JP4731919B2 - Film-like article - Google Patents

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Description

本発明は、薄膜集積回路を実装したフィルム状物品及びその作製方法に関する。 The present invention relates to a film-like article on which a thin film integrated circuit is mounted and a manufacturing method thereof.

近年、シリコンウェハから形成されるチップを実装した商品を見かける機会が増えてきた。シリコンウェハから形成されるチップにより、多様な情報を記録し、消費者等へ情報を提供することができる。   In recent years, opportunities for seeing products mounted with chips formed from silicon wafers have increased. A chip formed from a silicon wafer can record various information and provide information to consumers and the like.

またシリコンウェハから形成されるチップは、情報の入力を手動で行う必要がないため、入力手間やミスを省くことが期待されている。例えば、情報を発信する必要が生じた際に、相手の宛先番号の読み取り誤りを防止し、簡易なシステム構成でダイヤル操作の誤りがなく、正確に発信できる手段を提供するため、名刺内容の情報を記憶するメモリ機能として非接触ICタグを具備するメモリ機能付き名刺が提案されている(特許文献1参照)。
特開2002−183693号公報
In addition, since chips formed from silicon wafers do not require manual input of information, it is expected to save input labor and errors. For example, when there is a need to send information, information on the contents of the business card is provided in order to prevent the reading error of the other party's destination number, and to provide a means for accurately sending without a dialing error with a simple system configuration. A business card with a memory function that includes a non-contact IC tag has been proposed as a memory function for storing (see Patent Document 1).
JP 2002-183893 A

しかし上記特許文献1では、シリコンウェハから形成されるチップが厚いため、当該チップが設けられている領域には突起ができたり、目に見える大きさで設けられるため、名刺のデザイン性を低下させていた。 However, in the above-mentioned Patent Document 1, since the chip formed from the silicon wafer is thick, the region where the chip is provided has a protrusion or a visible size, which reduces the design of the business card. It was.

そこで本発明は、シリコンウェハから形成されるチップと異なり、デザイン性を損ねない構成を有する集積回路、該集積回路を実装するフィルム状物品、例えば名刺、カード、刊行物を提供することを課題とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide an integrated circuit having a configuration that does not impair designability unlike a chip formed from a silicon wafer, and a film-like article on which the integrated circuit is mounted, for example, a business card, a card, or a publication. To do.

上記課題を鑑み、本発明は、名刺、カード、刊行物等のフィルム状物品に薄膜集積回路(以下IDFチップとも表記する)を実装することを特徴とする。本発明のIDFチップは、0.2μm以下、代表的には40nm〜170nm、好ましくは50nm〜150nmの半導体膜を能動領域として有することを特徴とする。そのため、シリコンウェハから形成されるチップと比較して、薄膜化を達成することができる。 In view of the above problems, the present invention is characterized in that a thin film integrated circuit (hereinafter also referred to as an IDF chip) is mounted on a film-like article such as a business card, card, or publication. The IDF chip of the present invention is characterized by having a semiconductor film of 0.2 μm or less, typically 40 nm to 170 nm, preferably 50 nm to 150 nm as an active region. Therefore, it is possible to achieve a thin film as compared with a chip formed from a silicon wafer.

そして本発明のIDFチップは非常に薄いため、フィルム状物品の材料で挟み込み、当該物品の内部へ実装することができる。その結果、フィルム状物品のデザイン性を損ねることがない。 Since the IDF chip of the present invention is very thin, it can be sandwiched between the materials of the film-like article and mounted inside the article. As a result, the design of the film-like article is not impaired.

フィルム状物品とは、例えば名刺、カード、刊行物といった薄型の物品を指す。これらフィルム状物品の材料は、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリカーボネイト、ポリエチレン-テレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリメタルクリレート、ABS等のアクリル系樹脂等の有機材料、又はクラフトパルプ等の化学パルプ、機械パルプ、麻、ケナフ等の非木材原料から得られるパルプ、古紙パルプ、合成パルプ等の紙材料等がある。 A film-like article refers to a thin article such as a business card, card, or publication. Materials for these film-like articles are acrylic resins such as polypropylene, polyethylene, polystyrene, polycarbonate, polyethylene-terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polymetal acrylate, ABS, etc. Organic materials, or chemical pulps such as kraft pulp, pulps obtained from non-wood raw materials such as mechanical pulp, hemp and kenaf, paper materials such as waste paper pulp and synthetic pulp.

また本発明は、IDFチップは、シリコンウェハから形成されたチップと異なり透光性を有することを特徴とする。そのため、IDFチップを当該物品の表面に貼り付けたり、物品の凹部等実装しても構わない。このように表面等へ実装しても、IDFチップは、透光性を有し、更に薄型であるためデザイン性を損ねることがない。 Further, according to the present invention, the IDF chip is translucent unlike a chip formed from a silicon wafer. Therefore, an IDF chip may be attached to the surface of the article, or a concave portion of the article may be mounted. Even when mounted on the surface or the like in this manner, the IDF chip has translucency and is thin so that the design is not impaired.

また好ましくは、IDFチップが有する半導体膜は、窒素を有する珪素膜等の絶縁膜、及び樹脂に挟まれるように形成すると好ましい。名刺等のフィルム状物品は手で触る機会が多く、半導体膜へのNa等のアルカリ金属侵入が懸念される。そこで絶縁膜や樹脂で覆うことにより、半導体膜へのNa等のアルカリ金属の侵入を防ぐことができると期待される。 Preferably, the semiconductor film included in the IDF chip is formed so as to be sandwiched between an insulating film such as a silicon film containing nitrogen and a resin. Many film-like articles such as business cards are touched by hand, and there is a concern that alkali metal such as Na enters the semiconductor film. Therefore, it is expected that covering with an insulating film or a resin can prevent an alkali metal such as Na from entering the semiconductor film.

以下に、本発明の具体的な構成を示す。 Below, the concrete structure of this invention is shown.

本発明のフィルム状物品は、厚みが0.2μm以下の半導体膜を有する薄膜集積回路が、フィルム状物品の内部に実装されていることを特徴とする。 The film-like article of the present invention is characterized in that a thin film integrated circuit having a semiconductor film having a thickness of 0.2 μm or less is mounted inside the film-like article.

本発明のフィルム状物品は、フィルム状物品に記載された情報を記録可能な薄膜集積回路を有し、厚みが0.2μm以下の半導体膜を有する薄膜集積回路は、フィルム状物品の内部に実装されていることを特徴とする。 The film-like article of the present invention has a thin film integrated circuit capable of recording information described in the film-like article, and the thin film integrated circuit having a semiconductor film having a thickness of 0.2 μm or less is mounted inside the film-like article. It is characterized by being.

本発明のフィルム状物品は、フィルム状物品に記載された情報を記録可能な薄膜集積回路と、薄膜集積回路に接続されるアンテナとを有し、厚みが0.2μm以下の半導体膜を有する薄膜集積回路及びアンテナは、フィルム状物品の内部に実装されていることを特徴とする。 The film-like article of the present invention includes a thin film integrated circuit capable of recording information described in the film-like article and an antenna connected to the thin film integrated circuit, and a thin film having a semiconductor film having a thickness of 0.2 μm or less The integrated circuit and the antenna are mounted inside a film-like article.

本発明のフィルム状物品は、フィルム状物品に記載された情報を記録可能な薄膜集積回路と、薄膜集積回路に接続されるアンテナとを有し、厚みが0.2μm以下の半導体膜を有する薄膜集積回路はフィルム状物品の内部に実装され、アンテナはフィルム状物品の表面に実装されていることを特徴とする。 The film-like article of the present invention includes a thin film integrated circuit capable of recording information described in the film-like article and an antenna connected to the thin film integrated circuit, and a thin film having a semiconductor film having a thickness of 0.2 μm or less The integrated circuit is mounted inside the film-shaped article, and the antenna is mounted on the surface of the film-shaped article.

本発明のフィルム状物品において、薄膜集積回路の位置Xは、フィルム状物品の膜厚をDとすると、(1/2)・D−30μm<X<(1/2)・D+30μmを満たすことを特徴とする。 In the film-like article of the present invention, the position X of the thin film integrated circuit satisfies (1/2) · D−30 μm <X <(½) · D + 30 μm, where D is the film thickness of the film-like article. Features.

本発明のフィルム状物品は、フィルム状物品に記載された情報を記録可能な薄膜集積回路と、薄膜集積回路に接続されるアンテナとを有し、厚みが0.2μm以下の半導体膜を有する薄膜集積回路及びアンテナは、フィルム状物品の表面に実装されていることを特徴とする。 The film-like article of the present invention includes a thin film integrated circuit capable of recording information described in the film-like article and an antenna connected to the thin film integrated circuit, and a thin film having a semiconductor film having a thickness of 0.2 μm or less The integrated circuit and the antenna are mounted on the surface of a film-like article.

本発明のフィルム状物品は、フィルム状物品に記載された情報を記録可能な薄膜集積回路と、薄膜集積回路に接続されるアンテナとを有し、厚みが0.2μm以下の半導体膜を有する薄膜集積回路はフィルム状物品の表面に実装され、アンテナはフィルム状物品の内部に実装されていることを特徴とする。 The film-like article of the present invention includes a thin film integrated circuit capable of recording information described in the film-like article and an antenna connected to the thin film integrated circuit, and a thin film having a semiconductor film having a thickness of 0.2 μm or less The integrated circuit is mounted on the surface of the film-shaped article, and the antenna is mounted inside the film-shaped article.

本発明の凹部が設けられたフィルム状物品は、フィルム状物品に記載された情報を記録可能な薄膜集積回路を有し、厚みが0.2μm以下の半導体膜を有する薄膜集積回路はアンテナを実装していることを特徴とする。 The film-like article provided with the concave portion of the present invention has a thin film integrated circuit capable of recording information described in the film-like article, and the thin film integrated circuit having a semiconductor film having a thickness of 0.2 μm or less is mounted with an antenna. It is characterized by that.

なおフィルム状物品に記載された情報とは、フィルム状物品に記した情報であり、例えば印字された文字、マーク、記号等である。これら印字された文字、マーク、記号等は色を有していてもよい。また音、手触り、凹凸形状等、五感によりわかる情報でもよい。 The information described on the film-like article is information written on the film-like article, for example, printed characters, marks, symbols, and the like. These printed characters, marks, symbols, etc. may have a color. Information that can be understood by the five senses, such as sound, touch, uneven shape, and the like may also be used.

本発明のフィルム状物品において、薄膜集積回路とアンテナとの接続部には、スリット状の開口部が設けられていることを特徴とする。 The film-like article of the present invention is characterized in that a slit-like opening is provided at a connecting portion between the thin film integrated circuit and the antenna.

本発明のフィルム状物品において、異方性導電体、超音波接着剤、又は紫外線硬化樹脂を介して薄膜集積回路と前記アンテナとが接続されていることを特徴とする。 The film-like article of the present invention is characterized in that the thin film integrated circuit and the antenna are connected via an anisotropic conductor, an ultrasonic adhesive, or an ultraviolet curable resin.

本発明のフィルム状物品において、薄膜集積回路は透光性を有することを特徴とする。 In the film-like article of the present invention, the thin film integrated circuit is translucent.

本発明のフィルム状物品において、薄膜集積回路は窒素を有する絶縁膜を有することを特徴とする。 In the film-like article of the present invention, the thin film integrated circuit has an insulating film containing nitrogen.

本発明のフィルム状物品において、薄膜集積回路の厚みは0.1〜3μmであることを特徴とする。 In the film-like article of the present invention, the thickness of the thin film integrated circuit is 0.1 to 3 μm.

本発明のフィルム状物品において、薄膜集積回路は25mm2以下であることを特徴とする。 In the film-like article of the present invention, the thin film integrated circuit is 25 mm 2 or less.

本発明のフィルム状物品において、薄膜集積回路は、水素濃度が1×1019〜5×1020/cm3である半導体膜を有することを特徴とする。 In the film-like article of the present invention, the thin film integrated circuit has a semiconductor film having a hydrogen concentration of 1 × 10 19 to 5 × 10 20 / cm 3 .

本発明のフィルム状物品において、半導体膜はソース、ドレイン、及びチャネル形成領域を有し、ソース、ドレイン、及びチャネル形成領域は、フィルム状物品を曲げる方向に対して垂直となるように設けられていることを特徴とする。 In the film-like article of the present invention, the semiconductor film has a source, a drain, and a channel formation region, and the source, the drain, and the channel formation region are provided so as to be perpendicular to the direction in which the film-like article is bent. It is characterized by being.

本発明のフィルム状物品において、複数の薄膜集積回路を実装することを特徴とする。 In the film-like article of the present invention, a plurality of thin film integrated circuits are mounted.

本発明のフィルム状物品において、複数の薄膜集積回路を実装し、複数の薄膜集積回路はアンテナが一体形成された薄膜集積回路であることを特徴とする。 In the film-like article of the present invention, a plurality of thin film integrated circuits are mounted, and the plurality of thin film integrated circuits are thin film integrated circuits in which an antenna is integrally formed.

本発明のフィルム状物品の作製方法は、第1の基板に、厚みが0.2μm以下の半導体膜を有する、複数の薄膜集積回路を形成し、複数の薄膜集積回路を第2の基板へ転置し、第2の基板を切断することにより、各薄膜集積回路を切り出し、薄膜集積回路の接続端子に、アンテナを接続し、薄膜集積回路及び前記アンテナをフィルム状物品の基材で挟み込むことを特徴とする。
更に好ましくは、第2の基板のない状態で、薄膜集積回路をフィルム状物品の基材で挟み込むとよい。
In the method for producing a film-like article of the present invention, a plurality of thin film integrated circuits having a semiconductor film having a thickness of 0.2 μm or less are formed on a first substrate, and the plurality of thin film integrated circuits are transferred to a second substrate. Then, by cutting the second substrate, each thin film integrated circuit is cut out, an antenna is connected to a connection terminal of the thin film integrated circuit, and the thin film integrated circuit and the antenna are sandwiched between base materials of a film-like article. And
More preferably, the thin film integrated circuit may be sandwiched between the base materials of the film-like article without the second substrate.

本発明のフィルム状物品の作製方法は、第1の基板に、厚みが0.2μm以下の半導体膜を有する、複数の薄膜集積回路を形成し、薄膜集積回路を第2の基板へ転置し、第2の基板を切断することにより、各薄膜集積回路を切り出し、薄膜集積回路の接続端子に、アンテナを接続し、薄膜集積回路及びアンテナをフィルム状物品の基材の表面に実装することを特徴とする。
更に好ましくは、第2の基板のない状態で、薄膜集積回路をフィルム状物品の基材の表面に実装するとよい。
In the method for producing a film-like article of the present invention, a plurality of thin film integrated circuits having a semiconductor film having a thickness of 0.2 μm or less are formed on a first substrate, the thin film integrated circuits are transferred to a second substrate, Each thin film integrated circuit is cut out by cutting the second substrate, an antenna is connected to a connection terminal of the thin film integrated circuit, and the thin film integrated circuit and the antenna are mounted on the surface of the substrate of the film-like article. And
More preferably, the thin film integrated circuit may be mounted on the surface of the base material of the film-like article without the second substrate.

本発明のフィルム状物品の作製方法は、第1の基板に、厚みが0.2μm以下の半導体膜を有する、複数の薄膜集積回路を形成し、薄膜集積回路を第2の基板へ転置し、第2の基板を切断することにより、各薄膜集積回路を切り出し、薄膜集積回路の接続端子に、アンテナを接続し、薄膜集積回路及びアンテナをフィルム状物品の基材の表面の凹部に実装することを特徴とする。
更に好ましくは、第2の基板のない状態で、薄膜集積回路をフィルム状物品の基材の表面の凹部に実装するとよい。
In the method for producing a film-like article of the present invention, a plurality of thin film integrated circuits having a semiconductor film having a thickness of 0.2 μm or less are formed on a first substrate, the thin film integrated circuits are transferred to a second substrate, By cutting the second substrate, each thin film integrated circuit is cut out, the antenna is connected to the connection terminal of the thin film integrated circuit, and the thin film integrated circuit and the antenna are mounted in the concave portion on the surface of the substrate of the film-like article It is characterized by.
More preferably, the thin film integrated circuit may be mounted in the concave portion on the surface of the base material of the film-like article without the second substrate.

本発明のフィルム状物品の作製方法は、第1の基板に、厚みが0.2μm以下の半導体膜を有する、複数の薄膜集積回路を形成し、薄膜集積回路を第2の基板へ転置し、第2の基板を切断することにより、各薄膜集積回路を切り出し、フィルム状物品の基材で薄膜集積回路を挟み込み、基材に形成されたスリット状の開口部を介して、薄膜集積回路にアンテナを接続するように、基材の表面にアンテナを形成することを特徴とする。
更に好ましくは、第2の基板のない状態で、フィルム状物品の基材で薄膜集積回路を挟み込むとよい。
In the method for producing a film-like article of the present invention, a plurality of thin film integrated circuits having a semiconductor film having a thickness of 0.2 μm or less are formed on a first substrate, the thin film integrated circuits are transferred to a second substrate, By cutting the second substrate, each thin film integrated circuit is cut out, the thin film integrated circuit is sandwiched by the base material of the film-like article, and the antenna is connected to the thin film integrated circuit through the slit-shaped opening formed in the base material. An antenna is formed on the surface of the substrate so as to connect the two.
More preferably, the thin film integrated circuit is sandwiched between the base materials of the film-like article without the second substrate.

本発明のフィルム状物品の作製方法は、フィルム状物品の基材の表面にアンテナを形成し、基材の開口部を介して、厚みが0.2μm以下の半導体膜を有する薄膜集積回路が接続するように、薄膜集積回路を実装するフィルム状物品の作製方法であって、薄膜集積回路は、第1の基板に複数形成され、複数の薄膜集積回路を第2の基板へ転置し、第2の基板を切断することにより、前記複数の薄膜集積回路を切り出すことを特徴とする。
更に好ましくは、第2の基板のない状態で、基材の表面に薄膜集積回路を実装するとよい。
In the method for producing a film-like article of the present invention, an antenna is formed on the surface of a substrate of the film-like article, and a thin film integrated circuit having a semiconductor film having a thickness of 0.2 μm or less is connected through the opening of the substrate A method of manufacturing a film-like article on which a thin film integrated circuit is mounted, wherein a plurality of thin film integrated circuits are formed on a first substrate, the plurality of thin film integrated circuits are transferred to a second substrate, and the second The plurality of thin film integrated circuits are cut out by cutting the substrate.
More preferably, a thin film integrated circuit is mounted on the surface of the base material without the second substrate.

本発明のフィルム状物品の作製方法において、アンテナと、薄膜集積回路とを異方性導電体、超音波接着剤、又は紫外線硬化樹脂を用いて接続することを特徴とする。 In the method for producing a film-like article of the present invention, the antenna and the thin film integrated circuit are connected using an anisotropic conductor, an ultrasonic adhesive, or an ultraviolet curable resin.

本発明のフィルム状物品の作製方法において、第2の基板は、ポリエチレン-テレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルフォン、及びアクリルを有することを特徴とする。 In the method for producing a film-like article of the present invention, the second substrate includes polyethylene-terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, and acrylic.

本発明のフィルム状物品の作製方法において、アンテナは、液滴吐出法、スパッタリング法、印刷法、メッキ法、フォトリソグラフィー法及びメタルマスクを用いた蒸着法のいずれか、又はそれらを組み合わせた方法により形成することを特徴とする。 In the method for producing a film-like article of the present invention, the antenna is formed by any one of a droplet discharge method, a sputtering method, a printing method, a plating method, a photolithography method, a vapor deposition method using a metal mask, or a combination thereof. It is characterized by forming.

本発明のIDFチップは、薄型、透光性を有するため、フィルム状物品、例えば名刺やカードへIDFチップを実装してもデザイン性を損ねることがない。加えて本発明のIDFチップは、軽量、柔軟性に富むため、IDFチップの耐久性を向上させることができる。このように、IDFチップにより、デザイン性を損ねることなく名刺やカード等へ実装することができる。 Since the IDF chip of the present invention is thin and translucent, even if the IDF chip is mounted on a film-like article such as a business card or a card, the design is not impaired. In addition, since the IDF chip of the present invention is light and flexible, the durability of the IDF chip can be improved. As described above, the IDF chip can be mounted on a business card or a card without impairing the design.

また、このようなIDFチップを適用することにより、セキュリティ性を高めることが可能である。もちろん、名刺やカード等にIDFチップを実装することにより、情報の管理を簡便なものとすることができる。また手入力によるミスをなくし、短時間で情報交換を行うことができる。このように、IDFチップにより名刺やカード等の利便性を向上することもができる。 Further, by applying such an IDF chip, security can be improved. Of course, information management can be simplified by mounting an IDF chip on a business card or card. In addition, errors due to manual input can be eliminated, and information can be exchanged in a short time. Thus, the convenience of business cards and cards can be improved by the IDF chip.

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発 明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から 逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention can be implemented in many different modes, and it is easy for those skilled in the art to make various changes in form and details without departing from the spirit and scope of the present invention. Understood. Therefore, the present invention is not construed as being limited to the description of this embodiment mode. Note that in all the drawings for describing the embodiments, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals, and repetitive description thereof is omitted.

以下の実施の形態の多くは、フィルム状物品として名刺を用いて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 Many of the following embodiments will be described using a business card as a film-like article, but the present invention is not limited to this.

(実施の形態1)
本実施の形態では、IDFチップ実装の名刺の構成、及び名刺への実装方法について説明する。なお本実施の形態では、非接触型のIDFチップを名刺へ実装する場合を用いて説明するがこれに限定されない。また特に、非接触型のIDFチップを無線チップとも呼ぶ。
(Embodiment 1)
In this embodiment, a structure of a business card mounted with an IDF chip and a mounting method on the business card will be described. Note that in this embodiment mode, a case where a non-contact type IDF chip is mounted on a business card is described, but the present invention is not limited to this. In particular, a non-contact type IDF chip is also referred to as a wireless chip.

図1(A)に示すように、IDFチップ100と、アンテナ101とが形成されたアンテナ用基板102を用意する。IDFチップは、ガラス基板上へ形成し、その後の剥離工程を経て、アンテナ用基板102へ転置することができる。また剥離工程後、フレキシブル基板へ転置後、アンテナ用基板102へ実装してもよい。アンテナの作製工程及び剥離工程の詳細については後述する。 As shown in FIG. 1A, an antenna substrate 102 on which an IDF chip 100 and an antenna 101 are formed is prepared. The IDF chip can be formed over a glass substrate and transferred to the antenna substrate 102 through a subsequent peeling step. Further, after the peeling step, the substrate may be mounted on the antenna substrate 102 after being transferred to the flexible substrate. Details of the antenna manufacturing process and the peeling process will be described later.

また本実施の形態において、アンテナはIDFチップと別に形成しているが、IDFチップの作製工程で、一体となるように形成してもよい。通信距離が数十cmと短い場合は、アンテナをさほど長くする必要がなく、IDFチップと一体形成することが可能となる。一体形成する場合は後述する。 In this embodiment mode, the antenna is formed separately from the IDF chip. However, the antenna may be formed integrally in the manufacturing process of the IDF chip. When the communication distance is as short as several tens of centimeters, it is not necessary to lengthen the antenna so much that it can be formed integrally with the IDF chip. In the case of integral formation, it is described later.

IDFチップは0.2μm以下、代表的には40nm〜170nm、好ましくは50nm〜150nmの半導体膜を能動領域として有しているため、シリコンウェハから形成されるチップと比較して、薄膜化を達成することができる。半導体膜を含めた全体の厚みは、5μm以下、好ましくは0.1μm〜3μmとすることができる。またIDFチップは商品自体へ転置したり、フレキシブル基板へ転置したりすることができるため、シリコンウェハから形成されるチップと比較して、軽量化を達成することができる。このようなIDFチップにより、名刺等のフィルム状物品のデザイン性を損ねることがない。 An IDF chip has a semiconductor film of 0.2 μm or less, typically 40 nm to 170 nm, preferably 50 nm to 150 nm as an active region, so that it is thinner than a chip formed from a silicon wafer. can do. The total thickness including the semiconductor film can be 5 μm or less, preferably 0.1 μm to 3 μm. In addition, since the IDF chip can be transferred to a product itself or transferred to a flexible substrate, the weight can be reduced as compared with a chip formed from a silicon wafer. Such an IDF chip does not impair the design of film-like articles such as business cards.

更にIDFチップが有する半導体膜は、シリコンウェハから形成されるチップと異なり、水素を1×1019〜5×1020/cm3有する。水素により、半導体膜中の欠陥(ダングリングボンド)を緩和する、所謂欠陥のターミネート効果を奏することができる。加えて、IDFチップの柔軟性を高めることができる。その結果、名刺のような柔軟性の高いフィルム状物品に実装しても、IDFチップの破損を防止することができる。また水素の代わりにハロゲンを有するように形成してもよい。 Further, unlike a chip formed from a silicon wafer, a semiconductor film included in the IDF chip has 1 × 10 19 to 5 × 10 20 / cm 3 of hydrogen. Hydrogen can provide a so-called defect termination effect that alleviates defects (dangling bonds) in the semiconductor film. In addition, the flexibility of the IDF chip can be increased. As a result, the IDF chip can be prevented from being damaged even when mounted on a highly flexible film-like article such as a business card. Alternatively, a halogen may be used instead of hydrogen.

図1(B)には、アンテナ用基板102のa−bにおける断面図を示す。IDFチップ100は、アンテナ用基板の一方の面102aに設けられており、アンテナ101a、101bはアンテナ用基板の一方の面102a、及び他方の面102bにそれぞれ設けられている。 FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line ab of the antenna substrate 102. The IDF chip 100 is provided on one surface 102a of the antenna substrate, and the antennas 101a and 101b are provided on one surface 102a and the other surface 102b of the antenna substrate, respectively.

図1(C)及び(D)には、アンテナと、IDFチップとの接続領域の拡大図を示す。 1C and 1D are enlarged views of a connection region between the antenna and the IDF chip.

図1(C)左図は、アンテナ101a、101bが交差する領域を示している。アンテナ101a、101bは、アンテナ用基板102を介して両面に設けられているため、上方から見ると交差する領域がある。このアンテナの交差部では、アンテナ間でショートしないように絶縁物を介す必要がある。本実施の形態では、この絶縁物として、アンテナ用基板102の絶縁性を利用している。そのため、アンテナ用基板102の両面に設けられたアンテナ101a、101bは、アンテナ用基板の開口部を介して接続している。開口部は、例えばスリット状に設けられており、アンテナ101aとアンテナ101bとをプレスすることにより、アンテナの材料が押し出され、アンテナ101aとアンテナ101bとが接続されている。スリット状に開口部を設けることにより、不必要なアンテナ材料が押し出されたり、不要な圧力がかかることがなく、アンテナ101aが剥がれることを防止できる。なお開口部は、スリット状に限定されることはない。 The left figure of FIG.1 (C) has shown the area | region where antenna 101a, 101b cross | intersects. Since the antennas 101a and 101b are provided on both surfaces via the antenna substrate 102, there is a region where they intersect when viewed from above. At the intersection of the antennas, an insulator needs to be interposed so as not to cause a short circuit between the antennas. In this embodiment, the insulating property of the antenna substrate 102 is used as the insulator. Therefore, the antennas 101a and 101b provided on both surfaces of the antenna substrate 102 are connected through the openings of the antenna substrate. The opening is provided in a slit shape, for example, and the antenna 101a and the antenna 101b are connected by pressing the antenna 101a and the antenna 101b to push out the antenna material. By providing the opening in a slit shape, unnecessary antenna material is not pushed out, unnecessary pressure is not applied, and the antenna 101a can be prevented from peeling off. The opening is not limited to a slit shape.

また図1(C)右図は、アンテナ用基板102を介して、IDFチップ100と、アンテナ101bとが接続する領域を示している。アンテナの交差領域と同様に、アンテナ用基板102に設けられた開口部から、アンテナ101bの材料が押し出されることで、IDFチップが有する接続配線に接続される。開口部は、アンテナが交差する領域と同様にスリット状に設けてもよい。このとき、IDFチップには、接続を容易にするため、接続端子となる領域(以下、接続端子と表記する)としてバンプ106を設けるとよい。このようなバンプにより、接続抵抗を下げることができる。 1C shows a region where the IDF chip 100 and the antenna 101b are connected through the antenna substrate 102. FIG. Similarly to the antenna crossing region, the material of the antenna 101b is pushed out from the opening provided in the antenna substrate 102, thereby connecting to the connection wiring of the IDF chip. The opening may be provided in a slit shape as in the region where the antennas intersect. At this time, in order to facilitate the connection, the IDF chip may be provided with bumps 106 as regions to be connection terminals (hereinafter referred to as connection terminals). Such bumps can reduce the connection resistance.

図1(D)には、図1(C)と異なる手段によりアンテナ101a及び101bを接続する例を示す。 FIG. 1D illustrates an example in which the antennas 101a and 101b are connected by a means different from that in FIG.

図1(D)左図は、アンテナ用基板102を介して両面に設けられたアンテナが交差する領域であって、図1(C)右図と同様に、スリット状の開口部が設けられている。異なる構成は、アンテナ101aと、アンテナ101bとを接続する手段に、導電体107を有する異方性導電体を用いている点である。このようにアンテナ材料以外の導電体を用いて接続してもよい。 The left figure in FIG. 1D is a region where the antennas provided on both sides intersect with each other through the antenna substrate 102. Similarly to the right figure in FIG. 1C, a slit-like opening is provided. Yes. A different configuration is that an anisotropic conductor having a conductor 107 is used as means for connecting the antenna 101a and the antenna 101b. Thus, you may connect using conductors other than antenna material.

図1(D)右図は、IDFチップとアンテナとが接続される領域であって、図1(C)左図と同様に、開口部が設けられている。異なる構成は、アンテナとIDFチップとを接続する手段に、バンプのかわりに、導電体107を有する異方性導電体を用いている点である。 The right diagram in FIG. 1D is a region where the IDF chip and the antenna are connected, and an opening is provided as in the left diagram in FIG. A different configuration is that an anisotropic conductor having a conductor 107 is used instead of the bump as means for connecting the antenna and the IDF chip.

なお異方性導電体は、接続領域に選択的に設けてもよいし、アンテナ用基板102の全体に設けてもよい。異方性導電体を全体に設ける場合であっても、接続領域において、導電体107が圧縮されることで、接続領域のアンテナ同士、及びアンテナとIDFチップのみが接続される。そのため、接続する必要のないアンテナ同士がショートすることはない。 Note that the anisotropic conductor may be selectively provided in the connection region or may be provided over the entire antenna substrate 102. Even in the case where the anisotropic conductor is provided on the whole, the conductor 107 is compressed in the connection region, so that the antennas in the connection region and only the antenna and the IDF chip are connected. Therefore, antennas that do not need to be connected do not short-circuit.

本実施の形態では、アンテナ用基板の両面にアンテナ101a、101bを形成する場合について説明したが、一方の面に設けられた第1のアンテナ上に絶縁膜を形成し、交差部でのショートを防止するため絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に第2のアンテナを形成し、第1及び第2のアンテナを絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続してもよい。 In this embodiment mode, the case where the antennas 101a and 101b are formed on both surfaces of the antenna substrate has been described. However, an insulating film is formed over the first antenna provided on one surface, and a short circuit at the intersection is performed. In order to prevent this, an insulating film may be formed, a second antenna may be formed over the insulating film, and the first and second antennas may be connected through contact holes formed in the insulating film.

このようなアンテナ用基板を、名刺の基材105へ挟み込んで名刺にIDFチップを実装する。 Such an antenna substrate is sandwiched between a business card base 105 and an IDF chip is mounted on the business card.

その後、図2(A)に示すように、名刺120表面に、所定の記載を印字する。このようにしてIDFチップ実装の名刺が完成する。 Thereafter, as shown in FIG. 2A, a predetermined description is printed on the surface of the business card 120. In this way, a business card mounted with an IDF chip is completed.

図2(B)には、名刺120のc−dにおける断面図を示す。 FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line cd of the business card 120.

このようにIDFチップを袋状に挟み込むことにより、接着面、具体的には接着する必要のある端部が3辺と少なくすることができる。そして名刺の強度、つまり耐久性を向上させることもできる。 Thus, by sandwiching the IDF chip in a bag shape, the adhesive surface, specifically, the end portions that need to be bonded can be reduced to three sides. And the strength of the business card, that is, the durability can be improved.

本実施の形態では、袋状に挟み込むことによりIDFチップを実装する例を説明したが、二つの紙状の基材によりIDFチップを挟んで実装してもよい。この場合、接着する必要のある端部が4辺となる。 In this embodiment, the example in which the IDF chip is mounted by being sandwiched in a bag shape has been described. However, the IDF chip may be mounted by being sandwiched between two paper-like substrates. In this case, there are four sides that need to be bonded.

また接着面は、端部のみとするだけでなく、アンテナ用基板102の所定の領域に開口部を設けて、接着性を増加させてもよい。 Further, the adhesive surface is not limited to the end portion, but an opening may be provided in a predetermined region of the antenna substrate 102 to increase the adhesiveness.

また図3に示すように、アンテナ101が一体形成されたIDFチップ100を実装してもよい。IDFチップは、その周囲が名刺の基材105で覆われるように形成し、IDFチップは、名刺の中心部に配置するとよい。その結果、IDFチップの機械的強度を高めることができる。具体的には、IDFチップを挟み込む位置(IDFチップの中心):Xは、名刺の膜厚をDとすると、(1/2)・D−30μm<X<(1/2)・D+30μmとするとよい。この位置は、アンテナが別途形成されている場合であっても、満たすと好ましい。 As shown in FIG. 3, an IDF chip 100 in which an antenna 101 is integrally formed may be mounted. The IDF chip is formed so that the periphery thereof is covered with the business card substrate 105, and the IDF chip is preferably arranged at the center of the business card. As a result, the mechanical strength of the IDF chip can be increased. Specifically, the position where the IDF chip is sandwiched (center of the IDF chip): X is (1/2) · D−30 μm <X <(1/2) · D + 30 μm where D is the thickness of the business card Good. This position is preferably satisfied even when the antenna is formed separately.

以上、本実施の形態のようにIDFチップを名刺の基材で覆うこと、つまり名刺内部に実装することにより、IDFチップ及び名刺の耐久性を向上させることができる。 As described above, the durability of the IDF chip and the business card can be improved by covering the IDF chip with the base material of the business card as in the present embodiment, that is, by mounting the IDF chip inside the business card.

またIDFチップに入力されている情報は、名刺の印字に関する情報、ホームページ等の、その他の企業に関する情報、又は企業の宣伝等が挙げられる。特に、電話番号や電子メールアドレス等の情報を取り扱う場合、名刺を受け取った側がアクセスするとき、例えば電子メールソフトにメールアドレスが自動入力されるとよい。具体的には、IDFチップの情報を読み出すリーダ装置を介して、パーソナルコンピュータ等に自動的に入力されるとよい。その結果、手動による入力ミスを防止することができる。 The information input to the IDF chip includes information on business card printing, information on other companies such as a home page, or company advertisements. In particular, when handling information such as a telephone number and an e-mail address, when the business card receiving side accesses, for example, the e-mail address may be automatically input into e-mail software. Specifically, it may be automatically input to a personal computer or the like via a reader device that reads information of the IDF chip. As a result, manual input errors can be prevented.

本実施の形態では、非接触型IDFチップを実装する場合について説明したが、接触型IDFチップ、及びハイブリッド型IDFチップのいずれを適用してもよい。 In this embodiment, the case of mounting a non-contact type IDF chip has been described, but either a contact type IDF chip or a hybrid type IDF chip may be applied.

(実施の形態2)
上記特許文献1に記載されるように、シリコンウェハから形成するチップは非透光性であるため、名刺の裏面、つまり印字面のない面に実装していた。しかし、本発明のIDFチップは透光性を有するため、名刺の表面であって、印字面上に実装しても構わない。そこで本実施の形態では、上記実施の形態と異なり、名刺の表面にIDFチップを貼り付ける場合について説明する。
(Embodiment 2)
As described in Patent Document 1, since a chip formed from a silicon wafer is non-translucent, it is mounted on the back side of a business card, that is, the side without a printing surface. However, since the IDF chip of the present invention has translucency, it may be mounted on the printing surface, which is the surface of a business card. Therefore, in this embodiment, unlike the above embodiment, a case where an IDF chip is attached to the surface of a business card will be described.

図4(A)には、表面にIDFチップ100及びアンテナ101を実装した名刺120を示す。また図4(B)にはe−fにおける断面図を示す。なおIDFチップ及びアンテナの構造及び作製工程は後述する。 FIG. 4A shows a business card 120 on which an IDF chip 100 and an antenna 101 are mounted. FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line ef. The structure and manufacturing process of the IDF chip and antenna will be described later.

IDFチップが透光性を有する一方、アンテナは金属から形成されることが多く、非透光性である。そのため、アンテナは名刺の端、つまり名刺の周囲へ形成するとよい。また透光性を有する金属材料、例えばインジウム錫酸化物(ITO、Indium Tin Oxide)、酸化インジウムに2〜20%の酸化亜鉛(ZnO)を混合したIZO(indium zinc oxide)、酸化インジウムに2〜20%の酸化珪素(SiO2)を混合したITO−SiOx(便宜上ITSOと表記する)、有機インジウムを用いて、アンテナを形成することができれば、印字を妨げることがない。 While the IDF chip has translucency, the antenna is often made of metal and is not translucent. Therefore, the antenna is preferably formed at the end of the business card, that is, around the business card. Further, a light-transmitting metal material such as indium tin oxide (ITO), indium oxide mixed with 2 to 20% zinc oxide (ZnO), indium oxide 2 If an antenna can be formed using ITO-SiOx (referred to as ITSO for convenience) mixed with 20% silicon oxide (SiO 2 ) and organic indium, printing is not hindered.

またあえて、アンテナの非透光性を利用して、名刺の美観を高めてもよい。すなわち、アンテナを飾りとして名刺に形成してもよい。 In addition, the beauty of the business card may be enhanced by utilizing the non-translucency of the antenna. In other words, an antenna may be formed on a business card as a decoration.

このようにIDFチップを実装後、名刺全体を封止加工(ラミネート加工)により樹脂121で覆い、IDFチップ及び名刺の耐久性を向上させることもできる。またIDFチップへの不純物の侵入が懸念される場合、少なくともIDFチップを覆うように樹脂等を形成する。 In this way, after mounting the IDF chip, the entire business card can be covered with a resin 121 by sealing (lamination) to improve the durability of the IDF chip and the business card. When there is a concern about the intrusion of impurities into the IDF chip, a resin or the like is formed so as to cover at least the IDF chip.

もちろんIDFチップやアンテナは、名刺の裏面等の印字のない面に実装しても構わない。 Of course, the IDF chip and the antenna may be mounted on a non-printed surface such as the back side of a business card.

本実施の形態では、非接触型IDFチップを実装する場合について説明したが、接触型IDFチップ、及びハイブリッド型IDFチップのいずれを適用してもよい。 In this embodiment, the case of mounting a non-contact type IDF chip has been described, but either a contact type IDF chip or a hybrid type IDF chip may be applied.

(実施の形態3)
本実施の形態では、上記実施の形態と異なり、凹部にIDFチップを実装した名刺の形態について説明する。
(Embodiment 3)
In the present embodiment, unlike the above embodiment, a business card form in which an IDF chip is mounted in a recess will be described.

図5(A)には、凹部122にアンテナを一体形成したIDFチップ100を実装した名刺120を示す。アンテナを一体形成したIDFチップであっても、5mm平方(25mm2)以下、好ましくは0.3mm平方(0.09mm2)〜4mm平方(16mm2)とすることができるため、名刺の模様として設けられるような凹部に実装することができる。また図5(B)にはg−hにおける断面図を示す。なおIDFチップ及びアンテナの構造及び作製工程は後述する。 FIG. 5A shows a business card 120 on which an IDF chip 100 in which an antenna is integrally formed in a recess 122 is mounted. Even IDF chip formed integrally with the antenna, 5 mm square (25 mm 2) or less, preferably may be a 0.3mm square (0.09 mm 2) to 4 mm square (16 mm 2), as a pattern of a business card It can be mounted in a recess as provided. FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line gh. The structure and manufacturing process of the IDF chip and antenna will be described later.

アンテナを一体形成したIDFチップ100は、アンテナ用基板102上に形成されたアンテナ101と、IDFチップ100が異方性導電体123の導電体107を介して接続された状態を有する。そして少なくともIDFチップを覆って樹脂125等が設けられている。樹脂によりIDFチップの耐久性を向上させたり、実装時の破損を防止したり、携帯性を高めることができる。 The IDF chip 100 in which the antenna is integrally formed has a state in which the antenna 101 formed on the antenna substrate 102 and the IDF chip 100 are connected via the conductor 107 of the anisotropic conductor 123. A resin 125 or the like is provided so as to cover at least the IDF chip. The resin can improve the durability of the IDF chip, prevent damage during mounting, and improve portability.

このように凹部に設ける場合は、アンテナを一体形成したIDFチップが好ましいが、上記実施の形態のようにアンテナを別途形成してもよい。 When the concave portion is provided as described above, an IDF chip in which the antenna is integrally formed is preferable, but the antenna may be separately formed as in the above embodiment.

このようにIDFチップを実装後、凹部の平坦性を高めるためにIDFチップを樹脂121で覆ってもよい。樹脂により、IDFチップの耐久性を向上し、不純物の侵入を防止することもできる。また名刺全体を覆うように、封止加工(ラミネート加工)し、名刺の耐久性を向上させてもよい。 After mounting the IDF chip in this manner, the IDF chip may be covered with the resin 121 in order to improve the flatness of the recess. The resin can improve the durability of the IDF chip and prevent impurities from entering. Further, the business card may be sealed (laminated) so as to cover the entire business card, thereby improving the durability of the business card.

本実施の形態では、非接触型IDFチップを実装する場合について説明したが、接触型IDFチップ、及びハイブリッド型IDFチップのいずれを適用してもよい。 In this embodiment, the case of mounting a non-contact type IDF chip has been described, but either a contact type IDF chip or a hybrid type IDF chip may be applied.

(実施の形態4)
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる名刺の形態について説明する。
(Embodiment 4)
In this embodiment, a form of a business card different from the above embodiment will be described.

図6(A)に示すように、IDFチップ100を一方の基材105a、及び他方の基材105bにより挟み込むように実装する。なおIDFチップの構造及び作製工程は後述する。 As shown in FIG. 6A, the IDF chip 100 is mounted so as to be sandwiched between one base material 105a and the other base material 105b. The structure and manufacturing process of the IDF chip will be described later.

その後、図6(B)に示すように、一方の基板105aと他方の基材105bを接着する。このとき、一方の基材の表面に開口部が設けられており、当該開口部を介してIDFチップのバンプ106と、名刺表面に形成されたアンテナ101とを接続することができる。このときアンテナは、非透光性を有することが多いため、名刺の端、つまり周囲へ形成するとよい。なおアンテナの構造及び作製工程は後述する。 Thereafter, as shown in FIG. 6B, one substrate 105a and the other base material 105b are bonded. At this time, an opening is provided on the surface of one of the substrates, and the bump 106 of the IDF chip and the antenna 101 formed on the surface of the business card can be connected through the opening. At this time, since the antenna often has non-translucency, it is preferable to form the antenna at the end of the business card, that is, around the antenna. The structure and manufacturing process of the antenna will be described later.

図6(C)には、名刺120の上面図を示しており、m−nにおける断面図が図6(A)(B)に相当する。 FIG. 6C illustrates a top view of the business card 120, and a cross-sectional view taken along line mn corresponds to FIGS. 6A and 6B.

このようにIDFチップと、アンテナを、名刺の内部と表面、といった異なる位置に形成することにより、IDFチップ及びアンテナの実装位置やサイズの制約をなくすことができる。例えば、CPU(中央演算処理装置)等を有するIDFチップを実装する場合、IDFチップのサイズが大きくなってしまう。加えて、アンテナの巻き数を多くする必要もある。なおアンテナの巻き数は、通信距離にも制約される。このような場合、名刺のサイズに、アンテナとIDFチップと実装することが難しくなることが懸念される。しかし、本実施の形態のようにアンテナと、IDFチップとの実装位置を分けることにより、これらの実装を可能にすることができる。 By thus forming the IDF chip and the antenna at different positions such as the inside and the surface of the business card, restrictions on the mounting position and size of the IDF chip and the antenna can be eliminated. For example, when an IDF chip having a CPU (Central Processing Unit) or the like is mounted, the size of the IDF chip is increased. In addition, it is necessary to increase the number of turns of the antenna. Note that the number of turns of the antenna is also limited by the communication distance. In such a case, there is a concern that it is difficult to mount the antenna and the IDF chip on the size of the business card. However, these mountings can be made possible by separating the mounting positions of the antenna and the IDF chip as in the present embodiment.

本実施の形態では、非接触型IDFチップを実装する場合について説明したが、接触型IDFチップ、及びハイブリッド型IDFチップのいずれを適用してもよい。 In this embodiment, the case of mounting a non-contact type IDF chip has been described, but either a contact type IDF chip or a hybrid type IDF chip may be applied.

(実施の形態5)
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる名刺の形態について説明する。
(Embodiment 5)
In this embodiment, a form of a business card different from the above embodiment will be described.

IDFチップは、シリコンウェハから形成されるチップと異なり、透光性を有する基板上に形成することができるので、透光性を有する。そのため、印字上にIDFチップを実装しても、表示を妨げることがないことは上述した通りである。しかし、アンテナは金属からなるため、透光性を有することが難しかった。透光性を有する材料を検討する余地はあるが、抵抗等の問題がある。そこで、本実施の形態では、アンテナを名刺内部に実装し、IDFチップを名刺表面に実装する形態を説明する。 Unlike a chip formed from a silicon wafer, an IDF chip can be formed on a light-transmitting substrate, and thus has a light-transmitting property. Therefore, as described above, even if the IDF chip is mounted on the print, the display is not hindered. However, since the antenna is made of metal, it is difficult to have translucency. Although there is room for studying a light-transmitting material, there are problems such as resistance. Therefore, in this embodiment, an embodiment in which an antenna is mounted inside a business card and an IDF chip is mounted on the surface of the business card will be described.

まず図7(A)に示すように、上記実施の形態と同様に、他方の基材105b上にアンテナを形成する。なおアンテナの構造及び作製工程は後述する。そして図7(B)に示すように、当該アンテナを一方の基材105a及び他方の基材105bで挟み込む。このとき、一方の基材105aには、開口部が設けられており、IDFチップ100のバンプ106と接続することができる。開口部は、アンテナがIDFチップと接続するための端子領域上に設けられている。なおIDFチップの構造及び作製工程は後述する。 First, as shown in FIG. 7A, an antenna is formed over the other base material 105b as in the above embodiment. The structure and manufacturing process of the antenna will be described later. Then, as shown in FIG. 7B, the antenna is sandwiched between one base material 105a and the other base material 105b. At this time, one base material 105 a is provided with an opening, and can be connected to the bump 106 of the IDF chip 100. The opening is provided on the terminal region for connecting the antenna to the IDF chip. The structure and manufacturing process of the IDF chip will be described later.

図7(C)には、名刺120の上面図を示しており、o−pにおける断面図が図7(A)(B)に相当する。 FIG. 7C shows a top view of the business card 120, and a cross-sectional view taken along op corresponds to FIGS. 7A and 7B.

このように透光性を有するIDFチップのみを名刺表面に実装することにより、IDFチップの実装位置やサイズの制約をなくすことができる。またアンテナとIDFチップを異なる位置に形成するため、アンテナ及びIDFチップの実装位置やサイズの制約をなくすことができることは上記実施の形態と同様である。特に、透光性を有するIDFチップを名刺表面に実装することにより、印字による表示を妨げることがなく好ましい。 Thus, by mounting only the IDF chip having translucency on the surface of the business card, restrictions on the mounting position and size of the IDF chip can be eliminated. Further, since the antenna and the IDF chip are formed at different positions, restrictions on the mounting position and size of the antenna and the IDF chip can be eliminated as in the above embodiment. In particular, it is preferable to mount a translucent IDF chip on the surface of a business card without hindering display by printing.

本実施の形態では、非接触型IDFチップを実装する場合について説明したが、接触型IDFチップ、及びハイブリッド型IDFチップのいずれを適用してもよい。 In this embodiment, the case of mounting a non-contact type IDF chip has been described, but either a contact type IDF chip or a hybrid type IDF chip may be applied.

(実施の形態6)
本実施の形態では、上記実施の形態と異なり、複数のIDFチップを実装する名刺の形態について説明する。
(Embodiment 6)
In this embodiment mode, a form of a business card on which a plurality of IDF chips are mounted will be described, unlike the above embodiment mode.

図10(A)に示すように、6つのIDFチップ100(A)、100(B)、100(C)、100(D)、100(E)、100(F)を名刺120へ実装する。複数のIDFチップのうち、アンテナ101はIDFチップ100(A)にのみ接続され、その他はアンテナが一体形成されたIDFチップとすることができる。なおIDFチップ及びアンテナの構造及び作製工程は後述する。 As shown in FIG. 10A, six IDF chips 100 (A), 100 (B), 100 (C), 100 (D), 100 (E), and 100 (F) are mounted on the business card 120. Of the plurality of IDF chips, the antenna 101 is connected only to the IDF chip 100 (A), and the others can be IDF chips in which the antenna is integrally formed. The structure and manufacturing process of the IDF chip and antenna will be described later.

複数のIDFチップを実装することにより、名刺に入力される情報量を増やすことができる。更には、名刺の不正使用を防止することができ、セキュリティを向上させることができる。 By mounting a plurality of IDF chips, the amount of information input to the business card can be increased. Furthermore, unauthorized use of business cards can be prevented and security can be improved.

例えば、各IDFチップの相互関係(例えば、配置等)を用い、IDFチップの偽造を防止したりできセキュリティ性を高めることができる。IDFチップをランダムに配置することにより、当該配置との一致不一致を用いても、偽造を防止することができる。 For example, the mutual relationship (for example, arrangement | positioning etc.) of each IDF chip | tip can be used, forgery of an IDF chip | tip can be prevented, and security property can be improved. By randomly arranging the IDF chips, forgery can be prevented even if coincidence / mismatch with the arrangement is used.

また、各IDFチップが有する固有データが一致しない限り、情報を開示できないようにする。固有データとして、マスクROMを利用したり、半導体膜や絶縁膜等のパターニング時にシリアルナンバーを刻印することができる。 Further, information cannot be disclosed unless the unique data of each IDF chip matches. As unique data, a mask ROM can be used, or a serial number can be stamped when patterning a semiconductor film, an insulating film, or the like.

また図10(B)に示すように、全てのIDFチップをアンテナ一体形成のIDFチップとすることができる。 Further, as shown in FIG. 10B, all IDF chips can be formed as integrated IDF chips.

以上、複数のIDFチップを実装する形態を示したが、バーコード、又は磁気テープ等の情報蓄積手段を用いて、情報量を増やしたり、セキュリティを向上させてもよい。 As described above, although a mode in which a plurality of IDF chips are mounted has been shown, information storage means such as a bar code or a magnetic tape may be used to increase the amount of information or improve security.

(実施の形態7)
本実施の形態では、大型基板から複数のIDFチップを形成する場合について図8を用いて説明し、右図にはk−lにおける断面図を示す。
(Embodiment 7)
In this embodiment mode, a case where a plurality of IDF chips are formed from a large substrate will be described with reference to FIGS.

図8(A)に示すように絶縁表面を有する基板200上に、金属を有する膜(以下、金属層と表記する)201を形成する。金属としては、W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Irから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、或いはこれらの積層を用いることができる。金属層の作製方法として例えば、金属のターゲットを用いるスパッタリング法により形成すればよい。なお金属層の膜厚は、10nm〜200nm、好ましくは50nm〜75nmとなるように形成すればよい。 As shown in FIG. 8A, a metal-containing film (hereinafter referred to as a metal layer) 201 is formed over a substrate 200 having an insulating surface. Examples of the metal include an element selected from W, Ti, Ta, Mo, Nd, Ni, Co, Zr, Zn, Ru, Rh, Pd, Os, and Ir, or an alloy material or a compound material containing the element as a main component. A single layer or a stack of these can be used. For example, the metal layer may be formed by a sputtering method using a metal target. Note that the metal layer may be formed to have a thickness of 10 nm to 200 nm, preferably 50 nm to 75 nm.

金属層の代わりに、上記金属の窒化物(例えば、窒化タングステンや窒化モリブデン)を有する膜を用いても構わない。また金属層の代わりに上記金属の合金(例えば、WとMoとの合金:WxMo1-X)を有する膜を用いてもよい。金属の合金は、成膜室内に第1の金属(W)及び第2の金属(Mo)といった複数のターゲットを用いたり、第1の金属(W)と第2の金属(Mo)との合金のターゲットを用いたスパッタリング法により形成することができる。また更に、金属層に窒素や酸素を添加してもよい。添加する方法としては、金属層に窒素や酸素をイオン注入したり、成膜室を窒素や酸素雰囲気としてスパッタリング法により形成すればよい。このときターゲットとして窒化された金属を用いてもよい。 Instead of the metal layer, a film including the metal nitride (eg, tungsten nitride or molybdenum nitride) may be used. Instead of the metal layer, a film having the above metal alloy (for example, an alloy of W and Mo: W x Mo 1-X ) may be used. As the metal alloy, a plurality of targets such as a first metal (W) and a second metal (Mo) are used in the film forming chamber, or an alloy of the first metal (W) and the second metal (Mo). It can form by sputtering method using the target of. Furthermore, nitrogen or oxygen may be added to the metal layer. As a method for addition, nitrogen or oxygen may be ion-implanted into the metal layer, or a film formation chamber may be formed by sputtering in a nitrogen or oxygen atmosphere. At this time, a nitrided metal may be used as a target.

このような金属層により、剥離工程を制御することができる。すなわち、金属の合金を用いた場合、合金の各金属の組成比を制御することにより、剥離工程を制御できる。具体的には、剥離するための加熱温度の制御や、加熱処理の要否までも制御することができる。その結果、プロセスマージンを広げることができる。   The peeling process can be controlled by such a metal layer. That is, when a metal alloy is used, the peeling process can be controlled by controlling the composition ratio of each metal of the alloy. Specifically, it is possible to control the heating temperature for peeling and the necessity of heat treatment. As a result, the process margin can be expanded.

その後、金属層201上に被剥離層を形成する。この被剥離層は絶縁膜202として珪素を有する酸化膜を有し、酸化膜は下地膜としての機能も有する。このような金属層上に形成され、能動素子となる半導体膜より下に設けられた絶縁膜を被剥離層と表記する。被剥離層は単層構造、又は積層構造のいずれでもよい。積層構造の場合、金属層や基板からの不純物やゴミの侵入を防ぐため、窒化珪素(SiN)膜、窒化酸化珪素(SiONやSiNO)膜等の窒素を有する絶縁膜203を設けることができる。窒素を有する絶縁膜も下地膜として機能する。   Thereafter, a layer to be peeled is formed on the metal layer 201. This layer to be peeled has an oxide film containing silicon as the insulating film 202, and the oxide film also has a function as a base film. An insulating film formed on the metal layer and provided below the semiconductor film serving as an active element is referred to as a layer to be peeled. The layer to be peeled may have either a single layer structure or a laminated structure. In the case of a stacked structure, an insulating film 203 containing nitrogen such as a silicon nitride (SiN) film or a silicon nitride oxide (SiON or SiNO) film can be provided in order to prevent impurities and dust from entering from a metal layer or a substrate. An insulating film containing nitrogen also functions as a base film.

珪素を有する酸化膜は、スパッタリング法やCVD法により酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を形成すればよい。珪素を有する酸化膜の膜厚は、金属層の約2倍以上であることが望ましい。本実施の形態では、シリコンターゲットを用いたスパッタリング法により、酸化シリコン膜を150nm〜200nmの膜厚として形成する。   As the oxide film containing silicon, silicon oxide, silicon oxynitride, or the like may be formed by a sputtering method or a CVD method. The thickness of the oxide film containing silicon is preferably about twice or more that of the metal layer. In this embodiment, the silicon oxide film is formed to a thickness of 150 to 200 nm by a sputtering method using a silicon target.

この珪素を有する酸化膜を形成するときに、金属層201の表面に当該金属を有する酸化物(以下、金属酸化物と表記する)が形成される。金属酸化物の膜厚は、0.1nm〜1μm、好ましくは0.1nm〜100nm、更に好ましくは0.1nm〜5nmとなるように形成すればよい。このように金属酸化物は、非常に薄いため膜として観測されない場合があり、図示はしない。また金属酸化物は、硫酸、塩酸或いは硝酸を有する水溶液、硫酸、塩酸或いは硝酸と過酸化水素水とを混同させた水溶液又はオゾン水で処理することにより金属層表面に形成される薄い金属酸化物を用いることもできる。更に他の方法としては、酸素雰囲気中でのプラズマ処理や、酸素含有雰囲気中で紫外線照射することによりオゾンを発生させて酸化処理を行ってもよく、クリーンオーブンを用い200〜350℃程度に加熱して形成してもよい。 When the oxide film containing silicon is formed, an oxide containing the metal (hereinafter referred to as a metal oxide) is formed on the surface of the metal layer 201. The thickness of the metal oxide may be 0.1 nm to 1 μm, preferably 0.1 nm to 100 nm, and more preferably 0.1 nm to 5 nm. Thus, the metal oxide is very thin and may not be observed as a film, and is not shown. The metal oxide is an aqueous solution containing sulfuric acid, hydrochloric acid or nitric acid, an aqueous solution in which sulfuric acid, hydrochloric acid or nitric acid is mixed with hydrogen peroxide, or a thin metal oxide formed on the surface of the metal layer by treatment with ozone water. Can also be used. Further, as another method, plasma treatment in an oxygen atmosphere or oxidation treatment may be performed by generating ozone by irradiating ultraviolet rays in an oxygen-containing atmosphere, and heating to about 200 to 350 ° C. using a clean oven. May be formed.

次いで、窒素を有する絶縁膜203上に半導体膜、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜(以下、ゲート絶縁膜と呼ぶ)205、ゲート電極として機能する導電膜(以下、ゲート電極と呼ぶ)206、ゲート電極をマスクとして半導体膜に不純物領域207n、207pを形成し、ゲート電極及び半導体膜を覆う絶縁膜208を形成し、不純物領域と接続する配線210を形成し、nチャネル型の薄膜トランジスタ230n、及びpチャネル型の薄膜トランジスタ230pを完成させる。このような薄膜トランジスタから、薄膜集積回路を形成することができる。 Next, over the insulating film 203 containing nitrogen, a semiconductor film, an insulating film functioning as a gate insulating film (hereinafter referred to as a gate insulating film) 205, a conductive film functioning as a gate electrode (hereinafter referred to as a gate electrode) 206, a gate Impurity regions 207n and 207p are formed in the semiconductor film using the electrode as a mask, an insulating film 208 covering the gate electrode and the semiconductor film is formed, a wiring 210 connected to the impurity region is formed, an n-channel thin film transistor 230n, and p A channel-type thin film transistor 230p is completed. A thin film integrated circuit can be formed from such a thin film transistor.

なお絶縁膜208からの水素拡散により、半導体膜の水素濃度を1×1019〜5×1020/cm3とすることができる。 Note that the hydrogen concentration of the semiconductor film can be set to 1 × 10 19 to 5 × 10 20 / cm 3 by hydrogen diffusion from the insulating film 208.

また半導体膜は、非晶質半導体、非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体(SASとも表記する)、非晶質半導体中に0.5nm〜20nmの結晶粒を観察することができる微結晶半導体、及び結晶性半導体から選ばれたいずれの状態を有してもよい。特に、0.5nm〜20nmの結晶を粒観察することができる微結晶状態を有する、所謂マイクロクリスタル(μc)と呼ばれている状態を有してもよい。 The semiconductor film can be an amorphous semiconductor, a semi-amorphous semiconductor in which an amorphous state and a crystalline state are mixed (also referred to as SAS), and crystal grains of 0.5 nm to 20 nm can be observed in the amorphous semiconductor. It may have any state selected from a microcrystalline semiconductor and a crystalline semiconductor. In particular, it may have a so-called microcrystal (μc) state in which a crystal of 0.5 nm to 20 nm can be observed.

本実施の形態では、非晶質半導体膜を形成し、加熱処理により結晶化された結晶性半導体膜を形成する。加熱処理とは、加熱炉、レーザー照射、若しくはレーザー光の代わりにランプから発する光の照射(以下、ランプアニールと表記する)、又はそれら組み合わせて用いることができる。 In this embodiment, an amorphous semiconductor film is formed and a crystalline semiconductor film crystallized by heat treatment is formed. The heat treatment can be a heating furnace, laser irradiation, irradiation of light emitted from a lamp instead of laser light (hereinafter referred to as lamp annealing), or a combination thereof.

またレーザー照射を用いる場合、連続発振型のレーザー(CWレーザー)やパルス発振型のレーザー(パルスレーザー)を用いることができる。レーザーとしては、Arレーザー、Krレーザー、エキシマレーザー、YAGレーザー、Y23レーザー、YVO4レーザー、YLFレーザー、YAlO3レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライドレーザー、Ti:サファイヤレーザー、銅蒸気レーザーまたは金蒸気レーザーのうち一種または複数種を用いることができる。またレーザーのビーム形状は、線状とすると好ましく、長軸の長さは200〜350μmとすればよい。また更にレーザーは、半導体膜に対して入射角θ(0°<θ<90°)を持たせてもよい。 When laser irradiation is used, a continuous wave laser (CW laser) or a pulsed laser (pulse laser) can be used. Lasers include Ar laser, Kr laser, excimer laser, YAG laser, Y 2 O 3 laser, YVO 4 laser, YLF laser, YAlO 3 laser, glass laser, ruby laser, alexandride laser, Ti: sapphire laser, copper vapor One or a plurality of lasers or gold vapor lasers can be used. The beam shape of the laser is preferably linear, and the length of the long axis may be 200 to 350 μm. Further, the laser may have an incident angle θ (0 ° <θ <90 °) with respect to the semiconductor film.

なおレーザー照射には、連続発振の基本波のレーザー光と連続発振の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよいし、連続発振の基本波のレーザー光とパルス発振の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよい。 The laser irradiation may be performed by irradiating a continuous wave fundamental laser beam and a continuous wave harmonic laser beam, or a continuous wave fundamental laser beam and a pulsed harmonic laser beam. You may make it irradiate with light.

またパルス発振型のレーザーであって、半導体膜がレーザー光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザー光を照射できるような発振周波数でレーザー光を発振させることで、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。すなわち、パルス発振の周期が、半導体膜が溶融してから完全に固化するまでの時間よりも短くなるように、発振の周波数の下限を定めたパルスビームを使用してもよい。   In addition, it is a pulse oscillation type laser that oscillates laser light at an oscillation frequency that can irradiate the laser light of the next pulse after the semiconductor film is melted by the laser light and solidifies in the scanning direction. Crystal grains grown continuously can be obtained. That is, a pulse beam that defines a lower limit of the oscillation frequency may be used so that the period of pulse oscillation is shorter than the time from when the semiconductor film is melted until it is completely solidified.

実際に用いることができるパルスビームの発振周波数は10MHz以上であって、通常用いられている数十Hz〜数百Hzの周波数帯よりも著しく高い周波数帯を使用する。   The oscillation frequency of the pulse beam that can be actually used is 10 MHz or more, and a frequency band that is significantly higher than the frequency band of several tens to several hundreds Hz that is normally used is used.

なお、希ガスや窒素などの不活性ガス雰囲気中でレーザー光を照射するようにしてもよい。これにより、レーザー光照射による半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密度のばらつきによって生じる閾値のばらつきを抑えることができる。   Note that laser light may be irradiated in an inert gas atmosphere such as a rare gas or nitrogen. Thereby, roughness of the semiconductor surface due to laser light irradiation can be suppressed, and variation in threshold value caused by variation in interface state density can be suppressed.

その他の加熱処理として、加熱炉を用いる場合、非晶質半導体膜を500〜550℃で2〜20時間かけて加熱する。このとき、徐々に高温となるように温度を500〜550℃の範囲で多段階に設定するとよい。最初の低温加熱工程により、非晶質半導体膜の水素等が出てくるため、結晶化の際の膜荒れを低減する、いわゆる水素だしを行うことができる。更に、結晶化を促進させる金属元素、例えばNiを非晶質半導体膜上に形成すると、加熱温度を低減することができ好ましい。   As another heat treatment, when a heating furnace is used, the amorphous semiconductor film is heated at 500 to 550 ° C. for 2 to 20 hours. At this time, the temperature may be set in multiple stages in the range of 500 to 550 ° C. so that the temperature gradually increases. In the first low-temperature heating step, hydrogen or the like of the amorphous semiconductor film comes out, so that so-called hydrogen dipping that reduces film roughness during crystallization can be performed. Furthermore, it is preferable to form a metal element that promotes crystallization, such as Ni, on the amorphous semiconductor film because the heating temperature can be reduced.

但し、金属元素を形成する場合、金属元素が半導体素子の電気特性に悪影響を及ぼすことが懸念されるので、該金属元素を低減又は除去するためのゲッタリング工程を施す必要が生じる。例えば、非晶質半導体膜をゲッタリングシンクとして金属元素を捕獲するよう工程を行えばよい。   However, in the case of forming a metal element, there is a concern that the metal element may adversely affect the electrical characteristics of the semiconductor element. Therefore, it is necessary to perform a gettering step for reducing or removing the metal element. For example, a process may be performed so as to capture a metal element using an amorphous semiconductor film as a gettering sink.

また直接被形成面に、結晶性半導体膜を形成してもよい。この場合、GeF4、又はF2等のフッ素系ガスと、SiH4、又はSi26等のシラン系ガスとを用い、熱又はプラズマを利用して直接被形成面に、結晶性半導体膜を形成することができる。 Alternatively, a crystalline semiconductor film may be formed directly on the surface to be formed. In this case, a crystalline semiconductor film is directly formed on the surface to be formed using heat or plasma using a fluorine-based gas such as GeF 4 or F 2 and a silane-based gas such as SiH 4 or Si 2 H 6. Can be formed.

このような半導体膜は、シリコンウェハから形成されるチップと異なり、水素を1×1019〜5×1020/cm3有するように形成することができるのは上述のとおりである。水素により、半導体膜中の欠陥を緩和する、所謂欠陥のターミネート効果を奏することができる。加えて水素により、IDFチップの柔軟性を高めることができる。 As described above, such a semiconductor film can be formed so as to have hydrogen of 1 × 10 19 to 5 × 10 20 / cm 3 unlike a chip formed from a silicon wafer. Hydrogen can provide a so-called defect termination effect that alleviates defects in the semiconductor film. In addition, the flexibility of the IDF chip can be increased by hydrogen.

更に、IDFチップ形成面に占める面積に対する、パターニングされた半導体膜の面積の割合を、5〜30%とする。これにより、曲げ応力による薄膜トランジスタの破壊や剥がれを防止することができる。 Furthermore, the ratio of the area of the patterned semiconductor film to the area occupied on the IDF chip formation surface is set to 5 to 30%. Thereby, destruction and peeling of the thin film transistor due to bending stress can be prevented.

パターニングされた半導体膜上の平坦性を高めるため、層間絶縁膜209を形成するとよい。層間絶縁膜は、有機材料や無機材料を用いることができる。有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。シロキサンとは、珪素(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構造され、置換基に少なくとも水素を含む、又は置換基にフッ素、アルキル基、又は芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有するポリマー材料を出発原料として形成される。またポリシラザンとは、珪素(Si)と窒素(N)の結合を有するポリマー材料を含む液体材料を出発原料として形成される。無機材料としては、酸化珪素、又は窒化珪素を用いることができる。 In order to improve flatness over the patterned semiconductor film, an interlayer insulating film 209 is preferably formed. An organic material or an inorganic material can be used for the interlayer insulating film. As the organic material, polyimide, acrylic, polyamide, polyimide amide, resist, benzocyclobutene, siloxane, or polysilazane can be used. Siloxane has a skeletal structure with a bond of silicon (Si) and oxygen (O), and the substituent contains at least hydrogen, or the substituent has at least one of fluorine, alkyl groups, and aromatic hydrocarbons. Is formed as a starting material. Polysilazane is formed using a liquid material containing a polymer material having a bond of silicon (Si) and nitrogen (N) as a starting material. As the inorganic material, silicon oxide or silicon nitride can be used.

更に好ましくは、層間絶縁膜及び配線を覆って窒素を有する絶縁膜211を形成する。すなわち、窒素を有する絶縁膜203、及び211により薄膜トランジスタ230は、覆われる。更に加えて、樹脂等により覆ってもよい。その結果、半導体膜への不純物の侵入を防ぐことができる。特に、手で直接さわることができる状態のIDFチップを、名刺等に実装する場合、Na等のアルカリ金属の侵入を防ぐことができる。 More preferably, an insulating film 211 containing nitrogen is formed to cover the interlayer insulating film and the wiring. That is, the thin film transistor 230 is covered with the insulating films 203 and 211 containing nitrogen. In addition, it may be covered with a resin or the like. As a result, impurities can be prevented from entering the semiconductor film. In particular, when an IDF chip that can be directly touched by hand is mounted on a business card or the like, entry of an alkali metal such as Na can be prevented.

その後、層間絶縁膜上に接続端子としてバンプ106を形成する。バンプはアンテナと同様の方法又は材料により形成することができる。 Thereafter, bumps 106 are formed as connection terminals on the interlayer insulating film. The bump can be formed by the same method or material as the antenna.

以上のように薄膜トランジスタを形成後、金属酸化物形成後に加熱処理を行い、金属酸化物を加熱する。または、薄膜トランジスタの作製途中であって、金属酸化物形成後に加熱処理を行ってもよい。加熱処理の結果、金属酸化膜は結晶状態となる。例えば、金属層にW(タングステン)を用いる場合、380〜410℃、例えば400℃で加熱処理を行うと、WO2又はWO3の金属酸化物が結晶状態となる。加熱処理の温度や要否は、選択される金属層により決定すればよい。その結果、必要に応じて金属酸化物を結晶化し、剥離を容易に行うことができる。 After the thin film transistor is formed as described above, heat treatment is performed after the metal oxide is formed, and the metal oxide is heated. Alternatively, heat treatment may be performed during formation of the thin film transistor and after formation of the metal oxide. As a result of the heat treatment, the metal oxide film is in a crystalline state. For example, when W (tungsten) is used for the metal layer, if heat treatment is performed at 380 to 410 ° C., for example, 400 ° C., the metal oxide of WO 2 or WO 3 becomes a crystalline state. What is necessary is just to determine the temperature and necessity of heat processing by the metal layer selected. As a result, if necessary, the metal oxide can be crystallized and peeled off easily.

半導体素子の作製のための加熱処理と、金属酸化膜を結晶化させるための加熱とは、兼用させることができる。例えば金属酸化膜の結晶化の加熱処理は、半導体膜からの急激な水素放出を防止するための所謂水素出し工程の加熱処理や、結晶性半導体膜を形成する場合の加熱炉やレーザー照射を用いることができる。その結果、作製工程を低減することができる。 The heat treatment for manufacturing the semiconductor element and the heating for crystallizing the metal oxide film can be combined. For example, the heat treatment for crystallization of the metal oxide film uses a so-called hydrogen extraction process heat treatment for preventing rapid hydrogen release from the semiconductor film, or a heating furnace or laser irradiation for forming a crystalline semiconductor film. be able to. As a result, manufacturing steps can be reduced.

次いで、基板200を剥離する。このとき剥離を簡便に行うため、支持基板を用いてもよい。例えば、支持基板を、基板200側及び基板200と対向する側にそれぞれ設け、これを用いて剥離を行ってもよい。支持基板には、石英基板を用いることができる。 Next, the substrate 200 is peeled off. At this time, a support substrate may be used for easy separation. For example, support substrates may be provided on the substrate 200 side and the side facing the substrate 200, respectively, and peeling may be performed using the support substrates. A quartz substrate can be used as the support substrate.

更に剥離を簡便に行うため、剥離が開始されるきっかけとなるような、密着性の低下した部分を形成するとよい。例えば、基板又は支持基板に切り込みを入れたり、大型基板の端面から、剥離が行われる領域にカッター等で傷を付けたりする。 Furthermore, in order to perform peeling easily, it is good to form the part where the adhesiveness lowered | hung so that peeling may be started. For example, a cut is made in the substrate or the support substrate, or a region where peeling is performed from the end surface of the large substrate is scratched with a cutter or the like.

このような工程後、結晶化された金属酸化物の層内、又は金属酸化物の両面の境界(界面)、すなわち金属酸化物と金属層との界面或いは金属酸化物と絶縁膜202との界面から剥離が生じ、基板をはずすことができる。 After such a process, the crystallized metal oxide layer or the boundary (interface) between both sides of the metal oxide, that is, the interface between the metal oxide and the metal layer or the interface between the metal oxide and the insulating film 202 Is peeled off and the substrate can be removed.

また剥離手段には、物理的手段又は化学的手段を用いることができる。物理的手段としては基板や支持基板に力を加えればよい。化学的手段としては、剥離層たる金属層とは反応するが、その他の領域とは反応しないエッチング剤を用いればよい。エッチング剤には気体又は液体がある、 Moreover, a physical means or a chemical means can be used for the peeling means. As physical means, a force may be applied to the substrate or the support substrate. As a chemical means, an etchant that reacts with the metal layer as the release layer but does not react with other regions may be used. Etching agent can be gas or liquid,

そして図8(B)に示すようにフレキシブル基板250に接着剤251を用いて、薄膜トランジスタ等を転置し、接着する。なお、転置とは、ある基板へ形成された素子(形成途中の素子を含む)を別の基板へ移すことをいう。フレキシブル基板の材料は、上述したとおりである。 Then, as shown in FIG. 8B, a thin film transistor or the like is transferred to and bonded to the flexible substrate 250 using an adhesive 251. Note that transposition refers to transferring an element (including an element being formed) formed on a certain substrate to another substrate. The material of the flexible substrate is as described above.

また、IDFチップを実装する物品の表面に直接転置してもよい。この場合、フレキシブル基板をない状態で転置することができ、IDFチップの薄膜化、軽量化に貢献することができる。 Moreover, you may transfer directly to the surface of the articles | goods which mount an IDF chip. In this case, it can be transposed without the flexible substrate, which can contribute to making the IDF chip thinner and lighter.

接着剤としては、紫外線硬化樹脂、具体的にはエポキシ樹脂系接着剤或いは樹脂添加剤等の接着剤又は両面テープ等を用いることができる。 As the adhesive, an ultraviolet curable resin, specifically, an adhesive such as an epoxy resin adhesive or a resin additive, a double-sided tape, or the like can be used.

このようなチップにおける厚みを最も占めるガラス基板等を剥離することができ、薄膜のフレキシブル基板へ転置することができるIDFチップにより、名刺の薄膜化を達成することができる。 With such an IDF chip that can be peeled off the glass substrate that occupies the most thickness of the chip, and can be transferred to a thin film flexible substrate, a thin business card can be achieved.

基板を剥離すると、金属酸化物が薄膜トランジスタ側において全て除去されている場合、又は一部或いは大部分が薄膜トランジスタ側に点在(残留)している場合がある。金属酸化物が残留している場合は、エッチング等により除去してもよい。このとき、更に珪素を有する酸化膜を除去しても構わない。残留物や酸化物を除去した後にフレキシブル基板へ転置することにより、接着性の向上が期待できる。   When the substrate is peeled off, the metal oxide may be completely removed on the thin film transistor side, or part or most of the metal oxide may be scattered (residual) on the thin film transistor side. If metal oxide remains, it may be removed by etching or the like. At this time, an oxide film containing silicon may be removed. By removing the residue and oxide and then transferring to a flexible substrate, improvement in adhesion can be expected.

転置が終了後、支持基板を使用したときは、当該支持基板を剥離する。このような、剥離する必要がある支持基板への接着には、剥離可能な接着剤、例えば紫外線により剥離する紫外線剥離型、熱により剥離する熱剥離型或いは水により剥離する水溶性の接着剤、又は両面テープ等を接着剤として使用するとよい。 When the support substrate is used after the transfer, the support substrate is peeled off. For such adhesion to the supporting substrate that needs to be peeled off, a peelable adhesive, for example, an ultraviolet peeling type that peels off by ultraviolet rays, a thermal peeling type that peels off by heat, or a water-soluble adhesive that peels off by water, Or it is good to use a double-sided tape etc. as an adhesive agent.

その後、フレキシブル基板を切断することにより、各IDFチップ100を切り出す。このとき大型のフレキシブル基板を用いることにより、多面取りを行うことができ、IDFチップのコストを下げることができる。 Thereafter, each IDF chip 100 is cut out by cutting the flexible substrate. At this time, by using a large-sized flexible substrate, it is possible to perform multi-cavity and reduce the cost of the IDF chip.

次いで図8(C)に示すように、アンテナ101が形成されたアンテナ用基板102に、IDFチップ100を実装する。 Next, as shown in FIG. 8C, the IDF chip 100 is mounted on the antenna substrate 102 on which the antenna 101 is formed.

断面図に示すように、アンテナ用基板上に設けられたアンテナ101と、バンプ106とが異方性導電体123が有する導電体107により接続されている。 As shown in the cross-sectional view, the antenna 101 provided on the antenna substrate and the bump 106 are connected by the conductor 107 included in the anisotropic conductor 123.

以上のように、IDFチップを形成し、所定の領域に実装することができる。 As described above, an IDF chip can be formed and mounted in a predetermined region.

本実施の形態では、金属層等を用いた剥離法を説明したが、その他の剥離法により基板200を剥離してもよい。例えば、剥離層へレーザーを照射して、基板200を剥離したり、エッチングにより基板200を除去したりすることができる。 In this embodiment mode, the peeling method using a metal layer or the like has been described. However, the substrate 200 may be peeled by another peeling method. For example, the substrate 200 can be peeled by irradiating the peeling layer with a laser, or the substrate 200 can be removed by etching.

また、剥離層が露出するように開口部を形成し、当該開口部にフッ素系、又は塩素系、例えばClF3等のエッチング剤を導入し、基板を剥離することもできる。このとき剥離層には珪素を有する膜、例えば非晶質珪素膜、SAS、結晶性珪素膜を用いる。またフッ素系のエッチング剤としてHFを用いる場合、剥離層には酸化珪素を用いる。 Alternatively, an opening may be formed so that the peeling layer is exposed, and a fluorine-based or chlorine-based etching agent such as ClF 3 may be introduced into the opening to peel off the substrate. At this time, a film containing silicon, for example, an amorphous silicon film, a SAS, or a crystalline silicon film is used for the peeling layer. In the case where HF is used as a fluorine-based etching agent, silicon oxide is used for the peeling layer.

また剥離転置を一切行わずにIDFチップを形成してもよい。この場合、薄膜トランジスタの加熱工程と、基板200の耐熱温度とを考慮する必要がある。
例えば、半導体膜に加熱工程を有しないSASを用いる場合、耐熱性がさほど高くないフレキシブル基板を用いることができる。
また半導体膜に加熱により形成された結晶性半導体膜を用いる場合、該加熱処理に耐えうるガラス基板を用いる必要がある。ガラス基板はフレキシブル基板と比較して厚いため、薄膜化したい場合はガラス基板の裏面を化学的及び機械的に研磨する処理(代表的にはCMP;Chemical−Mechanical Polishing法等)により研磨して削ることができる。また、直接結晶性半導体膜を形成する場合は、高耐熱温度を有する石英基板を用いることができる。この場合も、CMP法等により研磨することで石英基板の薄膜化を達成できる。
Moreover, you may form an IDF chip | tip, without performing peeling transposition at all. In this case, it is necessary to consider the heating process of the thin film transistor and the heat resistant temperature of the substrate 200.
For example, when a SAS that does not have a heating step is used for a semiconductor film, a flexible substrate that does not have high heat resistance can be used.
In the case where a crystalline semiconductor film formed by heating is used for the semiconductor film, a glass substrate that can withstand the heat treatment needs to be used. Since the glass substrate is thicker than the flexible substrate, when it is desired to reduce the film thickness, the back surface of the glass substrate is polished by chemical and mechanical polishing (typically, CMP: Chemical-Mechanical Polishing method). be able to. In the case of directly forming a crystalline semiconductor film, a quartz substrate having a high heat resistance temperature can be used. Also in this case, it is possible to reduce the thickness of the quartz substrate by polishing using a CMP method or the like.

本実施の形態では、接続端子部がIDFチップの下方に存在する所謂フェイスダウン状態で薄膜集積回路を実装する場合について説明したが、接続端子部がIDFチップの上方に存在する所謂フェイスアップ状態で薄膜集積回路を実装してもよい。フェイスアップ状態の場合、集積回路の接続端子部の導電膜と、アンテナ等のコンタクトには、ワイヤボンディング法を用いるとよい。 In this embodiment, the case where the thin film integrated circuit is mounted in a so-called face-down state in which the connection terminal portion exists below the IDF chip is described. However, in the so-called face-up state in which the connection terminal portion exists above the IDF chip. A thin film integrated circuit may be mounted. In the face-up state, a wire bonding method is preferably used for the conductive film of the connection terminal portion of the integrated circuit and the contact of the antenna or the like.

以上、基板200上に薄膜トランジスタを形成後、基板200し、転置する形態を説明したが、フレキシブル基板に相当する転置の先や、剥離及び転置のタイミング若しくは回数は本実施の形態に限定されない。例えば、転置するタイミングは、金属酸化物形成後、加熱を行った直後フレキシブル基板へ転置を行ってもよく、その後フレキシブル基板上で薄膜トランジスタを完成させてもよい。この場合、半導体膜として非結晶状態のものを用いると、加熱温度を低く又は加熱処理を行わずに形成することができるため、フレキシブル基板へ転置を行った後であっても、薄膜トランジスタを形成することが可能となる。また転置の先としては、フレキシブル基板以外に、直接物品の表面に転置したり、プリント基板等にも転置してもよい。例えば、携帯電話機等にIDFチップを実装する場合、プリント基板へ転置することになりうる。また剥離、転置の回数によりIDFチップが、フェイスアップ状態となるか、又はフェイスダウン状態となるかを決めることができる。 As described above, the mode in which the thin film transistor is formed over the substrate 200 and then transferred is described. However, the transfer destination corresponding to the flexible substrate, the timing of separation and transfer, or the number of times is not limited to this embodiment mode. For example, the timing of the transfer may be the transfer to the flexible substrate immediately after heating after forming the metal oxide, and then the thin film transistor may be completed on the flexible substrate. In this case, when a semiconductor film having an amorphous state is used, a thin film transistor can be formed even after being transferred to a flexible substrate because the semiconductor film can be formed at a low heating temperature or without heat treatment. It becomes possible. In addition to the flexible substrate, the tip of the transfer may be directly transferred to the surface of the article or transferred to a printed circuit board or the like. For example, when an IDF chip is mounted on a mobile phone or the like, it can be transferred to a printed circuit board. In addition, it is possible to determine whether the IDF chip is in a face-up state or a face-down state by the number of peeling and transposition.

このように形成されるIDFチップは、シリコンウェハからなるチップと異なり、0.2μm以下、代表的には40nm〜170nm、好ましくは50nm〜150nmの半導体膜を能動領域として有することを特徴としているため、ガラス基板や石英基板に形成しても本発明の効果を奏することができる。勿論IDFチップの効果を高めるためには、フレキシブル基板上に設けると好ましいため、上述のように転置することが好ましい。 The IDF chip formed in this way is characterized in that it has a semiconductor film of 0.2 μm or less, typically 40 nm to 170 nm, preferably 50 nm to 150 nm as an active region, unlike a silicon wafer chip. Even if formed on a glass substrate or a quartz substrate, the effects of the present invention can be obtained. Of course, in order to enhance the effect of the IDF chip, it is preferably provided on a flexible substrate, and therefore it is preferable to transpose as described above.

またIDFチップは、絶縁表面を有する基板上に設けられる、又は絶縁表面を有する基板がないため、シリコンウェハから形成されるチップと比較して、電波吸収の心配がなく、高感度な信号の受信を行うことができる。 In addition, since the IDF chip is provided on a substrate having an insulating surface or does not have a substrate having an insulating surface, there is no fear of radio wave absorption and reception of a highly sensitive signal compared to a chip formed from a silicon wafer. It can be performed.

絶縁表面を有する基板としては、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、ステンレス基板等が挙げられる。またその他、ポリエチレン-テレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表されるプラスチックや、アクリル等の合成樹脂からなる基板が使用される。 Examples of the substrate having an insulating surface include glass substrates such as barium borosilicate glass and alumino borosilicate glass, quartz substrates, and stainless steel substrates. In addition, a plastic substrate represented by polyethylene-terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), or polyethersulfone (PES), or a substrate made of a synthetic resin such as acrylic is used.

このような絶縁表面を有する基板にIDFチップを形成する場合、円形のシリコンウェハからチップを取り出すシリコンウェハで作製されたチップと比較して、母体基板形状に制約がない。そのため、IDFチップの生産性を高め、大量生産を行うことができる。その結果、IDFチップのコストの削減が期待できる。単価が非常に低いIDFチップは、単価コストの削減により非常に大きな利益を生むことができる。 In the case of forming an IDF chip on a substrate having such an insulating surface, there is no restriction on the shape of the base substrate as compared with a chip manufactured using a silicon wafer in which the chip is taken out from a circular silicon wafer. Therefore, productivity of the IDF chip can be increased and mass production can be performed. As a result, cost reduction of the IDF chip can be expected. An IDF chip with a very low unit price can generate very large profits by reducing unit cost.

本発明のIDFチップは、フレキシブル基板を用いて形成することができる。そのため、シリコンウェハから形成されるチップと比較して、高いフレキシブル性を有し、更に軽量化を達成することができる。フレキシブル基板は、ポリエチレン-テレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板が該当する。 The IDF chip of the present invention can be formed using a flexible substrate. Therefore, compared with the chip | tip formed from a silicon wafer, it has high flexibility and can achieve further weight reduction. The flexible substrate corresponds to a substrate made of plastic such as polyethylene-terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), or polyethersulfone (PES), or a synthetic resin having flexibility such as acrylic.

このような薄膜、軽量、フレキシブル性の高いIDFチップは、シリコンウェハから形成されるチップと比較して、破損しにくい。 Such a thin film, lightweight, and highly flexible IDF chip is less likely to be damaged than a chip formed from a silicon wafer.

更に好ましくは、本発明のIDFチップは、絶縁表面を有する基板、及びフレキシブル基板のない状態でフィルム状物品へ実装する。すなわち、IDFチップを物品の表面に直接転置してもよい。この場合、フレキシブル基板を省略することができ、IDFチップの薄膜化、軽量化に貢献することができる。その結果、更にフィルム状物品のデザイン性を損ねることがなく好ましい。 More preferably, the IDF chip of the present invention is mounted on a film-like article without a substrate having an insulating surface and a flexible substrate. That is, the IDF chip may be directly transferred to the surface of the article. In this case, the flexible substrate can be omitted, and the IDF chip can be made thinner and lighter. As a result, the design of the film-like article is not impaired, which is preferable.

本実施の形態では、IDFチップとアンテナとを別途形成する場合について説明したが、一体に形成する場合においても剥離、転置を行うことができる。例えば、配線210と同一層にアンテナを形成し、その状態で剥離、転置を行えばよい。 Although the case where the IDF chip and the antenna are separately formed has been described in this embodiment mode, separation and transposition can be performed even when they are formed integrally. For example, an antenna may be formed in the same layer as the wiring 210, and peeling and transposition may be performed in that state.

本実施の形態では、非接触型IDFチップについて説明したが、接触型IDFチップ、及びハイブリッド型IDFチップのいずれでもよい。 In the present embodiment, the non-contact type IDF chip has been described, but any of a contact type IDF chip and a hybrid type IDF chip may be used.

(実施の形態8)
本実施の形態ではアンテナの構成及び形成方法について説明する。
(Embodiment 8)
In this embodiment mode, a structure and a formation method of an antenna are described.

まずアンテナの形状や長さについて説明すると、当該形状を制約するアンテナの巻き数、つまり長さは、通信距離や電波の周波数によって決まる。そしてアンテナの形状は直線状又は巻き状を有することができる。アンテナを巻き状とするのは、長さを確保するためである。アンテナ用基板や物品の表面上に設けられた巻き状のアンテナは、中心から外側へむかって矩形状又は円状に巻くように設けられている。 First, the shape and length of the antenna will be described. The number of turns of the antenna that restricts the shape, that is, the length is determined by the communication distance and the frequency of the radio wave. The shape of the antenna can be linear or wound. The antenna is wound in order to ensure the length. The wound antenna provided on the surface of the antenna substrate or article is provided so as to be wound in a rectangular shape or a circular shape from the center to the outside.

アンテナの2箇所には、接続端子が設けられている。多くの接続端子は、アンテナの両先端に設けられているが、接続端子はどこに設けてもよく、IDFチップの接続端子に合わせて、各接続端子の配置を決定することができる。このとき、接続端子同士が近接するように設けたり、離れるように設けてもよい。 Connection terminals are provided at two locations of the antenna. Many connection terminals are provided at both ends of the antenna, but the connection terminals may be provided anywhere, and the arrangement of the connection terminals can be determined in accordance with the connection terminals of the IDF chip. At this time, the connection terminals may be provided so as to be close to each other or may be provided so as to be separated from each other.

次いで、アンテナの作製方法について、図9を用いて説明する。図9において、アンテナ用基板へ矩形状に巻かれたアンテナを形成する場合を説明する。アンテナ用基板はバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、ポリエチレン-テレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いることができる。アンテナ用基板の厚みは薄い方が好ましいため、フィルム状の基板が好ましい。 Next, a method for manufacturing the antenna will be described with reference to FIGS. In FIG. 9, a case where an antenna wound in a rectangular shape on an antenna substrate is formed will be described. The substrate for the antenna is a glass substrate such as barium borosilicate glass or alumino borosilicate glass, a quartz substrate, polyethylene-terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), plastic typified by polyethersulfone (PES), A substrate made of a synthetic resin having flexibility such as acrylic can be used. Since the antenna substrate is preferably thin, a film-like substrate is preferable.

図9(A)に示すように、アンテナ用基板102の一方の面102aに液滴吐出法によりアンテナ101aを形成する。液滴吐出法とは、導電膜や絶縁膜などの材料が混入された組成物の液滴(ドットとも表記する)を選択的に吐出(噴出)する方法であり、その方式によっては、インクジェット法とも呼ばれる。また液滴吐出法以外に、スパッタリング法、印刷法、メッキ法、フォトリソグラフィー法及びメタルマスクを用いた蒸着法のいずれか、又はそれらを組み合わせた方法によりアンテナを形成することができる。例えば、スパッタリング法、液滴吐出法、印刷法、フォトリソグラフィー法及び蒸着法のいずれかにより第1のアンテナを形成し、メッキ法により第1のアンテナを覆うように第2のアンテナを形成し、積層型アンテナを形成することもできる。特に、液滴吐出法、又は印刷法によりアンテナを形成する場合、導電膜をパターニングする必要がないため、作製工程を低減することができる。 As shown in FIG. 9A, the antenna 101a is formed on one surface 102a of the antenna substrate 102 by a droplet discharge method. The droplet discharge method is a method for selectively discharging (jetting) a droplet (also referred to as a dot) of a composition mixed with a material such as a conductive film or an insulating film. Depending on the method, an inkjet method is used. Also called. In addition to the droplet discharge method, the antenna can be formed by any one of a sputtering method, a printing method, a plating method, a photolithography method, a vapor deposition method using a metal mask, or a combination thereof. For example, the first antenna is formed by any one of a sputtering method, a droplet discharge method, a printing method, a photolithography method, and a vapor deposition method, and a second antenna is formed so as to cover the first antenna by a plating method, A stacked antenna can also be formed. In particular, in the case where an antenna is formed by a droplet discharge method or a printing method, it is not necessary to pattern a conductive film, so that a manufacturing process can be reduced.

アンテナ材料には、Ag(銀)、Al(アルミニウム)、Au(金)、Cu(銅)、Pt(白金)等の導電材料を用いることができる。比較的抵抗の高いAlやAuを用いる場合、配線抵抗が懸念される。しかし、アンテナを厚くしたり、アンテナ形成面積が広い場合には、アンテナの幅を広くすることで配線抵抗を低減することができる。また積層型アンテナとし、抵抗の低い材料で覆ってもよい。Cuのように拡散が懸念される導電材料は、アンテナの被形成面、又はCuの周囲を覆うように保護膜として機能する絶縁膜を形成するとよい。 As the antenna material, a conductive material such as Ag (silver), Al (aluminum), Au (gold), Cu (copper), or Pt (platinum) can be used. When using Al or Au having relatively high resistance, there is a concern about wiring resistance. However, when the antenna is thick or the antenna formation area is large, the wiring resistance can be reduced by increasing the width of the antenna. Alternatively, a stacked antenna may be used and covered with a low resistance material. For a conductive material such as Cu that is likely to be diffused, an insulating film that functions as a protective film may be formed so as to cover the surface where the antenna is formed or the periphery of Cu.

本実施の形態の場合、溶媒としてテトラデカンに混入されたAgをノズル260より滴下して、アンテナを形成する。このときAgの密着性を高めるため、酸化チタン(TiOx)からなる下地膜を形成してもよい。 In this embodiment, Ag mixed in tetradecane as a solvent is dropped from the nozzle 260 to form an antenna. At this time, in order to improve the adhesion of Ag, a base film made of titanium oxide (TiOx) may be formed.

更に好ましくは、形成されたアンテナに圧力を加え、平坦性を向上させることができる。その結果、アンテナを薄膜化することができる。加圧手段に加えて、加熱手段を有してもよく、加圧処理と加熱処理とを同時に行うことができる。特に液滴吐出法を用いる場合であって、溶媒を除去するために加熱処理をする必要があるときは、当該加熱処理と兼ねることができる。 More preferably, pressure can be applied to the formed antenna to improve flatness. As a result, the antenna can be thinned. In addition to the pressurizing means, a heating means may be provided, and the pressurization process and the heat treatment can be performed simultaneously. In particular, when a droplet discharge method is used and heat treatment is required to remove the solvent, the heat treatment can be combined.

またアンテナ用基板に開口部(溝とも呼ぶ)を形成し、該溝にアンテナを形成してもよい。溝内にアンテナを形成することができるため、アンテナ用基板の薄膜化を達成し、一方アンテナに対しては厚膜化を図ることができる。 Further, an opening (also referred to as a groove) may be formed in the antenna substrate, and the antenna may be formed in the groove. Since the antenna can be formed in the groove, the antenna substrate can be thinned while the antenna can be thickened.

その後図9(B)に示すように、アンテナ基板の他方の面102bに、液滴吐出法によりアンテナの残りの一部を形成する。これのように他方の面に設けるのは、巻くようにアンテナが設けられているため、アンテナ同士がショートしないよう絶縁物を介す必要があるからである。そのため、アンテナ基板の両面にアンテナを形成しない場合、絶縁物に設けられた開口部を介してアンテナの一部を形成すればよい。 Thereafter, as shown in FIG. 9B, the remaining part of the antenna is formed on the other surface 102b of the antenna substrate by a droplet discharge method. The reason why the antenna is provided on the other surface as described above is that the antenna is provided so as to be wound, and therefore, it is necessary to provide an insulator so that the antennas are not short-circuited. Therefore, when the antenna is not formed on both surfaces of the antenna substrate, a part of the antenna may be formed through the opening provided in the insulator.

本実施の形態では、アンテナ用基板に開口部262を形成し、当該開口部を介してアンテナ同士を接続している。 In this embodiment mode, an opening 262 is formed in the antenna substrate, and the antennas are connected to each other through the opening.

次いで、図9(C)に示すように、アンテナ101bとIDFチップ100とを導通するため開口部を形成する。当該開口部において、アンテナの接続端子と、IDFチップの接続端子とを接続する。 Next, as shown in FIG. 9C, an opening is formed in order to make the antenna 101b and the IDF chip 100 conductive. In the opening, the connection terminal of the antenna and the connection terminal of the IDF chip are connected.

右図に示すアンテナ用基板102のi−jにおける断面図を用いて詳しく説明する。他方の面に形成されたアンテナ101bの接続端子が設けられた領域において、アンテナ用基板には開口部262が設けられている。そして、当該開口部のアンテナ101bの接続端子と接続するようにIDFチップ100を実装する。 This will be described in detail with reference to a cross-sectional view taken along line ij of the antenna substrate 102 shown in the right figure. In the area where the connection terminal of the antenna 101b formed on the other surface is provided, an opening 262 is provided in the antenna substrate. Then, the IDF chip 100 is mounted so as to be connected to the connection terminal of the antenna 101b in the opening.

このとき、IDFチップの接続端子、つまりバンプ106と、アンテナ101a、101bの接続端子とは、異方性導電体123により接続される。異方性導電体は、導電体107が分散している樹脂であり、接着機能も有している。当該導電体は、接続端子が設けられた領域において圧着され、アンテナ101a、101bと、IDFチップ100とが導通となる。その他の領域では、当該導電体は、十分な間隔を保っているため導通することはない。 At this time, the connection terminals of the IDF chip, that is, the bumps 106, and the connection terminals of the antennas 101a and 101b are connected by the anisotropic conductor 123. The anisotropic conductor is a resin in which the conductor 107 is dispersed and has an adhesion function. The conductor is crimped in a region where the connection terminal is provided, and the antennas 101a and 101b and the IDF chip 100 become conductive. In other regions, the conductor does not conduct because a sufficient interval is maintained.

また開口部262には、当該導電体が充填して導通しているが、開口部内にアンテナ材料を充填してもよく、他方の面にアンテナを形成するときに、開口部内にアンテナ材料を充填することができる。 In addition, the opening 262 is filled with the conductor to be conductive, but the opening may be filled with an antenna material, and when the antenna is formed on the other surface, the opening is filled with the antenna material. can do.

図示しないが、アンテナとIDFチップ接続後、IDFチップを保護するために樹脂や窒素を有する絶縁膜で覆ってもよい。また当該絶縁膜により、IDFチップが有する薄膜トランジスタへの不純物拡散を防止することができる。 Although not shown, after the antenna and the IDF chip are connected, the IDF chip may be covered with an insulating film containing resin or nitrogen in order to protect the IDF chip. In addition, diffusion of impurities into the thin film transistor included in the IDF chip can be prevented by the insulating film.

本実施の形態では異方性導電体により、IDFチップの接続端子がIDFチップの下方に存在する所謂フェイスダウンで実装する場合を説明したが、接続する手段にワイヤボンディング法を用いてもよい。この場合、IDFチップの接続端子がIDFチップの上方に存在する所謂フェイスアップで実装する場合に適している。 In this embodiment mode, the case where the connection terminal of the IDF chip is mounted in a so-called face-down manner in which the connection terminal of the IDF chip exists below the IDF chip is described using an anisotropic conductor, but a wire bonding method may be used as a connection means. In this case, it is suitable for mounting with a so-called face-up in which the connection terminal of the IDF chip exists above the IDF chip.

以上、本実施の形態では、わかりやすくするためIDFチップやアンテナ用基板を厚く記載したが、実際は非常に薄い形状となっている。 As described above, in the present embodiment, the IDF chip and the antenna substrate are described as being thick for easy understanding, but in actuality, the shape is very thin.

(実施の形態9)
IDFチップは、シリコンウェハにより形成されたチップと比較して、ある程度の面積を有し、且つフレキシブル性が高いため、曲げ応力による破壊を考慮する必要がある。そこで本実施の形態では、IDFチップを実装する名刺を曲げた状態について説明する。
(Embodiment 9)
Since an IDF chip has a certain area and is highly flexible as compared with a chip formed of a silicon wafer, it is necessary to consider a fracture due to bending stress. Therefore, in this embodiment, a state where a business card on which the IDF chip is mounted is bent will be described.

図11(A)には、矢印の方向280に曲がった状態の名刺120を示している。一般的に、薄膜物品は、長軸方向に曲がりやすい、又は曲げやすいため、本実施の形態では長軸方向に曲げる場合を説明する。 FIG. 11A shows the business card 120 bent in the direction 280 of the arrow. In general, since a thin film article is easily bent or bent in the long axis direction, a case of bending in the long axis direction will be described in this embodiment.

このときのIDFチップ100の状態を図11(B)に示す。IDFチップは、複数の薄膜トランジスタ230を有し、当該薄膜トランジスタは、キャリアの移動方向281と、矢印の方向(曲げる方向)280とが垂直となるように配置する。すなわち、曲げる方向280と垂直となるように薄膜トランジスタのソース領域230(s)、チャネル形成領域230(c)、ドレイン領域230(d)を配列する。その結果、曲げ応力による薄膜トランジスタの破壊や剥がれを防止することができる。 The state of the IDF chip 100 at this time is shown in FIG. The IDF chip includes a plurality of thin film transistors 230, and the thin film transistors are arranged so that a carrier moving direction 281 and an arrow direction (bending direction) 280 are perpendicular to each other. That is, the source region 230 (s), the channel formation region 230 (c), and the drain region 230 (d) of the thin film transistor are arranged so as to be perpendicular to the bending direction 280. As a result, destruction and peeling of the thin film transistor due to bending stress can be prevented.

また半導体膜として、レーザー照射を用いた結晶性半導体膜を用いる場合、レーザー走査方向283も曲げる方向280と垂直となるように設定する。例えば、図11(C)に示すように、レーザーの照射領域(スポット)282を、矩形状に走査して、全面を結晶化する場合、レーザー走査方向283は曲げる方向280と垂直な方向とする。 Further, when a crystalline semiconductor film using laser irradiation is used as the semiconductor film, the laser scanning direction 283 is also set to be perpendicular to the bending direction 280. For example, as shown in FIG. 11C, when a laser irradiation region (spot) 282 is scanned in a rectangular shape to crystallize the entire surface, the laser scanning direction 283 is a direction perpendicular to the bending direction 280. .

このような方向にIDFチップを曲げることにより、IDFチップ、特に薄膜トランジスタを破壊することがなく、更に、キャリアの移動方向に存在する結晶粒界を極力低減することができる。その結果、薄膜トランジスタの電気特性、特に移動度を向上させることができる。 By bending the IDF chip in such a direction, the IDF chip, particularly the thin film transistor, is not destroyed, and the crystal grain boundaries existing in the carrier moving direction can be reduced as much as possible. As a result, the electrical characteristics of the thin film transistor, in particular, mobility can be improved.

加えて、パターニングされた半導体膜がIDFチップにおいて占める面積の割合を、5〜30%とすることで、曲げ応力による薄膜トランジスタの破壊や剥がれを防止することができる。 In addition, when the ratio of the area occupied by the patterned semiconductor film in the IDF chip is 5 to 30%, the thin film transistor can be prevented from being broken or peeled off due to bending stress.

本実施の形態では、非接触型IDFチップを実装する場合について説明したが、接触型IDFチップ、及びハイブリッド型IDFチップのいずれでもよい。 In this embodiment, the case where a non-contact type IDF chip is mounted has been described, but either a contact type IDF chip or a hybrid type IDF chip may be used.

(実施の形態10)
このようなIDFチップを実装した名刺の使用形態について説明する。
(Embodiment 10)
A usage pattern of a business card on which such an IDF chip is mounted will be described.

図12(A)には、IDFチップ100を実装した名刺120と、リーダ・ライター装置301と、パーソナルコンピュータ302等による情報の流れを示している。リーダ・ライダー装置を介してIDFチップの情報、特に電子メールアドレスをパーソナルコンピュータへ入力することができ、表示部302aで確認することができる。このとき、電子メールソフトを起動した状態であれば、直ぐに電子メールを送信することができる。 FIG. 12A shows the flow of information by the business card 120 on which the IDF chip 100 is mounted, the reader / writer device 301, the personal computer 302, and the like. Information on the IDF chip, particularly an e-mail address, can be input to the personal computer via the reader / rider device, and can be confirmed on the display unit 302a. At this time, if the e-mail software is activated, the e-mail can be sent immediately.

また名刺管理ソフトを起動した状態で、リーダ・ライター装置を介してIDFチップの情報を入力してもよい。従来、時間を要した名刺の管理を簡便なものとすることができる。 Further, the IDF chip information may be input via the reader / writer device while the business card management software is activated. Conventionally, it is possible to simplify management of time-consuming business cards.

加えて、企業の宣伝情報、例えばホームページアドレスをパーソナルコンピュータへ入力してもよい。このとき、インターネット用ソフトを起動した状態とする。 In addition, corporate advertising information, such as a home page address, may be entered into the personal computer. At this time, the Internet software is activated.

またパーソナルコンピュータに代えて、電話機303を用いてもよい。この場合、名刺120に記録された電話番号を、リーダ・ライター装置301を介して電話機303へ入力することができ、表示部303aで確認することができる。 Further, a telephone 303 may be used instead of the personal computer. In this case, the telephone number recorded on the business card 120 can be input to the telephone 303 via the reader / writer device 301 and can be confirmed on the display unit 303a.

また、リーダ・ライター装置301に、パーソナルコンピュータ302と、電話機303共に接続することができる。 Further, both the personal computer 302 and the telephone 303 can be connected to the reader / writer device 301.

また、リーダ・ライター装置の機能を持たせた携帯用電子機器、代表的には携帯電話機304やPDAにより、名刺の情報を読み取ることができる。例えば、携帯電話機304のアンテナ304bとして機能するコイルが、リーダ・ライター装置のアンテナを兼ねるように設計する。携帯電話機では、名刺に記録された電話番号及び電子メールアドレスを入力することができ、表示部304aで確認することができる。 Further, information on a business card can be read by a portable electronic device having a function of a reader / writer device, typically a cellular phone 304 or a PDA. For example, the coil functioning as the antenna 304b of the mobile phone 304 is designed so as to also serve as the antenna of the reader / writer device. In the mobile phone, the telephone number and the e-mail address recorded on the business card can be input and can be confirmed on the display unit 304a.

IDFチップに記録された情報を読み取ることにより、手作業で、名刺情報を入力する場合と比べ、入力ミスを防止することができる。また多量の名刺の管理を簡便にすることができる。 By reading the information recorded on the IDF chip, it is possible to prevent an input error compared to the case where the business card information is input manually. Moreover, management of a large number of business cards can be simplified.

図12(B)には、IDFチップ及びリーダ・ライター装置の回路構成を示す。 FIG. 12B shows a circuit configuration of the IDF chip and the reader / writer device.

まず、IDFチップ100は、アンテナコイル401、容量402とを有し、復調回路403、変調回路404、整流回路405、マイクロプロセッサ406、メモリ407、負荷をアンテナコイル401に与えるためのスイッチ408とを有している。これらの回路やマイクロプロセッサは、薄膜集積回路により形成することができる。なおメモリ407は1つに限定されず、複数であってもよい。 First, the IDF chip 100 includes an antenna coil 401 and a capacitor 402, and includes a demodulation circuit 403, a modulation circuit 404, a rectifier circuit 405, a microprocessor 406, a memory 407, and a switch 408 for supplying a load to the antenna coil 401. Have. These circuits and the microprocessor can be formed by a thin film integrated circuit. Note that the memory 407 is not limited to one, and may be a plurality.

またリーダ・ライター装置410は、アンテナコイル411、変調回路412、発振手段413を有し、これらにより送信信号を作成することができる。またリーダ・ライター装置410は、受信信号を検波し、増幅して復調する検波復調回路414を有する。IDFチップからの受信信号は非常に弱いために、フィルタ等により分離、増幅するとよい。そして、これらの受信信号は、ゲートASIC415に送られる。 Further, the reader / writer device 410 includes an antenna coil 411, a modulation circuit 412, and an oscillation means 413, which can create a transmission signal. The reader / writer device 410 has a detection / demodulation circuit 414 that detects, amplifies, and demodulates the received signal. Since the received signal from the IDF chip is very weak, it may be separated and amplified by a filter or the like. These received signals are sent to the gate ASIC 415.

ゲートASICに入力されたデータは、マイクロプロセッサ416に送られて処理される。そして必要に応じて、マイクロプロセッサ416等と、メモリ417と相互に信号のやりとりを行い、所定の演算処理を達成する。メモリ417にはマイクロプロセッサ416において用いられるプログラム、データなどが記憶されている他、演算処理時の作業エリアとしても用いることができる。その後、マイクロプロセッサ416等と、信号インタフェース419と信号のやりとりを行うこともできる。またこれら信号の相互交換のための電源部418を備えている。 Data input to the gate ASIC is sent to the microprocessor 416 for processing. Then, as necessary, signals are exchanged with the microprocessor 416 and the memory 417 to achieve predetermined arithmetic processing. The memory 417 stores programs and data used in the microprocessor 416, and can also be used as a work area during arithmetic processing. Thereafter, signals can be exchanged with the microprocessor 416 and the signal interface 419. A power supply unit 418 is provided for mutual exchange of these signals.

これらマイクロプロセッサ416、メモリ417、信号インタフェース419は、パーソナルコンピュータや電話機自体に設けることができる。 The microprocessor 416, the memory 417, and the signal interface 419 can be provided in a personal computer or the telephone itself.

またリーダ・ライター装置の機能を兼ねる携帯電話機のような電子機器は、アンテナコイル411、変調回路412、発振手段413、検波復調回路414、ゲートASIC415、マイクロプロセッサ416、メモリ417、電源部418、信号インタフェース419を有している。 An electronic device such as a mobile phone that also functions as a reader / writer device includes an antenna coil 411, a modulation circuit 412, an oscillation means 413, a detection demodulation circuit 414, a gate ASIC 415, a microprocessor 416, a memory 417, a power supply unit 418, a signal An interface 419 is included.

もちろんパーソナルコンピュータや電話機に上記回路等を形成し、リーダ・ライター装置の機能を兼ねさせることもできる。 Of course, the above-described circuit or the like can be formed in a personal computer or a telephone so that it also functions as a reader / writer device.

またIDFチップでは、ゲートASIC415から変調回路412を介して電波として送られてきた信号は、アンテナコイル401において電磁誘導により交流の電気信号に変換される。復調回路403では該交流の電気信号を復調し、マイクロプロセッサ406に送信する。また整流回路405では、交流の電気信号を用いて電源電圧を生成し、マイクロプロセッサ406に供給する。 In the IDF chip, a signal transmitted as a radio wave from the gate ASIC 415 via the modulation circuit 412 is converted into an AC electrical signal by electromagnetic induction in the antenna coil 401. The demodulation circuit 403 demodulates the alternating electrical signal and transmits it to the microprocessor 406. The rectifier circuit 405 generates a power supply voltage using an alternating electrical signal and supplies the power supply voltage to the microprocessor 406.

マイクロプロセッサ406では、入力された信号に従って各種演算処理を行う。メモリ407にはマイクロプロセッサ406において用いられるプログラム、データなどが記憶されている他、演算処理時の作業エリアとしても用いることができる。そしてマイクロプロセッサ406から変調回路404に送られた信号は、交流の電気信号に変調される。スイッチ408は、変調回路404からの交流の電気信号に従って、アンテナコイル401に負荷を加えることができる。リーダ・ライター装置は、アンテナコイル401に加えられた負荷を電波で受け取ることで、結果的にマイクロプロセッサ406からの信号を読み取ることができる。 The microprocessor 406 performs various arithmetic processes according to the input signal. The memory 407 stores programs and data used in the microprocessor 406, and can also be used as a work area during arithmetic processing. The signal sent from the microprocessor 406 to the modulation circuit 404 is modulated into an alternating electrical signal. The switch 408 can apply a load to the antenna coil 401 in accordance with an AC electrical signal from the modulation circuit 404. The reader / writer device receives the load applied to the antenna coil 401 by radio waves, and as a result, can read a signal from the microprocessor 406.

なお、図12(B)に示すIDFチップやリーダ・ライター装置の回路構成は、本発明の一形態を示したのに過ぎず、本発明は上記構成に限定されない。信号の伝送方式は、本実施の形態で示したような電磁結合方式に限定されず、電磁誘導方式、マイクロ波方式やその他の伝送方式を用いていてもよい。また例えば本発明のIDFチップに、GPSなどの機能を搭載してもよい。 Note that the circuit structure of the IDF chip and the reader / writer device illustrated in FIG. 12B is only one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the above structure. The signal transmission method is not limited to the electromagnetic coupling method shown in this embodiment mode, and an electromagnetic induction method, a microwave method, and other transmission methods may be used. Further, for example, a function such as GPS may be mounted on the IDF chip of the present invention.

(実施の形態11)
本実施の形態では、IDFチップを実装した刊行物、例えば新聞の使用形態について説明する。
(Embodiment 11)
In this embodiment mode, a usage form of a publication in which an IDF chip is mounted, for example, a newspaper will be described.

新聞の一部に、新聞の情報が記載されたIDFチップを実装する。このIDFチップの情報を、携帯用電子機器、例えば携帯電話機へ入力する。このとき、専用のリーダ・ライター装置を用いて情報を入力してもよいし、上述したように携帯電話機が有するリーダ・ライター機能により情報を入力してもよい。 An IDF chip on which newspaper information is written is mounted on a part of the newspaper. Information on the IDF chip is input to a portable electronic device such as a mobile phone. At this time, information may be input using a dedicated reader / writer device, or information may be input by the reader / writer function of the mobile phone as described above.

このように携帯用電子機器に入力された情報により、電車等の狭い乗物内で新聞紙を広げることなく、表示部で新聞の情報を読むことができる。新聞以外であってよく、例えば小説や雑誌等の情報を携帯用電子機器へ入力することもできる。 In this way, information input to the portable electronic device can read newspaper information on the display unit without spreading newspaper in a narrow vehicle such as a train. For example, information such as a novel or a magazine can be input to the portable electronic device.

刊行物にIDFチップを実装する場合であっても、薄膜、軽量、破損しにくい、透光性を有する等の効果を奏している。そのため、IDFチップの耐久性を向上させることができ、刊行物のデザイン性を損ねることがない。 Even when an IDF chip is mounted on a publication, the thin film, light weight, resistance to breakage, translucency, and the like are exhibited. Therefore, the durability of the IDF chip can be improved, and the design of the publication is not impaired.

以上のように、刊行物等にIDFチップを実装することにより、記載された情報を電子化することが簡便になり、高付加価値化、高機能化を達成することができる。 As described above, by mounting an IDF chip on a publication or the like, it is easy to digitize written information, and high added value and high functionality can be achieved.

このようにIDFチップは、多様な使用形態を展開することができる。 As described above, the IDF chip can develop various usage patterns.

IDFチップ搭載の名刺の作製工程を示した図である。It is the figure which showed the preparation process of the business card carrying IDF chip. IDFチップ搭載の名刺の作製工程を示した図である。It is the figure which showed the preparation process of the business card carrying IDF chip. IDFチップ搭載の名刺の断面図である。It is sectional drawing of the business card carrying IDF chip. IDFチップ搭載の名刺を示した図である。It is the figure which showed the business card carrying IDF chip. IDFチップ搭載の名刺を示した図である。It is the figure which showed the business card carrying IDF chip. IDFチップ搭載の名刺を示した図である。It is the figure which showed the business card carrying IDF chip. IDFチップ搭載の名刺を示した図である。It is the figure which showed the business card carrying IDF chip. IDFチップの作製工程を示した図である。It is a figure showing a manufacturing process of an IDF chip. アンテナの作製工程を示した図である。It is a figure showing a manufacturing process of an antenna. IDFチップ搭載の名刺を示した図である。It is the figure which showed the business card carrying IDF chip. IDFチップ搭載の名刺を曲げた状態を示した図である。It is the figure which showed the state which bent the business card carrying IDF chip. IDFチップ搭載の名刺の使用形態等を示した図である。It is the figure which showed the usage pattern etc. of the business card carrying IDF chip.

Claims (7)

基板の一方の面に設けられた薄膜集積回路と、
前記基板の一方の面に設けられた第1のアンテナと、
前記基板の他方の面に設けられた第2のアンテナとを有し、
前記薄膜集積回路はフィルム状物品に記載された情報が記録され、
前記薄膜集積回路と、前記第1のアンテナとは、前記基板の一方の面で電気的に接続され、
前記薄膜集積回路と、前記第2のアンテナとは、前記基板に設けられた開口部を介して電気的に接続され、
前記第1のアンテナと、前記第2のアンテナとは、上方からみて前記第1のアンテナと前記第2のアンテナとが交差した領域において前記基板に設けられたスリット状の開口部を介して電気的に接続され、
前記薄膜集積回路は、厚みが40nm〜170nmの半導体膜を有し、
前記半導体膜はソース、ドレイン、及びチャネル形成領域を有し、
前記ソース、ドレイン、及びチャネル形成領域は、前記フィルム状物品を曲げる方向に対して垂直となるように設けられ、
前記薄膜集積回路及び前記第1のアンテナは、前記フィルム状物品の内部に実装されていることを特徴とするフィルム状物品。
A thin film integrated circuit provided on one surface of the substrate;
A first antenna provided on one surface of the substrate;
A second antenna provided on the other surface of the substrate,
In the thin film integrated circuit, information described in a film-like article is recorded,
The thin film integrated circuit and the first antenna are electrically connected on one surface of the substrate,
The thin film integrated circuit and the second antenna are electrically connected through an opening provided in the substrate,
The first antenna and the second antenna are electrically connected via a slit-like opening provided in the substrate in a region where the first antenna and the second antenna intersect when viewed from above. Connected,
The thin film integrated circuit has a semiconductor film having a thickness of 40 nm to 170 nm,
The semiconductor film has a source, a drain, and a channel formation region,
The source, drain, and channel forming region are provided so as to be perpendicular to a direction in which the film-like article is bent,
The film-like article, wherein the thin film integrated circuit and the first antenna are mounted inside the film-like article.
基板の一方の面に設けられた薄膜集積回路と、
前記基板の一方の面に設けられた第1のアンテナと、
前記基板の他方の面に設けられた第2のアンテナとを有し、
前記薄膜集積回路はフィルム状物品に記載された情報が記録され、
前記薄膜集積回路と、前記第1のアンテナとは、前記基板の一方の面で電気的に接続され、
前記薄膜集積回路と、前記第2のアンテナとは、前記基板に設けられた開口部を介して電気的に接続され、
前記第1のアンテナと、前記第2のアンテナとは、上方からみて前記第1のアンテナと前記第2のアンテナとが交差した領域において前記基板に設けられたスリット状の開口部を介して電気的に接続され、
前記薄膜集積回路は、厚みが40nm〜170nmの半導体膜を有し、
前記半導体膜はソース、ドレイン、及びチャネル形成領域を有し、
前記ソース、ドレイン、及びチャネル形成領域は、前記フィルム状物品を曲げる方向に対して垂直となるように設けられ、
前記薄膜集積回路は前記フィルム状物品の内部に実装され、前記第1のアンテナは前記フィルム状物品の表面に実装されていることを特徴とするフィルム状物品。
A thin film integrated circuit provided on one surface of the substrate;
A first antenna provided on one surface of the substrate;
A second antenna provided on the other surface of the substrate,
In the thin film integrated circuit, information described in a film-like article is recorded,
The thin film integrated circuit and the first antenna are electrically connected on one surface of the substrate,
The thin film integrated circuit and the second antenna are electrically connected through an opening provided in the substrate,
The first antenna and the second antenna are electrically connected via a slit-like opening provided in the substrate in a region where the first antenna and the second antenna intersect when viewed from above. Connected,
The thin film integrated circuit has a semiconductor film having a thickness of 40 nm to 170 nm,
The semiconductor film has a source, a drain, and a channel formation region,
The source, drain, and channel forming region are provided so as to be perpendicular to a direction in which the film-like article is bent,
The film-like article, wherein the thin film integrated circuit is mounted inside the film-like article, and the first antenna is mounted on a surface of the film-like article.
基板の一方の面に設けられた薄膜集積回路と、
前記基板の一方の面に設けられた第1のアンテナと、
前記基板の他方の面に設けられた第2のアンテナとを有し、
前記薄膜集積回路はフィルム状物品に記載された情報が記録され、
前記薄膜集積回路と、前記第1のアンテナとは、前記基板の一方の面で電気的に接続され、
前記薄膜集積回路と、前記第2のアンテナとは、前記基板に設けられた開口部を介して電気的に接続され、
前記第1のアンテナと、前記第2のアンテナとは、上方からみて前記第1のアンテナと前記第2のアンテナとが交差した領域において前記基板に設けられたスリット状の開口部を介して電気的に接続され、
前記薄膜集積回路は、厚みが40nm〜170nmの半導体膜を有し、
前記半導体膜はソース、ドレイン、及びチャネル形成領域を有し、
前記ソース、ドレイン、及びチャネル形成領域は、前記フィルム状物品を曲げる方向に対して垂直となるように設けられ、
前記薄膜集積回路及び前記第1のアンテナは、前記フィルム状物品の表面に実装されていることを特徴とするフィルム状物品。
A thin film integrated circuit provided on one surface of the substrate;
A first antenna provided on one surface of the substrate;
A second antenna provided on the other surface of the substrate,
In the thin film integrated circuit, information described in a film-like article is recorded,
The thin film integrated circuit and the first antenna are electrically connected on one surface of the substrate,
The thin film integrated circuit and the second antenna are electrically connected through an opening provided in the substrate,
The first antenna and the second antenna are electrically connected via a slit-like opening provided in the substrate in a region where the first antenna and the second antenna intersect when viewed from above. Connected,
The thin film integrated circuit has a semiconductor film having a thickness of 40 nm to 170 nm,
The semiconductor film has a source, a drain, and a channel formation region,
The source, drain, and channel forming region are provided so as to be perpendicular to a direction in which the film-like article is bent,
The film-like article, wherein the thin film integrated circuit and the first antenna are mounted on a surface of the film-like article.
基板の一方の面に設けられた薄膜集積回路と、
前記基板の一方の面に設けられた第1のアンテナと、
前記基板の他方の面に設けられた第2のアンテナとを有し、
前記薄膜集積回路はフィルム状物品に記載された情報が記録され、
前記薄膜集積回路と、前記第1のアンテナとは、前記基板の一方の面で電気的に接続され、
前記薄膜集積回路と、前記第2のアンテナとは、前記基板に設けられた開口部を介して電気的に接続され、
前記第1のアンテナと、前記第2のアンテナとは、上方からみて前記第1のアンテナと前記第2のアンテナとが交差した領域において前記基板に設けられたスリット状の開口部を介して電気的に接続され、
前記薄膜集積回路は、厚みが40nm〜170nmの半導体膜を有し、
前記半導体膜はソース、ドレイン、及びチャネル形成領域を有し、
前記ソース、ドレイン、及びチャネル形成領域は、前記フィルム状物品を曲げる方向に対して垂直となるように設けられ、
前記薄膜集積回路は前記フィルム状物品の表面に実装され、前記第1のアンテナは前記フィルム状物品の内部に実装されていることを特徴とするフィルム状物品。
A thin film integrated circuit provided on one surface of the substrate;
A first antenna provided on one surface of the substrate;
A second antenna provided on the other surface of the substrate,
In the thin film integrated circuit, information described in a film-like article is recorded,
The thin film integrated circuit and the first antenna are electrically connected on one surface of the substrate,
The thin film integrated circuit and the second antenna are electrically connected through an opening provided in the substrate,
The first antenna and the second antenna are electrically connected via a slit-like opening provided in the substrate in a region where the first antenna and the second antenna intersect when viewed from above. Connected,
The thin film integrated circuit has a semiconductor film having a thickness of 40 nm to 170 nm,
The semiconductor film has a source, a drain, and a channel formation region,
The source, drain, and channel forming region are provided so as to be perpendicular to a direction in which the film-like article is bent,
The film-shaped article, wherein the thin film integrated circuit is mounted on a surface of the film-shaped article, and the first antenna is mounted inside the film-shaped article.
請求項1乃至4のいずれか一において、
前記半導体膜の水素濃度は1×1019〜5×1020/cmであることを特徴とするフィルム状物品。
In any one of Claims 1 thru | or 4,
The film-like article, wherein a hydrogen concentration of the semiconductor film is 1 × 10 19 to 5 × 10 20 / cm 3 .
請求項1乃至5のいずれか一において、
前記薄膜集積回路は透光性を有することを特徴とするフィルム状物品。
In any one of Claims 1 thru | or 5,
The film-like article, wherein the thin film integrated circuit has translucency.
請求項1乃至のいずれか一において、
前記薄膜集積回路に加えて複数の第2の薄膜集積回路を実装し、
前記複数の第2の薄膜集積回路のいずれかは、前記第2の薄膜集積回路とアンテナとが一体形成されていることを特徴とするフィルム状物品。
In any one of Claims 1 thru | or 6 ,
In addition to the thin film integrated circuit, a plurality of second thin film integrated circuits are mounted,
Any one of the plurality of second thin film integrated circuits is characterized in that the second thin film integrated circuit and an antenna are integrally formed.
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