JP4738703B2 - 電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は各種電子機器に利用される電解コンデンサの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化が進むにつれ、電解コンデンサも小型化が顕著になっている。また、電子機器のデジタル化や蛍光灯等のインバータ化に伴い、高周波のリップル吸収特性が良く、かつ内部抵抗の小さい低インピーダンスの電解コンデンサが望まれている。
【0003】
一般に電解コンデンサは図4に示す構成のコンデンサ素子47が用いられており、陽極側リード41を接続した陽極箔42と、陰極側リード43を接続した陰極箔44と、この陰極箔44と前記陽極箔42との間にセパレータ45,46を介在させて巻回することにより構成されている。そして、このコンデンサ素子47に駆動用電解液を含浸させて金属ケース(図示せず)内に収納し、その後、上記金属ケースの開口部を封口材で封口することにより電解コンデンサを得ることができる。
【0004】
この電解コンデンサの小型化に対しては、陽極箔42と陰極箔44の単位面積当たりの箔容量を向上させ、かつ陽極箔42と陰極箔44の対向面積を小さくしてコンデンサ素子47の巻回数を少なくすることにより達成することができる。
【0005】
また、電解コンデンサの内部抵抗の改善に対しては、セパレータ45,46を介して対向する陽極箔42と陰極箔44の電極面積を1/2にすると内部抵抗は2倍に、その電極間距離を1/2にすると内部抵抗は1/2倍になり、この電極間距離はセパレータ45,46の厚みによって決まることから、セパレータ45,46の厚み、密度が重要となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記コンデンサ素子47を用いた電解コンデンサにおいて、セパレータ45,46の厚みを薄くしたり、低密度にした場合、陽極箔42と陰極箔44がショートしやすくなり、漏れ電流やtanδが高くなるという課題がある。
【0007】
これは、図5にコンデンサ素子47の断面を示すように、陽極箔42および陰極箔44からは所定の幅に切断したときの突起48,49があり、この突起48,49がセパレータ45,46の厚みを薄くしているからである。
【0008】
上記突起48,49を有したコンデンサ素子47は、その巻き取り工程の後に、陽極側リード41と陰極側リード43間の接触抵抗を測定することにより、そのショートの有無を行っているが、陽極箔42と陰極箔44の電極間距離が十分確保されていない場合でも、電極間が接触していない限り、ショート不良として検出することはできなかった。その結果、電解コンデンサの完成品におけるショート不良や漏れ電流およびtanδの低下を招いていた。
【0009】
また、AC100V・200V・220Vの電気製品の電源回路やパソコンおよび通信機器の電源回路に使用される電解コンデンサにおいては、これらの電源回路には電源投入時に、従来よりも多くのインラッシュ電流が流れ、電解コンデンサが瞬時にショートしてセットのヒューズが切れてしまうという課題があった。
【0010】
これは、電解コンデンサにインラッシュ電流が流れると電子が陰極箔44に短時間に大量供給され、陽極箔42と陰極箔44間の電圧が一気に上昇する。しかし、電解液は陰極箔44と比較して抵抗が高いので、電子の流入が遅い。もし、陽極箔42と陰極箔44にバリや金属粉などにより近接部があると瞬間的に近接部先端に電子が集中して、電位傾度が高くなり電子なだれによる絶縁破壊が発生しやすくなるからである。
【0011】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、コンデンサ素子の陽極箔と陰極箔の絶縁耐圧を確保し、インラッシュ電流に強い信頼性の高い電解コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の請求項1に記載の発明は、誘電体酸化皮膜を有する陽極箔、および陰極箔にリード線を夫々接続する工程と、この陽極箔と陰極箔との間にセパレータを介在させて巻回することによりコンデンサ素子を形成する工程と、前記陽極箔の誘電体酸化皮膜の耐電圧とセパレータの厚みおよび密度によって決定され、陽極箔と陰極箔の電極間距離が十分確保されていれば放電しない600〜1200Vの直流電圧を、前記コンデンサ素子の夫々のリード線間に印加することにより、放電してしまうコンデンサ素子を除外して良否選別する工程と、上記選別された良品のコンデンサ素子に駆動用電解液を含浸する工程と、このコンデンサ素子を金属ケースに挿入し、この金属ケースの開口部を封口材で封口する工程とからなる電解コンデンサの製造方法とするもので、この製造方法により、コンデンサ素子の陽極箔と陰極箔の絶縁耐圧が十分に確保されたものだけを次工程に移行することができるので、ショート不良がなく、インラッシュ電流に強い信頼性の高い電解コンデンサを得ることができるという作用を有する。
【0013】
なお、直流電圧が600V未満では、コンデンサ素子の陽極箔と陰極箔の絶縁耐圧を十分に確保することができず、また、1200Vを越えるとコンデンサ素子の陽極箔と陰極箔の絶縁破壊を起こしやすくなり、良品率が悪くなる。
【0014】
請求項2に記載の発明は、特に、セパレータの含水率を7%以下とした製造方法とするものであり、水分による絶縁破壊を防止することができるという作用を有する。
【0015】
請求項3に記載の発明は、特に、電解液を含浸する工程を導電性高分子溶液を用いて、導電性高分子の固体電解質層を形成するようにした製造方法とするものであり、導電性高分子の固体電解質層にすることにより、低インピーダンス化を図ることができるという作用を有する。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態について詳細に説明する。
【0017】
図1は本実施の形態による電解コンデンサの製造工程を示すフローチャートである。
【0018】
まず、エッチング処理して陽極酸化処理により誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔11と、エッチング処理して表面積を拡大した陰極箔12に、それぞれ外部接続端子となるリード13をカシメ工程14により接続する。
【0019】
次に、上記陽極箔11と陰極箔12を紙や高分子材料の繊維からなる多孔性のセパレータ15を介在させ、巻き取り工程16により巻回してコンデンサ素子を形成する。
【0020】
次に、このコンデンサ素子のそれぞれのリード13間に直流電圧を印加して絶縁耐圧検査17により絶縁耐圧を検査する。この検査方法は、直流電圧600〜1200Vの範囲で電圧を印加し、放電したコンデンサ素子は除外するというものである。
【0021】
上記陽極箔11と陰極箔12の電極間距離がセパレータ15の厚み通りであれば、その厚みに応じた絶縁耐圧まで放電することはないが、図5に示したようなコンデンサ素子の場合は電極間距離が短くなり1200Vの電圧に達するまでの間に放電してしまうので、予め許容範囲の直流電圧を設定して、その電圧を印加することにより、イレギュラーのコンデンサ素子を除外することができる。
【0022】
なお、直流電圧の設定は、陽極箔の誘電体酸化皮膜の耐電圧とセパレータの厚みおよび密度により決定され、セパレータの厚みが厚いほど、また、密度が高いほど絶縁耐圧は高くなることから直流電圧を高く設定する必要がある。
【0023】
しかし、1200Vを越える直流電圧を印加すると、コンデンサ素子の陽極箔と陰極箔の絶縁破壊を起こしやすくなり、コンデンサ素子の破壊検査になってしまうので好ましくない。
【0024】
また、セパレータの水分率が7%を越えると、水分により絶縁耐圧が低下してしまい、真の絶縁耐圧を検査することができなくなるので好ましくない。
【0025】
次に、選別されたコンデンサ素子に電解液18を含浸する含浸工程19を経て、このコンデンサ素子を有底筒状の金属ケース20内に挿入し、この金属ケース20の開口部にそれぞれのリード13を引き出す孔を有した封口材21で封口し、この封口材21の外周を絞ることにより封止する組立工程22により、コンデンサ素子を金属ケース20内に封止する。
【0026】
その後、規定の電圧を加えることにより、誘電体酸化皮膜の修復を行う再化成工程23を実施し、最後に容量・漏れ電流・tanδ等の特性検査24を実施して電解コンデンサを得ることができるものである。
【0027】
このようにして得られた電解コンデンサは、インラッシュ電流が流れても、これに充分に耐えることができ、電気製品やパソコン、通信機器の電源回路に用いられても信頼性の高い製品を提供することができる。
【0028】
図2はコンデンサ素子のセパレータの厚みと絶縁耐圧の関係を示したグラフである。同図より、セパレータの密度が高く、厚みも厚いと絶縁耐圧は高くなり、セパレータの密度が低いと絶縁耐圧も低くなる。
【0029】
例えばセパレータの密度が1.0g/cm3のとき、セパレータの厚みが30〜80μmであれば、直流電圧を1200V印加しても放電することがない。また、セパレータの密度が0.6g/cm3のときは、セパレータの厚みを厚くしても絶縁耐圧は極端に高くなることはないが、厚みが20〜80μmであれば、直流電圧を600V印加しても放電することがないことが解る。
【0030】
このことから、コンデンサ素子のセパレータ密度或いは厚みにより最適な印加電圧を設定するのが好ましいが、直流電圧を600〜1200Vの範囲で印加することにより、コンデンサ素子の絶縁耐圧を検査することができる。
【0031】
また、セパレータの密度を変化させたコンデンサ素子を用いて電解コンデンサを作製し、その電解コンデンサにインラッシュ電流を流したときのショート不良率を(表1)に示す。
【0032】
なお、電解コンデンサに用いたコンデンサ素子において、(A)はコンデンサ素子のセパレータの密度を1.0g/cm3、厚さ50μmのもの、(B)はコンデンサ素子のセパレータの密度を0.8g/cm3、厚さ50μmのもの、(C)はコンデンサ素子のセパレータの密度を0.6g/cm3、厚さ50μmのものを用い、これらのコンデンサ素子(A)〜(C)を絶縁耐圧検査を行い、全て放電しなかったもの100個と、接触抵抗により検査して接触がなかったもの(従来例)100個を用いて評価した。
【0033】
【表1】
【0034】
(表1)から明らかなように、本実施の形態の電解コンデンサにおいて、絶縁耐圧検査の直流電圧を400Vにした電解コンデンサは、インラッシュ電流が流れると不良率が2〜3%発生したが、600V以上では不良率は0%であった。なお、コンデンサ素子のセパレータの密度が0.6g/cm3のものは、絶縁耐圧が1000V未満であるので、絶縁耐圧検査の直流電圧を1000V以上にすると放電してしまうので、評価していない。
【0035】
これに対して接触抵抗検査による電解コンデンサは、コンデンサ素子の段階で不良になるものはないが、インラッシュ電流による不良率は高くなっている。
【0036】
このように、図2および(表1)よりセパレータの密度、厚みにより直流電圧の印加を変えて絶縁耐圧検査を行うことで、インラッシュ電流に耐え得る電解コンデンサを得ることができるものである。
【0037】
上記実施の形態の絶縁耐圧を行うときの絶縁耐圧検査装置の回路図を図3に示す。同図において、検査電圧Vpwに設定した電源PWと、電源PWの電流が30mA以下になるように、Vpw/R1<0.03の範囲を満足する電流制限用抵抗R1と、この抵抗R1を介して電源と並列に接続した検査電圧用コンデンサC1と、上記コンデンサC1から制御装置によりスイッチングを制御するスイッチング素子Tr1と、このスイッチング素子Tr1を介して絶縁耐圧検査を実施するコンデンサ素子C2と検査装置を接続する接続端子T1とから構成されている。
【0038】
なお、電流を30mA以下に制限するのは安全性からであり、絶縁耐圧が500V以上の場合でも上記構成の回路によって正確な絶縁耐圧を測定することができる。
【0039】
また、上記コンデンサC1の容量は感電防止の面から、0.4μF以下が好ましく、絶縁耐圧を測定するコンデンサ素子C2における容量の50倍以上を有することが好ましい。これは、コンデンサC1からコンデンサ素子C2への充電完了後の電圧変動を少なくするためである。
【0040】
また、R2は電流測定のための直列抵抗で、この抵抗は100Ω以下が好ましく、抵抗が低いほどコンデンサC1からコンデンサ素子C2への急速充電ができる。上記直列抵抗R2の両端電圧を測定することによりコンデンサ素子C2を流れる電流値を測定することができる。
【0041】
なお、直列抵抗R2の代わりにコイルや電流プローブによって電流を測定することによっても、コンデンサC1からコンデンサ素子C2への急速充電ができる。
【0042】
絶縁耐圧検査は、まず、電源PWより抵抗R1を介してコンデンサC1を充電する。次に、スイッチング素子Tr1をONして、コンデンサC1の電荷を一気にコンデンサ素子C2に充電する。このときコンデンサ素子C2の漏電が大きくても規定の電圧まで一気に上昇させることができる。この状態でコンデンサ素子C2の絶縁耐圧が低い値で放電した場合、放電電流が流れて直列抵抗R2の両端に電位差を生じ、絶縁不良であることが検知できる。
【0043】
この検査は、測定時間は短いほど安全性が高く、長いほど検出精度が上がる傾向があるが、10〜200msの範囲であれば安全に精度良く絶縁耐圧検査をすることができる。
【0044】
また、絶縁耐圧検査の前に、コンデンサ素子C2を100℃以上の温度で乾燥してセパレータの含水率を7%以下にすることにより、より安定した絶縁耐圧検査が出来る。上記乾燥は105℃3分以上乾燥することにより含水率を7%以下とすることができる。
【0045】
なお、上記図1の電解液は、溶媒としてエチレングリコールやγ−ブチルラクトンを用いたものや、導電性高分子の固体電解質を用いたものが使用される。
【0046】
この導電性高分子の固体電解質としては、ポリピロール、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリアニリンおよびその誘導体またはそれらの化合物の少なくとも1種からなるものを用いることにより、電解コンデンサのインピーダンスを低減することができる。
【0047】
上記固体電解質の形成は、例えば複素環式モノマーであるエチレンジオキシチオフェン1部と酸化剤であるp−トルエンスルホン酸第二鉄2部と重合溶剤であるn−ブタノール4部を含む重合溶液にコンデンサ素子を浸漬して引き上げた後、85℃で60分間放置することによりポリエチレンジオキシチオフェンの導電性高分子を形成することができる。
【0048】
【発明の効果】
以上のように本発明は、誘電体酸化皮膜を有する陽極箔、および陰極箔にリード線を夫々接続する工程と、この陽極箔と陰極箔との間にセパレータを介在させて巻回することによりコンデンサ素子を形成する工程と、前記陽極箔の誘電体酸化皮膜の耐電圧とセパレータの厚みおよび密度によって決定され、陽極箔と陰極箔の電極間距離が十分確保されていれば放電しない600〜1200Vの直流電圧を、前記コンデンサ素子の夫々のリード線間に印加することにより、放電してしまうコンデンサ素子を除外して良否選別する工程と、上記選別された良品のコンデンサ素子に駆動用電解液を含浸する工程と、このコンデンサ素子を金属ケースに挿入し、この金属ケースの開口部を封口材で封口する工程とからなる電解コンデンサの製造方法とすることにより、コンデンサ素子の陽極箔と陰極箔の絶縁耐圧が十分に確保されたものだけを次工程に移行することができるので、ショート不良がなく、インラッシュ電流に強い信頼性の高い電解コンデンサを得ることができるというものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施の形態における電解コンデンサの製造工程を示すフローチャート
【図2】 同要部であるセパレータの厚みと絶縁耐圧の関係を示す特性図
【図3】 同要部である絶縁耐圧検査をするときの絶縁耐圧装置の回路図
【図4】 従来の電解コンデンサに用いられるコンデンサ素子の構成を示す一部展開斜視図
【図5】 同断面図
【符号の説明】
11 陽極箔
12 陰極箔
13 リード線
14 カシメ工程
15 セパレータ
16 巻き取り工程
17 絶縁耐圧検査
18 電解液
19 含浸工程
20 金属ケース
21 封口材
22 組立工程
23 再化成工程
24 特性検査
Claims (3)
- 誘電体酸化皮膜を有する陽極箔、および陰極箔にリード線を夫々接続する工程と、この陽極箔と陰極箔との間にセパレータを介在させて巻回することによりコンデンサ素子を形成する工程と、前記陽極箔の誘電体酸化皮膜の耐電圧とセパレータの厚みおよび密度によって決定され、陽極箔と陰極箔の電極間距離が十分確保されていれば放電しない600〜1200Vの直流電圧を、前記コンデンサ素子の夫々のリード線間に印加することにより、放電してしまうコンデンサ素子を除外して良否選別する工程と、上記選別された良品のコンデンサ素子に駆動用電解液を含浸する工程と、このコンデンサ素子を金属ケースに挿入し、この金属ケースの開口部を封口材で封口する工程とからなる電解コンデンサの製造方法。
- セパレータの含水率を7%以下とした請求項1に記載の電解コンデンサの製造方法。
- 電解液を含浸する工程を導電性高分子溶液を用いて、導電性高分子の固体電解質層を形成するようにした請求項1に記載の電解コンデンサの製造方法。
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