JP4730760B2 - Ｒｉ標識化合物合成システム - Google Patents

Description

本発明は、ＲＩ標識化合物合成システムに関する。

例えば病院等のＰＥＴ検査（陽電子断層撮影検査）等に使用される放射性同位元素標識化合物（ＲＩ化合物）を製造するＲＩ化合物合成装置は、ＲＩ原料合成部で放射性同位元素（ＲＩ）を所定の原料と反応させて標識前駆体を合成し、ＲＩ化合物製造部でこの標識前駆体を用いてＲＩ化合物を製造する。このようなＲＩ化合物合成装置では、一つのＲＩ原料合成部に対して、一つのＲＩ化合物製造部が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−２１６９６号公報

ところで、上記装置にあっては、例えばＰＥＴ検査等の需要に応えるべく、ＲＩ化合物を連続的に製造することが求められている。

本発明はこのような課題を解決するために成されたものであり、ＲＩ化合物の連続製造が可能なＲＩ標識化合物合成システムを提供することを目的とする。

本発明によるＲＩ標識化合物合成システムは、放射性同位元素を用いて、標識前駆体を合成するＲＩ原料合成部と、標識前駆体、試薬が導入され、放射性同位元素標識化合物を製造するＲＩ化合物製造部と、を備えるＲＩ標識化合物合成システムであって、ＲＩ原料合成部に対応して、複数のＲＩ化合物製造部が設けられ、標識前駆体が導入されるＲＩ化合物製造部を選択的に切り換える切換手段を備え、ＲＩ原料合成部は、放射線を遮蔽する放射線遮蔽材により密閉可能な構造とされた第１の箱に収容され、ＲＩ化合物製造部は、開閉可能な扉を有し放射線を遮蔽する放射線遮蔽材により密閉可能な構造とされた第２の箱に収容されていることを特徴としている。

このように構成されたＲＩ標識化合物合成システムによれば、一つのＲＩ原料合成部に対応してＲＩ化合物製造部が複数設けられ、標識前駆体が導入されるＲＩ化合物製造部を切り換えることで、他のＲＩ化合物製造部を次々に利用することが可能とされると共に一のＲＩ化合物製造部の交換あるいは放射能を減衰させている際に、他のＲＩ化合物製造部を利用することが可能とされる。また、ＲＩ原料合成部は、放射線を遮蔽する放射線遮蔽材により密閉可能な構造とされた第１の箱に収容され、ＲＩ化合物製造部は、開閉可能な扉を有し放射線を遮蔽する放射線遮蔽材により密閉可能な構造とされた第２の箱に収容されるため、ＲＩ標識化合物合成システムからの放射能の漏れを防止することができる。

ここで、第１の箱と第２の箱とを一体として備えるホットセルを具備する構成であると、ＲＩ標識化合物合成システムの小型化が可能とされる。

また、第２の箱は、放射線を遮蔽する放射線遮蔽材により密閉可能な複数の室に分割され、各室に対応して扉が設けられている構成であると、一の室内のＲＩ化合物製造部の交換あるいは放射能を減衰させている際に、別の室内のＲＩ化合物製造部を利用することが可能とされる。

また、放射性同位元素標識化合物の品質を検定する品質検定部を備える構成としても良い。

このように本発明によるＲＩ標識化合物合成システムによれば、標識前駆体が導入されるＲＩ化合物製造部を切り換えることで、他のＲＩ化合物製造部を次々に利用することが可能とされると共に一のＲＩ化合物製造部の交換あるいは放射能を減衰させている際に、他のＲＩ化合物製造部を利用することが可能とされるため、ＲＩ化合物製造部の衛生状態を保ち、被曝の低減をしつつＲＩ化合物の連続製造が可能なＲＩ標識化合物合成システムを提供することができる。

以下、本発明によるＲＩ標識化合物合成システムの好適な実施形態について図１〜図５を参照しながら説明する。図１及び図２は、本発明の実施形態に係るメチオニン合成システムを示す概略構成図、図３は、図１中のヨウ化メチル合成装置を示す概略構成図、図４及び図５は、図３中の六方弁の状態を変えた場合のヨウ化メチル合成装置を示す概略構成図である。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

本実施形態のＲＩ標識化合物合成システムは、例えば、病院等のＰＥＴ検査等に使用される放射性同位元素標識化合物である放射性薬剤（放射性医薬品を含む）としてのメチオニンを製造するメチオニン合成システムである。

図１及び図２に示すように、このメチオニン合成システム１は、略矩形状の箱型を成すホットセル２を具備し、このホットセル２は、例えば鉛、タングステン、鉄等の放射線を遮蔽することができる放射線遮蔽材を用いて放射線を遮蔽可能な適切な厚さとされ、放射線の漏出を防止する密閉構造とされている。

このホットセル２は内部に、放射性遮蔽材により区切られて密閉構造とされた複数の部屋（室）を備えている。具体的には、標識前駆体である^１１ＣＨ_３Ｉを合成するヨウ化メチル合成装置（ＲＩ原料合成部）３をヨウ化メチル合成室（第１の箱内の室）４に収容し、ヨウ化メチル合成装置３で合成された^１１ＣＨ_３Ｉの経路を切り換える経路切換装置（切換手段）５を経路切換室６に収容し、ヨウ化メチル合成装置３で合成された^１１ＣＨ_３Ｉを用いてメチオニンを製造するＲＩ化合物製造装置（ＲＩ化合物製造部）７をＲＩ化合物製造室（第２の箱内の室）８に収容し、ＲＩ化合物製造装置７で製造されたメチオニンの品質を検定する放射性薬剤検定装置（品質検定部及び必要量を分注する分注部）９を品質検定室１０に収容する。

以下、ヨウ化メチル合成装置３について詳説する。このヨウ化メチル製造装置３は、図３に示すように、概略、系外のサイクロトロン（不図示）から供給される^１１ＣＯ_２を水素ガスにより還元して^１１ＣＨ_４に変換する^１１ＣＨ_４生成系１２と、この^１１ＣＨ_４を一時吸着させる^１１ＣＨ_４吸着系１３と、この^１１ＣＨ_４とヨウ素ガスとを反応させて^１１ＣＨ_３Ｉを合成する^１１ＣＨ_３Ｉ合成系１４と、を備えている。

^１１ＣＨ_４生成系１２は、系内に^１１ＣＯ_２を含む原料ガスを供給する原料ガス供給配管Ｌ１、系内に水素ガスを含むキャリアガスを供給する水素ガス供給配管Ｌ２、これらの配管Ｌ１，Ｌ２を集合して一配管を選択して切り換える三方弁Ｖ１、原料ガス中の^１１ＣＯ_２を一時吸着させる^１１ＣＯ_２吸着カラム１５、この^１１ＣＯ_２吸着カラム１５に一時吸着されていた^１１ＣＯ_２を^１１ＣＨ_４に変換させる^１１ＣＨ_４変換カラム１６、この^１１ＣＨ_４変換カラム１６で変換された^１１ＣＨ_４を精製する^１１ＣＨ_４精製カラム１７、これらの三方弁Ｖ１、^１１ＣＯ_２吸着カラム１５、^１１ＣＨ_４変換カラム１６及び^１１ＣＨ_４精製カラム１７をこの順に接続して後段の^１１ＣＨ_４吸着系１３へ接続される配管Ｌ３を具備している。

^１１ＣＯ_２吸着カラム１５は、内部に、^１１ＣＯ_２を一時吸着させる例えばCabosphere（登録商標）等の吸着剤が充填され、外部に、この^１１ＣＯ_２吸着カラム１５を加熱・冷却する加熱・冷却装置及び^１１ＣＯ_２吸着カラム１５の放射能を測定するＲＩモニター２６を備えている。^１１ＣＯ_２を一時吸着させる吸着剤は、常温で^１１ＣＯ_２を吸着し、加熱されて^１１ＣＯ_２を脱離するものである。

^１１ＣＨ_４変換カラム１６は、内部に、^１１ＣＯ_２を水素ガスにより^１１ＣＨ_４に変換させる例えばShimalite Ni（登録商標）等の還元触媒が充填され、外部に、この^１１ＣＨ_４変換カラム１６を加熱する加熱装置を備えている。

^１１ＣＨ_４精製カラム１７は、内部に、未変換の^１１ＣＯ_２等を吸着させる例えばAscarite II（登録商標）、ソーダライム（Soda Lime）等の吸着剤が充填されている。

この^１１ＣＨ_４生成系１２の後段の^１１ＣＨ_４吸着系１３は、複数の接続口ａ〜ｆを有し２タイプの接続状態を選択可能であり^１１ＣＨ_４精製カラム１７に接続された六方弁Ｖ２、この六方弁Ｖ２に接続され^１１ＣＨ_４を一時吸着させる^１１ＣＨ_４吸着カラム１８、縁切り弁Ｖ６を備え系内にＨｅガスを供給するＨｅ供給配管Ｌ６、縁切り弁Ｖ７を備え系内の排気ガスを系外に排出する排気配管Ｌ１０、この排気配管Ｌ１０に配管Ｌ９を介して接続される三方弁Ｖ３に接続され、系内の^１１ＣＨ_４を後段の^１１ＣＨ_３Ｉ合成系１４に導出する配管Ｌ１１を具備している。

六方弁Ｖ２は、６つの接続口ａ〜ｆを備え、接続口ａは、配管Ｌ３を介して^１１ＣＨ_４精製カラム１７の出口と、接続口ｂは、配管Ｌ４を介して^１１ＣＨ_４吸着カラム１８の入口と、接続口ｃは、Ｈｅ供給配管Ｌ６と、接続口ｄは、配管Ｌ７を介して排気配管Ｌ１０と、接続口ｅは、配管Ｌ５を介して^１１ＣＨ_４吸着カラム１８の出口と、接続口ｆは、配管Ｌ８を介して三方弁Ｖ３と各々接続されている。

また、この六方弁Ｖ２は、第１状態又は第２状態の何れか一方の状態に選択可能であり、第１状態では、図４に示すように、接続口ａと接続口ｆとが、接続口ｅと接続口ｄとが、接続口ｃと接続口ｂとが各々連通され、第２状態では、図５に示すように、接続口ａと接続口ｂとが、接続口ｃと接続口ｄとが、接続口ｅと接続口ｆとが各々連通される。

^１１ＣＨ_４吸着カラム１８は、内部に、^１１ＣＨ_４を一時吸着させる例えばCabosphere（登録商標）等の吸着剤が充填され、外部には、この^１１ＣＨ_４吸着カラム１８を加熱・冷却する加熱・冷却装置及び^１１ＣＨ_４吸着カラム１８の放射能を測定するＲＩモニター２７が設けられている。

この^１１ＣＨ_４吸着系１３の後段の^１１ＣＨ_３Ｉ合成系１４は、配管Ｌ１１に接続された三方弁Ｖ４、^１１ＣＨ_４にヨウ素ガスを混合させるヨウ素カラム２０、このヨウ素カラム２０で気化されたヨウ素ガスと^１１ＣＨ_４とを合成反応させる^１１ＣＨ_３Ｉ合成カラム２１、^１１ＣＨ_３Ｉを精製する^１１ＣＨ_３Ｉ精製カラム２２、^１１ＣＨ_３Ｉを一時吸着させる^１１ＣＨ_３Ｉ吸着カラム２３、これらの三方弁Ｖ４、ヨウ素カラム２０、^１１ＣＨ_３Ｉ合成カラム２１、^１１ＣＨ_３Ｉ精製カラム２２をこの順に接続する配管Ｌ１２、この配管Ｌ１２に接続された三方弁Ｖ５、三方弁Ｖ５，Ｖ４を接続する循環配管Ｌ１３、この循環配管Ｌ１３に設置された循環ポンプ２９、三方弁Ｖ５に接続されると共に合成された^１１ＣＨ_３Ｉを移送する^１１ＣＨ_３Ｉ配管Ｌ１４を具備している。

ヨウ素カラム２０は、内部に、固体のヨウ素が充填され、外部に、このヨウ素カラム２０を加熱する加熱装置を備えている。

^１１ＣＨ_３Ｉ合成カラム２１は、例えばガラス材等により構成され、外部に、この^１１ＣＨ_３Ｉ合成カラム２１を加熱する加熱装置を備えている。

^１１ＣＨ_３Ｉ精製カラム２２は、内部に、未反応の^１１ＣＯ_２及び不純物を吸着させる例えばAscarite II（登録商標）等の吸着剤が充填されている。

^１１ＣＨ_３Ｉ吸着カラム２３は、内部に、^１１ＣＨ_３Ｉを一時吸着させるPorapak Ｎ等の吸着剤が充填され、外部に、この^１１ＣＨ_３Ｉ吸着カラム２３を加熱・冷却する加熱・冷却装置、^１１ＣＨ_３Ｉ吸着カラム２３からの放射能を測定するＲＩモニター２８を備えている。^１１ＣＨ_３Ｉを一時吸着させる吸着剤は、常温で^１１ＣＨ_３Ｉを吸着し、加熱されて^１１ＣＨ_３Ｉを脱離するものである。

ここで、特に本実施形態にあっては、図１に示すように、ホットセル２は、２つのＲＩ化合物製造室８を備え、このＲＩ化合物製造室８は内部に、ヨウ化メチル合成装置３に接続される２つのＲＩ化合物製造装置７を各々備えると共に、^１１ＣＨ_３Ｉが導入されるＲＩ化合物製造装置７の何れかを選択的に切り換えるべく、図２に示すように、経路切換室６の内部に経路切換装置５を備えている。

この経路切換装置５は、複数の出口を選択的に切り換える切換弁であり、その入口が上記^１１ＣＨ_３Ｉ配管Ｌ１４に接続され、その複数の出口がＲＩ化合物製造装置７に配管Ｌ２０を介して各々接続される。

ＲＩ化合物製造装置７は、^１１ＣＨ_３Ｉを導入してメチオニンを製造すべく、例えば試薬を充填する試薬槽、この試薬、^１１ＣＨ_３Ｉを用いて放射性薬剤を製造する反応器等を備えている。なお、反応器を使用せずに、例えば経路を始めとした反応カラム等で試薬と^１１ＣＨ_３Ｉとを反応させても良い。

このＲＩ化合物製造装置７を収容するＲＩ化合物製造室８には、このＲＩ化合物製造室８内をクリーン環境に維持すべく、当該製造室８内にクリーンガスを給気し、この製造室８内のガスを排気する給排気装置が設けられると共に、当該製造室８内に収容されるＲＩ化合物製造装置７の出し入れを可能とすべく、扉（不図示）が各々設けられている。

また、品質検定室１０に収容される放射性薬剤検定装置９は、ＲＩ化合物製造装置７で製造された放射性薬剤を分注すると共に品質検定するもので、製品回収配管Ｌ２１を通じて供給された放射性薬剤を回収する製品回収容器、放射性薬剤の性状及び色状、放射性薬剤への不純物の混入の有無等を確認するＣＣＤカメラ３１、放射性薬剤からの放射能を測定する放射能測定装置３２、放射性薬剤が充填されるシリンジ等を備えている。

次に、このように構成されたメチオニン合成システム１の作用について図１〜図５を参照しながら説明する。ヨウ化メチル合成装置３は、原料ガス中の^１１ＣＯ_２を濃縮させる^１１ＣＯ_２吸着工程と、この^１１ＣＯ_２を用いて^１１ＣＨ_４を生成する^１１ＣＨ_４生成工程と、^１１ＣＨ_４を一時吸着させて未反応の水素ガス等を分離除去する^１１ＣＨ_４吸着工程と、この^１１ＣＨ_４とヨウ素とを合成反応させて^１１ＣＨ_３Ｉを合成する^１１ＣＨ_３Ｉ合成工程と、をこの順で具備している。

^１１ＣＯ_２吸着工程では、原料ガスは、図４に示すように、原料ガス供給配管Ｌ１，三方弁Ｖ１を通り室温の^１１ＣＯ_２吸着カラム１５に導入され、この^１１ＣＯ_２吸着カラム１５に原料ガス中の^１１ＣＯ_２が一時吸着される。この吸着処理により^１１ＣＯ_２が分離された原料ガスは、配管Ｌ３、第１状態の六方弁Ｖ２、配管Ｌ８、三方弁Ｖ３、配管Ｌ９、排気配管Ｌ１０、縁切り弁Ｖ７を通り、系外に排出される。

そして、ＲＩモニター２６により、^１１ＣＯ_２吸着カラム１５での^１１ＣＯ_２吸着量が所定値に達したこと確認した後に、原料ガスの供給を止める。

次いで、三方弁Ｖ１を切り換えて水素ガス供給配管Ｌ２と配管Ｌ３と連通させ、図５に示すように、六方弁Ｖ２を切り換えて第２状態として配管Ｌ３、六方弁Ｖ２、配管Ｌ４、^１１ＣＨ_４吸着カラム８、配管Ｌ５、六方弁Ｖ２、配管Ｌ８、三方弁Ｖ３、配管Ｌ９，Ｌ１０を連通させる。

^１１ＣＨ_４生成工程では、主成分を窒素ガスとして水素ガスを約１０％含んだキャリアガスが水素ガス供給配管Ｌ２、三方弁Ｖ１、配管Ｌ３を通り^１１ＣＯ_２吸着カラム５に導入されると共に、この^１１ＣＯ_２吸着カラム１５は加熱装置により加熱される。この加熱処理により^１１ＣＯ_２が^１１ＣＯ_２吸着カラム１５から脱離する。

この脱離した^１１ＣＯ_２は、キャリアガスと共に加熱装置により加熱された^１１ＣＨ_４変換カラム１６に導入され、還元触媒に接触しキャリアガス中の水素ガスにより^１１ＣＨ_４に変換される。

このようにして生成された^１１ＣＨ_４は、^１１ＣＨ_４精製カラム１７に導入され、^１１ＣＨ_４に同伴する未反応の^１１ＣＯ_２等が^１１ＣＨ_４精製カラム１７に充填された吸着剤に吸着される。この吸着処理により、^１１ＣＨ_４から未反応の^１１ＣＯ_２等が分離される。

^１１ＣＨ_４吸着工程では、^１１ＣＨ_４が配管Ｌ３、六方弁Ｖ２、配管Ｌ４を通り室温状態の^１１ＣＨ_４吸着カラム１８に導入され、この^１１ＣＨ_４吸着カラム１８に一時吸着される。^１１ＣＨ_４に同伴して^１１ＣＨ_４吸着カラム１８に導入された未反応の水素ガス等は、そのまま通過して、配管Ｌ５、六方弁Ｖ２、配管Ｌ８、三方弁Ｖ３、配管Ｌ９、排気配管Ｌ１０、縁切り弁Ｖ７を通り、系外に排出される。

この際のＲＩモニター２６、２７での放射能測定により、^１１ＣＯ_２吸着カラム１５での^１１ＣＯ_２吸着量が減少し、^１１ＣＨ_４吸着カラム１８での^１１ＣＨ_４吸着量が所定値に達したこと確認した後に、キャリアガスの供給を止める。

また、^１１ＣＨ_４吸着工程は、^１１ＣＨ_４吸着系１３の系内をパージするパージ工程を備えている。まず、三方弁Ｖ３を閉、縁切り弁Ｖ６を開とし、図４に示すように、六方弁Ｖ２を切り換えて第１状態とする。

この状態でＨｅ供給配管Ｌ６から供給されたＨｅガスは、縁切り弁Ｖ６、六方弁Ｖ２、配管Ｌ４、^１１ＣＨ_４吸着カラム８、配管Ｌ５、六方弁Ｖ２、配管Ｌ７、排気配管Ｌ１０、縁切り弁Ｖ７を通り、これらの配管、弁及び^１１ＣＨ_４吸着カラム１８に残存する水素ガス等を系外に排出する。そして所定量のＨｅガスを供給した後に、三方弁Ｖ３を切り換えて配管Ｌ９と配管Ｌ１１を連通させ、縁切り弁Ｖ７を閉とする。このようにして、配管Ｌ７，Ｌ９，Ｌ１１を連通させる。

次いで、^１１ＣＨ_４吸着カラム１８は加熱装置により加熱される。この加熱処理により^１１ＣＨ_４が^１１ＣＨ_４吸着カラム１８から脱離する。

^１１ＣＨ_３Ｉ合成工程では、脱離した^１１ＣＨ_４がＨｅガスにより移送され、配管Ｌ５、六方弁Ｖ２、配管Ｌ７，Ｌ９、三方弁Ｖ３、配管Ｌ１１、三方弁Ｖ４を通り^１１ＣＨ_３Ｉ合成系１４に導入される。導入された^１１ＣＨ_４は、配管Ｌ１２、ヨウ素カラム２０、^１１ＣＨ_３Ｉ合成カラム２１、^１１ＣＨ_３Ｉ精製カラム２２、^１１ＣＨ_３Ｉ吸着カラム２３、三方弁Ｖ５、循環配管Ｌ１３、循環ポンプ２９を通り、三方弁Ｖ４に戻りこれらの配管、弁、カラムを循環する。

このように^１１ＣＨ_４が^１１ＣＨ_３Ｉ合成系１４内を循環している状態で、ヨウ素カラム２０は加熱装置により加熱される。この加熱処理により、ヨウ素が気化し、このヨウ素ガスと^１１ＣＨ_４とが混合される。

この混合された^１１ＣＨ_４とヨウ素ガスは、^１１ＣＨ_３Ｉ合成カラム２１へ導入されると共に、加熱装置により加熱される。この加熱処理により、^１１ＣＨ_４とヨウ素ガスとが合成反応し^１１ＣＨ_３Ｉを合成する。

このように合成された^１１ＣＨ_３Ｉは、^１１ＣＨ_３Ｉ精製カラム２２へ導入され、^１１ＣＨ_３Ｉに同伴する未反応の^１１ＣＯ_２等が^１１ＣＨ_３Ｉ精製カラム２２に充填された吸着剤に吸着される。この吸着処理により、^１１ＣＨ_３Ｉから^１１ＣＯ_２等が分離される。

^１１ＣＯ_２が分離された^１１ＣＨ_３Ｉは、室温の^１１ＣＨ_３Ｉ吸着カラム２３に導入され、この^１１ＣＨ_３Ｉ吸着カラム２３に^１１ＣＨ_３Ｉが一時吸着される。^１１ＣＨ_３Ｉに同伴して^１１ＣＨ_３Ｉ精製カラム２２に導入された未反応の^１１ＣＨ_４は、そのまま通過して、循環を継続し、再びヨウ素カラム２０に導入され、上述したように、ヨウ素ガスとの混合、合成反応等が繰り返される。

そして、ＲＩモニター２８により、^１１ＣＨ_３Ｉ吸着カラム２３での^１１ＣＨ_３Ｉ吸着量が所定値に達したこと確認した後に、循環ポンプ２９を停止して循環を止め、三方弁Ｖ４，Ｖ５を切り換えて配管Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１４を連通させる。

次いで、^１１ＣＨ_３Ｉ吸着カラム２３は加熱装置により加熱される。この加熱処理により^１１ＣＨ_３Ｉが^１１ＣＨ_３Ｉ吸着カラム２３から脱離する。この離脱した^１１ＣＨ_３Ｉは、Ｈｅ供給配管Ｌ６から導入されたＨｅガスにより移送され、配管Ｌ１２，Ｌ１４を通り製品として系外で回収される。これにより、^１１ＣＨ_３Ｉが得られる。この^１１ＣＨ_３Ｉは、^１１ＣＨ_３Ｉ配管Ｌ１４、経路切換装置５、配管Ｌ２０を通りＲＩ化合物製造装置７に供給される。

ＲＩ化合物製造装置７では、導入された^１１ＣＨ_３Ｉ、試薬槽に充填された所定の試薬は、電磁弁により流れが制御され、所定の孔経路を通り反応器に導入されて、合成反応し、この合成反応により生じた反応生成物は、放射性薬剤として回収される。これにより、標識前駆体である^１１ＣＨ_３Ｉを用いて、放射性薬剤としてのメチオニンが製造される。この放射性薬剤は、配管Ｌ２１を通り放射性薬剤検定装置９に供給される。

この放射性薬剤検定装置９では、前述の検定が施され、また、少量の放射性薬剤は、シリンジにより取り出され、系外の例えば分析装置等でその他の品質検定が行われる。これらの品質検定に合格したものが、放射性薬剤として人体に投与可能とされる。

ここで、ＲＩ化合物製造装置７での放射性薬剤の製造が終了すると、経路切換装置５で、選択的に経路が切り換えられ、同一ＲＩ化合物製造室８内の他のＲＩ化合物製造装置７に^１１ＣＨ_３Ｉが導入される。そして、このＲＩ化合物製造装置７での放射性薬剤の製造が終了すると、経路切換装置５で経路が切り換えられ、他のＲＩ化合物製造室８内のＲＩ化合物製造装置７に^１１ＣＨ_３Ｉが導入される。そしてまた、このＲＩ化合物製造装置７での放射性薬剤の製造が終了すると、同一のＲＩ化合物製造室８内の他のＲＩ化合物製造装置７に^１１ＣＨ_３Ｉが導入され、必要に応じてこれが繰り替えされる。

このメチオニン合成システム１にあっては、一のＲＩ化合物製造室８内の２つのＲＩ化合物製造装置での放射性薬剤の製造が終了して所定の時間が経過し、当該一のＲＩ化合物製造室８内の放射能が十分に減衰したら、このＲＩ化合物製造室８の扉を開閉して、２つのＲＩ化合物製造装置７を取り出して、別のＲＩ化合物製造装置７をＲＩ化合物製造室８に収容し、再び放射性薬剤の製造に供する。このようにして、放射性薬剤の製造後のＲＩ化合物製造装置７の交換を行う。この時、このＲＩ化合物製造装置７の交換に並行して、他のＲＩ化合物製造室８内のＲＩ化合物製造装置７で放射性薬剤の製造が行われる。

このように、本実施形態においては、一つのヨウ化メチル合成装置３に対応して複数のＲＩ化合物製造装置７が設けられ、経路切換装置５により^１１ＣＨ_３Ｉが導入されるＲＩ化合物製造装置７を切り換えることで、他のＲＩ化合物製造装置７を次々に利用することが可能とされる。その結果、放射性薬剤の連続製造が可能となる。また、複数のＲＩ化合物製造装置７を収容するＲＩ化合物製造室８を複数備えているため、一のＲＩ化合物製造室８内のＲＩ化合物製造装置７，７を交換している際に、別のＲＩ化合物製造室８内のＲＩ化合物製造装置７，７を利用することが可能とされる。その結果、ＲＩ化合物製造装置７の衛生状態を保ち、被曝の低減をしつつ放射性薬剤の連続製造が可能なメチオニン合成システム１を提供することができる。

因みに、本実施形態のメチオニン合成システム１では、ＲＩ化合物製造装置７での１サイクルの放射性薬剤の製造時間は６０分であり、一のＲＩ化合物製造室８内での合計製造時間は１２０分となる。この放射性薬剤に含まれる放射性同位元素^１１Ｃの半減期は２０分であるから、この２サイクルの放射性薬剤の製造時間で装置に残留する放射能は１／６４〜１／８に減衰する。

また、本実施形態においては、ヨウ化メチル合成室４、ＲＩ化合物製造室８，８、品質検定室１０を一体として備えるホットセル２を具備しているため、メチオニン合成システム１の小型化が可能とされる。

以上、本発明をその実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態にあっては、メチオニンを製造するメチオニン合成システム１としているが、例えばコリン等その他の放射性薬剤、放射性医薬品、ＲＩ化合物を製造するＲＩ標識化合物合成システムとしても良い。

また、上記実施形態にあっては、複数のＲＩ化合物製造装置７を収納するＲＩ化合物製造室８を複数備える構成としているが、単数のＲＩ化合物製造装置７を収容するＲＩ化合物製造室８を複数備える構成としても良く、単数のＲＩ化合物製造装置７を収容するＲＩ化合物製造室８と、複数のＲＩ化合物製造装置７を収容するＲＩ化合物製造室８と組み合わせて備える構成としても良い。

本発明の実施形態に係るメチオニン合成システムを示す概略正面構成図である。 図１に示すメチオニン合成システムの概略右側面構成図である。 図１中のヨウ化メチル合成装置を示す概略構成図である。 図３中の六方弁を第１状態とした場合のヨウ化メチル合成装置を示す概略構成図である。 図３中の六方弁を第２状態とした場合のヨウ化メチル合成装置を示す概略構成図である。

符号の説明

１…メチオニン合成システム（ＲＩ標識化合物合成システム）、２…ホットセル、３…ヨウ化メチル合成装置（ＲＩ原料合成部）、４…ヨウ化メチル合成室（第１の箱内の室）、５…経路切換装置（切換手段）、７…ＲＩ化合物製造装置（ＲＩ化合物製造部）、８…ＲＩ化合物製造室（第２の箱内の室）、９…放射性薬剤検定装置（品質検定部）。

Claims (4)

1. 放射性同位元素を用いて、標識前駆体を合成するＲＩ原料合成部と、前記標識前駆体、試薬が導入され、放射性同位元素標識化合物を製造するＲＩ化合物製造部と、を備えるＲＩ標識化合物合成システムであって、
   前記ＲＩ原料合成部に対応して、複数の前記ＲＩ化合物製造部が設けられ、
   前記標識前駆体が導入される前記ＲＩ化合物製造部を選択的に切り換える切換手段を備え、
   前記ＲＩ原料合成部は、放射線を遮蔽する放射線遮蔽材により密閉可能な構造とされた第１の箱に収容され、
   前記ＲＩ化合物製造部は、開閉可能な扉を有し放射線を遮蔽する放射線遮蔽材により密閉可能な構造とされた第２の箱に収容されている
   ことを特徴とするＲＩ標識化合物合成システム。
2. 前記第１の箱と前記第２の箱とを一体として備えるホットセルを具備したことを特徴とする請求項１記載のＲＩ標識化合物合成システム。
3. 前記第２の箱は、放射線を遮蔽する放射線遮蔽材により密閉可能な複数の室に分割され、前記各室に対応して前記扉が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＲＩ標識化合物合成システム。
4. 前記放射性同位元素標識化合物の品質を検定する品質検定部を備えていることを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のＲＩ標識化合物合成システム。
   

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