JP4714185B2 - Gas processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、例えばレジストのリフロー処理等の所定の処理ガスを用いてガス処理を行うガス処理装置に関する。 The present invention relates to a gas processing apparatus that performs gas processing using a predetermined processing gas such as resist reflow processing.
例えば半導体装置の製造プロセスにおいては、所定の層が形成された基板の表面にレジスト層を形成し、所定のパターンに対応して露光処理を行った後に当該ウエハのレジスト層に形成された露光パターンを現像するという、いわゆるフォトリソグラフィ技術により所定のパターンに対応したレジストマスクが用いられる。 For example, in a manufacturing process of a semiconductor device, a resist layer is formed on the surface of a substrate on which a predetermined layer is formed, and an exposure pattern formed on the resist layer of the wafer after performing exposure processing corresponding to the predetermined pattern A resist mask corresponding to a predetermined pattern is used by developing so-called photolithography technology.
ところで、近年、半導体装置の高集積化と微細化が益々進展しており、これにともなって半導体装置の製造工程が複雑化し、必要なマスクパターンが増加し、製造コストが増加する。このため、製造コストを大幅に低減すべく、フォトリソグラフィのためのマスクパターンの形成工程を統合させて全体の工程数を短縮させることが検討されている。 By the way, in recent years, high integration and miniaturization of semiconductor devices are progressing, and accordingly, the manufacturing process of the semiconductor devices becomes complicated, the necessary mask patterns increase, and the manufacturing cost increases. For this reason, in order to significantly reduce the manufacturing cost, it has been studied to integrate the mask pattern forming process for photolithography to reduce the total number of processes.
マスクパターンの形成工程数を削減する技術として、レジストに有機溶剤を浸透させることによりレジストを軟化させ、レジストのパターン形状を変化させることによって新たなマスクパターンを形成して、フォトリソグラフィによるマスクパターンの形成工程を低減することができるリフロー処理が提案されている(例えば、特許文献1)。 As a technique for reducing the number of mask pattern formation processes, a resist is softened by infiltrating the resist with an organic solvent, and a new mask pattern is formed by changing the resist pattern shape. A reflow process capable of reducing the formation process has been proposed (for example, Patent Document 1).
このようなリフロー処理は、レジスト膜を形成した基板をシンナー雰囲気に曝すことにより行われるが、従来から、このような処理を密閉チャンバー内で行う装置が用いられている(例えば特許文献2参照)。 Such a reflow process is performed by exposing a substrate on which a resist film is formed to a thinner atmosphere. Conventionally, an apparatus for performing such a process in a sealed chamber has been used (for example, see Patent Document 2). .
このようなリフロー処理をFPD(フラットパネルディスプレイ)の薄膜トランジスタ(TFT)の製造に適用しようとする場合、FPD用のガラス基板が益々大型化しており、リフロー装置も大型化、複雑化の傾向にあり、コストが高いという問題がある。また、ガス吐出口と基板との間が10mm以上離れており、シンナー吐出口からシンナーが基板に到達するまでにシンナー濃度が低下し、高い反応速度を得ることが困難である。 When such reflow processing is applied to the manufacture of thin film transistors (TFTs) for FPDs (flat panel displays), glass substrates for FPDs are becoming larger and reflow devices are becoming larger and more complex. There is a problem that the cost is high. Further, the gas discharge port and the substrate are separated from each other by 10 mm or more, and the thinner concentration decreases before the thinner reaches the substrate from the thinner discharge port, and it is difficult to obtain a high reaction rate.
このような問題は、リフロー処理に限らず、他の処理ガスによるガス処理の場合も同様に生じる。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、基板に処理ガスを供給してガス処理を行う際に、大型化、複雑化を招くことなく、かつ処理ガス吐出口から基板までの距離を極力小さくすることができるガス処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and when supplying a processing gas to a substrate to perform gas processing, the distance from the processing gas discharge port to the substrate does not increase in size and complexity. An object of the present invention is to provide a gas processing apparatus capable of reducing the size as much as possible.
上記課題を解決するため、本発明の一観点では、基板に処理ガスを供給して所定の処理を施すガス処理装置であって、基板を搬送する搬送路と、前記搬送路の上方に設けられ、前記搬送路を搬送されている基板に向けて前記処理ガスを吐出させるとともに、前記搬送路を搬送されている基板を前記処理ガスの吐出および吸引により浮上させる浮上機構と、前記搬送路に沿って基板を搬送させる搬送機構と、前記浮上機構の前記処理ガスの吐出量および吸引量を制御し、前記基板の浮上距離を制御する制御部とを具備し、前記搬送機構は、前記基板を搬送するコロと、前記コロを昇降させる昇降機構とを有し、前記制御部は、前記基板の浮上距離に対応して前記昇降機構に信号を送り、前記コロが前記基板を搬送可能となるように、前記コロの上下位置を制御することを特徴とするガス処理装置を提供する。
In order to solve the above-described problem, according to one aspect of the present invention, a gas processing apparatus that supplies a processing gas to a substrate and performs a predetermined process is provided, and is provided above a transport path for transporting the substrate and the transport path. A levitation mechanism for discharging the processing gas toward the substrate being transported along the transport path and levitation of the substrate transported through the transport path by the discharge and suction of the processing gas; and along the transport path a transport mechanism for transporting the substrate Te, the Gyoshi control the discharge amount and the suction amount of the processing gas floating mechanism, and a control unit for controlling the flying height of the substrate, the transfer mechanism, the substrate It has a roller for transporting and a lifting mechanism for lifting and lowering the roller, and the control unit sends a signal to the lifting mechanism in accordance with the floating distance of the substrate so that the roller can transport the substrate. Of the roller To provide a gas processing apparatus characterized by controlling the lower position.
上記一観点において、前記浮上機構は、複数の処理ガス吐出口および処理ガス吸引口が形成され前記搬送路と対向する基準面を有する浮上部材を有し、前記基準面と前記搬送路を搬送されている基板の表面との距離が、50〜100μmの距離に制御される構成とすることができる。 In the above aspect, the levitation mechanism includes a levitation member having a reference surface that is formed with a plurality of processing gas discharge ports and a processing gas suction port and faces the transfer path, and is transported through the reference plane and the transfer path. The distance from the surface of the substrate being controlled can be controlled to a distance of 50 to 100 μm.
上記一観点において、前記浮上部材は、前記基板の温度を調節する温度調節機構を有する構成とすることができる。また、前記処理ガスとしてシンナーを用い、基板としてレジストパターンが形成されたものを用い、シンナーによりレジストパターンのリフロー処理を行うようにすることができる。 In the one aspect, the floating member can be configured to have a temperature adjusting mechanism for adjusting the temperature of the substrate. Further, a thinner can be used as the processing gas, and a resist pattern can be used as a substrate, and the resist pattern can be reflowed with the thinner.
本発明によれば、搬送路を搬送されている基板をガスの吐出および吸引により浮上させるので、基板を平坦にして極力処理ガス吐出口との距離を小さくすることができ、高い反応速度を維持することができる。また、搬送路を搬送されている基板に対して処理ガスを吐出して処理するので、大きなサイズの基板に対してもハンドリングが容易であり、装置の簡素化が可能となる。 According to the present invention, since the substrate transported in the transport path is floated by gas discharge and suction, the substrate can be flattened and the distance from the processing gas discharge port can be reduced as much as possible, and a high reaction rate can be maintained. can do. In addition, since the processing gas is discharged and processed on the substrate being transported on the transport path, handling is easy even for a large-sized substrate, and the apparatus can be simplified.
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るリフロー装置を示す断面図である。このリフロー装置100は、筐体1を有し、筐体1内にはガラス基板Gが水平に搬送される搬送路2が形成されている。筐体1の一方の側壁には基板搬入口1aが形成され、その側壁と対向する側壁には基板搬出口1bが形成されていて、基板搬入口1aから搬入されたガラス基板Gが搬送路2を水平に搬送され、基板搬出口1bから搬出されるようになっている。ガラス基板Gは、複数のコロ3とコロ3を駆動する駆動機構4とを有する搬送機構5により搬送路2を矢印Aの方向へ搬送される。複数のコロ3はフレーム6で連結され、フレーム6には昇降機構7が連結されており、昇降機構7により複数のコロ3が昇降可能となっている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a reflow apparatus according to a first embodiment of the present invention. The
筐体1内の搬送路2の上方には、ガラス基板Gを浮上させるとともに、処理ガスである気化されたシンナーを供給するシンナー供給機構として機能する浮上部材10が設けられている。浮上部材10の下面は、搬送路2と対向するように水平に形成された基準面10aとなっており、この基準面10aには、処理ガスである気化されたシンナーを吐出する複数のシンナー吐出口11と、雰囲気を吸引する複数の吸引口12とが形成されている。これら複数のシンナー吐出口11および吸引口12は、基準面10aの全面にわたって形成されており、複数のシンナー吐出口11と吸引口12とは例えば図2に示すように、ライン状にかつ交互的に設けられている。
Above the
各シンナー吐出口11には浮上部材10内に形成されたシンナー供給路13が接続されており、これらシンナー供給路13は共通のシンナー供給配管14に接続されていて、このシンナー供給配管14にはシンナー供給源15が接続されている。シンナー供給源15は、例えば図3に示すように、液体状のシンナーLを貯留するシンナー貯留容器16と、シンナー貯留容器16内のシンナーLにバブリングガス(例えばN2ガス)を供給するバブリングガス供給配管17とを有しており、シンナーLにバブリングガスを供給することによりシンナーを気化させ、気化されたシンナーをシンナー供給配管14に導く。バブリングガス供給配管17には、マスフローコントローラ等の流量制御器17aが設けられ、これによりバブリングガスの流量を制御してシンナーの気化量、すなわち気化されたシンナーの流量を制御可能となっている。
A
各吸引口12には浮上部材10内に形成された吸引路18が接続されており、これら吸引路18は共通の吸引配管19に接続されていて、この吸引配管19には真空ポンプ等の排気装置20が接続されている。排気装置20により吸引口12、吸引路18および吸引配管19を介して浮上部材10の下方の雰囲気を吸引することにより、ガラス基板Gの浮上距離を調整するとともに、気化されたシンナーを排出するようになっている。
A
シンナー供給源15および排気装置20は制御部25に電気的に接続されており、制御部25は、シンナー供給源15からの気化されたシンナーの流量および排気装置20による吸引量を制御して、シンナー吐出口11からのシンナーの吐出および吸引口12による吸引を調節し、これらのバランスによりガラス基板Gの浮上量、すなわち基準面10aとガラス基板Gの表面との距離を例えば50〜100μm程度の極小さい距離に制御可能となっている。この場合に、基準面10aとガラス基板Gの表面との距離は、シンナー吐出口11とガラス基板Gの表面との距離に相当する。
The
具体的には、制御部25は、浮上部材10に隣接して設けられた位置センサ24からのガラス基板Gの検出信号を受け取り、この検出信号に基づいて、図3に示す流量制御器17を制御してバブリングガスの流量を制御することによってシンナー吐出口11からの処理ガスの吐出量を制御するとともに、排気装置20に備えられたバルブ等を制御することにより吸引口12からの吸引量を制御し、ガラス基板Gの浮上距離を制御する。
Specifically, the
制御部25はまた、ガラス基板Gの浮上距離に対応して昇降機構7に信号を送り、コロ3がガラス基板Gを搬送可能となるように、コロ3の上下位置を制御するようになっている。
The
一方、浮上部材10の上面には温調水供給配管26および温調水排出配管27が接続されており、これらは浮上部材10中の温調水流路(図示せず)に繋がっている。温調水供給配管26および温調水排出配管27は、温調水供給源29に接続されており、温調水は浮上部材10に循環供給されるようになっている。温調水供給源29内の温調水の温度および流量は上記制御部25により制御されるようになっており、これにより、浮上部材10の温度が制御され、浮上部材10に近接して搬送されるガラス基板Gの温度が制御されるようになっている。
On the other hand, a temperature adjustment
なお、駆動機構4によるガラス基板Gの搬送速度も制御部25により制御されるようになっている。
The transport speed of the glass substrate G by the
このように構成されるリフロー装置100においては、搬送機構5によりガラス基板Gを搬入口1aから筐体1内に搬入し、搬送路2に沿ってガラス基板Gを矢印Aの方向へ連続的に搬送する。ガラス基板Gの表面には所定パターンのレジスト層が形成されており、リフロー装置100においては、このレジスト層を軟化させて流動させ、最初のパターンとは異なるパターンとする。
In the
筐体1内に搬入されたガラス基板Gには、浮上部材10のシンナー吐出口11からシンナーが吐出される。これにより、ガラス基板G上のレジストにシンナーが浸透し、軟化・流動される。そして、リフロー処理に供された後のシンナーは吸引口12から速やかに吸引されて排出される。
The thinner is discharged from the
このとき、シンナー吐出口11からのシンナーの吐出および吸引口12からの吸引が上述したように制御部25に制御され、ガラス基板Gの浮上量が制御される。また、この際に、制御部25により昇降機構7を制御して搬送機構5のコロ3の位置がガラス基板Gの浮上量に合わせて調節される。
At this time, the discharge of the thinner from the
この場合に、浮上部材10の基準面10aには全面に複数のシンナー吐出口11および吸引口12が形成されているため、ガラス基板Gは反りのない平坦な状態として浮上量を制御可能である。このため、ガラス基板Gを基準面10aに極めて近接させることができ、50〜100μmといった極小さい浮上量とすることができる。したがって、シンナー吐出口11とガラス基板Gとの距離を極力小さくして、高濃度のシンナーにより極めて効率よく、短時間で均一なリフロー処理を行うことができる。
In this case, since the plurality of
また、処理ガスであるシンナーの供給および排気のための吸引を利用して、ガラス基板Gの浮上量を制御するのでガスの供給および排気のための機構を簡素化することができる。 In addition, since the floating amount of the glass substrate G is controlled by utilizing the suction for supplying and exhausting the thinner as the processing gas, the mechanism for supplying and exhausting the gas can be simplified.
さらに、搬送路2を搬送されているガラス基板Gに対してシンナーを吐出してリフロー処理するので、ガラス基板サイズが大きくてもハンドリングが容易であり、装置の簡素化が可能となる。
Furthermore, since the thinner is discharged to the glass substrate G being conveyed through the
このリフロー処理に際して、温調水を流して浮上部材10の温度を制御することにより、ガラス基板Gをリフロー処理に適した温度、例えば20℃に制御する。これにより、適切なリフロー処理を行うことができる。
In this reflow process, the glass substrate G is controlled to a temperature suitable for the reflow process, for example, 20 ° C. by flowing the temperature-controlled water and controlling the temperature of the floating
なお、本実施形態においては、処理ガスであるシンナーを用いてガラス基板Gの浮上を制御するようにしたが、ガラス基板Gの浮上に必要なシンナー吐出量とリフロー処理に必要なシンナー吐出量とが大きく異なる等の場合には、処理ガスであるシンナーの吐出口とガラス基板浮上のためのガス吐出口とを別個に設けるようにしてもよい。 In the present embodiment, the floating of the glass substrate G is controlled by using the thinner which is the processing gas. However, the thinner discharge amount necessary for the floating of the glass substrate G and the thinner discharge amount required for the reflow process are as follows. In the case where the difference is greatly different, a thinner discharge port as a processing gas and a gas discharge port for floating the glass substrate may be provided separately.
次に、本発明の第2の実施形態に係るリフロー装置について説明する。図4は、本発明の第2の実施形態に係るリフロー装置を示す断面図である。上記第1の実施形態では浮上部材10がシンナー吐出部材を兼ねていたが、本実施形態では浮上部材とシンナー吐出部材とを別個に設けている。図4において図1と同じものには同じ符号を付して説明を簡略化する。
Next, a reflow apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a reflow apparatus according to the second embodiment of the present invention. In the first embodiment, the
このリフロー装置200は、筐体1内の搬送路2の上方にシンナー吐出部材50を設け、搬送路2の下方に浮上部材60を設けている。
In the
シンナー吐出部材50の下面は、搬送路2と対向するように水平に形成された基準面50aとなっており、この基準面50aには、処理ガスである気化されたシンナーを吐出する複数のシンナー吐出口51が全面にわたって形成されている。シンナー吐出部材50の内部には、シンナー拡散空間52が形成されておりシンナー拡散空間52から上記複数のシンナー吐出口51に対応する位置に複数のシンナー吐出孔53が延びている。シンナー吐出部材50のシンナー拡散空間52の上部にはシンナー供給配管54が接続されており、シンナー供給配管54にはシンナー供給源が接続されている。このシンナー供給源55は、シンナー供給源15と同様、例えば図3の構成を有している。
The lower surface of the
浮上部材60の上面は、搬送路2と対向するように水平に形成された基準面60aとなっており、この基準面60aには、ガラス基板Gを浮上させるための浮上ガス、例えばエアーを吐出する複数の浮上ガス吐出口61と、雰囲気を吸引する複数の吸引口62とが形成されている。これら複数の浮上ガス吐出口61および吸引口62は、基準面60aの全面にわたって形成されており、第1の実施形態の複数のシンナー吐出口11と吸引口12と同様、例えば、ライン状にかつ交互的に設けられている。
The upper surface of the
各浮上ガス吐出口61には浮上部材60内に形成された浮上ガス供給路63が接続されており、これら浮上ガス供給路63は共通の浮上ガス供給配管64に接続されていて、この浮上ガス供給配管64には浮上ガス供給源65が接続されている。
Each levitation
各吸引口62には浮上部材60内に形成された吸引路68が接続されており、これら吸引路68は共通の吸引配管69に接続されていて、この吸引配管69には真空ポンプ等の排気装置70が接続されている。排気装置70により吸引口62、吸引路68および吸引配管69を介して浮上部材60の上方の雰囲気を吸引することにより、ガラス基板Gの浮上距離を調整するとともに、気化されたシンナーを排出するようになっている。
A
浮上ガス供給源65および排気装置70は制御部75に電気的に接続されており、制御部75は、浮上ガス供給源65からの浮上ガスの流量および排気装置70による吸引量を制御して、浮上ガス吐出口61からの浮上ガスの吐出および吸引口62による吸引を調節し、これらのバランスによりガラス基板Gの浮上量、すなわち基準面60aとガラス基板Gの表面との距離を制御可能となっている。したがって、この距離を制御することにより、シンナー吐出口51が形成された基準面50aと基板との距離を小さい距離に制御可能となっている。
The levitation
浮上部材60の下面には温調水供給配管76および温調水排出配管77が接続されており、これらは浮上部材60中の温調水流路(図示せず)に繋がっている。温調水供給配管76および温調水排出配管77は、温調水供給源79に接続されており、温調水は浮上部材60に循環供給されるようになっている。温調水供給源79内の温調水の温度および流量は上記制御部75により制御されるようになっており、これにより、浮上部材60の温度が制御され、浮上部材60に近接して搬送されるガラス基板Gの温度が制御されるようになっている。
A temperature adjustment
図4には図示していないが、ガラス基板Gを搬送する搬送機構80は、図5に示すように、ガラス基板Gの両側にそれぞれ複数設けられガラス基板Gの端部を吸着する複数の吸着部材81と、吸着部材81を支持するとともにガラス基板Gを搬送する一対の搬送体82と、搬送体82をガイドする一対のガイドレール83と、搬送体82を駆動する駆動機構84と、ガイドレール83を昇降する昇降機構85とを有している。駆動機構84および昇降機構85は制御部75により制御される。制御部75は、ガラス基板Gの浮上距離に対応してガイドレール83の上下位置を制御するようになっている。
Although not shown in FIG. 4, a plurality of
このように構成されるリフロー装置200においては、搬送機構80によりガラス基板Gを搬入口1aから筐体1内に搬入し、搬送路2に沿ってガラス基板Gを矢印Aの方向へ連続的に搬送する。ガラス基板Gの表面には所定パターンのレジスト層が形成されており、このレジスト層のリフロー処理が施される。
In the
筐体1内に搬入されたガラス基板Gには、シンナー吐出部材50のシンナー吐出口51からシンナーが吐出される。ことにより、ガラス基板G上のレジストにシンナーが浸透し、軟化・流動される。そして、リフロー処理に供された後のシンナーは浮上部材60の吸引口62から速やかに吸引されて排出される。
The thinner is discharged from the
このとき、浮上部材60の浮上ガス吐出口61からの浮上ガスの吐出および吸引口62からの吸引が上述したように制御部75に制御され、ガラス基板Gの浮上量が制御される。また、この際に、制御部75により昇降機構85を制御して搬送機構80のガイドレール83の位置がガラス基板Gの浮上量に合わせて調節される。
At this time, the discharge of the floating gas from the floating
この場合に、浮上部材60の基準面60aには全面に複数の浮上ガス吐出口61および吸引口62が形成されているため、ガラス基板Gは反りのない平坦な状態として浮上量を制御可能である。このため、ガラス基板Gをシンナー吐出部材50の基準面50aに極めて近接させることができる。このときの近接距離は、シンナー吐出部材50の基準面50aに依存し、安全性の観点から第1の実施形態よりも多少大きな距離にならざるを得ないが、数ミリ程度、例えば1〜5mm程度と従来に比較すると著しく小さくすることができる。したがって、シンナー吐出口51とガラス基板Gとの距離を極力小さくして、高濃度のシンナーにより極めて効率よく、短時間で均一なリフロー処理を行うことができる。
In this case, since the plurality of floating
また、搬送路2を搬送されているガラス基板Gに対してシンナーを吐出してリフロー処理するので、ガラス基板サイズが大きくてもハンドリングが容易であり、装置の簡素化が可能となる。
Further, since thinner is discharged to the glass substrate G being conveyed through the
この第2の実施形態は、第1の実施形態のような処理ガスであるシンナーを用いて浮上距離を制御することが困難な場合に有効である。 The second embodiment is effective when it is difficult to control the flying distance using the thinner that is the processing gas as in the first embodiment.
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、処理ガスとしてシンナーを用いるリフロー装置を例にとって説明したが、これに限らず、例えばHMDSを用いるアドヒージョン処理のような他の処理ガスを用いるガス処理にも適用可能である。また、温度調整機構として温調水を循環させる機構を例にとって説明したが、これに限るものではなく、例えばアドヒージョン処理のような加熱制御する必要がある場合には、ヒーター等を用いることができる。さらに、基板の搬送機構としてコロ搬送およびレール搬送を例にとって説明したが、これに限るものではなく、例えばベルト搬送等他の搬送機構を採用することもできる。さらにまた、上記実施形態では基板としてFPD用のガラス基板を用いた例について示したが、半導体ウエハ等の他の基板のガス処理にも適用可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, in the above-described embodiment, a reflow apparatus using thinner as a processing gas has been described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and can be applied to gas processing using another processing gas such as an adhesion process using HMDS. . Further, the mechanism for circulating the temperature-controlled water as an example of the temperature adjustment mechanism has been described. However, the present invention is not limited to this, and a heater or the like can be used when heating control such as an adhesion process is required. . Furthermore, although roller conveyance and rail conveyance have been described as examples of the substrate conveyance mechanism, the present invention is not limited to this, and other conveyance mechanisms such as belt conveyance can also be adopted. Furthermore, in the above-described embodiment, an example in which a glass substrate for FPD is used as a substrate has been described.
本発明は、レジストのリフロー処理に好適である。 The present invention is suitable for resist reflow processing.
1;筐体
2;搬送路
3;コロ
4;駆動機構
5,80;搬送機構
7;昇降機構
10,60;浮上部材
10a,50a,60a;基準面
11,51;シンナー吐出口
12,62;吸引口
15,55;シンナー供給源
20,70;排気装置
25,75;制御部
29,79;温調水供給源
50;シンナー吐出部材
81;吸着部材
82;搬送体
83;ガイドレール
100,200;リフロー装置
G;ガラス基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Housing |
Claims (5)
基板を搬送する搬送路と、
前記搬送路の上方に設けられ、前記搬送路を搬送されている基板に向けて前記処理ガスを吐出させるとともに、前記搬送路を搬送されている基板を前記処理ガスの吐出および吸引により浮上させる浮上機構と、
前記搬送路に沿って基板を搬送させる搬送機構と、
前記浮上機構の前記処理ガスの吐出量および吸引量を制御し、前記基板の浮上距離を制御する制御部とを具備し、
前記搬送機構は、前記基板を搬送するコロと、前記コロを昇降させる昇降機構とを有し、
前記制御部は、前記基板の浮上距離に対応して前記昇降機構に信号を送り、前記コロが前記基板を搬送可能となるように、前記コロの上下位置を制御することを特徴とするガス処理装置。 A gas processing apparatus for supplying a processing gas to a substrate and performing a predetermined processing,
A transport path for transporting the substrate;
Levitation that is provided above the transport path and discharges the processing gas toward the substrate being transported through the transport path, and floats the substrate transported through the transport path by the discharge and suction of the processing gas. Mechanism,
A transport mechanism for transporting the substrate along the transport path;
The discharge amount of the processing gas floating mechanism and Gyoshi control the amount of suction, and a control unit for controlling the flying height of the substrate,
The transport mechanism includes a roller for transporting the substrate, and a lifting mechanism for lifting and lowering the roller.
The control unit sends a signal to the lifting mechanism corresponding to the flying distance of the substrate, and controls the vertical position of the roller so that the roller can transport the substrate. apparatus.
The gas according to any one of claims 2 to 4 , wherein a gas discharge port for floating the substrate is provided on the reference surface separately from the processing gas discharge port. Processing equipment.
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