JP4719290B2 - 情報処理システム - Google Patents
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本発明の第1の実施の形態に係るマイクロプロセッサブートアップ制御装置は、図1に示すように、外部のCPU及び不揮発性メモリ38に接続され、不揮発性メモリ38のデータを読み込んでCPUをブートアップ制御するマイクロプロセッサブートアップ制御装置12である。そして、このマイクロプロセッサブートアップ制御装置12は、不揮発性メモリ38に接続された揮発性メモリ(SRAM)24と、不揮発性メモリ38からブートアップコードをSRAM24に転送するセレクタ36と、ブートアップコードの転送が完了するまで、CPUに対してCPU読み込みデータを送出し、CPUを待機状態にするブートアップ制御シーケンサ26とを備える。
(a)システムに電源が投入されると、パワーオンリセットがホストCPUとブートアップ制御装置12にかかり、リセット解除後に動作開始する。
続いて、NANDリードデータのエラー処理について説明する。
本発明の第2の実施の形態に係る不揮発性メモリの制御装置26の構成は、図2に示すように、外部の不揮発性メモリ38,揮発性メモリであるSRAM24及びホストインタフェース部10に対して接続され、不揮発性メモリ38のアドレスを指定するアドレスジェネレータ18と、アドレスジェネレータ18に接続されアドレスジェネレータ18からアドレスジェネレータメモリアドレス信号AGMAを受信し、SRAM24に対して内部メモリアドレス信号IMAを供給する第1のセレクタ20と、SRAM24からの内部メモリリードデータ信号IMRを受信して、ホストインタフェース部10に対して外部メモリリードデータ信号EMRを供給する第2のセレクタ14と、第2のセレクタ14及び第1のセレクタ20に対して、内部制御信号SMSを供給し、アドレスジェネレータ18に対して、内部制御信号SAGを供給するステートマシン16と、第2のセレクタ14に対して無演算命令信号NOPを発生する無演算命令コード生成回路22とを備える。
本発明の第3の実施の形態に係る情報処理システム60の構成は、図7に示すように、複数のワード線,複数のワード線の各々に接続されたN個(Nは2より大きい自然数)のしきい値状態を有する複数のメモリセルを具備し、プログラムコードとユーザデータとが格納された多値NAND型不揮発性メモリ38と、多値NAND型不揮発性メモリ38に接続され、多値NAND型不揮発性メモリ38からプログラムコードが転送される揮発性メモリであるSRAM24を備えるブートアップ制御装置12と、ブートアップ制御装置12に接続され、SRAM24に転送されたプログラムコードに基づいて動作するCPU50とを備える。各ワード線に接続された複数のメモリセルは複数のページを形成し、プログラムコードは、複数のページの一部のページのみに格納されている。
本発明の第4の実施の形態に係る情報処理システムは、図8に示すように、複数のワード線,複数のワード線の各々に接続されN個(Nは2より大きい自然数)のしきい値状態を有する複数のメモリセルを具備し、プログラムコードとユーザデータとが格納された多値NAND型不揮発性メモリ38と、多値NAND型不揮発性メモリ38に接続され、多値NAND型不揮発性メモリ38からプログラムコードが転送されるコントローラ59と、CPUバス54と、CPUバス54を介してコントローラ59に接続され、プログラムコードに基づいて動作するCPU50とを備える。
本発明の第5の実施の形態に係る情報処理システム60は、図10に示すように、複数のワード線,複数のワード線の各々に接続されN個(Nは2より大きい自然数)のしきい値状態を有する複数のメモリセルを具備し、プログラムコードとユーザデータとが格納された多値NAND型不揮発性メモリ38と、バス86と、多値NAND型不揮発性メモリ38に接続され、多値NAND型不揮発性メモリ38から、バス86を介してプログラムコードが転送されるコントローラ59と、バス86に接続されたシステムメモリ88とを備える。
上記のように、本発明は第1乃至第5の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
12・・・(マイクロプロセッサ)ブートアップ制御装置
14・・・第2のセレクタ
16・・・ステートマシン
18・・・アドレスジェネレータ(アドレス発生回路)
20・・・第1のセレクタ
22・・・無演算命令コード生成回路
24・・・揮発性メモリ(SRAM)
26・・・不揮発性メモリの制御装置(ブートアップ制御シーケンサ)
28・・・メモリセルブロック
30・・・ページ単位
31・・・ページバッファ
32・・・ANDゲート
34・・・バッファ回路
36・・・セレクタ
38・・・(多値NAND型)不揮発性メモリ
40・・・エラー検出・訂正処理部
42・・・ホストCPUバス
50・・・CPU
52…DRAM
54…CPUバス
56…ストレージメモリ
58…NANDコントローラ
59…コントローラ
60…情報処理システム
62…NANDインタフェースコントローラ
64…ブート用メモリ
70…多値メモリストレージ部(第1の領域)
72…ブートコード用メモリセルブロック(第2の領域)
80…ブートアップローダー
84…インタフェース回路
86…バス
88…システムメモリ
WE…ライトイネーブル信号
OE…アウトプットイネーブル信号
HBS…ホストCPUバス信号
CLK…クロック信号
EMR…外部メモリリードデータ(信号)
EMA…外部メモリアドレス(信号)
IMR…内部メモリリードデータ(信号)
IMA…内部メモリアドレス(信号)
NCS…NAND制御信号
NMD…NANDメモリデータ信号
ND…NANDデータ信号
ECS…エラー検出・訂正信号
SMS…内部制御信号
SAG…内部制御信号
AGMA…アドレスジェネレータメモリアドレス(信号)
NOP…無演算命令(信号)
Claims (6)
- 多値記憶可能なメモリセルを複数有する不揮発性半導体メモリと、前記不揮発性半導体メモリに格納されたプログラムコードに基づいて動作可能なCPUとを具備する情報処理システムであって、
前記不揮発性半導体メモリは、ページアドレスで指定可能な第1ページ及び第2ページが割り当てられたワード線を複数有し、前記第1ページは前記ワード線に接続された複数のメモリセルの第1ビットに対応し、前記第2ページは前記ワード線に接続された複数のメモリセルの第2ビットに対応し、
前記プログラムコードは、前記複数のワード線の少なくとも一部において、前記第1ページのみに格納され、かつ、前記第2ページには格納されないことを特徴とする情報処理システム。 - 前記不揮発性半導体メモリは、ユーザデータを記憶することが可能であり、前記ユーザデータは、前記複数のワード線の少なくとも一部において、前記第1ページ及び前記第2ページの両方に格納されることを特徴とする請求項1記載の情報処理システム。
- 前記不揮発性半導体メモリは、前記プログラムコードを格納する場合において、前記第2ページに対応する前記第2ビットに固定値を書き込むことを特徴とする請求項1記載の情報処理システム。
- 前記不揮発性半導体メモリは、NAND型フラッシュメモリであることを特徴とする請求項1記載の情報処理システム。
- 前記不揮発性半導体メモリは、前記ページアドレスにより前記第1ページを指定することで、前記ワード線に割り当てられた前記第2ページを不使用とした状態で、前記第1ページにのみ前記プログラムコードを格納可能であることを特徴とする請求項1記載の情報処理システム。
- 前記第1ページに対応するページアドレスのみに対してアクセスするブートアップ制御装置を更に具備し、前記CPUは前記ブートアップ制御装置が読み出した前記プログラムコードによってブートアップ制御されることを特徴とする請求項1記載の情報処理システム。
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