JP4735477B2 - 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置 - Google Patents
光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4735477B2 JP4735477B2 JP2006231355A JP2006231355A JP4735477B2 JP 4735477 B2 JP4735477 B2 JP 4735477B2 JP 2006231355 A JP2006231355 A JP 2006231355A JP 2006231355 A JP2006231355 A JP 2006231355A JP 4735477 B2 JP4735477 B2 JP 4735477B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- resin composition
- semiconductor device
- light
- epoxy resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
点から、エポキシ樹脂組成物による樹脂封止が行われている(例えば、特許文献1参照。)。その中でも、エポキシ樹脂組成物によるトランスファーモールドでの樹脂封止は、作業性並びに量産性の面でも優れている。
エポキシ樹脂として、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂である住友化学株式会社製「XL−3」及びブロム化エポキシ樹脂である住友化学株式会社製「ESB400T」を用いた。
表1に示す各成分を配合し、これをミキサーで均一にドライブレンドした後、ニーダーで溶融混練し、次にこの混練物を冷却・固化した後、この固化物を粉砕することによって、光半導体封止用樹脂組成物を封止材料として調製した。
金型温度175℃、キュア時間120秒の成形条件で、光半導体封止用樹脂組成物を金型を用いてトランスファー成形した後、175℃で6時間ポストキュアすることによって、厚み1/16インチ(1.59mm)の試験片を作製した。この試験片に対して、UL94試験方法に従い、耐炎性を測定した。その結果を下記表1に示す。
上記耐炎性の評価時と同一の成形条件により50mmφ×0.3mmtの寸法の円盤状のテストピースを作製した。
図1に示すような2チャンネル型の反射型フォトカプラー(パッケージ形状:8ピンDIP)を次のようにしてそれぞれ50個製造した。すなわち、LED4(GaAs素子)とフォトダイオード5を対向させてリードフレーム7に2組実装し、各組のLED4とフォトダイオード5をシリコン6で一体にドーム状にオーバーコートした後、これらを光半導体封止用樹脂組成物1でトランスファー成形して封止することによって、AとBの2チャンネルからなる反射型フォトカプラーを製造した。狭ギャップ9の厚みは0.3mmである。
上記成形条件により4mm×10mm×80mmの寸法のテストピースを成形した。次に、島津製作所製のオートグラフを用い試験速度2mm/minにて破断強度を測定した。このとき試験条件は、支点間距離64mmとし、支持台2mmRを使用した。そして破断強度が120MPa以上170MPa未満のものを[○]、100MPa以上120MPa未満のものを[△]、100MPa未満のものを[×]と判定して評価した。
上記成形条件により評価用パッケージとして18SOPを10個作製した。この評価用パッケージに125℃で16時間ベーク処理を施した後、85℃/85%RH/96hrの条件で吸湿前処理を施し、更にピーク温度260℃でのIRリフロー処理を三回施した。
上記成形条件により評価用パッケージとして回路幅3μmのアルミニウム配線を施したテスト用素子を実装した16DIPを各10個作製した。この評価用パッケージに、85℃/85%RH/25V/1000hrの条件で高温高湿バイアステストを実施し、電気的なオープン不良の発生がないものを[○]、オープン不良の発生があるものを[×]と判定して評価した。尚、下記表1に示す結果は、10個の評価用パッケージについての平均的な評価である。
2 光半導体装置
3 光半導体素子
Claims (3)
- エポキシ樹脂、硬化剤、シリカ粉末、二酸化チタン及び金属水酸化物を含有し、前記金属水酸化物の表面がアルミニウム化合物、ケイ素化合物、チタン化合物のうち少なくとも一種でコーティングされているものであり、前記金属水酸化物が、水酸化マグネシウム及び水酸化アルミニウムのうち少なくとも一方であることを特徴とする光半導体封止用樹脂組成物。
- 上記金属水酸化物を8〜20重量%の範囲で含有することを特徴とする請求項1に記載の光半導体封止用樹脂組成物。
- 請求項1又は2に記載の光半導体封止用樹脂組成物にて封止して成ることを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006231355A JP4735477B2 (ja) | 2006-08-28 | 2006-08-28 | 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006231355A JP4735477B2 (ja) | 2006-08-28 | 2006-08-28 | 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008050546A JP2008050546A (ja) | 2008-03-06 |
JP4735477B2 true JP4735477B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=39234884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006231355A Active JP4735477B2 (ja) | 2006-08-28 | 2006-08-28 | 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4735477B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6492544B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2019-04-03 | 日立化成株式会社 | 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP7052482B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-04-12 | 住友ベークライト株式会社 | プリプレグ用樹脂組成物、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板、および半導体装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10251486A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-22 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP2001323050A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2004359846A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Kyocera Chemical Corp | 白色の封止用樹脂組成物および電子部品装置 |
JP2005023230A (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Kyocera Chemical Corp | 光半導体封止用樹脂組成物および光半導体装置 |
JP2005179584A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
2006
- 2006-08-28 JP JP2006231355A patent/JP4735477B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10251486A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-22 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP2001323050A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2004359846A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Kyocera Chemical Corp | 白色の封止用樹脂組成物および電子部品装置 |
JP2005023230A (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Kyocera Chemical Corp | 光半導体封止用樹脂組成物および光半導体装置 |
JP2005179584A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008050546A (ja) | 2008-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5060707B2 (ja) | 光反射用熱硬化性樹脂組成物 | |
JP5764423B2 (ja) | 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレームまたは光半導体装置用基板、ならびに光半導体装置 | |
TWI553033B (zh) | 光學半導體元件外圍封裝用樹脂組合物及使用其所得之光學半導體發光裝置 | |
JP2006298973A (ja) | 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置 | |
JP5599561B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法並びに光半導体装置 | |
TWI589637B (zh) | An epoxy resin composition for an optical semiconductor device, a lead frame for an optical semiconductor device produced using the same, a hermetically sealed optical semiconductor device, and an optical semiconductor device | |
JP2012175030A (ja) | 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置 | |
JP2008306151A (ja) | 光半導体用エポキシ樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 | |
JP5143964B1 (ja) | 光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに光半導体装置用成形体 | |
JP2008106180A (ja) | 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置 | |
JP2011258845A (ja) | 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置 | |
JP4894554B2 (ja) | 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置 | |
JP5242530B2 (ja) | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物および光半導体装置 | |
JP4735477B2 (ja) | 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置 | |
JP2012167225A (ja) | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、光半導体装置用反射部材及び光半導体装置 | |
JP4936173B2 (ja) | 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置 | |
JP2009246334A (ja) | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP2003003043A (ja) | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 | |
JP6133004B2 (ja) | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP6142782B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 | |
WO2013145607A1 (ja) | 光反射用樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 | |
TW201527408A (zh) | 光半導體裝置用環氧樹脂組成物及使用其製得之光半導體裝置用引線框、密封型光半導體元件以及光半導體裝置 | |
JP2015227390A (ja) | 光半導体封止用樹脂組成物および光半導体装置 | |
JP2014095051A (ja) | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、該組成物を用いたled用リフレクター及びled装置 | |
JP6191705B2 (ja) | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080728 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101202 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110329 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110411 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4735477 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |