JP4740920B2 - リソグラフィレチクル検査用のシステムおよび方法 - Google Patents
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Description
[00068] 本発明の一実施形態では、本明細書で記載された本発明の方法およびシステムが、図9に示すコンピュータ900など、公知のコンピュータを使用して実装される。具体的には、レチクルトポグラフィマッパ310、レチクルトポグラフィコンパレータ320、レチクル調整モジュール330、およびレチクルトポグラフィデータベース340の全てまたは一部分を、公知のコンピュータまたはコンピューティングシステムを使用して実装することができる。コンピュータ900は、International Business Machines,Apple,Sun,HP,Dell,Crayなどから入手可能なコンピュータなど、本明細書に記載の機能を実施することができるどんな市販の公知のコンピュータまたはサーバでもよい。
[00078] 以上、本発明のさまざまな実施形態を上記で説明してきたが、それらは一例として提示されたものであり、限定ではないことを理解されたい。本発明の精神および範囲から逸脱することなく、本発明のさまざまな実施形態に形態および詳細のさまざまな変更を行うことができることを、当業者なら理解されよう。
Claims (15)
- リソグラフィレチクル検査の方法であって、
レチクルに関する理論的トポグラフィマップを生成すること、
非装填状態にあるレチクルの表面に関するトポグラフィマップを生成すること、
前記理論的トポグラフィマップを前記非装填レチクルのトポグラフィマップと比較すること、
前記理論的トポグラフィマップと前記非装填レチクルのトポグラフィマップとの差に基づいて、制御動作を実施すること、
前記レチクルを装填すること、
装填状態にある前記レチクルの表面に関するトポグラフィマップを生成すること、
前記非装填レチクルのトポグラフィマップと前記装填レチクルのトポグラフィマップとの差を特定するために、前記非装填レチクルのトポグラフィマップを前記装填レチクルのトポグラフィマップと比較すること、または、前記理論的トポグラフィマップと前記装填レチクルのトポグラフィマップとの差を特定するために、前記理論的トポグラフィマップを前記装填レチクルのトポグラフィマップと比較すること、および
前記装填レチクルのトポグラフィを前記非装填レチクルのトポグラフィまたは前記理論的トポグラフィマップとより厳密に合致するように前記装填レチクルを調整するために、前記非装填レチクルのトポグラフィマップと前記装填レチクルのトポグラフィマップとの前記差、または、前記理論的トポグラフィマップと前記装填レチクルのトポグラフィマップとの前記差に基づいて、前記装填レチクルに力を与えることを含む制御動作を実施すること
を含む方法。 - 前記レチクル表面に関するトポグラフィマップの生成が、前記レチクル表面の表面全体をマッピングすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記レチクル表面に関するトポグラフィマップの生成が、前記レチクル表面の有効表面をマッピングすること、前記レチクル表面のクランプされた領域をマッピングすること、前記レチクル表面の一部分をマッピングすることを含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記非装填状態にある前記レチクルを、エアベアリング上、ばね床上、または運動学的3点マウント上で支持することをさらに含む、請求項1から3いずれか1項に記載の方法。
- 前記非装填状態にある前記レチクル表面に関する前記トポグラフィマップを、重力によるたわみについて補償することをさらに含む、請求項1から4いずれか1項に記載の方法。
- 前記レチクルの装填が、前記レチクルをリソグラフィ装置のレチクルチャック上に載せることを含む、請求項1から5いずれか1項に記載の方法。
- 前記制御動作が、前記レチクルの使用を拒否することを含む、請求項1から6いずれか1項に記載の方法。
- リソグラフィレチクル検査システムであって、
レチクルを位置決めするレチクル位置決めデバイス、
レチクル表面のトポグラフィをマッピングするマッピングデバイス、
前記レチクルに関するトポグラフィマップを、前記マッピングデバイスからの測定値に基づいて生成するレチクルトポグラフィマッパ、および
理論的状態にある前記レチクルのトポグラフィと非装填状態にある前記レチクルのトポグラフィとを比較し、前記非装填状態にあるレチクルのトポグラフィと装填状態にある前記レチクルのトポグラフィとを比較し、または、前記理論的状態にあるレチクルのトポグラフィと前記装填状態にあるレチクルのトポグラフィとを比較するレチクルトポグラフィコンパレータ、を備え、
前記理論的状態にあるレチクルのトポグラフィと前記非装填状態にあるレチクルのトポグラフィとの前記比較に基づいて、制御動作が実施され、
前記非装填状態にあるレチクルのトポグラフィと前記装填状態にあるレチクルのトポグラフィとの前記比較に基づいて、または、前記理論的状態にあるレチクルのトポグラフィと前記装填状態にあるレチクルのトポグラフィとの前記比較に基づいて、前記装填状態にあるレチクルに力を与えるように制御動作が実施される、
リソグラフィレチクル検査システム。 - レチクル表面に関するトポグラフィマップおよび/またはトポグラフィシグネチャを記憶するレチクルトポグラフィデータベースをさらに備える、請求項8に記載のリソグラフィレチクル検査システム。
- 前記レチクル位置決めデバイスが、エアベアリング、ばね床、または運動学的3点マウントを含む、請求項8または9に記載のリソグラフィレチクル検査システム。
- 前記理論状態は、前記非装填状態にあるレチクルの理論状態、または、前記装填状態にあるレチクルの理論状態である、請求項8から10いずれか1項に記載のリソグラフィレチクル検査システム。
- コンピュータ読取可能媒体内に組み込まれたレチクル検査アナライザであって、
レチクルに関するトポグラフィをレチクルマッピングデバイスからの測定値に基づいて生成するレチクルトポグラフィマッパ、および
理論的状態にある前記レチクルのトポグラフィと非装填状態にある前記レチクルのトポグラフィとを比較し、前記非装填状態にあるレチクルのトポグラフィと装填状態にある前記レチクルのトポグラフィとを比較し、または、前記理論的状態にあるレチクルのトポグラフィと前記装填状態にあるレチクルのトポグラフィとを比較するレチクルトポグラフィコンパレータ、を備え、
前記理論的状態にあるレチクルのトポグラフィと前記非装填状態にあるレチクルのトポグラフィとの前記比較に基づいて、制御動作が実施され、
前記非装填状態にあるレチクルのトポグラフィと前記装填状態にあるレチクルのトポグラフィとの前記比較に基づいて、または、前記理論的状態にあるレチクルのトポグラフィと前記装填状態にあるレチクルのトポグラフィとの前記比較に基づいて、前記装填状態にあるレチクルに力を与えるように制御動作が実施される、
レチクル検査アナライザ。 - レチクル表面に関するトポグラフィシグネチャを記憶するレチクルシグネチャデータベースをさらに備える、請求項12に記載のレチクル検査アナライザ。
- レチクルのトポグラフィを修正するための制御動作を決定するレチクル調整モジュールをさらに備える、請求項12または13に記載のレチクル検査アナライザ。
- 前記装填状態にあるレチクルに力を与えるように実施される前記制御動作が、前記レチクルトポグラフィに基づいて、1つまたは複数のレンズ調整またはウェーハステージ調整することを含む、請求項12から14いずれか1項に記載のレチクル検査アナライザ。
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