JP4705668B2 - 化学蒸着装置を用いた化学蒸着方法 - Google Patents
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不純物金属含有量が0.01重量%以下であるタングステン粉末を蒸発源とした電子ビーム蒸着法によってタングステンからなる高融点金属の被覆膜を基体の表面に形成して前記発熱体を製作するステップと、
このようにして製作された発熱体を前記処理容器内に配置するステップと、
配置された発熱体を前記エネルギー供給機構により前記所定の高温に維持するステップと、
前記ガス供給系により前記原料ガスを供給し、所定の高温に維持された発熱体の表面での原料ガスの分解及び又は活性化により所定の薄膜を前記基板の表面に作成するステップと
を有する方法であり、
前記基体は、前記所定の薄膜を作成するステップにおいて維持される前記所定の高温よりも高い融点の材料からなるものであるという構成を有する。
上記課題を解決するため、本願の請求項2記載の発明は、内部で基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、処理容器内に所定の原料ガスを供給するガス供給系と、供給された原料ガスが表面を通過するように処理容器内に設けられた発熱体と、発熱体が所定の高温に維持されるよう発熱体にエネルギーを与えるエネルギー供給機構と、処理容器内に基板を保持する基板ホルダーとを備えた化学蒸着装置を用いた化学蒸着方法であって、
六フッ化タングステンの水素による還元反応を利用した化学蒸着により不純物金属含有量が0.01重量%以下であるタングステンからなる高融点金属の被覆膜を基体の表面に形成して前記発熱体を製作するステップと、
このようにして製作された発熱体を前記処理容器内に配置するステップと、
配置された発熱体を前記エネルギー供給機構により前記所定の高温に維持するステップと、
前記ガス供給系により前記原料ガスを供給し、所定の高温に維持された発熱体の表面での原料ガスの分解及び又は活性化により所定の薄膜を前記基板の表面に作成するステップと
を有する方法であり、
前記基体は、前記所定の薄膜を作成するステップにおいて維持される前記所定の高温よりも高い融点の材料より成るものであるという構成を有する。
ガス供給系2は、所定の原料ガスを溜めた不図示のガスボンベと、処理容器1内に設けられたガス供給器21と、ガスボンベとガス供給器21とを繋ぐ配管上に設けられたバルブ22や不図示の流量調整器とから構成されている。ガス供給器21は中空の部材であり、基板ホルダー4に対向した前面を有している。この前面には、小さなガス吹き出し孔210が多数形成されている。ガスボンベ21から配管23を通してガス供給器21にガスが導入され、このガスがガス吹き出し孔210から吹き出して処理容器1内に供給されるようになっている。
まず、処理容器1に隣接した不図示のロードロックチャンバーに基板9を配置するとともにロードロックチャンバー及び処理容器1内を所定の圧力まで排気し、その後、不図示のゲートバルブを開けて基板9を処理容器1内に搬入する。基板9は、基板ホルダー4に保持される。基板ホルダー4に保持された基板9は、必要に応じて基板ホルダー4に内蔵された温度調節機構により所定の温度に調節される。並行してエネルギー供給機構30が動作し、発熱体3を通電して発熱させ所定の高温に維持する。
SiH4(g)→SiH3(g)+H*(g)
NH3(g)→NH2(g)+H*(g)
aSiH3(g)+bNH2(g)→cSiNx(s)
となる。尚、gの添え字はガス状態、sの添え字は固体状態であることを意味する。
11 排気系
2 ガス供給系
3 発熱体
30 エネルギー供給機構
301 基体
302 被覆膜
4 基板ホルダー
9 基板
Claims (2)
- 内部で基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、処理容器内に所定の原料ガスを供給するガス供給系と、供給された原料ガスが表面を通過するように処理容器内に設けられた発熱体と、発熱体が所定の高温に維持されるよう発熱体にエネルギーを与えるエネルギー供給機構と、処理容器内に基板を保持する基板ホルダーとを備えた化学蒸着装置を用いた化学蒸着方法であって、
不純物金属含有量が0.01重量%以下であるタングステン粉末を蒸発源とした電子ビーム蒸着法によってタングステンからなる高融点金属の被覆膜を基体の表面に形成して前記発熱体を製作するステップと、
このようにして製作された発熱体を前記処理容器内に配置するステップと、
配置された発熱体を前記エネルギー供給機構により前記所定の高温に維持するステップと、
前記ガス供給系により前記原料ガスを供給し、所定の高温に維持された発熱体の表面での原料ガスの分解及び又は活性化により所定の薄膜を前記基板の表面に作成するステップと
を有する方法であり、
前記基体は、前記所定の薄膜を作成するステップにおいて維持される前記所定の高温よりも高い融点の材料からなるものであることを特徴とする化学蒸着装置を用いた化学蒸着方法。 - 内部で基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、処理容器内に所定の原料ガスを供給するガス供給系と、供給された原料ガスが表面を通過するように処理容器内に設けられた発熱体と、発熱体が所定の高温に維持されるよう発熱体にエネルギーを与えるエネルギー供給機構と、処理容器内に基板を保持する基板ホルダーとを備えた化学蒸着装置を用いた化学蒸着方法であって、
六フッ化タングステンの水素による還元反応を利用した化学蒸着により不純物金属含有量が0.01重量%以下であるタングステンからなる高融点金属の被覆膜を基体の表面に形成して前記発熱体を製作するステップと、
このようにして製作された発熱体を前記処理容器内に配置するステップと、
配置された発熱体を前記エネルギー供給機構により前記所定の高温に維持するステップと、
前記ガス供給系により前記原料ガスを供給し、所定の高温に維持された発熱体の表面での原料ガスの分解及び又は活性化により所定の薄膜を前記基板の表面に作成するステップと
を有する方法であり、
前記基体は、前記所定の薄膜を作成するステップにおいて維持される前記所定の高温よりも高い融点の材料より成るものであることを特徴とする化学蒸着装置を用いた化学蒸着方法。
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JP2008215341A JP4705668B2 (ja) | 2008-08-25 | 2008-08-25 | 化学蒸着装置を用いた化学蒸着方法 |
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JPH1083988A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Hideki Matsumura | 薄膜作成方法及び薄膜作成装置並びに半導体−絶縁体接合構造を有する半導体デバイス |
JP2000073172A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-07 | Hideki Matsumura | 触媒化学蒸着装置 |
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