAでは約25mAhの蓄電容量が、消費電流7mAでは約34mAhの蓄電容量が、消費電流5mAでは約60mAhの蓄電容量が電力負荷に供給されることになる。
上記した二次電池の特性から明らかなように、終止電圧の値が二次電池の電池寿命を決定している。そのため、従来、二次電源の設計段階では、想定される最大の消費電流(例えば、10mA)に対応した一定の終止電圧(例えば、2.0V等)を設定することで、電池劣化の抑制が図られていた。しかし、最大消費電流に基づき算出された終止電圧を、他の消費電流(例えば、5mA、7mA等)の場合に適用すると、放電時間が延び、放電深度が深くなるため、二次電池が劣化するという問題があった。そこで、従来、終止電圧をメモリチップ数に応じて変動させることで、二次電池の保護を図った技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平11−144455号公報
ところで、記憶容量が同一のメモリチップであっても、その製造メーカや製造時期等の違いにより、各メモリチップに係る消費電流が異なることが知られている。このような場合、二次電池から放電される電力量は想定された値とならず、過放電となる場合があるため、二次電池の劣化が促進される可能性がある。そのため、特許文献1の技術では、メモリチップ数と終止電圧との関係を示したテーブルに基づいて、メモリチップ数に応じた終止電圧を一義的に特定するのみであるため、各メモリチップの実際の消費電流については何ら考慮されておらず、適切な終止電圧を設定することができないという問題があり、二次電池の劣化が促進されてしまう可能性がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、補助電源の劣化を防止することが可能な放電制御装置、放電制御方法及び画像形成装置を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、請求項1にかかる発明は、外部からの指示に応じてリフレッシュを行う通常動作モードと、自発的にリフレッシュを行うセルフリフレッシュモードとを切り替えることが可能な記憶手段に対する、充放電可能な補助電源からの放電制御を行う放電制御装置であって、前記記憶手段に電力供給を行う主電源のオフからオンへの切り替わり時において、前記記憶手段に前記セルフリフレッシュモードへの移行を指示する制御信号を一時的に出力した後、前記通常動作モードへの移行を指示する制御信号を出力するリフレッシュ手段と、前記主電源のオン時で且つ前記記憶手段の前記セルフリフレッシュモード時に、当該記憶手段の消費電流を測定する電流測定手段と、前記電流測定手段が測定した消費電流に基づいて、前記補助電源の終止電圧を導出する終止電圧導出手段と、前記主電源のオフに伴い放電を開始する前記補助電源の内部電圧が前記終止電圧に到達すると、当該補助電源の放電を停止させる制御手段と、を備えたことを特徴としている。
また、請求項2にかかる発明は、請求項1にかかる発明において、前記リフレッシュ手段は、前記主電源のオンからオフへの切り替わり時において、前記記憶手段に前記セルフリフレッシュモードへの移行を指示する制御信号を出力することを特徴としている。
また、請求項3にかかる発明は、請求項1にかかる発明において、前記消費電流の各値と当該消費電流の各値に対応する前記補助電源の終止電圧とを対応付けた終止電圧導出情報を記憶する設定情報記憶手段をさらに備え、前記終止電圧導出手段は、前記消費電流に対応する終止電圧を、前記終止電圧設定情報を用いて導出することを特徴としている。
また、請求項4にかかる発明は、請求項3にかかる発明において、前記終止電圧情報には、少なくとも前記補助電源の充放電サイクル特性、放電特性に基づいて、前記補助電源の放電深度が所定値以上となる終止電圧が、前記消費電流の値毎に対応付けて設定されていることを特徴としている。
また、請求項5にかかる発明は、請求項1にかかる発明において、前記制御手段は、前記補助電源の内部電圧と前記終止電圧とを比較し、当該内部電圧が前記終止電圧を下回った否かを判定する電圧判定手段と、前記電圧判定手段による判定の結果、前記内部電圧が前記終止電圧を下回ったと判定された場合に、前記補助電源からの放電を停止させる放電制御手段と、を備えたことを特徴としている。
また、請求項6にかかる発明は、請求項5にかかる発明において、前記電圧判定手段は、前記終止電圧を可変に設定することが可能な設定手段を備え、前記設定手段は、複数の抵抗器とスイッチとを有し、前記スイッチの切り替えに応じてオン状態となる抵抗器の分圧電圧により、前記終止電圧を設定することを特徴としている。
また、請求項7にかかる発明は、請求項5にかかる発明において、前記電圧判定手段は、前記終止電圧を可変に設定することが可能な設定手段を備え、前記設定手段は、外部からの操作に応じて前記終止電圧を設定可能に構成されていることを特徴としている。
また、請求項8にかかる発明は、請求項1にかかる発明において、前記消費電流の値が、所定の範囲内に収まるか否かを判定する電流判定手段をさらに備え、前記終止電圧導出手段は、前記電流判定手段による判定の結果、前記消費電流が前記所定の範囲内に収まると判定された場合に、当該消費電流に対応する終止電圧を導出することを特徴としている。
また、請求項9にかかる発明は、外部からの指示に応じてリフレッシュを行う通常動作モードと、自発的にリフレッシュを行うセルフリフレッシュモードとを切り替えることが可能な記憶手段に対する、充放電可能な補助電源からの放電制御を行う放電制御方法であって、前記記憶手段に電力供給を行う主電源のオフからオンへの切り替わり時において、前記記憶手段に前記セルフリフレッシュモードへの移行を指示する制御信号を一時的に出力した後、前記通常動作モードへの移行を指示する制御信号を出力するリフレッシュ工程と、前記主電源のオン時で且つ前記記憶手段の前記セルフリフレッシュモード時に、当該記憶手段の消費電流を測定する電流測定工程と、前記電流測定工程で測定された消費電流に基づいて、前記補助電源の終止電圧を導出する終止電圧導出工程と、前記主電源のオフに伴い放電を開始する前記補助電源の内部電圧が前記終止電圧に到達すると、当該補助電源の放電を停止させる制御工程と、を含むことを特徴としている。
また、請求項10にかかる発明は、印刷対象となる印刷データを記憶し、外部からの指示に応じてリフレッシュを行う通常動作モードと、自発的にリフレッシュを行うセルフリフレッシュモードとを切り替えることが可能な記憶手段と、前記記憶手段に記憶された印刷データを、所定の記録媒体に記録する画像形成手段と、前記記憶手段に電力を供給する主電源と、前記主電源のオフに伴い前記記憶手段に電力を供給する充放電可能な補助電源と、前記主電源のオフからオンへの切り替わり時において、前記記憶手段に前記セルフリフレッシュモードへの移行を指示する制御信号を一時的に出力した後、前記通常動作モードへの移行を指示する制御信号を出力するリフレッシュ手段と、前記主電源のオン時で且つ前記記憶手段の前記セルフリフレッシュモード時に、当該記憶手段の消費電流を測定する電流測定手段と、前記電流測定手段が測定した消費電流に基づいて、前記補助電源の終止電圧を導出する終止電圧導出手段と、前記補助電源の内部電圧が前記終止電圧に到達すると、当該補助電源の放電を停止させる制御手段と、を備えたことを特徴としている。
本発明によれば、バックアップ時における記憶手段の消費電流を事前に測定し、当該消費電流に応じた終止電圧を導出するため、記憶手段毎に適した終止電圧を導出することができる。また、この終止電圧に基づいて補助電源から記憶手段への放電を制御することで、補助電源の劣化を防止することができる。
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる放電制御装置、放電制御方法及び画像形成装置の最良な実施の形態を詳細に説明する。
[第1の実施形態]
図1は、本実施形態にかかる画像形成装置100のハードウェア構成を示すブロック図である。図1に示すように、画像形成装置100は、コントローラ10とエンジン部(Engine)60とをPCI(Peripheral Component Interconnect)バスで接続した構成となる。コントローラ10は、画像形成装置100全体の制御と描画(画像形成)、通信、操作部21からの入力、表示部22への画像表示を制御するコントローラである。エンジン部26は、PCIバス27に接続可能なプリンタエンジン等の画像形成手段であり、たとえば白黒プロッタ、1ドラムカラープロッタ、4ドラムカラープロッタ、ファックスユニット等である。なお、このエンジン部26には、所定の記録媒体に画像形成を行うプロッタ等の所謂エンジン部分に加えて、誤差拡散やガンマ変換等の画像処理部分が含まれる。
コントローラ10は、CPU11と、システムメモリ(MEM−P)12と、ノースブリッジ(NB)13と、サウスブリッジ(SB)14と、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)16と、ローカルメモリ(MEM−C)17と、ハードディスクドライブ(HDD)18とを有し、ノースブリッジ(NB)13とASIC16との間をAGP(Accelerated Graphics Port)バス15で接続した構成となる。また、MEM−P12は、ROM(Read Only Memory)121と、RAM(Random Access Memory)122とをさらに有する。
CPU11は、画像形成装置100全体を統括的に制御するものであり、MEM−P12、NB13及びSB14からなるチップセットを有し、このチップセットを介して他の機器と接続される。
NB13は、CPU11とMEM−P12、SB14、AGP15とを接続するためのブリッジであり、MEM−P12に対する読み書き等を制御するメモリコントローラと、PCIマスタ及びAGPターゲットとを有する。
MEM−P12は、プログラムやデータの格納用メモリ、プログラムやデータの展開用メモリ、プリンタの描画用メモリ等として用いるシステムメモリであり、ROM121、RAM122等から構成される。ROM121は、プログラムやデータの格納用メモリとして用いる読み出し専用のメモリであり。RAM122は、プログラムやデータの展開用メモリ、プリンタの描画用メモリ等として用いる書き込み及び読み出し可能な揮発性のメモリである。
SB14は、NB13とPCIデバイス、周辺デバイスとを接続するためのブリッジである。このSB14は、PCIバスを介してNB13と接続されており、このPCIバスには、ネットワークインターフェース(I/F)部等も接続される。
AGP15は、グラフィック処理を高速化するために提案されたグラフィックスアクセラレーターカード用のバスインターフェースであり、MEM−P12に高スループットで直接アクセスすることにより、グラフィックスアクセラレーターカードを高速にするものである。
ASIC16は、画像処理用のハードウェア要素を有する画像処理用途向けのIC(Integrated Circuit)であり、AGP15、PCIバス、MEM−C17及びHDD18を夫々接続するブリッジとしての機能を有する。このASIC16は、PCIターゲット及びAGPマスタと、ASIC16の中核をなすアービタ(ARB)と、MEM−C17を制御するメモリコントローラと、ハードウェアロジック等により画像データの回転等をおこなう複数のDMAC(Direct Memory Access Controller)と、エンジン部60との間でPCIバスを介したデータ転送をおこなうPCIユニットとからなる。このASIC16には、PCIバスを介してFCU(Fax Control Unit)23、USB(Universal Serial Bus)24、IEEE1394(the Institute of Electrical and Electronics Engineers 1394)インターフェース25等が接続される。
MEM−C17は、SRAMやDRAM等であって、コピー用画像バッファ、符号バッファ、FAXデータのバッファ等として用いる揮発性の記憶手段である。HDD18は、画像データの蓄積、プログラムの蓄積、フォントデータの蓄積、フォームの蓄積を行うためのストレージである。
図2は、画像形成装置100が備える放電制御装置30の構成を示したブロック図である。図2に示すように、放電制御装置30は、主電源31、充電回路32、補助電源33、放電制御回路34、電源回路35、電流監視回路36、揮発性メモリ37、リフレッシュ回路38、システム制御部39、電圧監視回路40等を備える。
主電源31は、図示しない画像形成装置100の電源ON/OFFスイッチの切り替えに応じて、外部の商用電源(AC電源)から供給された電力を、当該画像形成装置100の各部に供給する電源装置である。
充電回路32は、主電源31から供給された電力を補助電源33に供給し、当該補助電源33を充電する。
補助電源33は、リチウム・イオン電池等の二次電池から構成され、放電制御回路34及び電圧監視回路40の制御の下、充電回路32により充電(蓄電)された電力を揮発性メモリ37に供給(放電)する。
放電制御回路34は、主電源31及び補助電源33から供給される電力を切り替えて、電源回路35に供給する切替手段を有する。具体的に、放電制御回路34は、主電源31の電源ON時に、当該主電源31から供給される電力を電源回路35に供給し、主電源31の電源OFF時に、補助電源33から供給される電力を電源回路35に供給する。
また、放電制御回路34は、システム制御部39及び電圧監視回路40から入力される制御信号に応じて、補助電源33から電源回路35に供給される電力を遮断する補助電源ON/OFF手段を有する。
図3は、放電制御回路34の構成の一例を示した回路図である。同図に示すように、放電制御回路34は、ダイオード341、ダイオード342、補助電源ON/OFFスイッチ343を備える。ここで、ダイオード341及び342が、上述した切替手段に対応し、主電源31の電源ON/OFFに応じて、主電源31及び補助電源33から供給される電力を切り替えて電源回路35に出力するようになっている。なお、主電源31から供給される電力の電圧は、補助電源33から供給される電力の電圧より大なるものとする。
補助電源ON/OFFSW343は、上述した補助電源ON/OFF手段に対応し、システム制御部39及び電圧監視回路40から入力される制御信号に応じて、補助電源33からの通電を制御する。
具体的に、補助電源ON/OFFSW343は、システム制御部39から揮発性メモリ37のバックアップを指示する旨の制御信号(バックアップ指示信号)が入力され、且つ、電圧監視回路40からONを指示する旨の制御信号(補助電源ON信号)が入力された場合に、補助電源33から電源回路35への通電をONとする。また、システム制御部39から揮発性メモリ37のバックアップを行わない旨の制御信号(バックアップ停止信号)及び/又は電圧監視回路40からOFFを指示する旨の制御信号(補助電源OFF信号)が入力された場合には、補助電源33から電源回路35への通電をOFFとする。
図2に戻り、電源回路35は、放電制御回路34からの電力供給を受けて、揮発性メモリ37の動作電圧を生成し、揮発性メモリ37に供給するものである。なお、本実施形態では、電源回路35を、揮発性メモリ37に特化した電源回路としたが、これに限らず、画像形成装置100が備える各部に電力を供給する電源回路としてもよい。
電流監視回路36は、電源回路35から揮発性メモリ37に供給される電流値を測定(検出)し、システム制御部39に出力する。図4は、電流監視回路36の構成の一例を示した回路図である。同図に示すように、電流監視回路36は、電流検出用抵抗器361、増幅器362、A/Dコンバータ363を備える。
電流検出用抵抗器361は、電源回路35と揮発性メモリ37との間に直列に接続されている。電流監視回路36では、揮発性メモリ37の消費電流に応じて発生する電流検出用抵抗器361の端子間電圧を検出し、増幅器362で増幅する。そして、増幅された端子間電圧は、A/Dコンバータ363でA/D変換された後、揮発性メモリ37の消費電流としてシステム制御部39に出力される。
なお、本実施形態では、電流検出用抵抗器361の端子間電圧を揮発性メモリ37の消費電流としたが、これに限らず、電流検出用抵抗器361の抵抗値と、電流検出用抵抗器361の端子間電圧とから、電流値(消費電流)を実際に導出し、この導出した消費電流をシステム制御部39に出力する態様としてもよい。また、システム制御部39が、電流検出用抵抗器361の抵抗値と、電流検出用抵抗器361の端子間電圧とから、電流値(消費電流)を導出する態様としてもよい。この場合、電流検出用抵抗器361の抵抗値は、ROM121に予め記憶されているものとする。
図2に戻り、揮発性メモリ37は、SRAMやDRAM等の揮発性の記憶手段であって、図1のMEM−C17やRAM122に対応するものである。なお、本実施形態において、揮発性メモリ37は、「セルフリフレッシュモード」を有するものとし、リフレッシュ回路38からセルフリフレッシュモードの有効化を指示する制御信号(以下、セルフリフレッシュ開始信号という)が入力されると、通常動作モードからセルフリフレッシュモードへと切り替える。ここで、通常動作モードとは、リフレッシュ回路38から出力される後述するリフレッシュ信号に応じて、リフレッシュを行う状態を意味する。
リフレッシュ回路38は、揮発性メモリ37に対し、当該揮発性メモリ37をリフレッシュするためのリフレッシュ信号や、揮発性メモリ37をセルフリフレッシュモードに移行させるセルフリフレッシュ開始信号(バックアップ開始信号)、揮発性メモリ37を通常動作モードに移行させる信号等を出力するものである。また、リフレッシュ回路38は、主電源31のON/OFF状態を監視し、主電源31の起動時(OFFからONへの切り替わり時)や、主電源31の電源断時(ONからOFFへの切り替わり時)に、セルフリフレッシュ開始信号を揮発性メモリ37に出力する。
システム制御部39は、図1のCPU11とROM121に予め記憶された所定のプログラムとの協働により実現される制御手段であって、電流監視回路36から入力される電流値に基づいて、当該電流値に対応する補助電源33の終止電圧を導出し、この導出した終止電圧を電圧監視回路40に設定する。
具体的に、システム制御部39は、電流監視回路36から消費電流が入力されると、ROM121に予め記憶された、消費電流の各値と当該消費電流の各値に対応する終止電圧とを対応付けた終止電圧テーブル1211を参照し、入力された消費電流に対応する終止電圧を導出する。
図5は、ROM121に記憶された終止電圧テーブル1211の一例を示した図である。同図に示すとおり、消費電流の各値と、当該消費電流の各値に対応する終止電圧と、が夫々対応付けて格納されている。なお、終止電圧テーブル1211は、図19、図20に示した充放電特性や放電特性等の補助電源33(二次電池)の特性に基づいて作成されており、補助電源33の放電深度が所定値以上となる終止電圧が、前記消費電流の値毎に対応付けて設定されている。ここで指標となる放電深度は、例えば、50%等、補助電源の寿命(サイクル数)を考慮した値であることが好ましい。
本実施形態では、システム制御部39は、ROM121に予め記憶された終止電圧テーブル1211に基づいて補助電源33の終止電圧を導出する態様としたが、これに限らないものとする。例えば、図6のグラフで表したような、消費電流の各値から、当該消費電流の各値に対応する終止電圧の値を一意に導出可能な関係式をROM121に予め記憶し、この関係式に基づいて消費電流に対応する終止電圧を、導出(算出)する態様としてもよい。なお、図6では、終止電圧=0.1×消費電流+2.4で表される関係式のグラフを示しており、縦軸は終止電圧(V)を、横軸は電流値(mA)を意味している。
また、システム制御部39は、導出した終止電圧の値が、所定の電圧値(例えば、1.0V)を下回った場合には、放電制御回路34にバックアップ停止信号を出力し、補助電源33から揮発性メモリ37への電力供給が行われないよう制御する。なお、ここで判断の指標となる所定の電圧値は、補助電源33の劣化速度、安定動作等の観点に基づいて予め決定された電圧値であって、ROM121に予め記憶されているものとする。これにより、補助電源33の動作に悪影響を及ぼすような終止電圧が設定されてしまうことを、未然に防止することができるため、補助電源33の劣化を防止することができる。なお、デフォルトの状態では、システム制御部39から放電制御回路34に、バックアップ指示信号が出力されているものとする。
電圧監視回路40は、補助電源33の内部電圧(補助電源33の両端子間の電圧)を常時又は所定の時間毎に検出し、この内部電圧がシステム制御部39により設定された終止電圧に達したか否かを判定する。ここで、終止電圧に達したと判定した場合、電圧監視回路40は、放電制御回路34に補助電源OFF信号を出力することで、揮発性メモリ37への電力供給を停止させる。なお、デフォルトの状態では、電圧監視回路40から放電制御回路34に、補助電源ON信号が出力されているものとする。
図7は、電圧監視回路40の構成を示した回路図である。同図に示すように、電圧監視回路40は、抵抗器群401、スイッチ群402、抵抗器403、ResetIC404等から構成される。
ここで、抵抗器群401とスイッチ群402は、システム制御部39で導出された終止電圧を設定するためのものである。抵抗器群401及びスイッチ群402のより具体的な構成は、図8に示すように、フリップフロップ(FF)405、トランジスタ406及び抵抗器407の組からなるユニットUを複数備えている。ここで、各ユニットUに含まれた抵抗器407が抵抗器群401に対応し、フリップフロップ405及びトランジスタ406がスイッチ群402に対応している。なお、図8では、ユニットUの個数を4(ユニットU1〜U4)としたが、これに限定されないものとする。また、図8では、ユニットU1〜U4を並列に接続する構成としたが、接続形態はこれに限らないものとする。
システム制御部39は、ユニットU1〜U4のうち、何れか又は全てのトランジスタ406を、フリップフロップ405を介してON状態(導通状態)とし、抵抗器407を介して補助電源33から印加される電圧の分圧比を変化させることで、先に導出した終止電圧を、抵抗器群401の分圧電圧として設定する。
具体的に、システム制御部39は、ROM121に予め記憶された各終止電圧と各ユニットUにおけるトランジスタ406のON/OFF状態の組み合わせとの関係を定義した終止電圧設定テーブル1212を参照し、導出した終止電圧に対応するトランジスタ406のON/OFF状態の組み合わせを特定する。そしてシステム制御部39は、特定した組み合わせに基づいて、各ユニットUにおけるトランジスタ406のON/OFF状態を設定する。
図9は、ROM121に記憶された終止電圧設定テーブル1212の一例を示した図である。同図に示すとおり、終止電圧の各値と、当該終止電圧の各値に対応する各ユニットUのトランジスタ406のON/OFF状態と、が対応付けて格納されている。
図8において、補助電源33から電力供給を受けるフリップフロップ405を介してトランジスタ406のON/OFF状態を設定する態様としているが、このような構成を採用することで、主電源31の電源OFF時においても、トランジスタ406の状態を制御する制御信号を保持することが可能となっている。なお、本実施形態では、ユニットU毎にフリップフロップ405を個別に備えた構成としたが、これに限らず、例えば、一のフリップフロップ405を介して、トランジスタ406及び抵抗器407からなる各ユニットUのON/OFF状態を設定する態様としてもよい。
図7に戻り、ResetIC404は、補助電源33の内部電圧を監視し、当該内部電圧が抵抗器群401とスイッチ群402に設定された終止電圧に達した場合に、放電制御回路34に補助電源OFF信号を出力し、補助電源33から電源回路35への通電をOFFとする。
以下、図10、11を参照して、放電制御装置30の動作について説明する。図10は、主電源31がOFFからONに切り替わった際の、放電制御処理の手順を示したフローチャートである。
まず、画像形成装置100の起動等により主電源31がON状態になると、リフレッシュ回路38は、当該主電源31のON状態に応じ、揮発性メモリ37にセルフリフレッシュ開始信号を出力する(ステップS11)。即ち、ステップS11以降、揮発性メモリ37はセルフリフレッシュモードで動作することになる。
次いで、電流監視回路36により検出された揮発性メモリ37の消費電流が、システム制御部39に入力されると(ステップS12)、システム制御部39は、ROM121に記憶された終止電圧テーブル1211を参照し、当該終止電圧テーブル1211に基づいて、消費電流に対応する補助電源33の終止電圧を導出する(ステップS13)。
続いてシステム制御部39は、導出した終止電圧の値が所定値以上か否かを判定する(ステップS14)。ここで、終止電圧が所定値を下回ったと判定した場合には(ステップS14;No)、システム制御部39は、放電制御回路34にバックアップ停止信号を出力し(ステップS15)、ステップS18に移行する。
一方、ステップS14において、終止電圧が所定値以上と判定した場合には(ステップS14;Yes)、システム制御部39は、ROM121に記憶された終止電圧設定テーブル1212を参照し、終止電圧に対応するトランジスタ406のON/OFF状態の組み合わせを特定する(ステップS16)。そして、システム制御部39は、特定したON/OFF状態を電圧監視回路40のトランジスタ406に設定することで、ステップS13で導出した終止電圧を電圧監視回路40に設定する(ステップS17)。
続いてシステム制御部39は、通常動作モードへの移行を指示する制御信号をリフレッシュ回路38から揮発性メモリ37に出力させることで、当該揮発性メモリ37を通常モードに移行し(ステップS18)、本処理を終了する。
次に、障害等により主電源31がONからOFFに切り替わった際の放電制御装置30の動作を説明する。図11は、主電源31がONからOFFに切り替わった際の、放電制御処理の手順を示したフローチャートである。なお、本処理の前提として、システム制御部39から、放電制御回路34にバックアップ停止信号は出力されていないものとする。
まず、主電源31のOFF状態に応じ、放電制御回路34は、揮発性メモリ37への電力源を主電源31から補助電源33に切り替え、補助電源33からの電力供給をON状態とする(ステップS21)。
また、主電源31のOFF状態に応じ、リフレッシュ回路38は、揮発性メモリ37にセルフリフレッシュ開始信号を出力する(ステップS22)。
続いて、電圧監視回路40は、システム制御部39により設定された終止電圧と、補助電源33の内部電圧とを比較することで、当該内部電圧を監視し(ステップS23)、内部電圧が終止電圧を下回ったか否かを判定する(ステップS24)。ここで、内部電圧が終止電圧以上であると判定した場合には(ステップS24;No)、ステップS23に再び戻る。
一方、ステップS24において、内部電圧が終止電圧を下回ったと判定した場合には(ステップS24;Yes)、電圧監視回路40は、放電制御回路34に補助電源OFF信号を出力し、揮発性メモリ37への電力供給を停止し(ステップS25)、本処理を終了する。
以上のように、本実施形態によれば、バックアップ時、即ちセルフリフレッシュモード時における揮発性メモリ37の消費電流を事前に測定し、当該消費電流に応じた終止電圧を導出するため、揮発性メモリ37毎に適した終止電圧を導出することができる。また、この終止電圧に基づいて補助電源33から揮発性メモリ37への放電を制御することで、補助電源33の劣化を防止することができる。
なお、本実施形態では、電圧監視回路40を抵抗器群401、スイッチ群402、抵抗器403、ResetIC404から構成することとしたが、これに限らず、例えば、図12に示すような専用ICにより構成する態様としてもよい。図12は、専用ICによる電圧監視回路40の構成を示した図である。図12に示すように、電圧監視回路40は、CPU411、内部メモリ412、A/Dコンバータ413、比較器414等を備える。
CPU411は、電圧監視回路40内の各部の動作を統括的に制御するものである。内部メモリ412は、補助電源33の終止電圧を記憶するための記憶手段である。システム制御部39は、導出した終止電圧を内部メモリ412に記憶させることで、当該終止電圧の設定を行う。A/Dコンバータ413は、補助電源33の内部電圧をA/D変換し、比較器414に出力する。
比較器414は、内部メモリ412に記憶された終止電圧と、A/Dコンバータ413から入力される内部電圧とを比較することで、当該内部電圧を監視し、内部電圧が終止電圧を下回ったか否かを判定する。ここで、比較器414は、内部電圧が終止電圧を下回ったと判定した場合、放電制御回路34に補助電源OFF信号を出力し、揮発性メモリ37への電力供給を停止する。なお、電圧監視回路40は、主電源31のOFF時に稼働させる必要があるため、補助電源33から電力供給を受けるよう設けられているものとする。
また、本実施形態の他の態様として、補助電源33のサイクル数の履歴をHDD18等に記憶しておき、この履歴に基づいて、補助電源33の終止電圧を導出することとしてもよい。具体的には、充電回路32、放電制御回路34、電圧監視回路40等が、補助電源33の充放電のサイクル毎に、その回数を履歴情報としてHDD18に記憶し、システム制御部39は、この記憶された履歴情報に基づいて、補助電源33の終止電圧を導出する。例えば、図19に示したように、サイクル数の上昇に伴い、放電深度は浅くなるため、補助電源33のサイクル数に応じた放電深度の終止電圧を導出し、電圧監視回路40に設定することで、二次電池の劣化をより防止することが可能となる。
[第2の実施形態]
次に、画像形成装置の第2の実施形態について説明する。なお、上述した第1の実施形態と同様の要素については、同一の符号を用いて示し、その説明は適宜省略する。
上記第1の実施形態では、補助電源33の終止電圧を、システム制御部39が電圧監視回路40に設定する態様としたが、電圧監視回路40での部品数の増加や、設定にかかる制御が煩雑となる可能性がある。そのため、本実施形態では、終止電圧の設定をより簡便に行うことが可能な態様を説明する。
まず、図13を参照して、本実施形態の放電制御装置50について説明する、図13は、本実施形態の画像形成装置100が備える放電制御装置50の構成を示すブロック図である。図13に示すように、放電制御装置50は、主電源31、充電回路32、補助電源33、放電制御回路34、電源回路35、電流監視回路36、揮発性メモリ37、リフレッシュ回路38、システム制御部39、電圧監視回路40、操作部51、表示部52、終止電圧設定部53等を備える。
操作部51は、図1に示した画像形成装置100の操作部21に対応するものであり、各種入力キー等を備え、ユーザから操作入力された情報を入力信号として受け付け、その入力信号をシステム制御部39に出力する。
表示部52は、図1に示した画像形成装置100の表示部22に対応するものであり、LCD(Liquid Crystal Display)等により構成され、システム制御部39からの表示信号に基づいて、各種情報を表示する。なお、表示部52は、操作部51と一体的にタッチパネルを構成する態様としてもよい。
終止電圧設定部53は、手動操作可能なディップスイッチ等であって、ユーザからの操作に応じて設定されたON/OFF状態に応じた信号を、システム制御部39及び電圧監視回路40に渡すことが可能となっている。なお、本実施形態では、終止電圧設定部53のON/OFF状態の組み合わせにより、補助電源33の終止電圧が表されるものとする。
また、本実施形態のシステム制御部39は、導出した終止電圧に対応する終止電圧設定部53のON/OFF状態を示した表示信号を表示部52に出力し、このON/OFF状態を終止電圧設定部53に設定することをユーザに促す。
具体的に、システム制御部39は、終止電圧を導出すると、ROM121に予め記憶された終止電圧と終止電圧設定部53のON/OFF状態との関係を定義した終止電圧設定テーブル1213を参照し、導出した終止電圧に対応するトランジスタ406のON/OFF状態の組み合わせを特定する。そしてシステム制御部39は、特定したON/OFF状態の組み合わせを示す表示信号を生成し、表示部52に出力することで、当該表示信号を表示部52に表示させる。
図14は、ROM121に記憶された終止電圧設定テーブル1213の一例を示した図である。同図に示すとおり、各終止電圧に対応する終止電圧設定部53のON/OFF状態が夫々対応付けて格納されている。なお、図14において、「0」はOFF状態を意味し、「1」はON状態を意味する。
次に、図15を参照して、放電制御装置50の動作について説明する。図15は、主電源31がOFFからONに切り替わった際の、放電制御処理の手順を示したフローチャートである。
まず、画像形成装置100の起動等により主電源31がON状態になると、リフレッシュ回路38は、当該主電源31のON状態に応じ、揮発性メモリ37にセルフリフレッシュ開始信号を出力する(ステップS31)。即ち、ステップS31以降、揮発性メモリ37はセルフリフレッシュモードで動作することになる。
次いで、電流監視回路36により検出された揮発性メモリ37の消費電流が、システム制御部39に入力されると(ステップS32)、システム制御部39は、ROM121に記憶された終止電圧テーブル1211を参照し、当該終止電圧テーブル1211に基づいて、消費電流に対応する補助電源33の終止電圧を導出する(ステップS33)。
続いてシステム制御部39は、導出した終止電圧の値が所定値以上か否かを判定する(ステップS34)。ここで、終止電圧が所定値を下回ったと判定した場合には(ステップS34;No)、システム制御部39は、放電制御回路34にバックアップ停止信号を出力し(ステップS35)、ステップS39に移行する。
一方、ステップS34において、終止電圧が所定値以上と判定した場合には(ステップS34;Yes)、システム制御部39は、ROM121に記憶された終止電圧設定テーブル1213を参照し、終止電圧に対応する終止電圧設定部53のON/OFF状態の組み合わせを特定する(ステップS36)。そして、システム制御部39は、特定したON/OFF状態を表示部52に表示させる(ステップS37)。
図16は、ステップS37において、表示部52に表示された画面の一例を示した図である。同図に示すように、表示部52には、終止電圧設定部53のON/OFF状態を示した画像(テキストを含む)が表示される。なお、表示形態をこの図に限らないものとする。
画像形成装置100のユーザは、表示部52に表示された画像(図16参照)に基づいて、図17に示すように、終止電圧設定部53のON/OFF状態を設定することで、電圧監視回路40に補助電源33の終止電圧が設定されることになる。
図15に戻り、システム制御部39は、表示部52に表示させた終止電圧設定部53のON/OFF状態と、ユーザが実際に設定した終止電圧設定部53のON/OFF状態とを比較し、当該終止電圧設定部53に正しい終止電圧が設定されていない、即ち両ON/OFF状態が一致しないと判定した場合には(ステップS38;No)、ステップS37へと再び戻る。
一方、ステップS38において、終止電圧設定部53に正常な終止電圧が設定されている、即ち両ON/OFF状態が一致すると判定した場合には(ステップS38;Yes)、通常動作モードへの移行を指示する制御信号をリフレッシュ回路38から揮発性メモリ37に出力させることで、当該揮発性メモリ37を通常モードに移行し(ステップS39)、本処理を終了する。
以上のように、本実施形態によれば、終止電圧設定部53を介して終止電圧を設定可能に構成したことにより、終止電圧の設定にかかる動作をより簡便に行うことができるため、電圧監視回路40の部品数を減少させることができ、画像形成装置100(放電制御装置50)にかかるコストを減少させることができる。
また、終止電圧設定部53に終止電圧が正しく設定されたか否かを判定することで、誤操作等により誤った終止電圧が設定されてしまうことを未然に防ぐことができるため、補助電源33から不用意に電力が供給されてしまうことを未然に防止することができ、二次電池の劣化を防止することができる。
なお、本実施形態では、終止電圧設定部53に終止電圧が正しく設定されたか否かを判定することとしたが、これに限らず、ステップS36の判定処理を行わず、ステップS35の後、ステップS37に移行する態様としてもよい。
また、本実施形態では、終止電圧設定部53のON/OFF状態を表示部41に表示させることとしたが、これに限らず、スピーカ等の音声出力手段を備える場合には、当該音声出力手段を介して終止電圧設定部53のON/OFF状態を報知する態様としてもよい。
[第3の実施形態]
次に、画像形成装置の第3の実施形態について説明する。なお、上述した第1及び第2の実施形態と同様の要素については、同一の符号を用いて示し、その説明は適宜省略する。
本実施形態では、上記した第2の実施形態の構成を用い、揮発性メモリ37の異常を検出可能な形態を説明する。
まず、本実施形態のシステム制御部39は、電流監視回路36から入力された消費電流が、所定の電流範囲内に収まるか否かを判定し、電流範囲内に収まらないと判定した場合、表示部52に、揮発性メモリ37に異常が発生した旨の画面を表示させることで、ユーザに揮発性メモリ37の異常を報知する。なお、揮発性メモリ37の異常判定の指標となる電流範囲は、正常動作時における揮発性メモリ37の消費電流に基づいて予め定められており、ROM121に予め記憶されているものとする。
以下、図18を参照して、本実施形態の放電制御装置50の動作について説明する。図18は、主電源31がOFFからONに切り替わった際の、放電制御処理の手順を示したフローチャートである。
まず、画像形成装置100の起動等により主電源31がON状態になると、リフレッシュ回路38は、当該主電源31のON状態に応じ、揮発性メモリ37にセルフリフレッシュ開始信号を出力する(ステップS41)。即ち、ステップS41以降、揮発性メモリ37はセルフリフレッシュモードで動作することになる。
次いで、電流監視回路36により検出された揮発性メモリ37の消費電流が、システム制御部39に入力されると(ステップS42)、ROM121に記憶され電流範囲を参照し、入力された消費電流が電流範囲内に含まれるか否かを判定する(ステップS43)。
ここで、入力された消費電流が電流範囲内に含まれないと判定した場合には(ステップS43;No)、システム制御部39は、揮発性メモリ37に異常が発生したことを報知する表示信号(エラー信号)を生成し、このエラー信号を表示部52に表示させた後(ステップS44)、本処理を終了する。
一方、ステップ43において、入力された消費電流が電流範囲内に含まれると判定した場合には(ステップS43;Yes)、システム制御部39は、ROM121に記憶された終止電圧テーブル1211を参照し、当該終止電圧テーブル1211に基づいて、消費電流に対応する補助電源33の終止電圧を導出する(ステップS45)。
続いてシステム制御部39は、導出した終止電圧の値が所定値以上か否かを判定する(ステップS46)。ここで、終止電圧が所定値を下回ったと判定した場合には(ステップS46;No)、システム制御部39は、放電制御回路34にバックアップ停止信号を出力し(ステップS47)、ステップS51に移行する。
一方、ステップS46において、終止電圧が所定値以上と判定した場合には(ステップS46;Yes)、システム制御部39は、ROM121に記憶された終止電圧設定テーブル1212を参照し、終止電圧に対応するトランジスタ406のON/OFF状態の組み合わせを特定する(ステップS48)。そして、システム制御部39は、特定したON/OFF状態を表示部52に表示させる(ステップS49)。
続いてシステム制御部39は、表示部52に表示させた終止電圧設定部53のON/OFF状態と、ユーザが実際に設定した終止電圧設定部53のON/OFF状態とを比較し、当該終止電圧設定部53に正常な終止電圧が設定されていない、即ち両ON/OFF状態が一致しないと判定した場合には(ステップS50;No)、ステップS47へと再び戻る。
また、ステップS50において、終止電圧設定部53に正常な終止電圧が設定されている、即ち両ON/OFF状態が一致すると判定した場合には(ステップS50;Yes)、通常動作モードへの移行を指示する制御信号をリフレッシュ回路38から揮発性メモリ37に出力させることで、当該揮発性メモリ37を通常モードに移行し(ステップS51)、本処理を終了する。
以上のように、本実施形態によれば、揮発性メモリ37の異常を検出することが可能であるため、補助電源33から不用意に電力が供給されてしまうことを未然に防止することができ、二次電池の劣化を防止することができる。
以上、本発明を第1〜第3の実施形態を用いて説明してきたが、上述した実施形態に多様な変更または改良を加えることができる。また、上述した第1〜第3の実施形態において説明した構成や機能は、自由に組み合わせることができる。
以上のように、本発明にかかる放電制御装置、放電制御方法及び画像形成装置は、補助電源により揮発性メモリのバックアップを行う場合に有効であり、特に、セルフリフレッシュモードを有した揮発性メモリのバックアップを行う場合に適している。
画像処理装置のハードウェア構成を示したブロック図である。 第1の実施形態における放電制御装置の構成を示したブロック図である。 放電制御回路の構成の一例を示した回路図である。 電流監視回路の構成の一例を示した回路図である。 終止電圧テーブルの一例を示した図である。 消費電流と終止電圧との関係の一例を示した図である。 電圧監視回路の構成を示した回路図である。 電圧監視回路に含まれた抵抗器群及びスイッチ群の構成を示した回路図である。 第1の実施形態における終止電圧設定テーブルの一例を示した図である。 第1の実施形態における放電制御処理の手順を示したフローチャートである。 第1の実施形態における放電制御処理の手順を示したフローチャートである。 他の態様における電圧監視回路の構成を示した図である。 第2の実施形態における放電制御装置の構成を示すブロック図である。 第2の実施形態における終止電圧設定テーブルの一例を示した図である。 第2の実施形態における放電制御処理の手順を示したフローチャートである。 表示部に表示された画面の一例を示した図である。 終止電圧設定部のON/OFF状態の一例を示した図である。 第3の実施形態における放電制御処理の手順を示したフローチャートである。 二次電池の充放電サイクル特性の一例を示した図である。 二次電池の放電特性の一例を示したグラフである。
符号の説明
100 画像形成装置
10 コントローラ
11 CPU
12 システムメモリ(MEM−P)
121 ROM
1211 終止電圧テーブル
1212 終止電圧設定テーブル
1213 終止電圧設定テーブル
122 RAM
13 ノースブリッジ(NB)
14 サウスブリッジ(SB)
15 AGPバス
16 ASIC
17 ローカルメモリ(MEM−C)
18 ハードディスクドライブ(HDD)
21 操作部
22 表示部
23 FCU
24 USB
25 IEEE1394インターフェース
26 エンジン部
27 PCIバス
30 放電制御装置
31 主電源
32 充電回路
33 補助電源
34 放電制御回路
341 ダイオード
342 ダイオード
343 補助電源ON/OFFスイッチ
35 電源回路
36 電流監視回路
361 電流検出用抵抗器
362 増幅器
363 A/Dコンバータ
37 揮発性メモリ
38 リフレッシュ回路
39 システム制御部
40 電圧監視回路
401 抵抗器群
402 スイッチ群
403 抵抗器
404 ResetIC
405 フリップフロップ(FF)
406 トランジスタ
407 抵抗器
411 CPU
412 内部メモリ
413 A/Dコンバータ
414 比較器
50 放電制御装置
51 操作部
52 表示部
53 終止電圧設定部

Claims (10)

  1. 外部からの指示に応じてリフレッシュを行う通常動作モードと、自発的にリフレッシュを行うセルフリフレッシュモードとを切り替えることが可能な記憶手段に対する、充放電可能な補助電源からの放電制御を行う放電制御装置であって、
    前記記憶手段に電力供給を行う主電源のオフからオンへの切り替わり時において、前記記憶手段に前記セルフリフレッシュモードへの移行を指示する制御信号を一時的に出力した後、前記通常動作モードへの移行を指示する制御信号を出力するリフレッシュ手段と、
    前記主電源のオン時で且つ前記記憶手段の前記セルフリフレッシュモード時に、当該記憶手段の消費電流を測定する電流測定手段と、
    前記電流測定手段が測定した消費電流に基づいて、前記補助電源の終止電圧を導出する終止電圧導出手段と、
    前記主電源のオフに伴い放電を開始する前記補助電源の内部電圧が前記終止電圧に到達すると、当該補助電源の放電を停止させる制御手段と、
    を備えたことを特徴とする放電制御装置。
  2. 前記リフレッシュ手段は、前記主電源のオンからオフへの切り替わり時において、前記記憶手段に前記セルフリフレッシュモードへの移行を指示する制御信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の放電制御装置。
  3. 前記消費電流の各値と当該消費電流の各値に対応する前記補助電源の終止電圧とを対応付けた終止電圧導出情報を記憶する設定情報記憶手段をさらに備え、
    前記終止電圧導出手段は、前記消費電流に対応する終止電圧を、前記終止電圧設定情報を用いて導出することを特徴とする請求項1に記載の放電制御装置。
  4. 前記終止電圧情報には、少なくとも前記補助電源の充放電サイクル特性、放電特性に基づいて、前記補助電源の放電深度が所定値以上となる終止電圧が、前記消費電流の値毎に対応付けて設定されていることを特徴とする請求項3に記載の放電制御装置。
  5. 前記制御手段は、
    前記補助電源の内部電圧と前記終止電圧とを比較し、当該内部電圧が前記終止電圧を下回った否かを判定する電圧判定手段と、
    前記電圧判定手段による判定の結果、前記内部電圧が前記終止電圧を下回ったと判定された場合に、前記補助電源からの放電を停止させる放電制御手段と、
    を備えたことを特徴とする請求項1に記載の放電制御装置。
  6. 前記電圧判定手段は、前記終止電圧を可変に設定することが可能な設定手段を備え、
    前記設定手段は、複数の抵抗器とスイッチとを有し、前記スイッチの切り替えに応じてオン状態となる抵抗器の分圧電圧により、前記終止電圧を設定することを特徴とする請求項5に記載の放電制御装置。
  7. 前記電圧判定手段は、前記終止電圧を可変に設定することが可能な設定手段を備え、
    前記設定手段は、外部からの操作に応じて前記終止電圧を設定可能に構成されていることを特徴とする請求項5に記載の放電制御装置。
  8. 前記消費電流の値が、所定の範囲内に収まるか否かを判定する電流判定手段をさらに備え、
    前記終止電圧導出手段は、前記電流判定手段による判定の結果、前記消費電流が前記所定の範囲内に収まると判定された場合に、当該消費電流に対応する終止電圧を導出することを特徴とする請求項1に記載の放電制御装置。
  9. 外部からの指示に応じてリフレッシュを行う通常動作モードと、自発的にリフレッシュを行うセルフリフレッシュモードとを切り替えることが可能な記憶手段に対する、充放電可能な補助電源からの放電制御を行う放電制御方法であって、
    前記記憶手段に電力供給を行う主電源のオフからオンへの切り替わり時において、前記記憶手段に前記セルフリフレッシュモードへの移行を指示する制御信号を一時的に出力した後、前記通常動作モードへの移行を指示する制御信号を出力するリフレッシュ工程と、
    前記主電源のオン時で且つ前記記憶手段の前記セルフリフレッシュモード時に、当該記憶手段の消費電流を測定する電流測定工程と、
    前記電流測定工程で測定された消費電流に基づいて、前記補助電源の終止電圧を導出する終止電圧導出工程と、
    前記主電源のオフに伴い放電を開始する前記補助電源の内部電圧が前記終止電圧に到達すると、当該補助電源の放電を停止させる制御工程と、
    を含むことを特徴とする放電制御方法
  10. 印刷対象となる印刷データを記憶し、外部からの指示に応じてリフレッシュを行う通常動作モードと、自発的にリフレッシュを行うセルフリフレッシュモードとを切り替えることが可能な記憶手段と、
    前記記憶手段に記憶された印刷データを、所定の記録媒体に記録する画像形成手段と、
    前記記憶手段に電力を供給する主電源と、
    前記主電源のオフに伴い前記記憶手段に電力を供給する充放電可能な補助電源と、
    前記主電源のオフからオンへの切り替わり時において、前記記憶手段に前記セルフリフレッシュモードへの移行を指示する制御信号を一時的に出力した後、前記通常動作モードへの移行を指示する制御信号を出力するリフレッシュ手段と、
    前記主電源のオン時で且つ前記記憶手段の前記セルフリフレッシュモード時に、当該記憶手段の消費電流を測定する電流測定手段と、
    前記電流測定手段が測定した消費電流に基づいて、前記補助電源の終止電圧を導出する終止電圧導出手段と、
    前記補助電源の内部電圧が前記終止電圧に到達すると、当該補助電源の放電を停止させる制御手段と、
    を備えたことを特徴とする画像形成装置。
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