JP4729093B2 - 波長変換光源装置及び波長変換方法 - Google Patents
波長変換光源装置及び波長変換方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4729093B2 JP4729093B2 JP2008301840A JP2008301840A JP4729093B2 JP 4729093 B2 JP4729093 B2 JP 4729093B2 JP 2008301840 A JP2008301840 A JP 2008301840A JP 2008301840 A JP2008301840 A JP 2008301840A JP 4729093 B2 JP4729093 B2 JP 4729093B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fundamental wave
- nonlinear crystal
- wavelength conversion
- crystal
- moved
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 228
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 87
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims description 23
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 21
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 54
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 23
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 15
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 10
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
- G02F1/3532—Arrangements of plural nonlinear devices for generating multi-colour light beams, e.g. arrangements of SHG, SFG, OPO devices for generating RGB light beams
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
- G02F1/3544—Particular phase matching techniques
- G02F1/3546—Active phase matching, e.g. by electro- or thermo-optic tuning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
基本波を発生する基本波光源と、
前記基本波の照射を受けて前記基本波を通過させ、前記基本波の波長を変換する非線形結晶と、
前記非線形結晶が配置され、前記非線形結晶中を通過する前記基本波の通過経路が変更されるように、前記非線形結晶を位相整合条件が乱されない平面内で連続移動させる移動部と、
前記基本波とは波長が異なるプローブ光を発生させるプローブ光源と、
を備え、
前記非線形結晶は、移動させられながら前記基本波の照射を受けつつ、同時に前記非線形結晶に照射される基本波の照射位置の先行位置に前記プローブ光の照射を受け、
前記基本波と前記プローブ光の照射を同時に受けながら移動させられている前記非線形結晶における前記基本波の照射位置の先行位置を通過したプローブ光を用いて、波長変換出力が低下する前記非線形結晶の劣化箇所を前記基本波の照射前に特定し、前記基本波の照射位置が前記劣化箇所を避けるように、前記非線形結晶は移動させられることを特徴とする。
基本波を発生する基本波光源と、
前記基本波の照射を受けて前記基本波を通過させ、前記基本波の波長を変換する非線形結晶と、
前記非線形結晶が配置され、前記非線形結晶中を通過する前記基本波の通過経路が変更されるように、前記非線形結晶を位相整合条件が乱されない平面内で1回につき前記基本波のスポットサイズ以下の距離だけ移動させる移動部と、
前記基本波とは波長が異なるプローブ光を発生させるプローブ光源と、
を備え、
前記非線形結晶は、移動させられながら前記基本波の照射を受けつつ、同時に前記非線形結晶に照射される基本波の照射位置の先行位置に前記プローブ光の照射を受け、
前記基本波と前記プローブ光の照射を同時に受けながら移動させられている前記非線形結晶における前記基本波の照射位置の先行位置を通過したプローブ光を用いて、波長変換出力が低下する前記非線形結晶の劣化箇所を前記基本波の照射前に特定し、前記基本波の照射位置が前記劣化箇所を避けるように、前記非線形結晶は移動させられることを特徴とする。
基本波を非線形結晶に照射して、前記基本波を通過させることで前記基本波の波長を変換する工程と、
前記基本波が前記非線形結晶に照射されている間、前記非線形結晶中を通過する前記基本波の通過経路が変更されるように、前記非線形結晶を位相整合条件が乱されない平面内で連続移動させる工程と、
移動させられている前記非線形結晶における前記基本波の照射位置の先行位置にプローブ光を照射して、前記基本波と前記プローブ光の照射を同時に受けながら移動させられている前記非線形結晶における前記基本波の照射位置の先行位置を通過したプローブ光を用いて、波長変換出力が低下する前記非線形結晶の劣化箇所を前記基本波の照射前に特定する工程と、
を備え、
前記基本波の照射位置が前記劣化箇所を避けるように、前記非線形結晶は移動させられることを特徴とする。
基本波を非線形結晶に照射して、前記基本波を通過させることで前記基本波の波長を変換する工程と、
前記基本波が前記非線形結晶に照射されている間、前記非線形結晶中を通過する前記基本波の通過経路が変更されるように、前記非線形結晶を位相整合条件が乱されない平面内で1回につき前記基本波のスポットサイズ以下の距離だけ移動させる工程と、
移動させられている前記非線形結晶における前記基本波の照射位置の先行位置にプローブ光を照射して、前記基本波と前記プローブ光の照射を同時に受けながら移動させられている前記非線形結晶における前記基本波の照射位置の先行位置を通過したプローブ光を用いて、波長変換出力が低下する前記非線形結晶の劣化箇所を前記基本波の照射前に特定する工程と、
を備え、
前記基本波の照射位置が前記劣化箇所を避けるように、前記非線形結晶は移動させられることを特徴とする。
図1は、実施の形態1における波長変換光源装置の構成を示す概念図である。図1において、波長変換光源装置100は、基本波光源10、集光レンズ12、非線形結晶14、コリメータレンズ16、ヒートシンク18、y軸ステージ30、y軸モータ32、x軸ステージ34、x軸モータ36、及び制御回路38を備えている。基本波光源10は、内部に図示しない共振器を有している。よって、図1に示す波長変換光源装置100は、共振器外波長変換を行う光源装置の一例となる。基本波光源10、y軸モータ32、及びx軸モータ36は、制御回路38により制御される。また、y軸ステージ30及びx軸ステージ34内にヒートシンク18が構成され、ヒートシンク18内に非線形結晶14が配置される。ヒートシンク18は、使用する結晶の温度を熱伝導がよく、温度一定化を可能にする。例えば、ペルチエ素子上にヒーターが組み込まれた銅ブロックに結晶をマウントする。このように、銅ブロック上に結晶素子を載せてもよいし、光路を確保し、結晶を銅のすり割り形状のブロックに埋め込み、かつ同ブロックにヒーターを埋め込んでも好適である。或いはヒーターの代わりに水路を設けても好適である。また、非線形結晶14として、KTPを用いて、第二高調波として波長532nmのコヒレント光を発生させる場合、銅ブロックの温度は100℃程度に制御されると好適である。
実施の形態1では、共振器外波長変換を行う光源装置について説明したが、これに限るものではない。実施の形態2では、共振器内波長変換を行う構成について説明する。以下に説明する内容以外は実施の形態1と同様である。
上述した実施の形態1では、図4,5に示したような移動経路になるように非線形結晶の移動をさせることを説明した。また、これは実施の形態2でも同様である。しかしながら、非線形結晶14の均質性において、結晶育成上および波長変換素子としての結晶加工研磨の影響で、一部の部位に、図4に示すように、波長変換特性の低下した劣化箇所50となる部位があることも判明した。かかる劣化箇所50を考慮せずに照射位置の移動経路を設定してしまうと照射位置の移動経路24上にかかる劣化箇所50が位置してしまうこともあり得る。劣化箇所50に基本波を照射してしまうと波長変換出力が低下してしまうことになる。
実施の形態3では、共振器内波長変換を行う光源装置にプローブ光で劣化箇所を事前に特定する機能を搭載した場合について説明したが、これに限るものではない。実施の形態4では、共振器外波長変換を行う構成にプローブ光で劣化箇所を事前に特定する機能を搭載した構成について説明する。以下に説明する内容以外は実施の形態1と同様である。
Claims (9)
- 基本波を発生する基本波光源と、
前記基本波の照射を受けて前記基本波を通過させ、前記基本波の波長を変換する非線形結晶と、
前記非線形結晶が配置され、前記非線形結晶中を通過する前記基本波の通過経路が変更されるように、前記非線形結晶を位相整合条件が乱されない平面内で連続移動させる移動部と、
前記基本波とは波長が異なるプローブ光を発生させるプローブ光源と、
を備え、
前記非線形結晶は、移動させられながら前記基本波の照射を受けつつ、同時に前記非線形結晶に照射される基本波の照射位置の先行位置に前記プローブ光の照射を受け、
前記基本波と前記プローブ光の照射を同時に受けながら移動させられている前記非線形結晶における前記基本波の照射位置の先行位置を通過したプローブ光を用いて、波長変換出力が低下する前記非線形結晶の劣化箇所を前記基本波の照射前に特定し、前記基本波の照射位置が前記劣化箇所を避けるように、前記非線形結晶は移動させられることを特徴とする波長変換光源装置。 - 基本波を発生する基本波光源と、
前記基本波の照射を受けて前記基本波を通過させ、前記基本波の波長を変換する非線形結晶と、
前記非線形結晶が配置され、前記非線形結晶中を通過する前記基本波の通過経路が変更されるように、前記非線形結晶を位相整合条件が乱されない平面内で1回につき前記基本波のスポットサイズ以下の距離だけ移動させる移動部と、
前記基本波とは波長が異なるプローブ光を発生させるプローブ光源と、
を備え、
前記非線形結晶は、移動させられながら前記基本波の照射を受けつつ、同時に前記非線形結晶に照射される基本波の照射位置の先行位置に前記プローブ光の照射を受け、
前記基本波と前記プローブ光の照射を同時に受けながら移動させられている前記非線形結晶における前記基本波の照射位置の先行位置を通過したプローブ光を用いて、波長変換出力が低下する前記非線形結晶の劣化箇所を前記基本波の照射前に特定し、前記基本波の照射位置が前記劣化箇所を避けるように、前記非線形結晶は移動させられることを特徴とする波長変換光源装置。 - 前記基本波光源は、共振器を有し、
前記非線形結晶は、前記共振器内に配置されることを特徴とする請求項1又は2記載の波長変換光源装置。 - 前記基本波光源は、共振器を有し、
前記非線形結晶は、前記共振器外に配置されることを特徴とする請求項1又は2記載の波長変換光源装置。 - 前記非線形結晶に照射される基本波の照射位置の移動経路が曲線を含むように、前記非線形結晶は移動させられることを特徴とする請求項1〜4いずれか記載の波長変換光源装置。
- 前記非線形結晶に照射される基本波の照射位置の移動経路が端部のない閉じた経路となるように、前記非線形結晶は移動させられることを特徴とする請求項1〜5いずれか記載の波長変換光源装置。
- 前記非線形結晶の移動速度は、波長変換出力が低下しない速度であることを特徴とする請求項1〜6いずれか記載の波長変換光源装置。
- 基本波を非線形結晶に照射して、前記基本波を通過させることで前記基本波の波長を変換する工程と、
前記基本波が前記非線形結晶に照射されている間、前記非線形結晶中を通過する前記基本波の通過経路が変更されるように、前記非線形結晶を位相整合条件が乱されない平面内で連続移動させる工程と、
移動させられている前記非線形結晶における前記基本波の照射位置の先行位置にプローブ光を照射して、前記基本波と前記プローブ光の照射を同時に受けながら移動させられている前記非線形結晶における前記基本波の照射位置の先行位置を通過したプローブ光を用いて、波長変換出力が低下する前記非線形結晶の劣化箇所を前記基本波の照射前に特定する工程と、
を備え、
前記基本波の照射位置が前記劣化箇所を避けるように、前記非線形結晶は移動させられることを特徴とする波長変換方法。 - 基本波を非線形結晶に照射して、前記基本波を通過させることで前記基本波の波長を変換する工程と、
前記基本波が前記非線形結晶に照射されている間、前記非線形結晶中を通過する前記基本波の通過経路が変更されるように、前記非線形結晶を位相整合条件が乱されない平面内で1回につき前記基本波のスポットサイズ以下の距離だけ移動させる工程と、
移動させられている前記非線形結晶における前記基本波の照射位置の先行位置にプローブ光を照射して、前記基本波と前記プローブ光の照射を同時に受けながら移動させられている前記非線形結晶における前記基本波の照射位置の先行位置を通過したプローブ光を用いて、波長変換出力が低下する前記非線形結晶の劣化箇所を前記基本波の照射前に特定する工程と、
を備え、
前記基本波の照射位置が前記劣化箇所を避けるように、前記非線形結晶は移動させられることを特徴とする波長変換方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008301840A JP4729093B2 (ja) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | 波長変換光源装置及び波長変換方法 |
US12/611,456 US7961378B2 (en) | 2008-11-27 | 2009-11-03 | Wavelength conversion light source apparatus and wavelength conversion method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008301840A JP4729093B2 (ja) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | 波長変換光源装置及び波長変換方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010128119A JP2010128119A (ja) | 2010-06-10 |
JP4729093B2 true JP4729093B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=42195994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008301840A Expired - Fee Related JP4729093B2 (ja) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | 波長変換光源装置及び波長変換方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7961378B2 (ja) |
JP (1) | JP4729093B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10622782B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-14 | Gigaphoton Inc. | Wavelength converting apparatus |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8824514B2 (en) * | 2010-11-09 | 2014-09-02 | Kla-Tencor Corporation | Measuring crystal site lifetime in a non-linear optical crystal |
US8508841B2 (en) * | 2011-03-04 | 2013-08-13 | HC Photonic Corp. | Light conversion module and light source system including the same |
US9250178B2 (en) * | 2011-10-07 | 2016-02-02 | Kla-Tencor Corporation | Passivation of nonlinear optical crystals |
US8976343B2 (en) * | 2012-06-21 | 2015-03-10 | Kla-Tencor Corporation | Laser crystal degradation compensation |
EP3084520B1 (en) * | 2013-12-19 | 2018-07-04 | Danmarks Tekniske Universitet | Laser apparatus with cascade of nonlinear frequency mixers |
US10416531B2 (en) * | 2015-12-30 | 2019-09-17 | Newport Corporation | Component shifting apparatus with shape memory alloy actuators |
WO2019038825A1 (ja) | 2017-08-22 | 2019-02-28 | ギガフォトン株式会社 | 波長変換装置 |
US10312659B1 (en) * | 2018-03-20 | 2019-06-04 | Coherent Lasersystems Gmbh & Co. Kg | Controlling laser beam parameters by crystal shifting |
CN111048992B (zh) * | 2019-12-26 | 2021-04-02 | 中国科学院半导体研究所 | 可控的多波长激光输出装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0736072A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-02-07 | Toshiba Corp | 高調波発生装置 |
JPH10268367A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Hitachi Ltd | レーザ波長変換方法およびレーザ波長変換装置ならびに露光方法および露光装置ならびに半導体装置の製造方法 |
JP2001177165A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Ushio Sogo Gijutsu Kenkyusho:Kk | 加工用レーザ装置の光学部品モニタ装置 |
JP2003046173A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ装置、波長変換素子、レーザ発振器、波長変換装置およびレーザ加工方法 |
JP2004022946A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Yaskawa Electric Corp | 高調波レーザ装置およびレーザ波長変換方法 |
JP2007093825A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | レーザ光源運用方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000252570A (ja) | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Shimadzu Corp | 波長変換固体レーザ装置 |
US6765201B2 (en) * | 2000-02-09 | 2004-07-20 | Hitachi, Ltd. | Ultraviolet laser-generating device and defect inspection apparatus and method therefor |
JP4109869B2 (ja) | 2002-01-09 | 2008-07-02 | 株式会社東芝 | 波長変換素子の製造方法 |
WO2003069300A1 (fr) * | 2002-02-13 | 2003-08-21 | Riken | Procede d'evaluation d'un cristal optique non lineaire et son dispositif ainsi que procede de conversion de longueur d'ondes et son dispositif |
JP5225715B2 (ja) * | 2007-03-07 | 2013-07-03 | パナソニック株式会社 | 高調波発生装置 |
-
2008
- 2008-11-27 JP JP2008301840A patent/JP4729093B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-11-03 US US12/611,456 patent/US7961378B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0736072A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-02-07 | Toshiba Corp | 高調波発生装置 |
JPH10268367A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Hitachi Ltd | レーザ波長変換方法およびレーザ波長変換装置ならびに露光方法および露光装置ならびに半導体装置の製造方法 |
JP2001177165A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Ushio Sogo Gijutsu Kenkyusho:Kk | 加工用レーザ装置の光学部品モニタ装置 |
JP2003046173A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ装置、波長変換素子、レーザ発振器、波長変換装置およびレーザ加工方法 |
JP2004022946A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Yaskawa Electric Corp | 高調波レーザ装置およびレーザ波長変換方法 |
JP2007093825A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | レーザ光源運用方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10622782B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-14 | Gigaphoton Inc. | Wavelength converting apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7961378B2 (en) | 2011-06-14 |
US20100128343A1 (en) | 2010-05-27 |
JP2010128119A (ja) | 2010-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4729093B2 (ja) | 波長変換光源装置及び波長変換方法 | |
JP4634427B2 (ja) | 照明装置及びパターン検査装置 | |
KR100803268B1 (ko) | 메트롤로지 장치, 리소그래피 장치, 공정 장치, 메트롤로지방법 및 디바이스 제조 방법 | |
TWI612745B (zh) | 193奈米雷射及檢視系統 | |
CN107887778B (zh) | 使用193nm激光器的固态激光器及检验系统 | |
US7495756B2 (en) | Pattern inspection apparatus | |
JP2005156516A (ja) | パターン欠陥検査方法及びその装置 | |
JPH10341054A (ja) | 紫外レーザ装置及び半導体露光装置 | |
JP2005235959A (ja) | 光発生装置及び露光装置 | |
JP2008147314A (ja) | 洗浄装置及び方法、洗浄装置を有する露光装置 | |
US7379151B2 (en) | Exposure apparatus comprising cleaning apparatus for cleaning mask with laser beam | |
US9991670B2 (en) | Laser light source device and inspection device | |
US20240004312A1 (en) | Metrology apparatus based on high harmonic generation and associated method | |
US7190441B1 (en) | Methods and systems for preparing a sample for thin film analysis | |
JP3399408B2 (ja) | 位相シフトマスクのシフタ残留欠陥修正方法並びに修正装置 | |
JP2009074851A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
TWI814356B (zh) | 光學總成、輻射源、用於光學元件之清潔方法、及相關的非暫時性電腦程式產品 | |
US20230185158A1 (en) | Deep ultraviolet laser using strontium tetraborate for frequency conversion | |
JP5087038B2 (ja) | パタン検査装置 | |
KR102598586B1 (ko) | 포토리소그라픽 마스크의 기판에 도입되는 하나 이상의 픽셀의 효과를 결정하기 위한 방법 및 장치 | |
JP6716086B2 (ja) | 光源装置、検査装置、及び光源装置の制御方法 | |
KR20240007276A (ko) | 조명 소스 및 연관된 방법, 장치 | |
Kumazaki et al. | Laser-induced damage threshold by high pulse repetition rate ArF excimer laser radiation | |
JP2005351919A (ja) | 波長変換光学系、レーザ装置、及びマスク欠陥検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101015 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20101026 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110325 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4729093 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |